ZnS结构相变_电子结构和光学性质的研究_李建华
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项目批准号/申请代码1项目名称项目负责人21002081/B0201 Smiles重排应用于合成黄樟素衍生物研究血管内皮细胞凋亡的分子机制左华21021004/B0501 复杂体系的高效分离与表征 邹汉法21073071/B0301 高压下有机晶体的多晶型研究 邹勃21003047/B0305 表面活性素的定向结构改造、结构与性能研究 邹爱华21075076/B050306 小分子与蛋白质相互作用的表面增强拉曼散射检测方法研究宗瑞隆21072065/B020706 含深度共熔溶剂介质中醋酸菌Acetobacter sp.CCTCC M209061细胞催化手性醇不对称合成反应的研究宗敏华21074013/B0401 新型手性稀土金属络合物催化丙交酯立体选择性开环聚合反应研究自国甫21003117/B030203 紧密结合长程分子动力学计算机模拟和二维红外光谱技术以研究蛋白质折叠的动力学机理庄巍21010302022/B070201 东亚沙尘/气溶胶及其对全球气候变化的影响国际学术研讨会庄国顺21077060/B0704 典型全氟化合物在沉积物中的分配行为与微观机制 祝凌燕21077119/B070302 河流岸边带厌氧氨氧化反应的热区分布与过程效应 祝贵兵21076198/B060201 含固体颗粒的液态化工介质离心泵输送特性研究 朱祖超21072108/B020901 新型噻唑类除草剂的设计、合成与构效关系的研究 朱有全21077100/B070203 水稻土中藻对砷的甲基化作用及分子机制 朱永官21003046/B030201 丙烷脱氢-氧化耦合工艺中Pt基核壳双金属催化剂作用机制的第一性原理研究朱贻安21001095/B0104 金属核酸酶与DNA结合模式及切割活性的理论研究 朱艳艳21074082/B040101 含硒的功能性RAFT试剂的合成及其聚合研究 朱秀林21010302028/B04 第二届中加先进材料会议 朱秀林21006097/B060409 基于机械力活化理论的氯代芳烃固态Heck反应研究 朱兴一21024801/B01 Science China Chemistry 朱晓文21072104/B020507 黄素辅酶及其模型物负氢转移各基元步骤热力学研究朱晓晴21006104/B061201 多级孔分子筛催化剂上废塑料高效催化转化的定向调控朱向学21036006/B060203 分子筛及其膜材料的吸附、扩散与分离性能研究 朱伟东21076077/B060702 有害重金属离子高灵敏检测与高效分离一体化荧光传感器朱维平21077039/B070102 碳纳米管整体柱微萃取/全二维气相色谱法同时检测环境样品中超痕量二噁英和多氯联苯朱书奎21072190/B020101 通过分子内C-H键官能化合成几类杂环化合物的新方法研究朱强21072001/B0205 巯基作为配体的金纳米团簇参与有机反应的研究 朱满洲21073157/B0301 新颖贵金属磺基苯甲酸化合物结构与催化性能研究 朱龙观21001017/B0101 超声波辅助离子液体法合成稀土氟化物纳米晶及其光学性能研究朱玲21073062/B030702 具有荧光示踪功能的光控释放药物的量子点纳米复合物朱麟勇21006024/B060409 CO2-CH4干气重整NiMgO催化剂的极性(111)表面设计、制备和活性及抗积炭性能研究朱卡克21020102038/B05 功能纳米材料的组装与光电生物传感 朱俊杰21002028/B020601 Falcipain-2和DHFR双重抑制剂的设计、合成及其生物学评价朱进21072187/B020506 基于酰胺折叠物的新型螺旋状纳米管的设计、合成及性质研究朱槿21004025/B040606 嵌段共聚物乳液液滴的界面不稳定现象机理与微结构调控朱锦涛21006054/B060702 新型齐聚物糖基水凝胶因子设计合成及其凝胶行为 朱金丽21071014/B0101 氮化物以及氮氧化物可见光光催化剂的制备与性能研究朱鸿民21077137/B0704 SPME原位采样技术监测土壤-农作物系统的持久性有机污染物朱芳21076234/B060203 火灾下热功能含湿织物的干燥收缩分形分析及湿热传递模型朱方龙21072151/B020706 生物催化不对称羰基还原胺化反应的探索 朱敦明21066014/B0608 内生真菌石杉碱甲生物合成途径及代谢调控研究 朱笃21077049/B070203 土壤中煤源颗粒对有机污染物的吸附、解吸研究朱东强21074056/B040606 利用介电松弛谱研究酶电极中导电高聚物与生物大分子界面微结构及电荷传输朱丹21001033/B010701 介孔材料-核酸适体的组装及在药物控释技术中的应用研究朱春玲21061003/B010303 含氮、氧配位供体原子的有机配体及其配合物的合成、结构及性能研究朱必学21002069/B0202 双核金属配合物“协同”活化惰性C-H键朱柏林21002048/B0206 新型黄酮类肿瘤血管阻断剂的合成与生物活性研究 周中振21073152/B030606 电催化过程中低覆盖度吸附态中间体的原位红外光谱检测周志有21073096/B0302 无机纳米薄片/条带的计算设计与嵌锂性能周震21071051/B010401 扭曲度可调型类血红素铁卟啉的合成及其复合物性能研究周再春21074134/B040502 PEO树枝齐聚物嵌段共聚物的自组装与结晶行为研究周云春21071143/B010303 纳米尺度金属有机骨架材料的设计合成及其催化构效关系研究周有福21075114/B0511 膜保护配位聚合物微固相萃取技术在多溴联苯醚预富集和分析中的应用周友亚21006129/B060409 微乳液中纳米粒子定点负载构建新型钯整体式催化剂的研究周永华21074069/B040502 超支化聚合物的支化拓扑结构和性能关系研究周永丰21003075/B030606 DMFC电催化剂载体材料氮掺杂石墨烯的基础与应用研究周盈科21062003/B0207 中药桑白皮对HIV-1 LTR启动子活性的调控作用研究周英21076142/B060304 氧化铁/一氧化碳循环分解水制氢基础研究 周亚平21001065/B0103 芴基发光金属-有机骨架材料的设计合成和性能研究周馨慧21076036/B060702 砜和手性亚砜的选择性氧化合成及其机理研究 周新锐21003115/B030201 太阳能光催化制氢材料吸光机制的理论研究周新21073173/B030402 乙烯及衍生物分子的电离能、键能及解离动力学研究周晓国21003110/B030607 氧化-还原分子电子输运的STM裂结技术和电化学超快循环伏安法研究周小顺21072132/B020104 水溶性金属配合物催化水相偶联反应的研究 周向葛21072155/B020702 可诱导核酸交联剂的设计、合成及生物活性研究 周翔21002016/B020402 醉鱼草属植物杀虫活性成分及其作用机制研究周霞21003088/B030605 现场表面振动光谱法研究锂离子电池电极和离子液体的界面结构周尉21003005/B030502 介电弛豫法对电流变液动态界面多重极化特性的解析研究周威21010302016/B06反应与分离系统的耦合与集成周涛21007059/B0707 