外购件检验规范

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文件编号:J-E104-1 版本: A版 编制 审核 批准 第 1 页 共 14 页

外购件入库检验规范 文件编号:J-E104-1 版本: A版 第 2 页 / 共 14 页 外购件入库检验抽样检验方案

符合GB/T2828.1-21012

批量数 抽样数 合格质量水平AQL 0.65 AC RC 1-8 全检 0 1 9-15 全检 0 1 16-25 见注解 0 1 26-50 20 0 1 51-90 20 0 1 91-150 20 0 1 151-280 20 0 1 281-500 80 1 2 501-1200 80 1 2 1201-3200 125 2 3 3201-10000 200 3 4 10001-3500 315 5 6 35001-150000 500 7 8 AC合格判定数 RC为不合格判定数

注解:批量数>20,则抽样数为20;批量数≤20,则进行全检。 对批产品质量的判断: 1)当样品中不合格数>RC时,整批产品质量为不合格; 2)当样品中不合格数≤AC时,整批产品质量为合格。 文件编号:J-E104-1 版本: A版

第 3 页 / 共 14 页 元器件重要等级分类

分类 元器件名称 重要等级 备注 A类 变频器、IGBT、升压电感、输出滤波器、电抗器、电源模块、晶闸管、热管散热器、测量仪表、PLC 关键器件

B类 电阻、电容、芯片、二极管、三极管、稳压管、晶振、接触器、继电器、电位器、传感器、熔断器、指示灯、数码管、电连接器、转换开关、保险、仪表、断路器、风扇、印制板、散热器、标准件、外协结构件 重要器件 C类 接插件、端子排、门锁、导线、套管、按钮、接线柱、绝缘子、导热硅脂、焊锡丝、导热胶 一般器件 文件编号:J-E104-1 版本: A版

第 4 页 / 共 14 页 升压电感验收规范

1说明 本规范适用于升压电感验收。 2抽样方式: 同批总数≤10台,抽取1台进行检验;同批总数>10台,抽取总数的10%进行检验。 3检验项目 3.1外形检验。 灌胶表面光亮、无气泡;尺寸范围。 3.2电感量检验。测量电感量应与技术要求一致。 3.3绝缘电阻检验。将升压电感的两根引出线短接,用500V绝缘电阻计测定斩波模块对外壳的绝缘电阻应不小于2兆欧。 3.4绝缘介电强度检验。将升压电感的两根引出线短接,对外壳施加2500伏工频电压1分钟,应无击穿或闪络现象 注:10秒内所施加电压从0上升至2500V 3.5工作情况检验。将升压电感分别接入主电路中,带负载运行5~10分钟。 3.6抽样温升检验。在电感表面正中间贴上检验标记,在室温下带负载运行一小时,测量标记位的温度并记录在附表,温升<30℃为合格。 3.7抽样高温检验。将电感置于干燥箱内,将温度设定为70℃,在恒温70℃下带负载工作1小时,电感电流波形应无畸变,打开干燥箱快速测量标记位的温度并将结果记录在附表,温升<15℃为合格。 说明:3.1~3.4全检,3.5~3.7按抽样方式检验。 4检查记录 <> 文件编号:J-E104-1 版本: A版

第 5 页 / 共 14 页 无极性电容器检验规范 1范围:此规范适用于产品的开发设计、生产制造及采购提供技术支持。 2抽样方式:见《外购件入库检验抽样检验方案》 3使用工具:卡尺、数字万用表、RK2672C耐压测试仪、兆欧表、30W左右内热式电烙铁 4检验要求

序号 检验内容、检验方法及技术要求 检测工具、设备及仪器 1 外观检验: 目 测

元器件须包装良好,有产品出厂检验合格证; 电容体表面不应有伤痕、裂纹、缺损、沾污; 引线不得松动、脱落、氧化、漆层及影响使用的压伤; 标志应正确、清晰; 2 外形尺寸检验: 卡 尺

用卡尺测量各部位尺寸,应符合产品技术条件的要求。 3 电参数测试: A. 电容量测试: 数字万用表 用数字万用表测量电容容量,应在规定范围内。 ★规定:普通无极性电容器容量最大允许偏差:±15℅ 精密无极性电容器容量最大允许偏差:±5℅ B.抗电强度测试: CS2670B耐压测试仪

用耐压测试仪给被测电容器施加规定的直流电压,应无击穿现象。 C.绝缘电阻测试: 兆欧表

用光欧表测量电容器两引线之间的绝缘电阻,大小应不小于规定值。 ★规定:在小于额定直流工作电压的条件下,无极性电容器绝缘电阻阻值:≥10MΩ。 4 可焊性检验: 30W左右内热式电烙铁

用30W左右内热式电烙铁对引线进行浸锡实验,应上锡良好。 文件编号:J-E104-1 版本: A版

第 6 页 / 共 14 页 电解电容器检验规范 1范围:此规范适用于产品的开发设计、生产制造及采购提供技术支持。 2抽样方式:见《外购件入库检验抽样检验方案》 3使用工具:卡尺、数字万用表、RK2672C耐压测试仪、RK-2811C LCR数字电桥、30W左右内热式电烙铁 4检验要求

