Array工艺过程

时间/min
1000 800 600 400 200 0
1.节省时间：1462-1398=64min
2.节省设备：1套 InlinePR+曝光机
6
二、4Mask与5Mask工艺对比
5 Mask – D工程和I 工程
曝光
4 Mask – D/I 工程
曝光 DI-工艺
I-工艺
D1-WE
I-DE 曝光 D-工艺
SOURCE
电路部件 偏光板
P-SiNx
DRAIN
n+ a-Si
GLASS a-Si GATE
G-SiNx
3
一、 TFT的基本构造
接触孔 ITO像素电极 PI工程
C工程
SOURCE DRAIN D工程 P-SiNx
n+ a-Si a-Si I 工程 GATE
GLASS
G-SiNx
G工程
4
二、4Mask与5Mask工艺对比
干刻（DE)
刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属膜
刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的非金属膜
剥离
去掉残余的光刻胶8 Nhomakorabea洗净
卸料
周转盒
MS
传送装置 机械手 气刀
高压喷射
刷洗 药液喷淋 UV 传送装置
机械手
装料 9
洗净
ＵＶ 药液 刷子 高圧 ＭＳ Ａ／Ｋ
Ｐ Ｕ Ｖ
Ｄ Ａ
排 水
Ｐ 刷洗
Ｐ 高 压 喷射
纯 水
排 水 Ｍ Ｓ
Ｄ Ａ
药 液
洗净 功能
洗净对象 作 用
氧化分解 有机物 (浸润性改善) ＵＶ/Ｏ３
溶 解 有机物 溶 解
机械剥离 微粒子 (大径)

检出缺陷
短路
其他
技术部 Array科
画素短路 G-G 短路 D-D 短路 点缺陷等
激光切断 激光切断 激光切断 根据缺陷判断是否修复
MACHINE TEG Prober Equipment Laser Repair Machine
Laser CVD Repair Machine
FLAT PANEL O/S TEST OF MACHINE
MACRO/MICRO CHECK OF MACHINE
MACRO CHECK OF MACHINE
size:18
dy:5
area 3
（４３０、１
Origin
５０）
dx:6
●Gray Level（Range：0～255) -----Defect GL, Reference GL
length:5 width:2
Analog Image Digital Image
A to Ｄ
Frequency
技术部 Array科
激光 CVD （断路）
自动外观检查装置（ＴＮ、ＳＦＴ全数）
Drain 刻蚀完成后，对 ・
外观上的缺陷进行检出
Ｄ－Ｄ短路 Ｄ断路 点缺陷
检查结果例：
欠陥１ Ｘ：420.115
Y: 223.765
・
Size: ５ ZONE：１
Ｄ断路
技术部 Array科
Ｄ断路
点缺陷(D-PI)
Ｄ－Ｄ短路
10
Drain 刻蚀 剥離完成
Drain刻蚀 剥離完成
自动外观检查
短路
激光切断 Ok
断路 激光 CVD
技术部 Array科
对于Ｄ工程的 完成品，使用 自动外观检查 装置进行抽检 ，检出的短路 不良，使用激 光切断进行修 复，检出的可 修复的断路不 良，使用激光 CVD进行修复 。

4Mask与5mask工艺
Layer
A300(M1)
A2300(AS，4mask无)
A3300(M2)
A4300PV(PFA)
A5300(ITO)
4MASK（65MCP）
-
5MASK(100”)
注意：上下Domain非同一个pixel，未单独列出COA RGB Process
PEP：Photo Engrave Process
（二） Array 5 mask工艺流程简介
I. Array工艺流程介绍-5Mask
Glass
Glass
Gate Patterning
Array 工艺流程
I. Array工艺流程介绍-5Mask
PEP1
PEP3
PEP4
PEP5
TEST
（二） Array 4mask工艺流程简介
I. Array工艺流程介绍-4Mask
A1300 Photo
II. PEP1-M1
Mo/Al 材料：目的:Metal 1 蚀刻步骤及原理: UV + Etch + AK + rinse + Final rinse + AK Al酸成份: H3PO4:CH3COOH:HNO3:H2O = 67:10:5:18 HNO3: 与Al形成Al2O3 H3PO4: 去除Al2O3 CH3COOH: 缓冲剂Cu/MTD 材料：Cu酸刻蚀 成分：H2O2，金属螯合剂，各种添加剂与氟化合物( H2O2：与Cu反应 金属螯合剂(metal chelator)：增加双氧水的安定性并延长蚀刻液寿命(bath life) 各种添加剂与氟化合物(fluoric compound)：使铜导线两侧有适当的边缘斜度并且避免阻障层 残留物残留

mask 非球面镜
梯形面镜 非球面镜
Nikon：Lens Scan mask
透镜组
Vendor 世代线 结构 优点 缺点
plate
Canon ≤G8.5 • Mirror projection • 非球面镜(2ea) • 光学系统简单 • Mura少 • 无法做到局部的光学精度矫正
21
plate
Nikon ≤G10.5
6
TFT原理
TFT结构： a-Si
SD(Source)
SD(Drain)
PVX(Passivation SiNx )
VIA Hole
ITO
GI(Gate Insulator)
n+ a-Si
Gate
TN型TFT结构示意图
Gate：驱动控制TFT的开/关，更新画面显示 GI：绝缘层，隔离Gate层的作用 Act：包括a-Si和N+ a-Si，形成TFT导电沟道 SD：传输显示信号，对Pixel(电容)进行充电，充电量的多少决定了Pixel的亮度 PVX：在SD和ITO间形成特定的连接通道 ITO： 透明电极(Pixel电极)，充电后形成电场控制液晶偏转角度(亮度)
TFT-LCD
— Array工艺与设备介绍
Array 2016年7月25日
1
课程内容介绍
TFT-LCD显示及其发展 TFT-LCD 结构原理
Array工艺及设备介绍 4Mask & 5Mask工艺流程
2
TFT-LCD应用
生活中大家接触到的TFT-LCD产品
Mobile phone
Pad
Monitor
Strip
8
AT&AR
Array工艺相关设备介绍