电感器和变压器是磁场最集中的元件，流过变压器次级线圈的电流是感应电流，这个感应电流是因为变压器初级线圈中有电流流过时，产生磁感应而产生的。在电感器和变压器周边的电路，都可看成是一个“变压器”的感应线圈，当电感器和变压器漏感产生的磁力线穿过某个电路时，此电路作为“变压器”的“次级线圈”就会产生感应电流。两个相邻回路的电路，也同样可以把其中的一个回路看成是“变压器”的“初级线圈”，而另一个回路可以看成是“变压器”的“次级线圈”，因此两个相邻回路同样产生电磁感应，即互相产生干扰。
电感、变压器等磁性元件引起的电磁干扰：在开关电源中存在输入滤波电感、功率变压器、隔离变压器、输出滤波电感等磁性元件，隔离变压器初次级之间存在寄生电容，高频干扰信号通过寄生电容耦合到次边；功率变压器由于绕制工艺等原因，原次边耦合不理想而存在漏感，漏电感将产生电磁辐射干扰，另外功率变压器线圈绕组流过高频脉冲电流，在周围形成高频电磁场；电感线圈中流过脉动电流会产生电磁场辐射，而且在负载突切时，会形成电压尖峰，同时当它工作在饱和状态时，将会产生电流突变，这些都会引起电磁干扰；
高频变压器的电磁兼容设计
在高频变压器T1的设计时，尽量选用电磁屏蔽性较好的磁芯材料。
如图所示，C7、C8为匝间耦合电路，C11为绕组间耦合电容，在变压器绕制时，尽量减小分布电容C11，以减小变压器原边的高频干扰耦合到次边绕组。另外为进一步减小电磁干扰，可在原、次边绕组间增加一个屏蔽层，屏蔽层良好接地，这样变压器原、次边绕组对屏蔽层间就形成耦合电容C9、C10，高频干扰电流就通过C9、C10流到大地。
由于变压器是一个发热元件，较差的散热条件必然导致变压器温度升高，从而形成热辐射，热辐射是以电磁波形式对外传播，因此变压器必须有很好的散热条件。
通常将高频变压器封装在一个铝壳盒内，铝盒还可安装在铝散热器上，并灌注电子硅胶，这样变压器即可形成较好的电磁屏蔽，还可保证有较好的散热效果，减小电磁辐射。
在电路系统设计中应遵循“一点接地”的原则，如果形成多点接地，会出现闭合的接地环路，当磁力线穿过该回路时将产生磁感应噪声，实际上很难实现“一点接地”。因此，为降低接地阻抗，消除分布电容的影响而采取平面式或多点接地，利用一个导电平面(底板或多层印制板电路的导电平面层等)作为参考地，需要接地的各部分就近接到该参考地上。为进一步减小接地回路的压降，可用旁路电容减少返回电流的幅值。在低频和高频共存的电路系统中，应分别将低频电路、
高频电路、功率电路的地线单独连接后，再连接到公共参考点上
武汉华能阳光电气有限公司 配电变压器调节分接开关操作 1、先停电。断开配电变压器低压侧负荷后，用绝缘棒拉开高压侧跌落式熔断器，然后做好必要的安全措施。 2、拧开变压器上的分接开关保护盖，将定位销置于空档位置。 3、调节档位时，应根据输出电压高低，调节分接开关到相应位置，调节分接开关的基本原则是： 当变压器输出电压低于允许值时，把分接开关位置由Ⅰ档调到Ⅱ档，或Ⅱ档调整到Ⅲ档。 当变压器输出电压高于允许值时，把分接开关位置由Ⅲ档调到Ⅱ档，或Ⅱ档调整到Ⅰ档。 4、调节档位后，用直流电桥测量各项绕组直流电阻值，检查各绕组之间电阻值相差大于2%，必须重新调整，否则运行后，动静触头会因接触不好而发热，甚至放电，损坏变压器。 5、确认无误再送电，查看电压情况。 户外变压器的安装要求
武汉华能阳光电气有限公司 油浸自冷式变压器绝缘电阻的测量 1、电力变压器为何要装分接开关？何时需要切换？ 2、切换分接开关的操作方法？ 3、试述对运行中的变压器分接开关进行切换的全过程？（按操作顺序回答，包括测量及判断切换操作的质量，安全措施应足够）1、电力变压器为何要装分接开关？何时需要切换？ 答：分接开关是变压器高压绕组改变抽头的装置。调整分接开关位置，可以增加或减少高压绕组的匝数，以改变其变压比，使低压侧输出电压得到调整。运行中的变压器，高压侧供电电压偏高或偏低时，致使低压侧电压值过高或过低，这种情况下，需要调整其分接开关位置，改变其变压比，以使低压侧电压恢复到额定电压下正常运行。分接开关分为三档，Ⅰ档为10.5KV（额定电压、绕组圈数最多），Ⅱ档为10 KV，Ⅲ为9.5KV；
武汉华能阳光电气有限公司 任何电压等级的电力系统，其实际电压都允许在一定范围内波动，此时，二次电压也会波动，这就会影响到用户的用电。为使变压器二次电压维持在额定值附近，又要适应一次电压的波动，所以变压器上装有分接开关。当二次变压器长期偏高或者长期偏低时，就应调节分接开关，使二次电压恢复正常。通过调节分接开关的接头来改变一次绕组的匝数而维持二次电压在额定值附近。变压器铭牌上标明的电压调整范围即表明了保证二次电压为额定值时，一次电压的几个标准值。变压器铭牌所标示的电压调整范围说明，当一次电压升高到10.5kV时，把分接开关调整到Ⅰ位，能保持二次电压为额定值；当一次电压降到9.5kV时，调整分接开关到Ⅲ位，同样能使二次电压维持在额定值。 答：何时需要切换分接开关：当电压长期的偏高或偏低时需要切换变压器的分接开关。 长期是多长：时间约十天到半个月，并结合用电季节特点进行切换。 偏多少算偏：大于或接近用户端电压偏离额定值时应切换。 电压允许波动值是多少：
