【CN110034248A】一种掩膜设备、制备OLED器件以及制备OLED显示面板的方法【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910188430.3(22)申请日 2019.03.13(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号(72)发明人 杨毓龙　陈正嵘　沈浩峰　(74)专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211代理人 郭四华(51)Int.Cl.H01L 29/423(2006.01)H01L 21/336(2006.01)H01L 29/78(2006.01) (54)发明名称具有屏蔽栅的沟槽栅器件的制造方法(57)摘要本发明公开了一种具有屏蔽栅的沟槽栅器件的制造方法，包括步骤：步骤一、在第一外延层中形成栅极沟槽；步骤二、在栅极沟槽内侧表面以及外部表面形成第一介质层；在栅极沟槽中完全填充第一层多晶硅；步骤三、刻蚀形成顶部沟槽，包括分步骤：步骤31、进行第一次多晶硅干法刻蚀；步骤32、进行第一次介质层湿法刻蚀以去除顶部沟槽内的部分第一介质层的厚度；步骤33、进行第二次多晶硅干法刻蚀以形成屏蔽多晶硅；步骤34、进行第二次介质层湿法刻蚀以去除顶部沟槽侧面的剩余的第一介质层并形成顶部沟槽；步骤四、在顶部沟槽中形成沟槽栅。本发明能同时降低栅源电容和栅漏电容并从而能降低

输入电容。

权利要求书3页 说明书8页 附图12页CN 110034182 A2019.07.19

CN 110034182

A1.一种具有屏蔽栅的沟槽栅器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供第一外延层，采用光刻刻蚀工艺在所述第一外延层的栅极形成区域中形成栅极沟槽；步骤二、在所述栅极沟槽底部表面和侧壁表面形成第一介质层，所述第一介质层也延伸到所述栅极沟槽外部表面；在形成有所述第一介质层的所述栅极沟槽中完全填充第一层多晶硅，所述第一层多晶硅的表面和所述栅极沟槽外的所述第一介质层表面相平；步骤三、对所述栅极沟槽顶部的所述第一层多晶硅和所述第一介质层进行刻蚀形成顶部沟槽，包括如下分步骤：步骤31、进行第一次多晶硅干法刻蚀，所述第一次多晶硅干法刻蚀后的所述第一层多晶硅的顶部表面高于所要形成的所述顶部沟槽的底部表面；步骤32、进行第一次介质层湿法刻蚀，所述第一次介质层湿法刻蚀去除所述顶部沟槽侧面的部分所述第一介质层的厚度；步骤33、进行第二次多晶硅干法刻蚀，以所述第二次多晶硅干法刻蚀后的所述第一层多晶硅作为屏蔽多晶硅，所述屏蔽多晶硅的顶部表面等于所要形成的所述顶部沟槽的底部表面；步骤34、进行第二次介质层湿法刻蚀，所述第二次介质层湿法刻蚀去除所述顶部沟槽侧面的剩余的所述第一介质层并形成所述顶部沟槽，以所述第二次介质层湿法刻蚀后的所述第一介质层作为屏蔽介质层，所述屏蔽介质层的顶部表面低于所述屏蔽多晶硅的顶部表面，通过在所述第二次多晶硅干法刻蚀完成之前减少所述顶部沟槽侧面的剩余的所述第一介质层的厚度来降低所述第二次介质层湿法刻蚀的时间，从而降低所述屏蔽介质层的顶部表面和所述屏蔽多晶硅的顶部表面的高度差；步骤四、在所述顶部沟槽中形成沟槽栅。2.如权利要求1所述的具有屏蔽栅的沟槽栅器件的制造方法，其特征在于：所述第一介质层为氧化层。3.如权利要求2所述的具有屏蔽栅的沟槽栅器件的制造方法，其特征在于：所述第一次多晶硅干法刻蚀采用各向同性刻蚀，利用各向同性刻蚀进一步减少步骤34之前的所述顶部沟槽侧面的剩余的所述第一介质层的厚度。4.如权利要求3所述的具有屏蔽栅的沟槽栅器件的制造方法，其特征在于：所述第二次多晶硅干法刻蚀采用各向同性刻蚀，利用各向同性刻蚀进一步减少步骤34之前的所述顶部沟槽侧面的剩余的所述第一介质层的厚度。5.如权利要求1所述的具有屏蔽栅的沟槽栅器件的制造方法，其特征在于：步骤四中包括如下分步骤：步骤41、形成栅介质层和栅间介质层；所述栅介质层位于所述顶部沟槽的侧面，所述栅间介质层包覆在位于所述屏蔽介质层的顶部表面之上的所述屏蔽多晶硅的侧面和顶部表面；步骤42、在所述顶部沟槽中填充栅导电材料层，由所述栅介质层和所述栅导电材料层叠加形成所述沟槽栅，所述栅间介质层用于实现所述栅导电材料层和所述屏蔽多晶硅之间