长三角毗邻海域有机氯农药随食物链(网)的迁移转化及生态风险周珊珊21037002/B070203 土壤污染微界面过程及其分子诊断与调控原理 周启星21032003/B020104 高效不对称催化反应及其在天然产物和手性药物合成中的应用研究周其林21074025/B0404 灵芝有效降糖天然大分子提取物的组成结构及在糖尿病治疗中的作用机理周平21077130/B0703 甲基对硫磷及4-硝基酚污染土壤的微生物修复机理研究周宁一21074080/B040101 多种拓扑结构的环型偶氮苯聚合物的设计、合成和性能研究周年琛21006036/B0612 碱木质素的溶液行为及其化学修饰模型物在固液界面的吸附机理研究周明松21072218/B021102 荧光编码标记分子(“分子条形码”)概念性验证 周明21004053/B040501 生物相容超分子聚合物的合成及其在磁共振造影剂的应用周密21001045/B0104 硒通过调节内质网应激发挥类胰岛素作用的研究 周军21002118/B0208 有机小分子催化的不对称环加成反应机理研究 周静21002005/B020702 应用新型质谱技术研究人类端粒G-四链体DNA的结构特性及其与小分子的结合位点周江21063004/B030105 在线灌注活细胞的P-31核磁共振波谱学特征研究 周建威21003034/B030105 基于表面等离子体结构的WGM/SERS生物传感特性研究周吉21006022/B060802 定向嵌段共聚制备温度和pH双重敏感聚氨酯基智能材料周虎21001038/B010403 稀土纳米材料促小鼠成骨细胞增殖作用的分子机制研究周国强21027006/B040608 与显微结构研究集成的冷热台型高速扫描高灵敏热分析仪的研制周东山21071052/B010801 β-环糊精衍生物萃取分离对映体过程中的手性识别机理及构效关系周从山21073150/B030302 氨基多羧酸高效高选择性络合催化降解研究 周朝晖21001032/B010303 基于肟类桥连配体的单分子磁体的合成与性质研究 周爱菊21081220312/B060104 第四届中美“能源与环境:化学工程师的机遇与挑战”化工研讨会仲崇立21064004/B0403 壳聚糖新型衍生物作为农业杀菌剂研究 钟志梅21002104/B020203 基于共轭环状金属配合物的线型分子导线的合成与研究钟羽武21076195/B0608 大肠杆菌K5产肝素前体heparosan代谢控制研究 钟卫鸿21076194/B060409 基于Baylis-Hillman反应的手性膦杯芳烃的合成及催化性能研究钟为慧21006103/B060903 燃料电池用掺杂型非铂催化剂制备及其构效关系研究钟和香21074012/B0402 基于聚对苯撑乙炔分子链内环化反应构筑新型共轭高分子支俊格21073110/B030204 量子相空间动力学:轨线——密度函数方法 郑雨军21072067/B020506 基于有机分子聚集诱导发光特性的手性识别研究 郑炎松21073095/B030106 离子液体对TiO2的成核、物相及形貌的影响研究 郑文君21071062/B010403 新型有机硒化合物协同TRAIL诱导肿瘤细胞凋亡的分子机制研究郑文杰21003053/B0301 螺旋体为前体的配位聚合物的组装与动态组合化学库的建立郑盛润21077011/B070302 苯二氮类镇静催眠药物在A2/O工艺中的强化净化 郑少奎21037003/B07 典型工业过程中持久性有机污染物生成机制与控制原理郑明辉21006073/B060407 基于扩散层原位生长纳米碳纤维的燃料电池膜电极组件研究郑俊生21073129/B030608 锂离子电池中正负电极间的相互作用与机理研究 郑洪河91022011/B0103 含[MCuxSy] (M = Mo, W)功能基元的簇合物的合成及高阶非线性光学性能研究郑和根21071033/B0111 枝状结构硅纳米线的合成与高灵敏度生物传感器的制备郑耿锋21075085/B0503 多模式薄膜化学蒸气发生:装置、反应体系及应用 郑成斌21073228/B030105 硼掺杂TiO2光催化活性增强机制的固体NMR和量子化学计算研究郑安民21007062/B0701 近海海洋环境中PBDEs迁移转化机制研究 赵宗山21073235/B030301 FCC汽油选择性加氢脱硫新型L沸石基催化剂及反应机理研究赵震21006031/B060306 新型的ZIFs晶体膜的制备及其分离CO2/N2机理 赵祯霞21062024/B020102 DNA聚合酶抑制剂(+)-Aphidicolin全合成研究 赵元鸿21074081/B040101 多组分星形和接枝聚合物的合成及性能研究 赵优良21073114/B030301 氧化铝载体在含水加氢体系中的水合脱结构研究 赵永祥21005059/B050105 基于多功能免疫磁珠和微流控芯片的痕量循环肿瘤细胞检测赵永席91022022/B0211 低维有机微晶材料的设计、合成与光电性能研究 赵永生21074091/B040308 分子印迹中空纤维膜的制备及其对手性分子吸附与拆分性能的智能化调控赵义平21073146/B030203 具有多桥的复杂分子体系中的电子转移理论和应用 赵仪21075101/B0503 以纳米颗粒为载体的分子药物控制释放和监测体系研究赵一兵21003039/B030802 离子液体与有机分子的相互作用及其对若干化学反应选择性的影响赵扬21062030/B020506 新型桥联环糊精/DABO类HIV逆转录酶抑制剂包结配合物的超分子体系研究赵焱21066005/B060903 新型稀土/金属离子掺杂Ta2O5纳米电极材料的制备及在燃料电池中的应用赵彦宏21073216/B030503 氢/氘分子在微孔碳材料上的动力学量子筛分离机理的研究赵学波21076059/B061103 基于甘油氢解和CO2醇解反应过程集成的碳酸丙烯酯新绿色合成反应研究赵新强21005060/B050102 固定化功能蛋白质取向及构象表征和调控色谱新方法赵新锋21076040/B060905 锌离子调节酵母菌乙醇耐性的分子机制和胁迫耐受酵母的构建赵心清21007063/B0701 有机基团修饰的磁性纳米材料在复杂环境水样品分析中的应用研究赵晓丽21005091/B050206 分子印迹阵列传感器的研制及其在食品安全快速检测中的应用赵晓娟21073033/B0305 基于光子晶体编码微球的蛋白质SERS检测及其应用 赵祥伟21001043/B010101 具有超顺磁性的小粒径大孔径介孔药物载体的制备及性能研究赵文茹21075065/B050206 维持酶蛋白自然构型的新型生物传感器电极的研制及应用赵文波21072029/B020601 以天然生物碱冬青生菌素H为先导的药物设计、合成及生物活性研究赵圣印21075125/B0509 粒径单分散双孔型PGMA微球基质及小分子药物配基高效亲和色谱体系的研究赵睿21007035/B070102 竹炭样品处理技术分离检测痕量环境污染物及其作用机理研究赵汝松21061016/B010303 异核低维分子基磁性材料的合成和相关性质研究 赵琦华21062018/B0207 樟叶越橘中熊果苷咖啡酰基转移酶的基因克隆与功能分析赵平21077094/B0707 