问：我想知道如何为具体的应用选择合适的电容器，但我又不清楚许多不同种类的电容器有哪些优点和缺点? 答：为具体的应用选择合适类型的电容器实际上并不困难。一般来说，按应用分类，大多数电容器通常分为以下四种类型(见图14.1)： ·交流耦合，包括旁路(通过交流信号，同时隔直流信号) ·去耦(滤掉交流信号或滤掉叠加在直流信号上的高频信号或滤掉电源、基准电源和信号电路中的低频成分) ·有源或无源RC滤波或选频网络 ·模拟积分器和采样保持电路(捕获和储存电荷) 尽管流行的电容器有十几种，包括聚脂电容器、薄膜电容器、陶瓷电容器、电解电容器，但是对某一具体应用来说，最合适的电容器通常只有一两种，因为其它类型的电容器，要么有的性能明显不完善，要么有的对系统性能有“寄生作用”，所以不采用它们。 问：你谈到的“寄生作用”是怎么回事? 答：与“理想”电容器不同，“实际”电容器用附加的“寄生”元件或“非理想”性能来表征，其表现形式为电阻元件和电感元件，非线性和介电存储性能。“实际”电容器模型如图14.2所示。由于这些寄生元件决定的电容器的特性，通常在电容器生产厂家的产品说明中都有详细说明。在每项应用中了解这些寄生作用，将有助于你选择合适类型的电容器。 图14.2 “实际”电容器模型 问：那么表征非理想电容器性能的最重要的参数有哪些? 答：最重要的参数有四种：电容器泄漏电阻RL(等效并联电阻EPR)、等效串联电阻(ESR)、等效串联电感(ESL)和介电存储(吸收)。
电容器泄漏电阻，RP：在交流耦合应用、存储应用(例如模拟积分器和采样保持器)以及当电容器用于高阻抗电路时，RP是一项重要参数，电容器的泄漏模型如图1 4.3所示。 图14.3 电容器的泄漏模型 理想电容器中的电荷应该只随外部电流变化。然而实际电容器中的RP使电荷以R C时间常数决定的速率缓慢泄漏。 电解电容器(钽电容器和铝电容器)的容量很大，由于其隔离电阻低，所以漏电流非常大 (典型值5～ 20nA/μF)，因此它不适合用于存储和耦合。 最适合用于交流耦合及电荷存储的电容器是聚四氟乙烯电容器和其它聚脂型(聚丙烯、聚苯乙烯等)电容器。 等效串联电阻(ESR)，R ESR ：电容器的等效串联电阻是由电容器的引脚电阻与电容器两个极板的等效电阻相串联构成的。当有大的交流电流通过电容器，R ESR 使电容器消耗能量(从而产生损耗)。这对射频电路和载有高波纹电流的电源去耦电容器会造成严重后果。但对精密高阻抗、小信号模拟电路不会有很大的影响。R ESR 最低的电容器是云母电容器和薄膜电容器。 等效串联电感(ESL)，L ESL ：电容器的等效串联电感是由电容器的引脚电感与电容器两个极板的等效电感串联构成的。像R ESR 一样，L ESL 在射频或高频工作环境下也会出现严重问题，虽然精密电路本身在直流或低频条件下正常工作。其原因是用子精密模拟电路中的晶体管在过渡频率(transition freque ncie s)扩展到几百兆赫或几吉赫的情况下，仍具有增益，可以放大电感值很低的谐振信号。这就是在高频情况下对这种电路的电源端要进行适当去耦的主要原因。 电解电容器、纸介电容器和塑料薄膜电容器不适合用于高频去耦。这些电容器基本上是由多层塑料或纸介质把两张金属箔隔开然后卷成一个卷筒制成的。这种结构的电容具有相当大的自感，而且当频率只要超过几兆赫时主要起电感的作用。对于高频去耦更合适的选择应该是单片陶瓷电容器，因为它们具有很低的等效串联电感。单片陶瓷电容器是由多层夹层金属薄膜和陶瓷薄膜构成的，而且这些多层薄膜是按照母线平行方式排布的，而不是按照串行方式卷绕的。 单片陶瓷电容的不足之处是具有颤噪声(即对振动敏感)，所以有些单片陶瓷电容器可能会出现自共振，具有很高的Q值，因为串联电阻值及与其在一起的电感值都很低。另外，圆片陶瓷电容器，虽然价格不太贵，但有时电感很大。 问：在电容器选择表中，我看到“损耗因数”这个术语。请问它的含义是什么? 答：好。因为电容器的泄漏电阻、等效串联电阻和等效串联电感，这三项指标几乎总是很难分开，所以许多电容器制造厂家将它们合并成一项指标，称作损耗因数(disspat ion factor)，或DF，主要用来描述电容器的无效程度。损耗因数定义为电容器每周期损耗能量与储存能量之比。实际上，损耗因数等于介质的功率因数或相角的余弦值。如果电容器在关心频带范围的高频损耗可以简化成串联电阻模型，那么等效串
半导体激光器常用参数的测定 一 实验目的：掌握半导体激光器常用的电学参数及其测试方法 一 实验基本原理 1、 普通光源的发光——受激吸收和自发辐射 普通常见光源的发光（如电灯、火焰、太阳等地发光）是由于物质在受到外来能量（如光能、电能、热能等）作用时，原子中的电子就会吸收外来能量而从低能级跃迁到高能级，即原子被激发。激发的过程是一个“受激吸收”过程。处在高能级（E2）的电子寿命很短（一般为10－8～10－9秒），在没有外界作用下会自发地向低能级（E1）跃迁，跃迁时将产生光（电磁波）辐射。辐射光子能量为 12E E h -=ν 这种辐射称为自发辐射。原子的自发辐射过程完全是一种随机过程，各发光原子的发光过程各自独立，互不关联，即所辐射的光在发射方向上是无规则的射向四面八方，另外未位相、偏振状态也各不相同。由于激发能级有一个宽度，所以发射光的频率也不是单一的，而有一个范围。在通常热平衡条件下，处于高能级E2上的原子数密度N2，远比处于低能级的原子数密度低，这是因为处于能级E 的原子数密度N 的大小时随能级E 的增加而指数减小，即N ∝exp(-E/kT)，这是著名的波耳兹曼分布规律。