电磁场习题解3(西安交通大学)

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第三章 恒定电流场

3-1 半径为a的薄圆盘上电荷面密度为,绕其圆盘轴线以角频率旋转形成电流,求电流面密度。

解:ˆrvJsss

3-2 平板电容器两导电平板之间为三层非理想介质,厚度分别为ddd123,,电导率分别为123,,,平板面积为S,如果给平板电容器加电压V,求平板之间的电场。

解:设导电平板之间三层非理想介质中的电场均为匀强电场,分别为1E、2E、3E,根据电压关系和边界条件,1E、2E、3E满足以下关系

VdEdEdE332211

332211EEE

解此方程组得

321331132321dddVE

321331132312dddVE

321331132123dddVE

3-3 在§3.3例2中,如果在弧形导电体两弧面之间加电压,求该导电体沿径向的电阻。

解:设流过两弧面的电流为I。作以与两弧面同轴的半径为r的弧面,流过此弧面的电流密度为ˆJJ,则由 SSdJI 得

brJI2

由此得 brIJ2

brIJE2

两弧面之间的电压为 ccabIEdrVaccln2

该导电体沿径向的电阻为 ccabIVRln2 4-3 球形电容器内导体半径为a,外导体内半径为c,内外导体之间填充两层介电常数分别为12,,电导分别为12,的非理想介质,两层非理想介质分界面半径为b,如果内外导体间电压为V,求电容器中的电场及界面上的电荷密度。

解:由于圆球形电容器内填充两层非理想介质,有电流流过,设电流为I。在圆球形电容器内取一半径为r的球面,流过此球面的电流密度为ˆJJ,则由SSdJI得

24rJI 或 24rIJ

电场强度为

bra 2114rIE

crb 2224rIE

电压为 )}11(1)11(1{42121cbbaIdrEdrEVcbba

由此求出电流与电压的关系后,电场为

212211)11()11(rcbbaVE

212121)11()11(rcbbaVE

内导体表面的电荷密度为

)(11arDns21221111)11()11(acbbaVE

外导体内表面的电荷密度为

)(22crDns21212221)11()11(ccbbaVE

媒质分界面的(驻立)电荷密度为

nnsDD123212122111221)11()11()(bcbbaVEE

3-5 求3-2题中电容器的漏电导。

解:由3-2题得

321331132321dddVE

流过电容器的电流为 SESJI111321331132321dddVS

所以 VIG321331132321dddS

3-6 求3-4题中圆球形电容器的电容及漏电导。

解:此圆球形电容器的电容及漏电导是并串联的形式如图所示。

baC11411;cbC11422;baG11411;cbG11422

3-7 分别求3-2题及3-4题中电容器的损耗功率。

解:(1)3-2题

GVVIP23213311322321dddSV

(2)3-4题

bcbcababVRVVIP21224

3-8 边长均为a的正方体导电槽中充满电导率为的电解液,除导电板盖的电位为V外,槽的其余五个边界面电位为零。求电解液中的电位。

解:此题电位所满足的方程和边界条件与题2-33相同,因此其解也与题2-33相同。

3-9 将半径为a的半个导电球刚好埋入电导率为的大地中,如图所示。求接地电阻。

解:设从地线流出的电流为I,在大地中作与导体球同心,半径为r的半球面,在此半球面上电流密度rJJˆ相同,显然满足关系

22rIJ

电场强度为 22/rIJE

导电球的电位为 aaIEdrV2 因此导电球的接地电阻为

aIVR21

空气地面a

题3-9图

3-10 在电导率为的大地深处,相距d平行放置半径均为a的无限长导体圆柱。求导体圆柱之间单位长度的漏电导。

解:用静电比拟法。此问题可与介质中的平行双导线比拟,其电导与电容的关系为

CG

因为介质中的平行双导线单位长度的电容为

aaDDC24ln22

因此,埋地导体圆柱之间单位长度的漏电导为

aaDDG24ln22