高污染电子拆解区多氯联苯孕产妇污染负荷及对胎盘功能影响的分子机理赵美蓉21072056/B020104 新型双官能有机膦催化剂的合成及应用 赵梅欣21076140/B060203 化学-生物耦合膜反应器的构建及其对水体中多氯联苯原位去除机理研究赵林21002057/B021102 基于氮杂杯芳烃的配位自组装及性能研究 赵亮21003158/B0302 气相过渡金属离子与有机分子若干基本反应的理论研究赵联明21062028/B020405 嗜盐放线菌新物种抗肿瘤活性代谢产物研究 赵立兴21003011/B030204 常温质子迁移反应分子力场的设计开发与应用研究 赵立峰21072068/B020703 分子设计的藻胆蛋白的光动力学效应及其光疗作用探索赵开弘21072164/B020102 二苯乙烯-苯丙木脂素类似物的不对称合成及其生理活性研究赵静峰21003113/B0302 TiO2 表面湿电子态及光化学反应的理论研究 赵瑾21073028/B030706 具有超长激发态寿命的环铂室温磷光染料的分子设计、合成、光物理性质与应用研究赵建章21011130154/B020506 检测糖类分子的模块化手性荧光分子探针的研究 赵建章21077132/B070303 假单胞菌ND6菌株高效降解萘和萘胁迫应答的分子机理赵化冰21077001/B070302 耦合离子交换功能的高分子絮凝剂及其去除水中小分子溶解性有机物的研究赵华章21006002/B060204 分子层面多元体系内纳微结构药物颗粒的自聚体构建机理研究赵宏21074058/B040101 侧链或侧基可控断裂的梳型聚合物的制备 赵汉英21001089/B0113 基于单分子转动产生铁电性的有机铁电体的合成与性能测试赵海霞21077077/B0703 电吸附调控-光催化氧化降解不透光污染体系的方法与协同机制赵国华21072115/B0206 以AKT为靶标的新型三取代吲哚衍生物的设计、合成及抗肿瘤活性研究赵桂森21005087/B0501 卷烟烟气中主要杂环胺类化合物的体内代谢研究 赵阁21032006/B02 含氟有机化合物的合成、反应规律及应用研究 赵刚21003071/B030301 纳米-亚纳米复合结构贵金属催化剂的合成与表征 赵丹21072117/B021101 新型硼桥联梯形pi-共轭分子材料的设计合成及性能研究赵翠华21075122/B0501 基于代谢组学的转基因植物的安全性评价研究 赵春霞21076093/B060804 中国红豆杉细胞合成多乙酰基紫杉烷的代谢规律及调控机制赵春芳21076219/B061103 高纯纳米Al13溶胶制备大孔拟薄水铝石及其转化机制研究赵长伟21073035/B030201 负载型前过渡金属氧化物团簇模型催化剂构效关系的理论研究章永凡21072096/B020901 新型烯丙基香豆素类分子的设计与合成及其抗菌活性研究章维华21076052/B060702 糖分子内P、N手性配体的设计、制备及在不对称合成中的应用章鹏飞21072173/B020706 基于双AAO酶的手性汇聚法研究 张子张21073224/B0305 基于金属纳米颗粒-氧化石墨烯复合体系的表面增强拉曼基底的构筑及其用于细胞与药物相互作用研究 张智军21002051/B0201 炔丙基全碳1,3-偶极子在构建呋喃并杂环衍生物中的应用张志国21076126/B060301 强极性流体的气液相平衡行为及其应用 张志刚21077043/B070301 基于转化频率的碳烟催化燃烧机制张昭良21073162/B030602 纳米结构CeO2薄膜的光助阳极电沉积机制及其腐蚀电化学行为研究张昭21072042/B020101 新型环状过氧化物的合成方法研究张占辉21006075/B0603 微波辅助离子液体提取天然产物有效成分的传质机理研究张越非21076143/B060306 磷酸促进型掺锆二氧化硅/聚合物杂化膜及性能的研究张裕卿21071096/B010303 配合物嫁接的具有"二合一"功能的纳米复合材料 张玉良21072169/B0202 过渡金属催化的C-O键活化反应研究张玉红21074020/B040101 聚丙烯腈基碳纳米微球的可控制备及其基础问题研究张幼维21075102/B050303 金银纳米粒子增强室温磷光机理及其应用研究 张勇21001097/B010701 陀螺状磷酸亚铁锂/碳纳米管复合材料的结构调控及电化学特性研究张勇21066009/B061201 富氧增强褐煤燃烧性能及其在水泥熟料煅烧中的应用研究张永锋21005020/B0505 介孔纳米材料富集质谱鉴定糖肽新方法用于大肠癌血清糖肽组的研究张莹21076207/B060806 细胞间质体外模拟系统的构建及物质传递基本规律的研究张英21002092/B020405 白蚁共生放线菌的抗菌成分研究张应烙21073003/B030106 石墨烯表面化学修饰以及量子尺寸效应研究 张艳锋21005086/B050202 环介岛等温基因扩增过程的电化学信息研究张旭志21075132/B0504 14N核磁共振研究赖氨酸三甲基化蛋白质的相互作用动力学张许21074141/B040607 烯烃嵌段共聚物及其与聚烯烃共混体系的结构与性能关系研究张秀芹21010402027/B030201 过渡金属二茂夹心卤化物的国际合作研究 张秀辉21075029/B0502 基于分子印迹聚合物固相微萃取β-兴奋剂电化学传感器的研究张修华21001103/B0107 电沉积制备石墨烯/导电聚合物复合薄膜电极材料及其电容特性张熊21076030/B060306 优先渗透分离CO2的ZIF型金属有机骨架结构类分子筛膜的设计制备研究张雄福21076188/B061102 低温氮等离子体改性碳纳米管吸附二氧化碳的基础研究张兴旺21002117/B020601 靶向Mcl-1蛋白的抗肿瘤药物先导化合物的优化改造 张兴龙21074106/B0401 基于CO2/环氧化物可控共聚技术合成可降解的聚合物分子刷张兴宏21002070/B0201 钯催化多组分环化反应合成含硫杂环化合物的研究 张兴国21005010/B050304 LED诱导化学发光适配体传感器张信凤21077070/B070701 丁二烯代谢产物1-氯-3-丁烯-2-醇和1-氯-3-丁烯-2-酮与DNA碱基反应的研究张新宇21073061/B030606 纳米碳纤维的微结构及表面性质与其电催化活性的内在规律研究张新胜21027013/B0505 小型质谱仪器关键技术研究张新荣21072002/B020401植物甾醇单体氧化物的制备及其细胞毒性的研究张欣21007025/B070403 从芳香烃受体(AhR)的基因型研究卤代芳烃污染物的鸟类种间敏感差异性张效伟21010302032/B0509 2010 年第四届生物分析、生物医学工程与纳米技术国际会议(ISBBN 2010)张晓兵21072025/B0211 新型甲基酮桥连的给体-共轭-受体类分子电子开关的研究张晓安21003079/B0306 染料敏化太阳能电池中染料的分子设计、合成与光电性能研究张晓21073001/B030607 金属基复合材料电极的构建及其在肼类化合物中的检测应用张小俊21036007/B061201 离子液体及其在清洁化工中的应用基础研究 张香平21007066/B070403 六溴环十二烷3种异构体在鱼体内代谢过程研究 张娴21071030/B01 介电可调的有机-无机杂化包合物 