于是在上、下两个能级上的原子数密度比为 ]/)(ex p[/1212kT E E N N --∝ 式中k 为波耳兹曼常量，T 为绝对温度。因为E2>E1，所以N2《N1。例如，已知氢原子基态能量为E1＝－13.6eV ，第一激发态能量为E2=-3.4eV ，在20℃时，kT≈0.025eV，则 0)400ex p(/12≈-∝N N 可见，在20℃时，全部氢原子几乎都处于基态，要使原子发光，必须外界提供能量使原子到达激发态，所以普通广义的发光是包含了受激吸收和自发辐射两个过程。一般说来，这种光源所辐射光的能量是不强的，加上向四面八方发射，更使能量分散了。 2、 受激辐射和光的放大 由量子理论知识知道，一个能级对应电子的一个能量状态。电子能量由主量子数n(n=1,2,…)决定。但是实际描写原子中电子运动状态，除能量外，还有轨道角动量L 和自旋角动量s ，它们都是量子化的，由相应的量子数来描述。对轨道角动量，波尔曾给出了量子化公式Ln ＝nh ，但这不严格，因这个式子还是在把电子运动看作轨道运动基础上得到的。严格的能量量子化以及角动量量子化都应该有量子力学理论来推导。 量子理论告诉我们，电子从高能态向低能态跃迁时只能发生在l （角动量量子数）量子数相差±1的两个状态之间，这就是一种选择规则。如果选择规则不满足，则跃迁的几率很小，甚至接近零。在原子中可能存在这样一些能级，一旦电子被激发到这种能级上时，由于不满足跃迁的选择规则，可使它在这种能级上的寿命很长，不易发生自发跃迁到低能级上。这种能级称为亚稳态能级。但是，在外加光的诱发和刺激下可以使其迅速跃迁到低能级，并放出光子。这种过程是被“激”出来的，故称受激辐射。受激辐射的概念世爱因斯坦于1917年在推导普朗克的黑体辐射公式时，第一个提出来的。他从理论上预言了原子发生受激辐射的可能性，这是激光的基础。 受激辐射的过程大致如下：原子开始处于高能级E2，当一个外来光子所带的能量hυ正好为某一对能级之差E2-E1,则这原子可以在此外来光子的诱发下从高能级E2向低能级E1跃迁。这种受激辐射的光子有显著的特点，就是原子可发出与诱发光子全同的光子，不仅频
MOS管寄生参数的影响和其驱动电路要点 我们在应用MOS管和设计MOS管驱动的时候，有很多寄生参数，其中最影响MOS管开关性能的是源边感抗。寄生的源边感抗主要有两种来源，第一个就是晶圆DIE和封装之间的Bonding 线的感抗，另外一个就是源边引脚到地的PCB走线的感抗（地是作为驱动电路的旁路电容和电源网络滤波网的返回路径）。在某些情况下，加入测量电流的小电阻也可能产生额外的感抗。 我们分析一下源边感抗带来的影响： 使得MOS管的开启延迟和关断延迟增加 由于存在源边电感，在开启和关段初期，电流的变化被拽了，使得充电和放电的时间变长了。同时源感抗和等效输入电容之间会发生谐振（这个谐振是由于驱动电压的快速变压形成的，也是我们在G端看到震荡尖峰的原因），我们加入的门电阻Rg和内部的栅极电阻Rm都会抑制这个震荡（震荡的Q值非常高）。 我们需要加入的优化电阻的值可以通过上述的公式选取，如果电阻过大则会引起G端电压的过冲（优点是加快了开启的过程），电阻过小则会使得开启过程变得很慢，加大了开启的时间（虽然G端电压会被抑制）。 源边感抗另外一个影响是阻碍Id的变化，当开启的时候，初始时di/dt偏大，因此在原感抗上产生了较大压降，从而使得源点点位抬高，使得Vg电压大部分加在电感上面，因此使得G 点的电压变化减小，进而形成了一种平衡（负反馈系统）。 另外一个重要的寄生参数是漏极的感抗，主要是有内部的封装电感以及连接的电感所组成。 在开启状态的时候Ld起到了很好的作用（Subber吸收的作用），开启的时候由于Ld的作用，有效的限制了di/dt/（同时减少了开启的功耗）。在关断的时候，由于Ld的作用，Vds电压形成明显的下冲（负压）并显著的增加了关断时候的功耗。下面谈一下驱动（直连或耦合的）的一些重要特性和典型环节：
变压器内部过电压 变压器运行中产生的过电压在变压器中破坏绝缘有两种 情况：一是击穿绕组之间、绕组与铁芯之间或绕组与油箱之间 的绝缘〃造成绕组短路或接地；二是在同一绕组内将与匝间或 段与段间的绝缘击穿〃造成匝间短路。 内部过电压 内部过电压是由电网内部能量转化或传递过程中产生 的〃其幅值与电网的额定电压成正比关系〃是超高压电网中危 害较大的过电压〃主要有两种 一）〃切除空载变压器产生的操作过电压〃 空载变压器在正常运行时表现为一激磁电感 实验研究表明：切断100A 以上的电流时〃开关触头的电弧通常都是在工频电流自然过 零时熄灭的〃此时等值电感中储藏的磁场能量为零〃在切除过 程中不会产生过电压。但在切除空载变压器时〃由于激磁电流很小〃一般只有额定电流的 0.5％ ～ 4％ 〃而开关中的去游离作用又很强〃故当电流不为零时就会发生强制熄弧的切流 现象。这样电感中储藏的能量就将全部转变为电场能量〃从 而产生这种切除空载变压器过电压。 切空变过电压的产生原因及过程 通常，线路断路器是用来快速而安全地切断强大的感性短路电流(一般达10-100kA )的，当切断这种短路电流时，由于电源供给能量很大，还以维持电弧电压，在绝大多数情况下，电弧都是在工频电流自然过零时熄灭。此时，电感中的磁场能量为零(即无截流)，不会产生过电压，但是在切断电感电流时，由于能量较小，通常弧道中的电离并不强烈，电弧很不稳定，加上断路器的去电离作用很强，会在工频电流过零前使电弧电流被突然截断，强制熄弧。电弧电流的这种突然截断现象称为“截流”，截流是产生切断宽载变压器过电压的根本原因。截流时，虽然被截断电流本身的数值并不大，但其变化率 dt di l 却很大，因此使变压器绕组的感应电压dt di L l 可达到很高的数值。 截流现象的产生是由于断路器切断电路时，触头间去电离作用出现冲击性的不均匀变化，引起电路中发生振荡所到致，因此，截流值的大小与电路参数，断路器类型及其灭弧性有等因素有很大关系。
