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分立半导体器件参数表

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Gate-Kathode leakage current with anode Short to kathode Gate-Source leakage current, drain Short to source Gate-Source current, Drain short to Source, Negative Gate-Source current, Drain short to Source, Positive Gate Trigger current Holding current Latching current Output current (DC) Peak point current To detect short circuit between the two diodes. Peak Pulse current RIseovlaetrisoenctuersrtebnettween Tr.1 and Tr.2. For each transistor E,B and C short. Valley point current working current of Zener diode Series inductance Noise Figure Peak Pulse Power total power dissipation charge Storage bias resistor 1 (input) resistor ratio bias resistor ratio Resistance of 25℃ Collector-Emitter saturation Resistance Diode forward Resistance Drain-Source on-state Resistance Series Resistance thermal Resistance Rth(j-s) thermal resistance from junction to soldering point Thermal Resistance from junction to ambient Resistance of Zener diode [dynamic resistance] temperature coefficient operating ambient temperature delay time fall time forward recovery time junction temperature turn-off Time turn-on time rise time reverse recovery time storage time storage temperature Gate-Source breakdown voltage with drain Short to source [VGSS] clamping Voltage
33 IC
Collector current
34 ICBO
Collector cut-off current with emitter Open
35 ICEO
Collector-Emitter leakage current with base Open
36 ICES
Collector-Emitter leakage current with base Short to emitter
20 dlA/dt
rate of rise of anode current
21 dVGSTX
Delta Voltage of Gate-Source threshold
22 DVSD
Delta Voltage of Drain-Source
23 Dvth
Delta Voltage of thermal
从VEBO即可看出三极管的极性 [NPN or PNP] 参数来自Test spec & datasheet.
参数的含义 击穿电压,一般为反向电压 发射极开路,集电极与基极之间的击穿电压 基极开路时,集电极与发射极之间的击穿电压 [vceo] 基极与发射极短路时,集电极与发射极之间的击穿电压. 栅极和源极短路,漏极与源极之间的击穿电压 集电极开路时,发射极与基极之间的击穿电压. 集电结电容 二极管的电容 变容比 发射结电容 输入电容 输出电容 发射极反馈电容 反向耦合电容 两个二极管的结电容的差值 25℃时的两次电阻值之差 两次正向电压降的差值. 两次正向导通的电压降之差 两次稳压值的差值 阳极电流上升率 两次导通电压的差值 相当于DVTH/DVM. 两次热阻电压的差值. 能承受的静电放电能力 双极晶体管的特征频率,常指hfe=1时的工作频率. 共源极转移电导 共源极输入电导 共源极输出电导 共源极反转电导 最大单边带功率増益 直流增益 基极的电流 集电极的电流 发射极开路时,集电结反向漏电流, 基极开路时,集电极与发射极之间的反向漏电流 发射极与基极短路时,集电极与发射极之间的反向漏电流 给定偏压VBE,测集电极与发射极之间的漏电流. 元器件截止时的正向漏电流 / 漏极的电流 栅极与源极短路时,漏极与源极之间的反向漏电流 给定偏压VGS时,漏极与源极之间的漏电流. 发射极的电流 集电极开路时,发射极与基极之间的反向漏电流 正向电流 栅极电流,与IB类似 阴极开路时,栅极与阳极之间的漏电流
15 Delta Cd 16 Delta R25
Delta Capacitance of Diode Delta Resistance of 25℃
17 Delta VF
Delta Voltage of Forward
18 Delta VT 19 Delta Vz
Delta Voltage of Thyristor in on state Delta Voltage of Zener diode [同ΔVz]
参数名称
英文全称
1 BV
Break Voltage
2 BVCBO
Break Voltage of Collector-Base, Open emitter
3 BVCEO
Break Voltage of Collector-Emitter, Open base
4 BVCES
Break Voltage of Collector-Emitter with base Short to emitter
9)
capacitance ratio
10 Ce
Emitter Capacitance
11 Ciss
input capacitance
12 Coss
Output capacitance
13 Cre
feedback capacitance
14 Crss
reverse transfer capacitance
37 ICEX
Collector-Emitter leakage current, with VBE bias.
38 ID
off-state leakage current/Drain current
39 IDSS
Drain-Source leakage current with gate Short to source
45 IGAO
Gate-Anode leakage current
46 IGKS 47 IGSS 48 IGSSN 49 IGSSP 50 IGT 51 IH 52 IL 53 Io 54 IP 55 IPIN 56 Ipp 57 IR 58 It1t2 59 IV 60 IZ 61 LS 62 NFBB 63 Ppp 64 Ptot 65 QS 66 R1 67 R100/R25 68 R2/R1 69 R25 70 RCEsat 71 Rd 72 RDSon 73 Rs 74 Rth 75 Rth(j-s) 76 Rthj-a 77 RZ 78 SZ 79 Tamb 80 td 81 tf 82 tfr 83 Tj 84 toff 85 ton 86 tr 87 trr 88 ts 89 Tstg 90 V(BR)GSS 91 V(CL)R
92 VAK 93 VBE 94 VBEoff 95 VBEon 96 VBEsat 97 VCBO 98 VCER 99 VCES 100 VCEsat 101 VD 102 VDGO 103 VDGR 104 VDSon 105 VEBO 106 VF 107 Vfr 108 VGA 109 VGSO 110 VGSoff 111 VGSth 112 Vi 113 Vi(off) 114 Vi(on) 115 Vn 116 Voffset 117 VOM 118 VR 119 VRCC 120 VREE 121 VSD 122 VT 123 VZ 124 yfs 125 yos 126 ΔhFE 127 ΔVBE 128 τ
28 gos
common source output conductance
29 grs
common source reverse conductance
30 GUM
Maximum Unilateral power Gain
31 hfe
DC current gain
32 IB
Base current
பைடு நூலகம்
40 IDSX
Drain-Source cut-off current with VGS bias
41 IE
Emitter current
42 IEBO
Emitter cut-off current with collector Open
43 IF
Forward current
44 IG
forward Gate current
5 BVDSS
Drain-Source Break Voltage with gate Short to source.

