IGBT基本参数详解解读第一部分 IGBT模块静态参数1,,集射极阻断电压在可使用的结温范围内,栅极和发射极短路状况下,集射极最高电压。
手册里一般为25?下的数据,随着结温的降低,会逐渐降低。
由于模块内外部的杂散电感,IGBT在关断时最容易超过限值。
2,,最大允许功耗在25?时,IGBT开关的最大允许功率损耗,即通过结到壳的热阻所允许的最大耗散功率。
其中,为结温,为环境温度。
二极管的最大功耗可以用同样的公式获得。
在这里,顺便解释下这几个热阻,结到壳的热阻抗,乘以发热量获得结与壳的温差,芯片热源到周围空气的总热阻抗,乘以发热量获得器件温升,芯片结与PCB间的热阻抗,乘以单板散热量获得与单板的温差。
3,集电极直流电流在可以使用的结温范围流集射极的最大直流电流。
根据最大耗散功率的定义,可以由最大耗散功率算出该值。
所以给出一个额定电流,必须给出对应的结和外壳的温度。
)4,可重复的集电极峰值电流规定的脉冲条件下,可重复的集电极峰值电流。
5,RBSOA,反偏安全工作区IGBT关断时的安全工作条件。
如果工作期间的最大结温不被超过,IGBT在规定的阻断电压下可以驱使两倍的额定电流。
6, 短路电流短路时间不超过10us。
请注意,在双脉冲测试中,上管GE之间如果没有短路或负偏压,就很容易引起下管开通时,上管误导通,从而导致短路。
7, 集射极导通饱和电压在额定电流条件下给出,Infineon的IGBT都具有正温度效应,适宜于并联。
随集电极电流增加而增加,随着增加而减小。
可用于计算导通损耗。
根据IGBT的传输特性,计算时,切线的点尽量靠近工作点。
对于SPWM方式,导通损耗由下式获得,M为调制因数,为输出峰值电流,为功率因数。
第二部分 IGBT模块动态参数1,模块内部栅极电阻为了实现模块内部芯片的均流,模块内部集成了栅极电阻,该电阻值常被当成总的驱动电阻的一部分计算IGBT驱动器的峰值电流能力。
2,外部栅极电阻数据手册中往往给出的是最小推荐值,可以通过以下电路实现不同的和。