配电变压器调节分接开关操作步骤 1、先停电。断开配电变压器低压侧负荷后，用绝缘棒拉开高压侧跌落式熔断器，然后做好必要的安全措施。 2、拧开变压器上的分接开关保护盖，将定位销置于空档位置。 3、调节档位时，应根据输出电压高低，调节分接开关到相应位置，调节分接开关的基本原则是：当变压器输出电压低于允许值时，把分接开关位置由Ⅰ档调到Ⅱ档，或Ⅱ档调整到Ⅲ档。 当变压器输出电压高于允许值时，把分接开关位置由Ⅲ档调到Ⅱ档，或Ⅱ档调整到Ⅰ档。 4、调节档位后，用直流电桥测量各项绕组直流电阻值，检查各绕组之间电阻值相差大于2%，必须重新调整，否则运行后，动静触头会因接触不好而发热，甚至放电，损坏变压器。 5、确认无误再送电，查看电压情况。 户外变压器的安装要求 油浸自冷式变压器绝缘电阻的测量 油浸自冷式变压器分接开关的切换操作 1、变压器为何要装分接开关？何时需要切换？ 2、切换分接开关的操作方法？ 3、试述对运行中的变压器分接开关进行切换的全过程？（按操作顺序回答，包括测量及判断切换操作的质量，安全措施应足够） 1、电力变压器为何要装分接开关？何时需要切换？ 答：分接开关是变压器高压绕组改变抽头的装置。调整分接开关位置，可以增加或减少高压绕组的匝数，以改变其变压比，使低压侧输出电压得到调整。运行中的变压器，高压侧供电电压偏高或偏低时，致使低压侧电压值过高或过低，这种情况下，需要调整其分接开关位置，改变其变压比，以使低压侧电压恢复到额定电压下正常运行。分接开关分为三档，Ⅰ档为（额定电压、绕组圈数最多），Ⅱ档为10 KV，Ⅲ为； 任何电压等级的电力系统，其实际电压都允许在一定范围内波动，此时，二次电压也会波动，这就会影响到用户的用电。为使变压器二次电压维持在额定值附近，又要适应一次电压的波动，所以变压器上装有分接开关。当二次变压器长期偏高或者长期偏低时，就应调节分接开关，使二次电压恢复正常。通过调节分接开关的接头来改变一次绕组的匝数而维持二次电压在额定值附近。变压器铭牌上标明的电压调整范围即表明了保证二次电压为额定值时，一次电压的几个标准值。变压器铭牌所标示的电压调整范围说明，当一次电压升高到时，把分接开关调整到Ⅰ位，能保持二次电压为额定值；当一次电压降到时，调整分接开关到Ⅲ位，同样能使二次电压维持在额定值。 答：何时需要切换分接开关：当电压长期的偏高或偏低时需要切换变压器的分接开关。 长期是多长：时间约十天到半个月，并结合用电季节特点进行切换。 偏多少算偏：大于或接近用户端电压偏离额定值时应切换。 电压允许波动值是多少： （1）10kV及以下用户和低压电力用户：±7％ （2）低压照明用户：＋5％～-10％
寄生电容特点详解 所谓寄生电容指的是本来没有在那个地方设计电容，但由于布线构之间总是有互容，互容就好像是寄生在布线之间的电容一样，所以叫寄生电容。 寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串连，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略，在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在高频的情况下我们都要考虑到它们的等效电容值，电感值。 实际中并不是所有的寄生电容都是有害的，例如动态读写存贮器（DRAM），以其速度快、集成度高、功耗小、价格低在微型计算机中得到极其广泛地使用。但动态存储器同静态存储器有不同的工作原理，它是靠内部寄生电容充放电来记忆信息，电容充有电荷为逻辑1，不充电为逻辑0。 实际上,由于频率的不断提高,致使引线寄生电感、寄生电容的影响愈加严重,对器件造成更大的电应力(表现为过电压、过电流毛刺)。电源纹波和瞬态规格会决定所需电容的大小，同时也会限制电容的寄生组成设置。图1显示一个电容的基本寄生组成，其由等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL）组成，并且以曲线图呈现出三种电容（陶瓷电容器、铝质电解电容器和铝聚合物电容）的阻抗与频率之间的关系。表1显示了用于生成这些曲线的各个值。这些值为低压（1V~2.5V）、中等强度电流（5A）同步降压电源的典型值。
表1:三种电容比较情况，各有优点。 低频下，所有三种电容均未表现出寄生分量，因为阻抗明显只与电容相关。但是，铝电解电容器阻抗停止减小，并在相对低频时开始表现出电阻特性。这种电阻特性不断增加，直到达到某个相对高频为止（电容出现电感）。铝聚合物电容为与理想状况不符的另一种电容。有趣的是，它拥有低ESR,并且ESL很明显。陶瓷电容也有低ESR,但由于其外壳尺寸更小，它的ESL 小于铝聚合物和铝电解电容。 图1:寄生对陶瓷、铝和铝聚合物电容阻抗的改变不同 图2显示运作在500kHz下的连续同步调节器模拟的电源输出电容波形。它使用图1所示三种电容的主要阻抗：陶瓷电容；铝ESR;铝聚合物ESL.
