集成电路测试 样题

《集成电路测试》期末复习题库【附答案】《集成电路测试》期末复习题库【附答案】（试题按章节分类）【填空】1、切筋成型其实是两道⼯序：切筋和打弯，通常同时完成。

2、对SMT装配来讲，尤其是⾼引脚数⽬框架和微细间距框架器件，⼀个突出的问题是引脚的⾮共⾯性。

3、打码⽅法有多种，其中最常⽤的是印码：包括油墨印码(ink marking)和激光印码(Laser Marking)两种。

4、在完成打码⼯序后，所有器件都要100％进⾏测试。

这些测试包括⼀般的⽬检、⽼化试验和最终的产品测试。

5、对于连续⽣产流程，元件的包装形式应该⽅便拾取，且不需作调整就能够应⽤到⾃动贴⽚机上。

【选择】1、⽓密性封装是指完全能够防⽌污染物（液体或固体）的侵⼊和腐蚀的封装形式，通常⽤作芯⽚封装的材料中，能达到所谓⽓密性封装的只有：⾦属、陶瓷和玻璃2、⾦属封装现有的封装形式⼀般包括平台插⼊式⾦属封装、腔体插⼊式⾦属封装、扁平式⾦属封装和圆形⾦属封装等。

3、根据所使⽤材料的不同，元器件封装主要分为⾦属封装、陶瓷封装和塑料封装三种类型。

4、⾦属封装由于在最严酷的使⽤条件下具有杰出的可靠性⽽被⼴泛⽤于军事和民⽤领域。

【讨论】1、各向异性材料、各向同性材料的区别是什么？所有物理性质在不同⽅向是⼀样的是各向同性材料，⼤部分物理性质在不同⽅向是不⼀样的是各向异性材料。

2、除氧化铝外，其他陶瓷封装材料有哪些？氮化铝、碳化硅、氧化铍、玻璃陶瓷、钻⽯等材料。

【填空】6、⾦属与玻璃之间⼀般黏着性不佳。

7、控制玻璃在⾦属表⾯的湿润能⼒是形成稳定粘结最重要的技术。

8、玻璃密封材料的选择应与⾦属材料的种类配合。

9、酚醛树脂、硅胶等热硬化型塑胶为塑料封装最主要的材料。

【选择】5、塑料封装具有低成本、薄型化、⼯艺较为简单、适合⾃动化⽣产等优点。

6、玻璃密封的主要缺点是：强度低、脆性⾼。

7、通孔插装式安装器件⼜分为以下⼏种：（1）塑料双列直插式封装：（2）单列直插式封装（3）塑料针栅封装8、去溢料⽅法：机械喷沙、碱性电解法、化学浸泡+⾼压⽔喷法。

第一周作业返回1单选(1分)在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60o可知硅片是什么晶向? A.（100）B.（111）C.（110)D.(211)正确答案：B解析：B、硅的解理面是（111），在（111）面上两[111]晶向相交呈60 o2多选(1分)关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确A.可以多次缩颈B.为了能拉出与籽晶相同的硅锭C.为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸D.为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸正确答案：A、C、D解析：A、目的是彻底终止线缺陷等向晶锭的延伸3判断(1分)在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭正确答案：对解析：因硅熔体温度梯度带来的密度（重力）差造成的干锅内熔体强对流减弱的缘故4单选(1分)磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率：A.轴向均匀B.轴向递减C.轴向递増D.径向递减正确答案：B解析：B、因为掺入硅锭的杂质是轴向递增的。

5填空(1分)拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的造成。

正确答案：O 或氧第二周作业返回1填空(1分)外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长薄膜。

正确答案：晶体或单晶2判断(1分)如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。

正确答案：错解析：只在一定范围成立，如SiCl4为硅源超过临界值会生成多晶、甚至腐蚀衬底。

3填空(1分)VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源，硅烷是在完成的分解。

可从下面选择：气相硅片表面正确答案：硅片表面4单选(1分)VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：A.自掺杂效应B.互扩散效应C.衬底表面没清洗干净的缘故。