序号 检验内容、检验方法及技术要求 检测工具、设备及仪器 1 外观检验: 目 测

元器件须包装良好,有产品出厂检验合格证; 电容体表面不应有划伤、破损、沾污; 引线不得松动、脱落、氧化、漆层及影响使用的压伤; 标志应正确、清晰; 2 外形尺寸检验: 用卡尺测量各部位尺寸,应符合产品技术条件的要求。 卡 尺 3 电参数测试: A.电容量测试: RK-2811C LCR数字电桥 用电容电感表测量电容容量,应在规定范围内。 ★规定:普通有极性电容器容量最大允许偏差:+50℅-20℅ 精密有极性电容器容量最大允许偏差:±10℅ B.漏电电流测试: RK2627C耐压测试仪

用耐压测试仪测量电容器两引线之间的漏电电流,大小应不大于规定值。 ★规定:在等于或稍小于额定直流工作电压的条件下,电容器漏电电流值:≦0.2μA。 4 可焊性检验: 30W左右内热式电烙铁

用30W左右内热式电烙铁对引线进行浸锡实验,应上锡良好。 文件编号:J-E104-1 版本: A版

第 7 页 / 共 14 页 二极管检验规范 1范围:此规范适用于产品的开发设计、生产制造及采购提供技术支持。 2抽样方式:见《外购件入库检验抽样检验方案》 3使用工具:卡尺、兆欧表、数字万用表、30W左右内热式电烙铁 4检验要求 序号 检验内容、检验方法及技术要求 检测工具、设备及仪器 1 外观检验: 目 测

元器件须包装良好,有产品出厂检验合格证; 晶体二极管体表面不应有损伤、沾污; 引线不得松动、脱落、氧化、漆层及影响使用的压伤; 标志应正确、清晰。 2 外形尺寸检验: 卡 尺

用卡尺测量各部位尺寸,应符合产品技术条件的要求。 3 电参数测试: B. 正向电压Vf测试: 数字万用表 用数字万用表测量Vf值,应在规定数值内。 ★规定:小功率晶体二极管Vf值:硅管0.7±0.1V;锗管0.3±0.1V 大功率晶体二极管Vf值:硅管0.8±0.2V;锗管0.4±0.2V B.反向漏电电流IR测试: 数字万用表 用数字万用表测量IR值,应在规定数值内。 ★规定:小功率管IR值:≦1μA;大功率管IR值:≦10μA C.反向击穿电压UR测试: 数字万用表 用数字万用表测量UR值,应大于规定数值。 ★规定:UR应大于晶体二极管正常工作条件下,最高反向工作电压的10倍数值。 4 可焊性检验: 30W左右内热式电烙铁

用30W左右内热式电烙铁对引线进行浸锡实验,应上锡良好。 (1)用万用表测正、反向电阻值,一般好的整流二极管正向电阻值应为几千欧至几十千欧,

反向电阻值应为无穷大。 (2)检测最高反向击穿电压,将兆欧表的E端接二极管负极,L端接二极管正极,将万用表置直流1000V档,红表笔接二极管负极,黑表笔接二极管正极。摇绝缘电阻表手柄时,绝缘电阻表产生的直流电压将随摇动手柄的转速而增加,万表的读数也在增加,当摇动转速达到某转速后(大约为2r/s)万用表的读数就不再增加,此电压值就是二极管的反向击穿电压。 文件编号:J-E104-1 版本: A版

第 8 页 / 共 14 页 三极管检验规范 1范围:此规范适用于产品的开发设计、生产制造及采购提供技术支持。 2抽样方式:见《外购件入库检验抽样检验方案》 3使用工具:卡尺、数字万用表、30W左右内热式电烙铁 4检验要求

序号 检验内容、检验方法及技术要求 检测工具、设备及仪器 1 外观检验: 目 测

元器件须包装良好,有产品出厂检验合格证; 晶体三极管体表面不应有损伤、掉块、沾污; 引线不得松动、氧化;引线排列符合产品技术条件; 标志应正确、清晰; 2 外形尺寸检验: 用卡尺测量各部位尺寸,应符合产品技术条件的要求。 卡 尺 3 电参数测试: C. 反向击穿电压U(BR)CEO的测试: 数字万用表 用数字万用表测量U(BR)CEO值,应大于规定数值。 ★规定:晶体三极管U(BR)CEO值应大于实际工作时最高反向工作电压UCEO的8倍。 B.反向漏电电流ICEO的测试: 数字万用表 用数字万用表测量IR值,应小于规定数值。 ★规定:小功率管IR值:≦1μA;大功率管IR值:≦10μA C.直流放大倍数hFE的测试: 数字万用表 用数字万用表测量待测管Ic-UCE特性曲线,根据hFE=Ic/Ib计算hFE,应满足产品技术条件和设计的要求。 4 可焊性检验: 30W左右内热式电烙铁

用30W左右内热式电烙铁对引线进行浸锡实验,应上锡良好。

(1)反向漏电电流ICEO的检测,用万用表只是通过集电极与发射极之间的反向电阻来估计的。C、E极间的反向电阻值越大,ICEO越小,对于NPN型管,将万用表置2K档,黑表笔接管子的集电极,红表笔接管子的发射极,测得的电阻值越大,说明此管的ICEO越小。对PNP型管测量方法一样,只是将两个表笔对调一下即可。 (2)直流放大倍数hFE的测试,将晶体管插入数字万用表上的hFE插孔内,hFE读数大的一次,晶体管处于放大状态,根据hFE=Ic/Ib计算出hFE。