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910365172.1(22)申请日 2019.04.30(71)申请人 京东方科技集团股份有限公司地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 申请人 成都京东方光电科技有限公司(72)发明人 嵇凤丽　梁少端　杨晓宇　段芳芳　罗昶　(74)专利代理机构 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319代理人 莎日娜(51)Int.Cl.C23C 14/04(2006.01)C23C 14/24(2006.01)

(54)发明名称一种掩膜装置及一种蒸镀方法(57)摘要本发明提供一种掩膜装置和一种蒸镀方法，该掩膜装置包括：第一掩膜版；所述第一掩膜版包括第一框架，并排设置在所述第一框架上的第一掩膜条及第一遮挡条；所述第一掩膜条和第一遮挡条间隔设置：所述第一掩膜条包括：相互拼接的第一子掩膜条和第二子掩膜条；所述第一子掩膜条上设置有第一镂空区域。本发明实施例通过将掩膜条拆成两个子掩膜条，降低了张网难度，实现宽幅度掩膜版的制备；并且在掩膜版尺寸增大时，避免由于掩膜条过宽导致掩膜条中间区域的下垂量增加，提高了宽幅掩膜版的蒸镀精

度。

权利要求书2页 说明书5页 附图4页CN 109913809 A2019.06.21

CN 109913809

A1.一种掩膜装置，其特征在于，包括：第一掩膜版；所述第一掩膜版包括第一框架，并排设置在所述第一框架上的第一掩膜条及第一遮挡条；所述第一掩膜条和第一遮挡条间隔设置；所述第一掩膜条包括：相互拼接的第一子掩膜条和第二子掩膜条；所述第一子掩膜条上设置有第一镂空区域。2.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，所述第二子掩膜条的中间区域的厚度小于边缘区域的厚度。3.根据权利要求2所述的掩膜装置，其特征在于，所述第二子掩膜条的中间区域的厚度是所述边缘区域的厚度的0.4-0.6倍。4.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，所述第二子掩膜条的厚度小于所述第一子掩膜条的厚度。5.根据权利要求1所述的掩膜版组合，其特征在于，所述第一遮挡条上设置有对位标识。6.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，还包括：第二掩膜版；所述第二掩膜版包括第二框架，并排设置在所述第二框架上的第二掩膜条及第二遮挡条；所述第二掩膜条和所述第二遮挡条间隔设置；所述第二掩膜条包括：相互拼接的第三子掩膜条和第四子掩膜条；所述第四子掩膜条上设置有第二镂空区域；在所述第一掩膜版和所述第二掩膜版组合使用时；所述第三子掩膜条与所述第一子掩膜条位置对应，所述第四子掩膜条与所述第二子掩膜条位置对应。7.根据权利要求6所述的掩膜装置，其特征在于，所述第三子掩膜条的中间区域的厚度小于边缘区域的厚度。8.一种蒸镀方法，其特征在于，应用如权利要求1至7任意一项所述的掩膜装置，所述方法包括：将蒸镀对象与所述第一掩膜版进行对位；所述蒸镀对象上划定有待蒸镀区域，使所述第一镂空区域对准所述待蒸镀区域的第一部分；通过所述第一掩膜版，对所述待蒸镀区域的第一部分进行蒸镀；对所述待蒸镀区域的剩余部分进行蒸镀。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一部分与所述剩余部分等大，所述对所述蒸镀单元的第二部分进行蒸镀，包括：移动所述蒸镀对象；将所述蒸镀对象与所述第一掩膜版进行对位，使所述第一镂空区域对准所述待蒸镀区域的所述剩余部分；通过所述第一掩膜版，对所述待蒸镀区域的剩余部分进行蒸镀。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，当所述掩膜装置包含第二掩膜版时，所述对所述蒸镀单元的第二部分进行蒸镀，包括：移动所述蒸镀对象；将所述蒸镀对象与所述第二掩膜版进行对位，使第二镂空区域对准所述待蒸镀区域的

OLED生产线设备中的光刻工艺及其关键设备介绍

光刻工艺是OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）生产线中关键的设备及工艺之一。光刻技术是一种重要的微影制造技术，广泛应用于半导体、光电子、平板显示等领域。本文将介绍OLED生产线设备中的光刻工艺及其关键设备。