实验二 He-Ne 激光器的模式分析 一、实验目的 1. 用共焦球面扫描干涉仪测量He-Ne 激光器的相邻纵模间隔，判别高阶横模的阶次。 2. 了解激光的频谱结构，掌握扫描干涉仪的使用方法及测定其性能指标的实验技能。 3. 观察激光器的频率漂移及跳模现象，了解其影响因素；观察激光器的输出横向光场分布花样，体会谐振腔的调整对它的影响。 二 实验设备 He-Ne 激光器、激光电源、小孔光阑、共焦球面扫描干涉仪、锯齿波发生器、放大器、示波器等 三、实验原理 1．激光的频率特性 激光器的光学谐振腔内可存在一系列具有分立谐振频率的本征模式，但其中频率位于工作物质增益带宽范围内，并满足阈值条件的本征模才会振荡形成激光。 通常把激光光波场的空间分布，分解为沿传播方向（腔轴方向）的分布E(z)和垂直于传播方向在横截面内的分布E(x,y)，即谐振腔模式可分为纵模和横模，用符号TEM mn 标志不同模式的模式分布。对激光束的模式进行频率分析，可以分辨出它的精细 结构。 由无源腔理论可知：共轴稳定球面谐振腔TEM mn 模的频率为 ??? ????????? ??-???? ??-+++=2111arccos )1(12R L R L n m q nL C v mnq π （2.1） 式中m 、n 为横模阶次，q 为纵模阶次，L 为腔长，R 1R 2是腔面两反射镜的曲率半径，n 是工作物质的折射率。 当m=n=0时为基横模，而m 或n ≠0时叫做高阶横模。对于不同的横模（m 、n 不同）有不同的横向光强分布，所以观察光斑图案或测量光强分布也能分析横模结构。但对于含有高阶横模的结构，则必须借助于频率分析才能分辨。由(2.1)式可知，q 一定时，不同的横模对应有不同的振荡频率，其频率间隔为
寄生参数提取-Calibre xRC培训班 （1天） 课程描述： Mentor Graphics 的Calibre 是深亚微米物理验证的工业标准。本次课程将教会用户IC设计流程中有效的使用Calibre xRC进行寄生参数提取。更有相应的练习课程可加深对Calibre xRC概念和技术的理解，增加Calibre xRC的使用经验。 在这次课中可以学到： ●如何编写Calibre xRC所需的文件； ●如何使用Calibre xRC进行寄生参数提取，产生Lumped－C、Distributed RC和RCC网表等； ●如何分析Calibre xRC的报告和了解提取出来的网表结果等； ●了解Calibre xRC与其他EDA供应商的工具的接口。 适合的听众： ●IC设计工程师和版图工程师； ●需要编写rule files的工程师； ●CAD支持小组。 需要的知识： ●IC版图设计的知识； ●使用Calibre LVS的经验； ●了解电路仿真的基本知识； ●了解SPICE网表； ●熟悉UNIX； ●版图验证概念和工具的知识（非必需）。
附录1： Calibre xRC for Parasitic Extraction Training Course Schedule ●Morning ?Introduce Calibre xRC ?Foundational Flow Concepts ?Parasitic Elements and Netlists ?Transistor-Level Extraction ?Lab ●Morning ?Gate-Level Extraction ?Customizing Output Netlists ?Hierarchical Extraction ?Lab ?Q&A
开关变压器第十四讲分布电容分析 作者：康佳集团彩电技术开发中心总体技术设计所所长/高级工程师陶显芳 开关电源电压输入回路的滤波电感，其分布电容的大小对EMC指标的影响非常大，因此也需要对滤波电感线圈的分布电容构成以及原理有充分的理解。从原理上来说，滤波电感线圈的分布电容与开关变压器线圈的分布电容基本上是没有根本区别的；因此，对分布电容的分析与计算方法，对滤波电感线圈同样有效。 开关变压器初、次级线圈的分布电容，对开关电源性能指标的影响也很重要，它会与变压器线圈的漏感组成振荡回路产生振荡。当输入脉冲电压的上升或下降率大于振荡波形的上升或下降率的时候，振荡回路就吸收能量，使输入脉冲波形的前、后沿都变差；而当输入脉冲电压的上升或下降率小于振荡波形的上升或下降率的时候，振荡回路就会释放能量，使电路产生振荡。如果振荡回路的品质因数比较高，电路就会产生寄生振荡，并产生EMI干扰。 另外，开关电源电压输入回路的滤波电感，其分布电容的大小对EMC指标的影响非常大，因此在这里也需要对滤波电感线圈的分布电容构成以及原理有充分的理解。从原理上来说，滤波电感线圈的分布电容与开关变压器线圈的分布电容基本上是没有根本区别的，因此，对变压器线圈分布电容的分析与计算方法，对滤波电感线圈同样有效。 开关变压器初、次级线圈的分布电容与结构有关，因此，要精确计算不同结构的开关变压器初、次级线圈的分布电容难度比较大。下面我们先以最简单的双层线圈结构的开关变压器为例，计算它们的初级或次级线圈的分布电容。 图2-41是分析计算开关变压器线圈之间分布电容的原理图。 设圆柱形两层线圈之间的距离为d，高度为h，平均周长为g 。假定两层线圈之间沿高度的电位差为线性变化，即： 设两个线圈相对应的两表层间的电场近似均匀分布，即近似平板电容器的电场，那么，根据（2-112）式就可以求得该电场贮存
有载分接开关说明 §8-1有载分接开关的发展 （一）有载分接开关的优点 电压质量是电网运行的主要技术指标之一，《供用电规则》对用户的电压质量提出了明确的考核标准。电力系统为保证用户电压质量，也级母线电压规定了合格范围。无励磁调压开关，其最大的缺点为不能带负一般区域负荷变化较大或网络结构不合理的变电站，一年1—2次。而区域负荷变化较小或网络结构合理的变电站，变压器多年也不调整。电压难满足用户的要求。随着国民经济的快速用户对电压质量的要求愈来愈高，无励磁调压变压足用户对电压质量的要求。而有载调压变压器可以在变压器运行（负载）状态下随时对电压进行调整，可以有效的提高电压质量。近年来得到了广泛的应用。 §8-2用途 在变压器运行（负载）状态下，通过调整有载分接开关的挡位，改变变压器的分接头位置，以达到调整变压器输出电压的目的。 （二）有载分接开关的发展
