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绪论
一. 符号约定
• 大写字母、大写下标表示直流量。如：VCE、IC等。
• 小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。如： vCE、iB等。
• 小写字母、小写下标表示纯交流量。如： vce、ib等。
• 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如： 等。
二． 信号
〔1〕模型的转换
〔2〕分类
〔3〕频谱
二.放大电路
〔1〕模型 实用文档
. 〔2〕增益
如何确定电路的输出电阻ro ？
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. 三．频率响应以及带宽
第一章 半导体二极管
一.半导体的根底知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结
* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性
二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
2、本征半导体：完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。
3、在纯净半导体中掺入三价杂质元素，形成P型半导体，空穴为多子，电子为少子。
4、在纯净半导体中掺入五价杂质元素，形成N型半导体，电子为多子、空穴为少子。
5、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。
6、硅管Uon和Ube：0.5V和0.7V ；锗管约为0.1V和0.3V。
7、稳压管是工作在反向击穿状态的： ①加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V，）
②加反向电压时截止，相当断开。③加反向电压并击穿（即满足U﹥U
Z）时便稳压为U
Z 。
8、二极管主要用途：开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离（门电路）等。
9、三极管的三个区：放大区、截止区、饱和区。三种状态：工作状态、截止状态、饱和状态，放大时在放大状态，开
关时在截止、饱和状态。三个极：基极B、发射极E和集电极C。二个结：即发射结和集电结。饱和时：两个结都
正偏；截止时：两个结都反偏；放大时：发射结正偏，集电结反偏。三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数
β=I
C / I
B (或I
C=β I
B)和开关作用.
10、当输入信号I
i 很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)。
11、失真有三种情况:
⑴截止失真原因I
B、I
C太小，Q点过低，使输出波形正半周失真。调小R
B，以增大I
B、I
C，使Q点上移。
⑵饱和失真原因I
B、I
C太大，Q点过高，使输出波形负半周失真。调大R
B，以减小I
B、I
C，使Q点下移。
⑶信号源U
S过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调小信号源。
1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。（固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极，故称共
发射极电路）。
共射电路的输出电压U
0与输入电压U
I反相，所以又称反相器。
共集电路的输出电压U
模拟电路复习提纲
09电气工程及其自动化四班 碎步夺风 第一章 半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结
* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性
二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);
若 V阳
1）图解分析法
该式与伏安特性曲线
的交点叫静态工作点Q。
模拟电路复习提纲
09电气工程及其自动化四班 碎步夺风
2) 等效电路法
直流等效电路法
*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
（完整版）模拟电⼦技术（模电）部分概念和公式总结
1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
2、本征半导体：完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。
3、在纯净半导体中掺⼊三价杂质元素，形成P型半导体，空⽳为多⼦，电⼦为少⼦。
4、在纯净半导体中掺⼊五价杂质元素，形成N型半导体，电⼦为多⼦、空⽳为少⼦。
5、⼆极管的正向电流是由多数载流⼦的扩散运动形成的，⽽反向电流则是由少⼦的漂移运动形成的。
6、硅管Uo n和Ube：0.5V和0.7V ；锗管约为0.1V和0.3V。
7、稳压管是⼯作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的⼆极管。（压降为0.7V，）
②加反向电压时截⽌，相当断开。③加反向电压并击穿（即满⾜U﹥U Z）时便稳压为U Z。
8、⼆极管主要⽤途：开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离（门电路）等。
9、三极管的三个区：放⼤区、截⽌区、饱和区。三种状态：⼯作状态、截⽌状态、饱和状态，放⼤时在放⼤状态，开
关时在截⽌、饱和状态。三个极：基极B、发射极E和集电极C。⼆个结：即发射结和集电结。饱和时：两个结都正偏；截⽌时：两个结都反偏；放⼤时：发射结正偏，集电结反偏。三极管具有电流电压放⼤作⽤.其电流放⼤倍数β=I C / I B (或I C=β IB)和开关作⽤.
10、当输⼊信号I i很微弱时,三极管可⽤H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)。
11、失真有三种情况:
⑴截⽌失真原因I B、I C太⼩，Q点过低，使输出波形正半周失真。调⼩R B，以增⼤I B、I C，使Q点上移。
⑵饱和失真原因I B、I C太⼤，Q点过⾼，使输出波形负半周失真。调⼤R B，以减⼩I B、I C，使Q点下移。
⑶信号源U S过⼤⽽引起输出的正负波形都失真，消除办法是调⼩信号源。1、放⼤电路有共射、共集、共基三种基本组态。（固定偏置电路、分压式偏置电路的输⼊输出公共端是发射极，故称共发射极电路）。