光刻工艺在OLED生产线中的作用非常重要。它用于将电子器件图案化到基板上，即在基板上形成所需的电子器件结构。光刻工艺主要包括光源、掩膜、光刻胶、显影、刻蚀和清洗等步骤。其中，掩膜是光刻工艺中的核心部分，它由根据设计需求制作成的透明玻璃或石英片，上面有所需的具体器件图形。

在光刻工艺中，关键设备主要包括光刻机、曝光机、开发机和显影机等。光刻机是光刻工艺中的核心设备，它用于对掩膜和基板进行对位和曝光。曝光机则是光刻机的一个组成部分，它用于将掩膜上的图案投射到基板上。开发机是用来去除未曝光部分光刻胶的设备，显影机则是用来去除曝光后的光刻胶的设备。

光刻工艺中的关键设备还包括光源和光刻胶。光源是提供光刻工艺所需的光的设备，目前常用的光源有汞灯和氙灯。光刻胶是用来将电子器件的图形转移到基板上的关键材料，它是一种光敏性的聚合物材料，可以在曝光后发生物理和化学的变化。

在光刻工艺中，光刻胶的特性和性能对制程影响很大。具备良好的分辨率、较高的耐溶剂性和优异的显影性能是优良的光刻胶的重要特点。因此，选择适合的光刻胶对于OLED生产线中的光刻工艺至关重要。

光刻工艺中还有一些特殊的设备需求，例如掩膜对位设备和控制系统。掩膜对位设备用于实现掩膜与基板之间的精确对位，确保所需图案的准确显影。控制系统则用于调节和控制光源、曝光机和开发机等设备的操作。这些设备和系统的稳定性和精确性对于光刻工艺的成功实施起着至关重要的作用。

除了关键设备和工艺，光刻工艺中还有一些常见的问题需要注意。例如，光刻工艺中的曝光和显影过程中可能会出现边角效应，即图案在边缘出现拉伸或压缩的现象。这需要通过优化曝光和显影条件来解决。此外，光刻胶的选择和质量控制也是光刻工艺中需要特别关注的问题。

i-line 光刻机制程

i-line光刻机制程

引言：

i-line光刻机是一种常用于半导体制造中的光刻设备。光刻是半导体工艺中的一项关键步骤，用于将芯片上的电路图案转移到光刻胶上，以便后续步骤进行电路制造。本文将介绍i-line光刻机的机制和制程。

一、i-line光刻机的机制

i-line光刻机采用的是i线光源，波长为365纳米。它通过以下几个步骤实现光刻的机制：

1. 掩膜对准：首先，在光刻胶上覆盖一层掩膜，掩膜上有芯片的电路图案。将掩膜放置在与光刻胶相接触的位置，并通过对准系统进行对准，确保掩膜上的图案与光刻胶的位置完全匹配。

2. 光刻胶涂覆：将光刻胶涂覆在硅片上，形成一层均匀的光刻胶薄膜。光刻胶的主要成分是聚合物，可以通过旋涂的方式将其均匀涂覆在硅片表面。

3. 紫外曝光：将掩膜与光刻胶相对应的位置置于光刻机的曝光区域。通过激活光源，发射i线波长的紫外光，光线穿过掩膜的透明部分，照射到光刻胶上。光刻胶中的光敏剂会吸收光的能量，并引发化学反应，使光刻胶发生化学变化。

4. 显影：经过曝光的光刻胶会在显影液中发生化学反应，不同部分的光刻胶有不同的溶解性。通过显影液的处理，将未曝光的部分去除，暴露出硅片表面。

5. 清洗：在显影之后，需要对光刻胶进行清洗，以去除残留的显影液和未固化的光刻胶。

二、i-line光刻机的制程

i-line光刻机的制程主要包括以下几个步骤：

1. 准备工作：包括准备硅片、掩膜和光刻胶等材料，并对设备进行检查和校准。

2. 掩膜对准：将掩膜放置在对准系统中，通过对准系统的调整，使掩膜上的图案与硅片的位置完全对准。

3. 光刻胶涂覆：将光刻胶倒在硅片上，通过旋涂的方式将光刻胶均匀涂覆在整个硅片表面。

4. 烘烤：将涂覆好的硅片放入烘烤炉中，将光刻胶烘烤，使其变得更加均匀和稳定。

5. 曝光：将掩膜与硅片对准，放入光刻机中进行曝光。通过激活光源发射i线波长的紫外光，将图案转移到光刻胶上。