汽车应用中的IGBT功率模块
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车规IGBT模块封装趋势1引目前电动汽车主逆变器功率半导体技术,代表着中等功率模块技术的先进水平;电动车应用对功率半导体(目前主要为IGBT)模块的要求较高,总的来说:•高可靠性•高功率密度•成本优势要想搞清楚并且形象化电动汽车上用的功率模块到底追求什么,不妨先看看现在市场上应用的状况,正所谓八仙过海,各显神通2各显神通目前汽车厂商主流的几种模块应用解决方案,大概分为以下几种:分立器件;1 in 1;2in1 ;6in1;All in 1(这里4in1主逆变器用的少,先不说)下边,挨个捋一下:•分立器件:典型案例:Tesla Model X等设计非常经典巧妙,IGBT单管夹在散热水道两边,立体式设计节省空间;并且方便叠层母排布局,减小杂散电感;优点:成本低,集成度高,通用产品;缺点:设计复杂,热阻较大,散热效率不高•1 in 1典型案例一:Tesla Model 3比较新颖的封装形式,1 in 1这个名字很奇怪,为什么这种封装看起来像分立器件却被称为模块,直接叫分立器件不就完了。
其实这种说法的原因是其采用了模块的封装技术Model 3 单个小模块包含一个开关,内部两个SiC芯片并联,使用时多个小模块并联优点:散热效率高,设计布局灵活缺点:量产工艺要求很高典型案例二:德尔福Viper双面水冷散热Viper让德尔福在小型化上尝到了不少甜头,除了双面水冷之外,这款模块还取消了绑定线设计,提升了循环可靠性使用时,采用双面水冷典型的夹心饼干散热模式,非常诱人•2in1 模块包含两种:一种是灌胶模块封装,早期应用较多,例如下边这种,工业上也比较常见第二种是塑封,也是国际上有经验的厂商倾向于选择的形式,一方面功率密度较大,便于小型化设计;另一方面具有一定的成本优势早期使用单面间接水冷的半桥模块,博世产品上可以看到,后续主要的发展方向是双面水冷和单面直接水冷以丰田普锐斯4代PCU为例,摒弃之前的All-in-1结构,采用双面水冷半桥模块“插卡”式结构,设计巧妙的同时,极大提升散热效率,由此提升系统功率密度双面水冷内部结构:优点: 结构紧凑,散热效率高,塑封的可靠性高缺点:没有集成散热绝缘陶瓷,设计时跟散热器之前需要加隔离垫片•6 in 1目前应用最广泛的模块,尤其是国内汽车厂商,设计相对简单说到这,不能不提英飞凌的明星产品:HP DrivePin-Fin设计直接散热底板,显著提高功率模块散热效率,提高模块的功率密度,再加上模块化设计简单,很快在汽车领域风靡开来优点:设计简单,功率密度高,应用门槛低缺点:成本高针对Pin-Fin针翅成本高的问题,模块厂商正在开发低成本的直接水冷板,例如英飞凌的wave散热底板,在成本和散热性能之间做了折中•All in 1典型应用:丰田普锐斯系列以普锐斯第三代PCU为例,这款电装为丰田定制的功率系统,所有的IGBT和Diode被集成到一个AlN陶瓷板上,外观上看像一个大的功率模块3趋势1) 6 in 1模块虽然6In1模块对汽车来说并不是最优设计,但由于其设计应用的方便性,在短期内还将占据主流,技术上主要会在散热技术和可靠性尚下功夫改进点:•高导热陶瓷材料的应用,例如主流的Al2O3陶瓷更新Si3N4陶瓷•高导热材料底板的应用,例如高导热系数铝硅碳底板代替铜底板•银烧结技术的使用(Die与DBC、DBC与散热板)•铜绑定线乃至铜带绑定技术2)双面水冷封装双面水冷封装技术的优点一方面提升散热效率,另一方面夹心式的散热系统设计易于拓展,同时,相对于硅胶灌封模块,塑封的半桥模块又具有一定的量产成本优势相信未来一段时间会成为一个主流方向半桥单管3)单面直接水冷封装丹佛斯在PCIM Europe 2017上展示的Shower Power 3D技术,据称比Pin-Fin的散热能力还要优秀4)双面直接水冷封装如日立的插式双面水冷散热,已在奥迪e-tron量产,理论上,这种形式的封装散热效果相对于单面直接水冷是显而易见的4结各家模块厂商都有拿得出手的看家本领,不过多介绍汽车对功率模块可靠性、功率密度的高要求,催生车规级模块封装技术的不断进步并量产落地,相信到碳化硅时代,适应于碳化硅的新型封装技术会成为一个新的方向。
虽然相较于MOSFET、电源管理IC来说,IGBT占中国功率半导体市场份额很小。
但下游需求的持续扩张刺激了中国IGBT市场保持快速增长。
2005年中国IGBT市场销量达到1.33亿个,销售额达到23.0亿元。
目前IGBT主要应用领域包括工业控制、消费电子、计算机、网络通信、汽车电子。
在汽车电子市场中IGBT已经代替达林顿管成为汽车点火器的首选器件。
随着IGBT在汽车点火器中的应用从一个或两个IGBT作为几个汽缸的若干线圈点火,转变为每个汽缸都有一个IGBT和线圈,IGBT使用数量快速增长。
在计算机和网络通信领域中IGBT 广泛应用在大功率服务器(大于1000W)、UPS电源以及大功率基站中(大于1000W)。