张闻21076130/B060805 皮胶原-有机交联剂反应机理的计算化学研究 张文华21075041/B0502 半导体复合纳米材料光电分析方法在乙酰胆碱酯酶活性检测中的应用研究张文21076012/B060306 膜吸收近膜壁面处的传质行为及其传质强化手段研究张卫东21007023/B070302 树脂基纳米M/Fe(0)的研制及其催化脱除硝酸根的研究张炜铭21003097/B030106 高效可控制备微/纳米条形码的新方法研究 张伟明21074035/B040501 新型特定结构功能性β-环糊精包结络合超分子聚合物的构建、形态和应用张伟安21075039/B050106 磁性纳米固定相毛细管电色谱分离系统研究 张维冰21074059/B040106 疏水单体在水中的RAFT聚合:壳-冠型空心微球反应器中的RAFT聚合研究张望清21003119/B030301 IrMOx双活性位催化剂CO选择氧化微观动力学研究 张万生21077134/B070201 城市大气碳质颗粒物综合测定及七组分来源研究 张烃21071007/B010404 钙化结节中钙磷酸盐的结构及其转变——内、外源性金属离子的作用张天蓝21081260197/B06 第三届两岸化学工程与产品工程高峰研讨会 张锁江21072143/B020101 低价稀土金属试剂在合成多烯及多官能团化合物中的应用研究张松林21075021/B050901 微流控体系下DNA-蛋白质相互作用的单分子检测技术研究张松21077095/B070101 环境水体中超痕量溴酸根的在线富集、聚焦和毛细管电泳分离分析研究张书胜21007006/B070302 膜曝气分离单级自养脱氮生物反应器过程控制和功能菌群研究张寿通21004048/B040309 聚丁二酸丁二醇酯的仿生改性及其仿细胞外层膜结构纳米胶束的研究张世平21001036/B010701 具有多种聚阴离子基团的锂离子电池正极材料的结构调控及脱嵌锂性能研究张森21072156/B020601 新型激酶抑制剂:8-羟基-2-芳基-1-异喹啉酮类的合成和抗肿瘤活性研究张三奇21004021/B040308 利用非氟嵌段聚合物和超临界二氧化碳制备纳米孔径的高分子功能化薄膜张锐21003144/B030204 汽车尾气催化剂Pt掺杂CaTiO3的自再生机理的计算研究张秋菊21006108/B060402 转鼓式生物浸出反应器的传递特性和放大规律研究 张庆华21002107/B021102 新型“类离子液体”软功能材料制备与性能研究 张庆华21003081/B030802 离子液体与极性溶剂间相互作用规律研究 张庆国21001061/B010303 具有化学传感功能的多孔发光MOFs材料的设计构筑及其检测大气中POPs的研究张庆富21074123/B0403 单个偶氮聚合物囊泡的光致可逆形变的放大研究 张其锦21062013/B0210 四氯化硅催化氢化制备三氯氢硅工艺及机理研究 张宁21006023/B060304 扩张床吸附原位提取中药有效成分的方法研究 张敏21007083/B0705 环境渐变过程实验模拟及初始浓度效应研究 张美一21005006/B0502 基于扫描电化学显微镜的指纹采集技术的研究 张美芹21006069/B060802 “智能”溶栓策略探索——多尺度分子动力学模拟 张麟21076176/B060306 含无机纳米水通道反渗透复合膜的结构设计与制备 张林21076107/B061202 微小空间反应器中生物激发合成沸石与纳米金属粒子的研究张利雄21071032/B010303 新型季铵盐功能化的金属有机骨架材料的合成、结构与性能研究张丽娟21027002/B0501 蛋白质样品多级预处理系统的研制 张丽华21073177/B0307 甲醛分子离子电子激发态的振动分辨光解离动力学研究张立敏21073069/B030304 自掺杂光催化剂的设计、制备及其可见光光催化性能研究张礼知21074152/B0404 含树枝化结构基元的新型聚多糖衍生物研究 张黎明21001004/B0107 功能氧化物/碳纳米纤维复合材料的制备和电催化性能研究张莉21075016/B0501 多维毛细管液相色谱-质谱联用新技术用于甲型H1N1流感病毒的研究张兰21002115/B0203 环状手性含氟亚砜亚胺、亚磺酰胺和磺酰胺的立体专一性合成及应用研究张来俊21003050/B030301 限域纳米空间内酸碱有机官能团分子的可控组装及其协同催化机理的研究张坤21076162/B0608 油包水乳化体系中新型交联酶聚集体的构建及其结构与性能张峻21074048/B040605 具有不对称构筑基元的微结构阵列及其各向异性光学性质张俊虎21076063/B061201 基于离子液体的氯硅烷催化反应-相控耦合分离研究 张军21006110/B060901 炭黑和气体组分在煤气化过程中的作用机理研究 张聚伟21004001/B040601 停流光谱技术研究阳离子聚合物/DNA络合与解络合动力学张璟焱21076144/B060404 气液固三相高剪切反应器性能与模型放大研究 张金利21001120/B010303 多孔金属多氮唑框架 张杰鹏21073191/B0301 基于非手性源的单手性材料的催化不对称结晶 张健21002062/B020601 STAT3选择性抑制剂的设计、优化及其功能研究 张健21004077/B040303 基于主-客体相互作用的三重化学响应性聚合物组装体:设计、构建及其药物传输性能研究张建祥21074063/B040401 微量填充生物可降解高分子共混体系的微结构与性能研究张建明21073053/B030803 桥联型双核稀土多取代芳香羧酸配合物结构与热分解反应机理及性能研究张建军21071025/B010303 异金属团簇化合物的合成和性能研究 张建军21071019/B010601 二元金属氨硼烷的制备、释氢机理及其在推进剂中应用研究张建国21061004/B010701 含Fe钨青铜结构化合物的结构调控与电磁特性研究 张辉21071021/B010902 锝-99m、氟-18、碘-125-VEGF多肽肿瘤显像剂的制备、体外评价及生物分布研究张华北21073055/B030802 溶液中无机阴离子在纳米晶表面上的复合与稳定化作用研究张虎成21073077/B0304 有机光电材料激子态动力学研究 张厚玉21071140/B0105 新型稀土纳米复合材料的合成、发光和磁性能的研究张洪杰21074071/B040609 透明质酸多糖自聚集物理水凝胶的形成机理和流变学研究张洪斌21071027/B0101 功能化的多金属氧酸盐组装分子磁性晶态材料的可控合成与性能研究张宏21007069/B0704 T-2毒素生物转化及毒性的分子机制研究 张红霞21005067/B050105 集成化多功能可控细胞操纵及分析微流控芯片的研制张何21073079/B030702 高双光子吸收截面有机半导体材料的设计与性质研究张浩力21004032/B040102 新型烯烃复分解催化剂的设计、合成以及在制备结构可控的高性能聚合物材料中的应用张浩21077030/B0704 固氮蓝藻修复多氯联苯污染水稻土的机理研究 张杭君21077102/B0706 大辽河流域代表性卤代阻燃剂的污染特征与演变趋势张海军21006066/B060409 CH4/CO2重整高抗积碳金属/炭材料催化剂的制备及机理研究张国杰21007002/B070301 