我国于1953年上海电机厂第一次制造出35KV、5000KVA 电抗式有载调压变压器。几十年来，特别是改革开放以来，为了满足用户对电压质量的要求，适应有载调压变压器发展的需要，有载分接开关的制造技术发展比较迅速，生产厂家有贵州长征电气厂、吴江远洋电气厂、上海华明电力设备开关厂、西安鹏远开关厂、上海赛力电工电气厂、以及沈变、保变、常变、上海电力修造厂、等等。其制造技术和制造质量已比较成熟，已完全能满足国内220KV及以下市场的需求。 早在1920年美国通用（G、E）电气公司首先制造出电抗式有载调压开关。1927年德国扬森（Jansens）博士发明的电阻过渡原理制造出电阻式有载分接开关。以后得到迅速发展，在世界各国都被大量采用。并有了几十年的制造经验，国际上有载调压开关的制造技术和制造质量已非常的成熟，电阻式有载分接开关形成了一系列产品，电压能做到420KV,电流能做到3相3000A，单相4500A。比较出名的厂家有：德国莱茵豪森（MR）机械制造公司、瑞典ABB组件公司、奥地利伊林公司、以及法国阿尔斯通公司、比利时沙城电器制造公司、日本、苏联等一些制造公司都可以生产有载分接开关。目前我国330KV及以上主变压器使用的有载调压开关大部分为进口设备。 由于电抗式有载分接开关材料消耗多，体积大，燃弧时间长，各国用得较少。国内几大厂家早期开发生产的电阻式有载分接开关，如西变生产的C、D型开关,沈变、保变、常变等一些制造厂
激光器的种类及性能参数总结 半导体激光器——用半导体材料作为工作物质的一类激光器 中文名称： 半导体激光器 英文名称： semiconductor laser 定义1： 用一定的半导体材料作为工作物质来产生激光的器件。 所属学科： 测绘学（一级学科）；测绘仪器（二级学科） 定义2： 以半导体材料为工作物质的激光器。 所属学科： 机械工程（一级学科）；光学仪器（二级学科）；激光器件和激光设备-激光器名称（三级学科） 定义3： 一种利用半导体材料PN结制造的激光器。 所属学科： 通信科技（一级学科）；光纤传输与接入（二级学科） 半导体激光器的常用参数可分为：波长、阈值电流Ith 、工作电流Iop 、垂直发散角θ⊥、水平发散角θ∥、监控电流Im 。 （1）波长：即激光管工作波长，目前可作光电开关用的激光管波长有635nm、650nm、670nm、激光二极管690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。 （2）阈值电流Ith ：即激光管开始产生激光振荡的电流，对一般小功率激光管而言，其值约在数十毫安，具有应变多量子阱结构的激光管阈值电流可低至10mA以下。 （3）工作电流Iop ：即激光管达到额定输出功率时的驱动电流，此值对于设计调试激光驱动电路较重要。 （4）垂直发散角θ⊥：激光二极管的发光带在垂直PN结方向张开的角度，一般在15?~40?左右。 （5）水平发散角θ∥：激光二极管的发光带在与PN结平行方向所张开的角度，一般在6?~ 10?左右。 （6）监控电流Im ：即激光管在额定输出功率时，在PIN管上流过的电流。 工业激光设备上用的半导体激光器一般为1064nm、532nm、808nm，功率从几瓦到几千瓦不等。一般在激光打标机上使用的是1064nm的，而532nm的则是绿激光。 准分子激光器——以准分子为工作物质的一类气体激光器件。 中文名称： 准分子激光器 英文名称： excimer laser 定义：
寄生的含义 寄生的含义就是本来没有在那个地方设计电容，但由于布线构之间总是有互容，互感就好像是寄生在布线之间的一样，所以叫寄生电容。 寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串连，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在高频的情况下我们都要考虑到它们的等效电容值，电感值。 寄生电容" 在学术文献中的解释 1、另一方面传感器除有极板间电容外,极板与周围体（各种元件甚至人体）也产生电容联系,这种电容称为寄生电容.它不但改变了电容传感器的电容量,而且由于传感器本身电容量很小,寄生电容极不稳定,这也导致 传感器特性不稳定,对传感器产生严重干扰。 2、分布在导线之间、线圈与机壳之间以及某些元件之间的分布电容等,这些电容称为寄生电容,他们的数值虽小,但是引起干扰的重要原因。 分布电容：必须注意到的是，不只是电容器中才具有电容，实际上两导体之间都存在电容。例如，两根传输线之间，每跟传输线与大地之间，都是被空气介质隔开的，所以，也都存在着电容。一般情况下，这个电容值很小，它的作用可忽略不计，如果传输线很长或所传输的信号频率高时，就必须考虑这电容的作用，另外在电子仪器中，导线和仪器的金属外壳之间也存在电容。上述这些电容通常叫做分布电容，虽然它的数值很小，但有时却会给传输线路或仪器设备的正常工作带来干扰。 寄生电容：寄生的含义就是本来没有在那个地方设计电容，但由于布线构之间总是有互容，互感就好像是寄生在布线之间的一样，所以叫寄生电容。寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串连，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在高频的情况下我们都要考虑到它们的等效电容值，电感值。 分布电容定义