1、工业控制和消费电子是IGBT应用的两大支柱领域凭借着较高的单价,工业控制用IGBT在销售量低于消费电子的情况下销售额实现反超IGBT是MOS结构双极器件,属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。
IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。
鉴于IGBT的参数特性,IGBT开发之初主要应用在电机、变换器(逆变器)、变频器、UPS、EPS电源、风力发电设备等工业控制领域。
在上述应用领域中IGBT凭借着电压控制、驱动简单,开关频率高、开关损耗小,可实现短路保护等优点在600V及以上中压应用领域中竞争力逐步显现,在UPS、开关电源、电车、交流电机控制中已逐步替代GTO、GTR。
由于SCR和GTO具有极高的耐压能力和较大的通过电流,目前在高压大电流应用中SCR和GTO仍占有统治地位。
但由于风力发电设备、电机、变频器、UPS电源等IGBT主要应用产品产量远不能和消费电子产品相比,所以工业控制领域中对IGBT的需求量远低于消费电子位于第二位。
但工业产品中要求IGBT具有较高的耐压性、较大的工作电流以及高稳定性。
同时工控产品对于价格压力要远小于消费电子产品,工业控制用IGBT的价格相对较高。
◆文/山东 刘春晖IGBT 在新能源汽车中的应用(上)近年来,新型功率开关器件IGBT(图1)已逐渐被人们所认识,IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件(图2),IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写形式,是绝缘栅双极型晶体管。
与以前的各种电力电子器件相比,IGBT具有以下特点:①高输入阻抗,可采用通用低成本的驱动线路;②高速开关特性,导通状态低损耗。
IGBT兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
简单讲,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看作导线,断开时当作开路。
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低,是一种适合于中、大功率应用的电力电子器件,IGBT在综合性能方面占有明显优势,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
图1 IGBT外形一、IGBT的应用领域及现状1.IGBT的应用领域IGBT是能源转换与传输的核心器件,是电力电子装置的“CPU”。
IGBT是一种大功率的电力电子器件,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看作导线,断开时当作开路。
三大特点就是高压、大电流、高速。
它是电力电子领域非常理想的开关器件,不同公司的IGBT如图3所示。
采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率和质量,具有高效节能和绿色环保的特点,是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。
IGBT的应用领域很广,如工业领域中的变频器,家用电器领域的变频空调、洗衣机、冰箱,轨道交通领域的高铁、地铁、轻轨,军工航天领域的飞机、舰艇以及新能源领域的新能源汽车、风力发电等都有非常广泛的应用。
IGBT的主要应用领域_IGBT国内外市场规模IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极结型晶体三极管) 和MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。
简单讲,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。
IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。
IGBT模块是由IGBT与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。
▲IGBT模块简图IGBT是能源转换与传输的核心器件,是电力电子装置的“CPU”。
采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率和质量,具有高效节能和绿色环保的特点,是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。
IGBT是以GTR为主导元件,MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。
