第三章 光电转换(1)

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物体的导电能力,一般用材料电阻率的大小来衡量。电阻率越大,说明这种材料的导电能力越弱。下表给出以电阻率来区分导体,绝缘体和半导体的大致范围。

物体电阻率导体半导体绝缘体Ω· cm<10

-510-5~107>1073.1 半导体物理基础

太阳能电池是以半导体材料为基础的一种具有能量转换

功能的半导体器件。半导体材料的导电性能具有以下基

本特性:

(1)、掺杂特性

(2)、温度特性

(3)、环境特性掺入微量的杂质(简称掺杂)能显著地改变半导体的

导电能力。杂质含量改变能引起载流子浓度变化,半

导体材料电阻率也随之发生很大变化。

温度也能显著改变半导体材料的导电性能。一般来说,

半导体的导电能力随温度升高而迅速增加;金属的电

阻率具有正的温度系数,且随温度变化较慢。

半导体的导电能力还会随光照而发生变化(称为光电

导现象)。此外,还随电磁场和压力等的作用而变化。

一、原子能级

(2) 能量最低原理:在原子处于基态时,电子所占据

的状态总是使原子的能量为最低。核外电子在状态上的分布必须遵从下面两个原理:

(1) 泡利(w.pauli, 1900-1958)不相容原理:在原子

中不可能有两个或两个以上的电子占据同一个状态,

也就是不可能有两个或两个以上的电子具有相同的一

组量子数(n, l, ml, ms );

量子力学中采用n主量子数l角量子数ml磁量子数ms自旋量子数

来规定每个电子的状态。

(1) 主量子数n:依照原子中电子的能量由低到高,n可取

从1开始的一系列正整数,即n = 1, 2, 3, „;

(2) 轨道量子数l:也称角量子数,反映了电子轨道角动

量的大小。对于同一个n值下的不同l的状态,电子的能量

也有差别。在n值一定的情况下,l可取n个可能的数值,

即l = 0, 1, 2, „, n -1;

(3) 磁量子数ml:反映了电子轨道角动量在空间的取向,或

轨道角动量在某特定方向(如磁场方向)的分量。

(4) 自旋磁量子数ms :表示电子自旋角动量在空间的取向,

或自旋角动量在磁场方向的分量,自旋角动量向上,ms 取

1/2,自旋角动量向下,ms 取-1/2。几种常见元素的原子结构

硅太阳电池生产中常用的硅(Si),磷(P),硼(B)元素

的原子结构模型

第三层4个电子第二层8个电子第一层2个电子

Si+14P+15B最外层5个电子最外层3个电子

siPB原子最外层的电子称为价电子,有几个价电子就

称它为几族元素。

若原子失去一个电子,称这个原子为正离子,若

原子得到一个电子,则成为一个带负电的负离子。原子变成离子的过程称为电离。

第三层4个电子第二层8个电子第一层2个电子

Si+14P+15B最外层5个电子最外层3个电子

siPB

固体可分为晶体和非晶体两大类。

晶体有确定的熔点,如,硅、砷化镓、冰、一般金属

非晶体没有确定熔点,加热时在某一温度范围内逐渐软化。

非晶体原子排列无规则,而晶体则是由原子规则排列所组成的物质。二、晶体结构1.单晶和多晶

在整个晶体内,原子都是周期性的规则排列,称之为

单晶。由许多取向不同的单晶颗粒杂乱地排列在一起

的固体称为多晶。

2.硅晶体内的共价键

硅晶体的特点是原子之间靠共有电子对连接在一起。

硅原子的4个价电子和它相邻的4个原子组成4对共有

电子对。这种共有电子对就称为“共价键”。晶体对称的,有规则的排列叫做晶体格子,简称晶格。最小的晶格叫晶胞。

晶胞的各向长度称为晶格常数。

(a)简单立方(Po)(b)体心立方(Na、W)(c)面心立方(Al、Au)3.晶格、晶格结构、晶向

正四面实体结构

金钢石结构金刚石结构是一种复式格子,它是两个面心立方

晶格沿对角线方向上移1/4互相套构而成。晶面和晶向

(100

晶面

)(110晶面)(111晶面)晶体中的原子可以看成是分布在一系列平行而等距的平面上,这些平面就称为晶面。

垂直于晶面的法线方向称为晶向。

晶面密勒指数用密勒指数标记晶面的方向。

1)确定某平面在直角坐标系3个

轴上的截点,并以晶格常数为单

位测得相应的截距。

2)取截距的倒数,然后约简为3

个没有公约数的整数,即将其化

简成最简单的整数比。

3)将此结果以“(hkl)”表示,即为此平面的密勒指数。

常用[hkl]则代表垂直于晶面(hkl)的晶轴方向。

(100

晶面)(110晶面)(111晶面)