D.掺杂气体不纯正确答案：B解析：B、在外延过程中外延层重掺杂n型杂质扩散进入轻掺杂衬底。

5多选(1分)在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？A.MBEB.VPE、LPEC.UHV/CVDD.SEG、SPE正确答案：A、C第三周作业返回1单选(1分)通常掩膜氧化采用的工艺方法为：A.干氧B.低压氧化C.干氧-湿氧-干氧D.掺氯氧化正确答案：C解析：C、既有较好的质量，利于光刻；又有较快的氧化速率2多选(1分)关于氧化速率下面哪种描述是正确的：A.生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律B.温度升高氧化速率迅速增加C.（111）硅比（100）硅氧化得快D.有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低E.生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律正确答案：A、B、C3判断(1分)制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。

1+X集成电路理论模拟考试题（含参考答案）一、单选题（共39题，每题1分，共39分）1.下列说法错误的是（）。

A、在cadence软件界面上，单击Tools菜单，选择Library Manager命令，出现“库文件管理器”B、用户可以在库文件里新建单元，但不能在新建的单元下新建视图C、选择Tool选项中的Composer-Schematic选项，表示在单元下建立电路图视图D、在电路编辑窗口中，利用图标栏可以快速建立、编辑电路图正确答案：B2.湿度卡的作用是( )。

A、去潮湿物质中的水分B、可以防止静电C、起到防水的作用D、显示密封空间的湿度状况正确答案：D答案解析：湿度卡是用来显示密封空间湿度状况的卡片。

3.通过监控某一特定谱峰或波长，在预期的刻蚀终点可探测到对应的数据的方法是（）。

A、发射光谱法B、干涉测量法C、质谱分析法D、椭圆偏振法正确答案：A答案解析：发射光谱法是通过监控来自等离子体反应中一种反应物的某一特定发射光谱峰或波长，在预期的刻蚀终点可探测到发射光谱的改变，从而来推断刻蚀过程及终点。

4.芯片封装工艺中，下列选项中的工序均属于前段工艺的是（）。

A、晶圆切割、引线键合、塑封、激光打字B、晶圆贴膜、芯片粘接、激光打字、去飞边C、晶圆贴膜、晶圆切割、芯片粘接、引线键合D、晶圆切割、芯片粘接、塑封、去飞边正确答案：C答案解析：封装工艺流程中前段工艺包括晶圆贴膜、晶圆切割、芯片粘接以及引线键合，后段工艺则包括塑封、激光打字、去飞边、电镀以及切筋成型。

5.对准和曝光过程中，套准精度是指形成的图形层与前层的最大相对位移大约是关键尺寸的（）。

A、二分之一B、三分之一C、四分之一D、五分之一正确答案：B答案解析：版图套准过程有了对准规范，也就是常说的套准容差或套准精度。

具体是指要形成的图形层与前层的最大相对位移。

一般而言大约是关键尺寸的三分之一。

6.晶圆检测工艺中，6英寸的晶圆进行晶圆墨点烘烤时，烘烤时长一般为（）分钟。

A 衬底 B 扩散区 C 有源区 D 接触孔和通孔
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单选题 1分 最符合阈值电压定义的说法是 。
A 漏端电流为1μA时的栅源电压
B 漏端电流10倍于泄露电流时的栅源电压
衬底载流子浓度和有源区载流子浓度相 C 等时的栅源电压
芯片中的金属线和PCB中的金属线一样， A 可以是多层的。
B
CMOS集成电路是在一块正方形的硅片 上制造的。
光刻机的作用是通过激光在硅片上刻画 C 集成电路版图。
光刻胶的作用是将集成电路所需的不同 D 材料层胶合在一起。
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D MOgrated Circuits2nd
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单选题 1分 电路互连线上的延时td 与长度L的关系是 。
A
td L
B
td L2
C
td L3/2
D
td L3
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数字集成电路 ch1-ch4习题集
Jan M. Rabaey Anantha Chandrakasan Borivoje Nikolic
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Inverter
单选题 1分
在集成电路0.25μm工艺中，晶体管的最小沟 道长度由 决定。
A 光刻精度 B 消费者和代工厂 C 电路工程师 D 电源电压
C 无穷大的“断开”电阻和有限的“导通”电阻。
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