三维有序大孔-介孔复合氧化物原位担载贵金属纳米粒子的可控制备及同时消除NOx和碳烟的催化性能研究张桂臻21081260019/B020402 中国西北部中药资源开发国际研讨会 张桂珍21076215/B060802 层析过程中界面上蛋白质结构及动态变化 张贵锋21071146/B0107 多酸基多元复合光电催化材料的设计,制备及其性能研究张光晋21075126/B0509 基于聚集荧光增强机理的化学/生物传感的研究 张关心21076095/B0608 慢消化淀粉与茶多酚对餐后血糖反应的协同作用 张根义21073105/B030505 基于alpha-烷氧基锌酞菁J聚集机理的酞菁光控自组装张复实21077120/B070304 含溴电子废物在超临界甲醇中的催化脱溴机制研究 张付申21064002/B040705 介孔材料环境下原位乳液聚合稳定性及其聚合物复合材料热学和力学性能研究张发爱21072226/B020601 基于小檗碱抗耐药真菌作用的小分子探针研究 张大志21003077/B030301 以废轮胎热解炭为载体的脱氢催化剂在有机液体储氢中的研究张翠21075129/B050901 病原体的超灵敏高通量单分子检测研究 张春阳21027007/B0506 电化学发光成像分析仪的研制 张成孝21005030/B0511 基于碳纳米管表面印迹技术的猕猴桃根中抗肿瘤活性成分分离及活性研究张朝晖21004080/B040303 组织诱导型可生物降解聚谷氨酸水凝胶支架材料制备及其在骨组织工程中的应用研究张超21077117/B070301 Pt/TiO2催化剂室温氧化甲醛的高活性机制研究及非贵金属化探索张长斌21005065/B050102 基于液滴技术的蛋白质组分离分析新方法 张博21077126/B070502 典型羟基多溴联苯醚拟/抗激素效应的H12定位选择机制及构效关系研究张爱茜21073087/B0303 多壁碳纳米管的结构缺陷及其自发氧化还原性能在催化反应中的作用研究张爱民21034004/B040101 大尺度螺旋聚合物的可控合成及其结构分析 张阿方21075077/B0503 痕量多溴联苯醚的表面增强拉曼光谱检测 占金华21072159/B0201 过渡金属催化下各类杂环化合物的新合成方法研究 詹庄平21076184/B060702 持久低表面能、环境友好含短氟碳链聚合物的分子设计与合成詹晓力。
用Zn掺杂和热处理改善SnS薄膜的电学特性贾影;李健;闫君【摘要】用质量比为1%∶0.2%(质量分数)的Sn、S混合粉末在玻璃衬底上热蒸发沉积SnS薄膜,氮气保护下对薄膜进行350℃、40min热处理后,得到简单正交晶系SnS多晶薄膜,薄膜的电阻率为103 Ω·cm,选择2%和4%(质量分数)的Zn掺杂来改善SnS薄膜的导电性.研究表明,SnS∶Zn薄膜最有效的热处理条件为300℃、40min,掺Zn后薄膜的物相结构转为简单正交和面心正交晶系混合相,SnS∶Zn薄膜(2%和4%(质量分数))的电阻率在1.8528 × 10-3~4.944×10-4 Ω·cm之间,导电类型为N型.薄膜中Sn和S分别呈+2和-2价,Zn显示+2价,以间隙和替位两种状态存在于SnS中,对薄膜导电性起改善作用的是间隙态的Zn离子.【期刊名称】《功能材料》【年(卷),期】2013(044)008【总页数】5页(P1081-1085)【关键词】热蒸发;热处理;SnS薄膜;Zn掺杂;电学特性【作者】贾影;李健;闫君【作者单位】内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特010021;内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室,内蒙古呼和浩特010021;内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特010021;内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室,内蒙古呼和浩特010021;内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特010021【正文语种】中文【中图分类】O4841 引言SnS薄膜具有良好的光、电性能,光吸收系数约在104cm-1,禁带宽度在1.3~1.5eV范围,与太阳电池最佳禁带宽度1.5eV十分接近,与太阳辐射中的可见光有很好的光谱匹配,所以适合做薄膜太阳电池的吸收层。
由于Sn和S材料价廉,地球储量丰富,对环境污染较低,因而制作SnS薄膜电池可降低成本并且保护环境,所以将SnS用于太阳电池的吸收层,对开发新型薄膜太阳电池有着重要的意义和价值。
硫掺杂石墨相氮化碳的独特光电子结构引发的高效光反应活性摘要:电子结构本质上控制着吸光率,氧化还原电位,载流子迁移率,因此控制了半导体光催化剂的光反应性。
为获得更广的吸收范围,传统的改变半导体催化剂电子结构的方法是掺杂阴离子来降低氧化还原电位和/或载流子迁移率,所以其光反应性通常是有限的,并且一些重要的反应可能根本不会发生。
在本文中,具有独特电子结构的硫掺杂石墨相氮化碳(c3n4-xsx),会将提高导带的最小值,并与轻微的吸光率降低相结合,增加价带带宽。
在λ>300和400nm时c3n4-xsx存在的光反应中氢气的生成分别7.2倍和8倍于c3n4。
更显著的是,在λ>400时对于c3n4-xsx可以发生完成的苯酚的氧化过程,而这对于c3n4来说,即使是λ>300也是不可能的。
同一种族的硫代替了晶格氮,随之而来的量子限制效应被认为是特殊的电子结构引起的,因此表明c3n4-xsx具有良好的光反应性。
这一结果提供了设计潜在的有效的光催化剂的一种基本的掺杂方法。
1开场白寻找高活性的光催化剂已经成为全球致力研究的课题,主要是由于其在再生能源和清洁环境中有广泛的应用前景。
到目前为止,已经开发了很多令人印象深刻的光催化材料,并且都表明了其具有非常好的光反应性。
在研究工作中,除去研究开发新的物质,利用新的方法增强已知的光催化剂活性的研究已经成为了不可缺少的部分。
图1(a)表面和同一种族阴离子添加剂改进的半导体能带结构原理图(b)c3n4(a)和c3n4-xsx(b)紫外红外线谱图(c)c3n4(a)和c3n4-xsx(b)的荧光发射光谱(d)c3n4(a)和c3n4-xsx(b)价带光谱总密度(e)c3n4(a)和c3n4-xsx(b)紫外谱图(f)c3n4和c3n4-xsx相比较的电子结构原理图在各种方法中,对添加剂的研究基本是毋庸置疑的,尤其是添加阴离子作为先驱得到了最广泛的研究,因为它能有效的增宽半导体能带隙的光敏感范围。
硫化锌体材料制备及其光学性能研究进展
吴绍华;赵劲松;赵跃进;杨伟声;姜杰;李茂忠;董汝昆;母婷婷;郑丽和
【期刊名称】《红外技术》
【年(卷),期】2022(44)5
【摘 要】多光谱波段透过型ZnS体材料在整流罩、红外透镜、红外窗口等领域具
有广泛应用。本文全面梳理和总结了ZnS体材料制备技术的最新研究进展,包括热
压技术、化学气相沉积+热等静压技术等。分析了不同制备方法对ZnS体材料光
学性能的影响因素。最后展望了ZnS体材料的未来发展方向。
【总页数】9页(P453-461)
【作 者】吴绍华;赵劲松;赵跃进;杨伟声;姜杰;李茂忠;董汝昆;母婷婷;郑丽和