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半导体分立器件

半导体分立器件

半导体分立器件半导体器件是近50年来发展起来的新型电子器件，具有体积小、重量轻、耗电省、寿命长、工作可靠等一系列优点，应用十分广泛。

1）国产半导体器件型号命名法国产半导体器件型号由五部分组成，如表1-13所示。

半导体特殊器件、场效应器件、复合管、PIN型管、激光管等的型号由第三、四、五部分组成。

表1-13 中国半导体器件型号命名法示例1：“2 A P 10”型为P型锗材料的小信号普通二极管，序号为10。

示例2：“3 A X 31 A”型为PNP型锗材料的低频小功率三极管，序号31，规格号为A。

示例3：“CS 2 B”型为场效应管，序号为2，规格号为B。

2)半导体二极管二极管按材料可分为硅二极管和锗二极管两种；按结构可分为点接触型和面接触型；按用途可分为整流管、稳压管、检波管、开关管和光电管等。

常见二极管外形和电路符号可参见《基础篇》。

（1）常用二极管的类型有：①整流二极管主要用于整流电路，即把交流电变换成脉动的直流电。

整流二极管为面接触型，其结电容较大，因此工作频率范围较窄（3kHz以内）。

常用的型号有2CZ型、2DZ型等，还有用于高压和高频整流电路的高压整流堆，如2CGL型、DH26型2CL51型等。

②检波二极管其主要作用是把高频信号中的低频信号检出，为点接触型，其结电容小，一般为锗管。

检波二极管常采用玻璃外壳封装，主要型号有2AP型和1N4148（国外型号）等。

③稳压二极管稳压二极管也叫稳压管，它是用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管，其特点是工作于反向击穿区，实现稳压；其被反向击穿后，当外加电压减小或消失，PN结能自动恢复而不至于损坏。