EMI及无Y电容变压器的设计 在开关电源中，功率器件高频导通/关断的操作导致的电流和电压的快速变化而产生较高的电压及电流尖峰是产生EMI的主要原因。加缓冲吸收电路有利于降低EMI，但会产生过多的功耗，增加元件数量、PCB尺寸及系统成本。 通常情况下，系统前端要加滤除器和Y电容，Y电容的存在会使输入和输出线间产生漏电流，具有Y电容的金属壳手机充电器会让使用者有触电的危险，因此，一些手机制造商开始采用无Y电容的充电器，然而，去除Y电容会给EMI的设计带来困难，本文将介绍无Y电容的充电器变压器补偿设计方法。 变压器补偿设计 减小电压和电流变化率及增加耦合通道阻抗是提高EMI性能的常用办法，变压器是另外一个噪声源，而初级/次级的漏感及层间电容、初级和次级间的耦合电容则是噪声的通道，初级或次级的层间电容可以通过减少绕组的层数来降低，增大变压器骨架窗口的宽度可以减少绕组的层数。分离的绕组，如初级采用三明治绕法，可以减小初级的漏感，但由于增大了初级和次级的接触面积，因而增大了初级和次级的耦合电容，采用铜皮的Faraday屏蔽可以减小初级与次级间的耦合电容。Faraday屏蔽层绕在初级与次级之间，并且要接到初级或次级的静点，如初级地和次级地。Faraday屏蔽层会使初级和次级的耦合系统降低，从而增加了漏感。 开关管的导通电流尖峰由三部分组成：（1）变压器初级绕组的层间电容充电电流；（2）MOSFET漏-源极电容的放电电流；（3）工作在CCM模式的输出二极管的方向恢复电流。导通电流尖峰不能通过输入滤波的直流电解电容旁路，因为输入滤波的直流电解电容有等效的串联电感ESL和电阻ESR，产生的差模电流会在电源的两根输入线间流动，对于变压器而言，初级绕组两端所加的电压高，绕组层数少，层间电容少，然而，在很多应用中由于骨架窗口宽度的限制，以及为了保证合适的饱和电流，初级绕组通常用多层结构，本设计针对4层的初级绕组结构进行讨论。 对于常规的4层初级绕组结构，在开关管导通和关断的过程中，层间的电流向同一个方面流动，在图1中在开关管导通时，原极接到初级的地，B点电压为0，A点电压为Vin，基于电压的变化方向，初级绕组层间电容中电流流动的方向向下，累积形成的差模电流值大。
配电变压器调节分接开 关操作步骤 集团公司文件内部编码：（TTT-UUTT-MMYB-URTTY-ITTLTY-
1、先停电。断开配电变压器低压侧负荷后，用绝缘棒拉开高压侧跌落式熔断器，然后做好必要的安全措施。 2、拧开变压器上的分接开关保护盖，将定位销置于空档位置。 3、调节档位时，应根据输出电压高低，调节分接开关到相应位置，调节分接开关的基本原则是： 当变压器输出电压低于允许值时，把分接开关位置由Ⅰ档调到Ⅱ档，或Ⅱ档调整到Ⅲ档。当变压器输出电压高于允许值时，把分接开关位置由Ⅲ档调到Ⅱ档，或Ⅱ档调整到Ⅰ档。 4、调节档位后，用直流电桥测量各项绕组直流电阻值，检查各绕组之间电阻值相差大于2%，必须重新调整，否则运行后，动静触头会因接触不好而发热，甚至放电，损坏变压器。 5、确认无误再送电，查看电压情况。 户外变压器的安装要求 油浸自冷式变压器绝缘电阻的测量 油浸自冷式变压器分接开关的切换操作 1、变压器为何要装分接开关何时需要切换 2、切换分接开关的操作方法？ 3、试述对运行中的变压器分接开关进行切换的全过程（ 按操作顺序回答，包括测量及判断切换操作的质量，安全措施应足够） 1、电力变压器为何要装分接开关何时需要切换 答：分接开关是变压器高压绕组改变抽头的装置。调整分接开关位置，可以增加或减少高压绕组的匝数，以改变其变压比，使低压侧输出电压得到调整。运行中的变压器，高压侧
供电电压偏高或偏低时，致使低压侧电压值过高或过低，这种情况下，需要调整其分接开关位置，改变其变压比，以使低压侧电压恢复到额定电压下正常运行。分接开关分为三档，Ⅰ档为10.5KV（额定电压、绕组圈数最多），Ⅱ档为10KV，Ⅲ为9.5KV； 任何电压等级的电力系统，其实际电压都允许在一定范围内波动，此时，二次电压也会波动，这就会影响到用户的用电。为使变压器二次电压维持在额定值附近，又要适应一次电压的波动，所以变压器上装有分接开关。当二次变压器长期偏高或者长期偏低时，就应调节分接开关，使二次电压恢复正常。通过调节分接开关的接头来改变一次绕组的匝数而维持二次电压在额定值附近。变压器铭牌上标明的电压调整范围即表明了保证二次电压为额定值时，一次电压的几个标准值。变压器铭牌所标示的电压调整范围说明，当一次电压升高到10.5kV时，把分接开关调整到Ⅰ位，能保持二次电压为额定值；当一次电压降到9.5kV时，调整分接开关到Ⅲ位，同样能使二次电压维持在额定值。 答：何时需要切换分接开关：当电压长期的偏高或偏低时需要切换变压器的分接开关。长期是多长：时间约十天到半个月，并结合用电季节特点进行切换。 偏多少算偏：大于或接近用户端电压偏离额定值时应切换。 电压允许波动值是多少： （1）10kV及以下用户和低压电力用户：±7％ （2）低压照明用户：＋5％～-10％ 切换分接开关挡位：105％，Ⅱ挡100％，Ⅲ挡95％ 2、切换分接开关的操作方法？ 答：1)取下变压器顶盖上的操作手柄护罩，松开或提起分接开关的定位销（或螺栓）。 2)转动开关手柄至所需的挡位，并反复数次以便清除触点表面的氧化物。 3)先用测量一次绕组绕的直流电阻。 4)在用单臂电桥测量一次绕组的直流电阻。
电容传感器寄生电容干扰的产生原因及消除方法 分析了电容传感器寄生电容存在的主要原因，以及消除寄生电容干扰的几种方法：主要采用驱动电缆技术、运算放大器驱动技术、整体屏蔽技术、集成组合技术来减小寄生电容，以提高传感器的性能。 电容式传感器具有结构简单，灵敏度高，温度稳定性好，适应性强，动态性能好等一系列优点，目前在检测技术中不仅广泛应用于位移、振动、角度、加速度等机械量的测量，还可用于液位、压力、成份含量等热工方面的测量中。但由于电容式传感器的初始电容量很小，一般在皮法级，而连接传感器与电子线路的引电缆电容、电子线路的杂散电容以及传感器内极板与周围导体构成的电容等所形成的寄生电容却较大，不仅降低了传感器的灵敏度，而且这些电容是随机变化的，使得仪器工作很不稳定，从而影响测量精度，甚至使传感器无法正常工作，所以必须设法消除寄生电容对电容传感器的影响。以下对消除电容传感器寄生电容的几种方法进行分析。 增加初始电容值法 采用增加初始电容值的方法可以使寄生电容相对电容传感器的电容量减小。由公式C0=ε0·εr·A/d0可知，采用减小极片或极筒间的间距d0，如平板式间距可减小为0.2毫米，圆筒式间距可减小为0.15毫米;或在两电极之间覆盖一层玻璃介质，用以提高相对介电常数，通过实验发现传感器的初始电容量C0不仅显著提高了，同时也防止了过载时两电极之间的短路;另外，增加工作面积A或工作长度也可增加初始电容值C0。