【作者单位】昆明物理研究所;北京理工大学;云南北方光学科技有限公司;云南大学
物理与天文学院
【正文语种】中 文
【中图分类】O782;O734
【相关文献】
1.石墨烯负载有序介孔硫化锌纳米棒复合材料的制备及光催化性能2.二维硫化锌材
料的制备及其研究进展3.表面官能团对硫化锌/碳纳米管复合材料的制备及光致发
光光谱性能影响4.用化学气相沉积(CVD)法制备硫化锌(ZnS)体块材料中晶体缺陷
和生长工艺的研究5.硫化锌交流电致发光粉体材料制备工艺与发光亮度间的关系
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ZnO和ZnS本征点缺陷的理论研究马昌敏;刘廷禹;常秋香;罗国胤【摘要】基于第一性原理和热动力学方法,通过模拟计算分析了不同温度和分压下ZnS和ZnO晶体本征点缺陷的性质.振动熵的计算结果表明,在高温条件下,振动熵对缺陷形成能的贡献不能忽略.对比分析2种晶体本征点缺陷随环境条件变化的规律,结果表明,2种晶体的主导缺陷均为空位型.氧空位(V0)在ZnO中更易形成,富氧和低温条件有利用于ZnO的p型本征掺杂.而锌空位(Vzn)在ZnS中形成能最低,因此ZnS比ZnO更容易形成p型掺杂.研究还发现2种晶体的肖特基缺陷都不稳定,而弗伦克尔缺陷比较稳定.除ZnS反弗伦克尔缺陷外,有价态的缺陷对的形成能均比中性缺陷对的形成能低.【期刊名称】《高等学校化学学报》【年(卷),期】2016(037)005【总页数】6页(P932-937)【关键词】密度泛函理论;点缺陷;热力学;氧化锌;硫化锌【作者】马昌敏;刘廷禹;常秋香;罗国胤【作者单位】上海理工大学理学院,上海200093;上海理工大学理学院,上海200093;上海理工大学理学院,上海200093;上海理工大学理学院,上海200093【正文语种】中文【中图分类】O641ZnS和ZnO均为锌基Ⅱ-Ⅵ族化合物直接宽带隙半导体, 是非常重要的发光半导体材料, 均包含立方(闪锌矿)和六方(纤锌矿)2种晶体结构. ZnO通常以六方结构存在, 而ZnS通常为立方结构. ZnO的激子束缚能较大(≈60 meV), 透明度高, 广泛应用于发光二极管、荧光材料、光催化及太阳能光伏材料, 可变电阻及压电材料等领域[1~4]. ZnS则在阴极射线管的磷光体、电致发光器件、非线性光学器件、光催化剂及太阳能电池等方面有巨大的应用潜力[5]. 而实现ZnS和ZnO材料的n型和p型稳定掺杂, 是其在该领域应用的关键.ZnS和ZnO都具有单极性[6], 即: 如果n型掺杂容易, p型掺杂就非常困难, 反之亦然, 这成为其在光电领域应用的瓶颈, 目前已有很多利用共掺控制材料导电类型的报道[7~9]. 但要更好地控制导电类型, 本征点缺陷的深入研究尤为重要. 通过分析本征缺陷的形成来研究施主和受主中心的结构及物理机制, 从而更好地通过掺杂控制材料导电类型.有关ZnS和ZnO本征点缺陷的研究已有不少报道, 如王洪波等[10]研究了ZnO中主要点缺陷浓度与环境温度和氧分压的热力学关系. 徐彭寿等[11]研究了ZnO本征点缺陷的电子结构, 讨论了其对导电性的影响. 在富氧或富锌条件下, 对ZnO本征缺陷的研究也有报道[12,13]. Li和Deng 等[14]用第一性原理LDA, LDA+U方法对闪锌矿型ZnS的点缺陷进行了较深入的研究; Morozova 和Karetnikov等[15]研究了压强(100~200 MPa)和温度(900~1100 ℃)对ZnS的带隙和点缺陷平衡的影响. 关于ZnS高温电导和高温缺陷平衡的研究也有相关研究报道[16,17].上述研究都局限在特定温度(T)和氧分压或硫分压(pO2或pS2)条件下, 并未对ZnS 和ZnO晶体中点缺陷在整个T和pO2或pS2条件下进行全面系统的研究. 也未考虑振动熵对晶体缺陷形成能的影响, 因此, 本文提出在考虑振动熵对缺陷形成能贡献的情况下, 计算得到比较精确的缺陷形成能, 通过研究ZnS和ZnO晶体本征点缺陷的形成能随环境温度T, pO2或pS2和费米能级(EF)的变化关系, 获得外部条件对缺陷稳定性的影响, 为调控晶体n型和p型掺杂提供理论依据. 从而更好地通过掺杂控制材料导电类型.1.1 计算模型使用VASP软件和交换关联泛函[LDA+U(U=4.7 eV)][18,19], 对六方纤锌矿结构ZnO和立方闪锌矿结构ZnS晶体进行了模拟计算. 通过从96个原子的超晶胞中移走或增加原子来模拟缺陷, ZnO晶体结构如图1(A)所示.图1(A)中a(0.4167, 0.4444, 0.4413)为氧空位及氧被替位的位置, b(0.5833,0.5556, 0.5000)为锌空位及锌被替位的位置, c(0.5000, 0.3333, 0.5955)为填隙位置. ZnS晶体结构如图1(B)所示.图1(B)中a(0.5833, 0.6250, 0.3750)为硫空位及硫被替位的位置, b(0.6667,0.5000, 0.5000)为锌空位及锌被替位的位置, c(0.5000, 0.5000, 0.5000)为填隙位置. Zn的价电子结构为3d4s4p, S的价电子结构为3s3p, O的价电子结构为2s2p、ZnS和ZnO的平面波截断动能分别为360和400 eV, 布里渊区的积分采用2×2×2的Monkhorst-Pack k点取样求和. 经收敛测试k点和截断动能都已经达到收敛标准(能量差<0.001 eV). 结构优化收敛条件: (1) 每个原子的最大能量变化小于0.00001 eV; (2) 原子的最大位移小于0.0001 nm; (3) 每个原子上受到的最大作用力小于 0.5 eV/nm.1.2 缺陷形成能的计算点缺陷的吉布斯自由能是关于缺陷种类α、带电态q、硫(氧)分压p和温度T的函数, 表达式如下[20~22]:式中: Etotal(α, q)和Etotal(perfect)利用VASP计算获得, 分别代表电量为q的α缺陷的超晶胞经弛豫后的总能量和完整晶体的超晶胞经弛豫后的总能量; ni为从超晶胞中移除或添加α原子的数量, 如ni=nZn=1则是超晶胞中有一个Zn空位;μi(T, p)为通过VASP和热力学计算获得的对应原子随温度和分压变化的化学势;EVBM为完整晶体价带顶的能级; EF为指电子相对价带顶的费米能级; ΔV为含缺陷的超晶胞与完整超晶胞间的平均静电势之差; V0为晶体体积, 在计算中是一个常量. 本文用Janotti等描述的校正方式, 对缺陷形成能进行了校正, 具体过程见文献[18], 跃迁能级也进行了校正. 化学势μα(T,p)可以随温度和pS2(或pO2)的变化而变化. 根据Finnis等[23,24]的方法确定硫(氧)的化学势.本文用GULP软件[25]进行振动熵的计算. 该软件基于Born离子晶格模型, 采用基于核壳模型的半经验势方法计算. 用下式描述距离为r的2个离子间的相互作用: 式中:为库仑势,为Buckingham势, 其中A, ρ和C是短程势参数[26].利用GULP程序计算完整的和含不同孤立点缺陷晶体的振动熵, 计算公式为式中: Zvib为振动熵的配分函数.振动熵(TΔS)对缺陷形成能的贡献如图2所示. 计算结果表明, 缺陷的存在改变其周围原子的力场, 从而改变周围原子振动频率引起振动熵的改变, 只有反位硫的振动熵贡献随温度变化比较小, 在高温条件下振动熵贡献总体比较大, 不能忽视. ZnO与ZnS结果相似(此处不再列出).