《电力电子技术及试卷》

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1.1 附件1:ace与GBT19011-2008标准主要差异性分析

1d 红河学院2016-2017学年秋季学期

《电力电子技术》

课程期中考试试卷

卷别:

考试单位:工学院考试日期:年月日

一、填空题(每小题2分,共30分)

1、电力电子技术的诞生是以1957年美国通用公司研制出第一个标志的。

2、电力电子器件一般总是工作在,以减小本身的损耗,提高效率。

3、全控型器件电路的主要控制方式为。

4、电力电子器件的损耗包括、和。

5、晶闸管的开通是靠在其双晶体管模型中形成强烈的,使两个晶体管进入完全饱和状态,从而使晶闸管导通。

6、IGBT内部寄生着一个晶闸管,可能引发IGBT的栅极对集电极电流失去控制作用,导致集电极电流增大,造成器件功耗过高而损坏,这种现象称为。

7、电力电子器件的驱动电路采用的隔离技术有和。

8、晶闸管的缓冲电路一般采用。

9、可控整流电路采用的控制方式是。

10、单相桥式全控整流电路,带直流电动机负载工作时,会出现电流断续情况,将导致电动机的机械特性变软,为了克服这个缺点,一般在主电路中直流输出侧串联一个。

11、单相桥式半控整流电路,如果输出端不并联续流二极管,会出现。

12、可控整流电路中,交流侧n次谐波电流的有效值比基波电流的有效值等于。

二、选择题(每小题2分,共18分)

题号 一 二 三 四 五 六 总分 得 分

评卷人

得 分

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2d

1、下列器件中,( )属于半控型器件。

A、SR;B、SCR;C、GTO;D、MOSFET

2、IGBT是一种由( )组成的复合型器件;

A、SCR和BJT;B、SCR和MOSFET;C、GTO和MOSFET;D、MOSFET和BJT;

3、若晶闸管电流有效值是157A,且其阳极和阴极间电压为60sinωt V,则其额定电流和额定电压分别为( )。

A、100A,60V;B、157A,60V;C、100A,30V;D、157A,30V;

4、单相桥式全控整流电路,带阻感负载工作时,当α=30°时,晶闸管的导通角θ为( )。

A、60°;B、120°;C、150°;D、180°;

5、单相桥式全控整流电路,带阻感负载工作时,α的移相范围是( )。

A、0°~90°;B、0°~120°;C、0°~150°;D、0°~180°;

6、三相半波可控整流电路中,为了避免3次谐波流入电网且获得零线,变压器的接法为( )。

A、Υ-△;B、Υ-Υ;C、△-△;D、△-Υ;

7、三相半波可控整流电路带电阻性负载工作时,晶闸管承受的最高正向电压和最高反向电压为( )。

A、均为22U;B、22U、26U ;C、均为26U;D、26U、22U;

8、三相半波可控整流电路带阻感性负载工作时,输出电压的平均值为( )。

A、cos45.02U;B、cos9.02U;C、cos17.12U;D、cos34.22U

9、三相桥式可控整流电路工作在有源逆变状态时,逆变角β的范围是( )。

A、0°~90°;B、0°~120°;C、0°~150°;D、0°~180°

三、判断题(每小题1分,共9分)

1、电力电子技术可以看成是弱电控制强电的技术,是弱电控制强电的接口。( )

2、MOSFET是一种电流控制型器件。( )

3、电力晶体管的集电极电压升高到某一数值时,会出现雪崩击穿现象,这会使管子永久损坏。( )

4、智能功率模块IPM一般指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的封装集成,也称智能IGBT。( )

5、电力电子器件的保护包括:过压保护、过流保护。( )

6、晶闸管的串联是为了提高总体的耐压能力,而并联则是为承担较大的电流。( )

7、单相半波可控整流电路结构简单,输出电压脉动大,不存在变压器铁心直流磁化问题。( ) 得 分

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3d 8、一般情况下,整流电路带阻感性负载时晶闸管的导通角比带电阻性负载时大,所以整流电路输出电压平均值也增大了。( )

9、m脉波整流电路变压器二次侧电流所含谐波次数为mk次,而输出直流电压和电流所含谐波次数为mk±1次。( )

四、计算题(10分)

单相桥式全控整流电路,带反电势阻感负载,R=1Ω,L=∞,E=40V,VU1002,mHLB5.0,当α=60°时求dU、dI与的值。

五、作图计算题(23分)

三相桥式全控整流电路,VU2002,带阻感性负载,R=10Ω,L=∞,要求:

(1)请作出α=0°、30°、60°、90°时整流电路输出电压的波形,并作出α=30°时流过晶闸管VT1的电流1VTi波形和变压器二次侧a相电流ai的波形。

(2)计算α=30°时dU、dI、dVTI和VTI 得 分

评卷人

得 分

评卷人

diRdu1VT3VT4VTai5VT2VTabcT6VT1d2dL1.1

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4d (3)α=30°时,求晶闸管的额定电压和额定电流;

(4)计算此电路在α=0°时的功率因素;

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5d

六、简答题(10分)

1、可控整流电路产生逆变的条件是什么?为了防止逆变失败,最小逆变角β应限制在什么范围?(5分)

2、晶闸管在使用的过程中需要考虑哪些保护措施,晶闸管的触发信号有哪些?(5分)

学 习 计 划 表

周一至周五 得 分

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6d 时间 内容 要求

18:00~19:30 做作业 1.限时;2.不要看书;3.不会的题先放过。

19:40~20:00 测试 如没有,则休息。

20:10~20:40 补习 1. 对作业和测试中未掌握的内容进行补习。

2. 对相关知识进行检测,直至真正掌握。

3. 对当天所学新课程(数学、语文、英语和其他小科)的知识点、重点、难点和考点进行梳理与归纳。

具体方法: 先自己回顾老师上课讲的,找差距。

4. 如果没有学习新课程,将上次学习的疏漏的知识点进行补习。

20:45~21:00 预习 对将要学习的知识点进行预习。

21:03~21:23 查

缺 1. 21:03~21:10 英语:

掌握5个单词(1.拼写 2.发音3.翻译4.词性5.运用)并记录。

2. 21:10~21:15数学:

⑴对以往的知识点进行考查(每周2个);

⑵对未掌握的知识点进行补习;