不过，这种方法要受到加工工艺和装配工艺、精度、示值范围、击穿电压等的限制，一般电容的变化值在10-3～103pF 之间。 采用“驱动电缆”技术，减小寄生电容 如图1所示：在压电传感器和放大器A之间采用双层屏蔽电缆，并接入增益为1的驱动放大器，这种接法可使得内屏蔽与芯线等电位，进而消除了芯线对内屏蔽的容性漏电，克服了寄生电容的影响，而内外层之间的电容Cx变成了驱动放大器的负载，电容传感器由于受几何尺寸的限制，其容量都是很小的，一般仅几个pF到几十pF。因C太小，故容抗XC=1/ωc 很大，为高阻抗元件;所以，驱动放大器可以看成是一个输入阻抗很高，且具有容性负载，放大倍数为1的同相放大器。 电容传感器 图1 运算放大器驱动法 采用“驱动电缆”法消除寄生电容，就是要在很宽的频带上严格去实现驱动放大器的放大倍数等于1，并且输入输出的相移为零，这是设计的难点。而采用运算放大器驱动法就可有效的去解决这一难题。如图2所示：(-Aa)为驱动电缆放大器，其输入是(-A)放大器的输出，(-Aa)放大器的输入电容为(-A)放大器的负载，因此无附加电容和Cx并联，传感器电容Cx两端电压为 Ucx= Uo1- Uo2= Uo1- ( - A·Uo1) = (1+ A)·Uo1 放大器(-Aa)的输出电压为 Uo 3= - Aa·Uo2= A·Aa·Uo1 实现电缆芯线和内层屏蔽电位相等，应使UCX=Uo3，于是可以得到：(1+A)*Uo1=A*Aa*Uo1， 即Aa= 1+1/A
●更宽的频率调节范围（1.6kHz～1000kHz）； ●更高的峰值功率； ●可广泛应用于塑胶按键及阳极铝打黑等项目上。 ●更快的开关光速度，打标速度更快。 在安装打标软件时，注意选择选择“YLPM型激光器”， 在控制界面，YLP-M比YLP-F多了一个打标参数：激光模式。共有8种激光模式可选。可直接把所需的模式填入。 8种模式都有标称频率，即RR值，如果设定的频率低于该值时，激光器会自动降低输出功率，以保护激光器。 其中，T1模式配160镜头可在阳极铝上打黑，其效果类似皮秒激光器； T2模式配254镜头也可在阳极铝上打黑，效果可与SPI激光器的3号波形的
效果媲美； 而打标参数与SPI 激光器3号波形下的参数大致相同。 另，T2模式可用在含激光粉的PC，ABS材料上打白。 6.1ns T2模式，RR=200kHz，上升时间：3.8ns，50%时的脉冲宽度：8.4ns，10%时的脉冲宽度： 15.4ns T3模式, RR=125kHz，上升时间：3.8ns，50%时的脉冲宽度：14.4ns，10%时的脉冲宽度：21.1n s T4模式, RR=105kHz，上升时间：3.8ns，50%时的脉冲宽度：14.9ns，10%时的脉冲宽度：26.3ns T5模式, RR=85kHz，上升时间：4.0ns，50%时的脉冲宽度：14.6ns，10%时的脉冲宽度：31.5ns
T6模式, RR=60kHz，上升时间：3.2ns，50%时的脉冲宽度：14.8ns，10%时的脉冲宽度：53.6ns T7模式, RR=40kHz，上升时间：3.3ns，50%时的脉冲宽度：24.5ns，10%时的脉冲宽度：100.3ns
如何通过工艺来抑制变压器中的EMI干扰 类型：市场研究发布人：七年之痒发布日期： 2006-10-10 17:03:51 摘要：一.变压器与EMI的关系系统设计工程师解决棘手的EMI问题时，很多时候都未能认真地研究变压器的设计。变压器与EMI之间有如下的关系。 1.由于变压器的线圈带有高频电流，因此变压器实际上已成为接收磁 一.变压器与EMI的关系 系统设计工程师解决棘手的EMI问题时，很多时候都未能认真地研究变压器的设计。变压器与EMI之间有如下的关系。 1.由于变压器的线圈带有高频电流，因此变压器实际上已成为接收磁场的天线。这些磁场会冲击附近的走线，并通过这些走线将磁场传导或辐射到密封的范围以外。 2.由于部分线圈有交流电压，因此实际上它们也成为接收电磁场的天线。 3.初级及次级线圈之间的寄生电容可以将噪声传送到绝缘层之外。由于次级线圈的接地通常都与底板连在一起，因此这些噪声又会通过这个接地面传送回来，成为共模噪声。我们为了减少泄漏电感，往往将初级及次级线圈紧靠在一起，但这样也会增加线圈的互感，从而增加共模噪声。 下面介绍一些有助于防止上述干扰情况出现的变压器工艺技术。 1.符合安全规格的变压器都在初级及次级线圈之间贴上三层符合安全规格的聚酯 (Mylar) 胶带。除了这三层聚酯胶带之外，可能还会另外加插一片法拉第屏蔽铜片，以便将汇集在绝缘边界的噪声电流收集在一起，并将这些噪声电流分流到别的地方 (通常会传送到初级线圈的接地)。值得留意的一点是，应该采用极薄的铜片作为屏蔽，以免因出现涡流而产生损耗，并确保可减少泄漏电感。这片铜片一般厚 0.05-0.1mm。法拉第铜带环绕绕组中央一周并用一条导线焊接在铜片中心或顶端的附近，从PIN 引出连接初级线圈的接地端。这里要注意，铜片屏蔽的两端不应该有电导性能上的连接，因为对于变压器来说，这样会令这一绕圈短路。也可以在次级线圈上 (即加了三层绝缘之后) 再加设一个法拉第屏蔽，而这个屏蔽则与次级线圈接地连在一起。 2. 通常变压器的外围也会有一层铜片屏蔽(即“磁通带”)包围着。这个屏蔽主要用以遮挡辐射。低成本的设计通常会任由这个屏蔽悬空，但如有需要，这个屏蔽也可与次级线圈接地连在一起。如果按照这个方式连在一起，便需要考虑一些安全方面的问题，例如加强初级及次级线圈之间绝缘效果的规定问题，以及如何规定初级至次级线圈之间的爬电距离及间隙问题。如果变压器的外盘设有空气隙，源自空气隙的周边磁通会在磁通带产生严重的涡流损耗。因此这个屏蔽带的厚度通常也只有 0.05—0.1mm。需要注意，这个磁通带的两端可以而且应该焊接在一起，因为这是外层屏蔽，无论怎样也不会让变压器的绕线出现短路情况。但像拉法第屏蔽一样，如果采用良好的绕线技术，这个外层屏蔽也可以不用。