缺陷的形成能可很好地预测晶体的缺陷行为, 因此研究晶体缺陷态在不同环境条件(T, p, EF)下的缺陷形成能非常重要. 图3和图4分别为ZnS和ZnO在不同温度和分压条件下各种缺陷形成能随费米能级变化的关系图. 可以看出, ZnS和ZnO点缺陷的形成能随环境条件变化的基本规律是一致的, 施主型缺陷(VS, Zni, ZnS, VO, ZnO)的形成能是随着pO2或pS2的减少和温度的增加而减少, 但对于受主型缺陷(VZn, Si, SZn, Oi, OZn)变化规律是相反的. 替位型缺陷的形成能变化最快, 所有点缺陷的形成能对温度都比较敏感, 其中一个原因就是振动熵的贡献. 各点缺陷形成能随温度和分压的变化速率在2种晶体中相近, 在T=1300 K, 分压p从103 Pa到10-10 Pa变化时, ZnS中ZnS, VS和Zni缺陷形成能分别减少3.35, 1.62和1.63 eV, 而 Si, VZn和SZn分别增加1.68, 1.67和3.38 eV; ZnO中ZnO, VO和Zni缺陷形成能分别减少3.33, 1.64和1.69 eV, 而Oi, VZn和OZn分别增加1.69, 1.73和3.39 eV.在ZnO晶体中, 受主缺陷VZn在费米能级处于导带底附近有最低的形成能. 在温度不高的条件下. 在费米能级靠近价带顶区域, VO具有最低的形成能. 但不少研究结果表明, 氧空位的浓度不高[27,28]. 而本文的研究结果表明, 在高温低氧分压条件下, VO具有最低的形成能, 而Oi, OZn和VZn缺陷形成能非常高, 即受主缺陷浓度不高, 不会大量补偿氧空位提供的自由电子, 因此VO是ZnO晶体容易形成n型半导体的重要原因. 有许多研究[29]认为在富锌条件下, Zni缺陷是ZnO本征n型半导体的主要根源, 但是本文结果表明, Zni在所有的条件下都具有非常高的形成能, 它的浓度应该很低, 不能成为ZnO本征n型半导体主要根源.以往不少研究都认为ZnO是不能进行本征p型掺杂的[8,9]. 本征p型掺杂要求受主(VZn, Oi, OZn)有较低的跃迁能级和形成能, 而且施主缺陷不能对其进行完全有效补偿. VZn为浅受主缺陷, 在富氧低温条件下具有很低的形成能[图4(A)], 与此同时施主缺陷具有较高的形成能, 因此, 本文预测在富氧和低温条件下有利于ZnO的p型本征掺杂.在ZnS晶体中, 本征点缺陷形成能的变化规律与ZnO相似. ZnO晶体在一些特定条件下, 整个EF区域都只有VO的形成能最低, 也就是阴离子空位在ZnO中容易形成, 而ZnS晶体中大多数条件下VZn的形成能最低, 并且在ZnS中的VZn的跃迁能级更低, 因此ZnS比ZnO更容易进行本征p型掺杂, 这与富硫条件下ZnS应是弱p型半导体的结论[30]相一致.局部电中性是晶体稳定存在的基本要求, 因此, 带电点缺陷在晶体中是很难孤立存在的, 通常是以电中性的缺陷对形式存在, 因此, 研究弗仑克尔缺陷(阳离子空位与阳离子填隙形成电中性的缺陷对)、反弗仑克尔缺陷(阴离子空位与阴离子填隙形成电中性的缺陷对)和肖特基缺陷(阳离子空位与阴离子空位形成电中性的缺陷对)等缺陷对的形成能是很有必要, 计算公式如下:式中: Vα为硫空位或氧空位(VS或VO); αi为硫填隙或氧填隙(Si和Oi); μα为硫或氧的化学势(μS或μO).从图5可见, ZnS和ZnO肖特基缺陷的形成能都比弗伦克尔缺陷和反弗伦克尔缺陷高, 反弗伦克尔缺陷形成能又比弗伦克尔缺陷高, 所以2种晶体中肖特基缺陷都不稳定, 而弗伦克尔缺陷形成是比较稳定的. 对于肖特基缺陷和弗伦克尔缺陷, 由带电点缺陷组合成缺陷对的形成能比电中性的低, 如, 肖特基缺陷(V″Zn+V¨S)的形成能比)和)的形成能低, )的形成能比)的形成能低. 但是ZnS反弗伦克尔缺陷不同, )缺陷对的形成能比 + )的形成能更低[见图5(B)]. 这些关于缺陷对的结论与He等[31]报道的二氧化钛中的结论基本一致. ZnS和ZnO的缺陷对相比, ZnO的弗伦克尔缺陷和肖特基缺陷的形成能都比ZnS的高, 而ZnS的反弗伦克尔缺陷的形成能比ZnO高. 对3种缺陷对而言, 弗伦克尔缺陷各价态组合之间的能量差最大.综上所述, ZnS和ZnO 2种晶体的主导缺陷都是空位型. 施主型缺陷(VS, Zni, ZnS, VO, ZnO)的形成能是随着pO2或pS2的减少和T的增加而减少. 对于受主型缺陷(VZn, Si, SZn, Oi, OZn)变化规律是相反的, 并且替位型缺陷的形成能变化最快. 在ZnO中容易形成阴离子空位, 因此, ZnO中VO能够提供n型掺杂, 在富氧和低温条件下有利于ZnO的p型本征掺杂. 而ZnS中, 大多数条件下VZn的形成能最低, 因此ZnS比ZnO更容易进行本征p型掺杂. 阴离子空位(VS和VO)在高温, 低pO2或pS2条件下容易形成, 而阳离子空位VZn在富硫条件下容易形成. 2种晶体中肖特基缺陷都不稳定, 而弗伦克尔缺陷比较稳定, 并且除了ZnS反弗伦克尔缺陷以外, 由带电点缺陷组合成缺陷对的形成能比电中性的低. ZnO的弗伦克尔缺陷和肖特基缺陷的形成能都比ZnS的高, 而反弗伦克尔缺陷是ZnS比ZnO高. 对3种缺陷对而言, 弗伦克尔缺陷不同价态之间结合能量差异最大.† Supported b y the Foundation of Hujiang, China(No.B14004).【相关文献】[1] Triboulet R., Proc. SPIE, 2001, 4412, 1—8[2] Wang Z. L., J. Phys.: Condens. Matter., 2004, 16, 829—858[3] Ling J., Cong R. M., Acta Chim. Sinica, 2008, 66(18), 2070—2074(凌剑, 丛日敏. 化学学报, 2008, 66(18), 2070—2074)[4] Song J. Z., He Y., Zhu D., Chen J., Pei C. L., Wang J. A., Acta Phys.-Chim. Sin., 2011,27(5), 1207—1213(宋继中, 贺英, 朱棣, 陈杰, 裴昌龙, 王均安. 物理化学学报, 2011, 27(5), 1207—1213)[5] Xin D. S., Shi J. X., Pang Q., Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2003, 42(6), 125—127(邢德松, 石建新, 庞起. 中山大学学报(自然科学版), 2003, 42(6), 125—127)[6] Yan Y. F., Li J. B., Wei S. H., Al-Jassim M. M., Phys. Rev. Lett., 2007, 98, 1—4[7] Deng B., Luo M., Dong H. N., Electronic Quality, 2012, 1, 8—10(邓博, 罗敏, 董会宁. 电子质量, 2012, 1, 8—10)[8] Chen L. J., Li W. X., Dai J. F., Wang Q., Acta Phys. Sin., 2014, 63(19), 196101(陈立晶, 李维学, 戴剑锋, 王青. 