稳压管主要用于电路的稳压环节和直流电源电路中，常用的有2CW型和2DW型。

④光电二极管光电管又称光敏管。

和稳压管一样，其PN结也工作在反偏状态。

其特点是：无光照射时其反向电流很小，反向电阻很大；当有光照射时，其反向电阻减小，反向电流增大。

光电管常用在光电转换控制器或光的测量传感器中，其PN结面积较大，是专门为接收入射光而设计的。

pn_t01103-1992_半导体器件.分立器件和集成电路的通用规格

pn_t01103-1992_半导体器件.分立器件和集成电路的通用规格

pn t01103-1992 半导体器件.分立器件和集成电路的通用规格1. 引言1.1 概述半导体器件是现代电子科技中不可或缺的重要组成部分。

它们在各个领域中发挥着关键作用，包括通信、计算机、娱乐和能源等。

分立器件和集成电路作为半导体器件的两个主要类别，都具有各自独特的特点和应用。

因此，对于这些器件的规格和性能要求进行统一和规范化非常必要。

1.2 文章结构本文将系统地探讨分立器件和集成电路的通用规格，在每个部分中详细介绍其定义、分类、基本原理以及应用及发展趋势。

首先，我们将对半导体器件的概念进行阐述，并介绍其主要分类方式。

然后，我们将深入了解分立器件的特点与规格要求，包括整体特点介绍、电气性能规范以及封装形式和尺寸要求。

接下来，我们将探索集成电路的特点与规格要求，主要包括集成度和功能复杂性要求、表面弧顶压力测试方法和标准值范围规定以及温度特性测试和评估要求。

最后，我们将对整篇文章进行总结，并展望未来的发展趋势。

1.3 目的本文的主要目的是为了提供关于分立器件和集成电路通用规格的全面了解。

通过明确不同器件类型的特点和规范要求，可以帮助相关从业人员更好地选择和应用半导体器件，并提高其性能和可靠性。

此外，本文也旨在为行业内研究者指明未来发展的方向，促进半导体技术的创新与进步。

通过深入研究半导体器件规格标准化问题，有助于推动整个行业的发展，并满足不断增长的市场需求。

2. 半导体器件的概念2.1 定义和分类半导体器件是一种基于半导体材料制造的电子元件，它能够在特定条件下控制电流的流动。

半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的电导性能，这使得制造出的器件能够被广泛应用于各种电子设备中。

根据功能和结构的不同，半导体器件可以被分为两大类：分立器件和集成电路。

分立器件是指由单个或几个半导体元素组装而成、能够完成独立功能的器件。

常见的分立器件包括二极管、晶体管、场效应晶体管等。

这些器件通常具有较简单的结构，并且可以独立使用。

半导体分立器件的型号命名方法及含义

半导体分立器件的型号命名方法及含义

半导体分立器件的型号命名方法及含义国产二极管的型号命名及含义国家标准国产二极管的型号命名分为五个部分，各部分的含义见下表。

第一部分用数字“2”表示主称为二极管。

第二部分用字母表示二极管的材料与极性。

第三部分用字母表示二极管的类别。

第四部分用数字表示序号。

整流二极管系列(34) 二极管(44400) 稳压二极管系列(27737)触发二极管系列(2) 开关二极管系列(9) 检波二极管系列(22)变容二极管系列(24532) 双向二极管系列(5) 瞬态电压吸收二极管系列(222)发光二极管系列(62) 快恢复整流二极管系列(56) 汽车整流二极管系列(9)高效整流二极管系列(19) 光敏二极管系列(3) 整流桥系列(137)圆珠快速二极管系列(1) 变阻二极管(3941) 硅整流二极管系列(23885)碰撞雪崩渡越时间二极管(1010) 锗二极管与硒二极管(476) 隧道二极管(319)稳流二极管(396) U段与微波段混频二极管(3729) U 段与微波段检波二极管(995)二极管阵列(599) 瞬变抑制二极管(14792) 硅微波二极管(44400)贴片二极管(44400)next page（01）（二）国产三极管的型号命名方法国产三极管的型号命名由五部分组成，各部分的含义见下表。

第一部分用数字“3”表示主称和三极管。

第二部分用字母表示三极管的材料和极性。

第三部分用字母表示三极管的类别。

第四部分用数字表示同一类型产品的序号。

国产晶闸管的型号命名（JB1144-75部颁发标准）主要由四部分组成，各部分的含义见下表。

第一部分用字母“K”表示主称为晶闸管。

第二部分用字母表示晶闸管的类别。

第三部分用数字表示晶闸管的额定通态电流值。

例如：next page（02）国产电子管的型号命名由部分组成，各部分的含义见下表。

第一部分用数字表示灯丝电压值。

第二部分用字母表示电子管的类型（结构与用途）。

第三部分用数字表示电子管的序号及性能。

半导体分立器件型号命名

半导体分立器件型号命名

1
半导体分立器件型号命名
1 范围
本标准规定了半导体分立器件型号命名方法的组成原则、组成部分的符号及其意义。

本标准适用于各种半导体分立器件。

2 型号组成原则
2．1半导体分立器件的型号五个组成部分的基本意义如下：
2．2半导体分立器件的型号一般由第一部分到第五部分组成，也可以由第三部分到第五部分组成。

3 型号组成部分的符号及其意义
3.1 由第一部分到第五部分组成的器件型号的符号及其意义见表1。

表1（续）
2
示例 1：
硅NPN 型高频小功率晶体管 登记顺序号 高频小功率晶体管 硅材料 3.2 由第三部分到第五部分组成的器件型号的符号及其意义见表2。

表2 由第三部分到第五部分组成的器件型号的符号及其意义
表2（续）
3
示例 2： 场效应晶体管
登记顺序号 场效应晶体管。