物理学报, 2014, 63(19), 196101)[9] Yang T. Y., Kong C. Y., Ruan H. B., Qin G. P., Li W. J., Liang W. W., Meng X. D., Zhao Y.H., Fang L., Cui Y. T., Acta Phys. Sin., 2012, 61, 168101(杨天勇, 孔春阳, 阮海波, 秦国平, 李万俊, 梁薇薇, 孟祥丹, 赵永红, 方亮, 崔玉婷. 物理学报, 2012, 61, 168101)[10] Wang H. B., Zhang J. W., Yang X. D., Liu Z. L., Xu Q. A., Hou X., Acta Phys. Sin., 2005, 54(6), 2893—2898(王洪波, 张景文, 杨晓东, 刘振玲, 徐庆安, 侯洵. 物理学报, 2005, 54(6), 2893—2898)[11] Xu P. S., Shun Y. M., Shi C. S., Xu F. Q., Pang H. B., Science China A, 2001, 31(4), 358—365(徐彭寿, 孙玉明, 施朝淑, 徐法强, 潘海斌. 中国科学, A辑, 2001, 31(4), 358—365)[12] Kohan A. F., Ceder G., Morgan D., Phys. Rev. B, 1995, 61, 15019—15027[13] Oba F., Choi M., Togo A., Tanaka I., Sci. Technol. Adv. Mater., 2011, 12, 034302[14] Li P., Deng S. H., Zhang L., Liu G. H., Yu J. Y., Chem. Phys. Lett., 2012, 531, 75—79[15] Morozova N. K., Karetnikov I. A., Golub K. V., Gavrishchuk E. M., Yashina E. V., Plotnichenko V. G., Galstyan V. G., Inorg. Mater., 2004, 40(11), 1138—1145[16] Lott K., Shinkarenko S., Turn L., Nirk T., Opik A., Kallavus U., Gorokhova E., GrebennikA., Vishnjakov A., Phys. B, 2009, 404, 5006—5008[17] Lott K., Turn L., Volobujeva O., Leskela M., Phys. B, 2001, 949, 308—310[18] Anderson J., Van de Walle C. G., Phys. Rev. B, 2007, 76, 165202[19] Li P., Deng S. H., Zhang L., Yu J., Chem. Phys. Lett., 2012, 531, 75—79[20] Kohan A. F., Ceder G., Morgan D., Van de Walle C. G., Phys. Rev. B, 2000, 61, 15019[21] Van de Walle C. G., Neugebauer J., J. Appl. Phys., 2004, 95, 3851—3879[22] Zhang S. B., Northrup S. B., Phys. Rev. B, 1991, 67(17), 2339—2346[23] Batyrev I. G., Alavi A., Finnis M. W., Phys. Rev. B, 2000, 62(7), 4698—4707[24] Finnis M. W., Lozovoi A. Y., Alavi A., Ann. Rev. Mat. Res., 2005, 35, 167—179[25] Gale J. D., Chem. J. Soc. Faraday Trans., 1997, 93, 629—637[26] Oba F., Adachi H., J. Mater. Res., 2000, 15(10), 2168—2175[27] Janotti A., Van de Walle C. G., J. Cryst. Growth, 2006, 287, 58—65[28] Santana J. A., Krogel J. T., Kim J., Paul R. C. K., Reboredo F. A., Cond. Mat. Mtrl. Sci., 2014, 12, 23—30[29] Zhang S. B., Wei S. H., Zunger A., Phys. Rev. B, 2001, 63, 075205[30] Gai Y., Li J., Yao B., Xia J. B., J. Appl. Phys., 2009, 105, 113704[31] He J., Behera R. K., Finnis M. W., Acta Mat., 2007, 55, 4325—4337。
立方闪锌矿结构ZnS纳米线的合成与表征*杜园园,介万奇,李焕勇(西北工业大学材料学院,陕西西安710072)摘 要: 在NiS纳米粒子的辅助下,采用CVD方法,在NiS-Zn系统中成功地合成了长为25μm,直径大约200nm的具有立方相闪锌矿结构ZnS纳米线,其最优生长方向为[111]。
由PL谱可知,在437.2nm处有一个很强的发射峰,说明ZnS纳米线具有很好的发光特性和单晶质量。
并提出了氧化还原反应作用下的VLS生长机制,较好的解释了ZnS纳米线的形成过程。
关键词: ZnS;闪锌矿;一维结构;化学气相沉积;Ⅱ-Ⅳ族材料中图分类号: TN304.22文献标识码:A 文章编号:1001-9731(2009)04-0585-031 引 言ZnS是一种重要的直接宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物材料(对于立方相和六方相ZnS,其E g分别为3.68和3.80eV)[1],ZnS纳米线在光电子器件方面应用广泛,如在平板显示器、电致发光器件、传感器、光催化和红外窗口等领域均有潜在的应用[2~5]。
因此致力于制备和表征ZnS一维纳米材料的报道很多,其制备方法主要有金属有机化学气相沉积[6,7]、溶剂热合成法[1,8,9]、表面活性剂胶束模板法[10]、超声波辅助法[11]等,报道中,由金属有机化学气相沉积、化学气相沉积[12,13]和热蒸发[14~20]方法得到的ZnS纳米线主要是纤维锌矿结构。
但是在室温条件下,ZnS稳定的体材料结构为闪锌矿结构,并在1020℃条件下可以转化为纤维锌矿结构[21]。
在实际应用中,闪锌矿结构的ZnS 更为重要,例如,可以表现出与纤维锌矿不同的非线性光学系数和点阵特性,Ding等人[4]利用VLS机制成功制备出ZnS纳米带,但是由于金膜的使用和较高的生长温度,分离闪锌矿结构和纤维锌矿结构的ZnS变得十分困难。
本文利用NiS纳米颗粒作为催化剂,在700℃条件下利用简单的CVD设备,在Si(100)衬底上成功地制备出了闪锌矿结构的ZnS纳米线,可能与较低的沉积温度有关。