其外部有三个电极,分别为G-栅极,C-集电极,E-发射极。
在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。
1)当IGBT栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态。
2)当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处于反偏,IGBT呈反向阻断状态。
3)当集-射极电压UCE>0时,分两种情况:②若栅-射极电压UGE<Uth,沟道不能形成,IGBT呈正向阻断状态。
②若栅-射极电压UGE>Uth ,栅极沟道形成,IGBT呈导通状态(正常工作)。
此时,空穴从P+区注入到N基区进行电导调制,减少N基区电阻RN的值,使IGBT通态压降降。
igbt功率模块IGBT 功率模块是一种多功能的机电一体化模块,具有良好的电磁兼容性、高效率和稳定性以及控制和驱动特性。
它以功率模块的形式包含了半导体芯片,封装在一个可以直接安装于PCB的小模块里。
1、优势(1)紧凑的封装:IGBT功率模块集成了IGBT和可选的整流模块,在将封装紧凑地组装到PCB板上,可极大地简化设备设计。
(2)高效率:IGBT器件有良好的参数控制能力,可实现高效率转换。
夹层技术可提高其内部结构,确保高效传输效果。
(3)高可用性:IGBT功率模块提供可靠的备份设施,可降低故障转移时间,提升系统可用性。
(4)电流控制:IGBT功率模块集成了高速脉冲数字驱动技术,具备极高的频率和电流调速能力,可有效提高系统控制和切换效率。
2、应用(1)汽车制动:由于汽车减速需要大量电力,IGBT功率模块能快速响应从对减速以及反应从对刹车控制,确保汽车安全行驶。
(2)电动工具:由于IGBT功率模块的可靠性和安全性,电动工具普遍采用它来控制驱动器,以实现快速和可靠地电机驱动。
(3)逆变器:由于IGBT功率模块可以实现高精度的数字控制,因此可以用来控制各种变频技术,如风力发电、太阳能发电等,实现转换效率最大化。
3、使用(1)正确连接:在安装IGBT功率模块前,首先要确认设备之间的连接是否正确,确保输入输出器件接地线的连接是否有效。
(2)设置电流保护:根据IGBT功率模块的参数配置设备电流保护,可以降低电流突变对模块造成的损伤。
(3)测量绝缘:使用电磁绝缘测试仪,对IGBT电路进行测量,确保绝缘强度达到安全标准。
(4)检测参数:根据IGBT参数检测设备,确保设备参数稳定,从而提升系统可用性。
IGBT模块是什么?主要应用在那些领域?以及IGBT市场规模和发展方向IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极结型晶体三极管) 和MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。
简单讲,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。
IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。
IGBT模块是由IGBT与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。
IGBT是能源转换与传输的核心器件,是电力电子装置的“CPU”。
采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率和质量,具有高效节能和绿色环保的特点,是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。
IGBT是以GTR为主导元件,MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。
其外部有三个电极,分别为G-栅极,C-集电极,E-发射极。
在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。
1)当IGBT栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态。
2)当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处于反偏,IGBT呈反向阻断状态。
3)当集-射极电压UCE>0时,分两种情况:②若栅-射极电压UGE<Uth,沟道不能形成,IGBT呈正向阻断状态。
②若栅-射极电压UGE>Uth ,栅极沟道形成,IGBT呈导通状态(正常工作)。
此时,空穴从P+区注入到N基区进行电导调制,减少N基区电阻RN的值,使IGBT通态压降降。
IGBT在汽车中的应用Andreas Volke英飞凌科技中国有限公司,中国上海市浦东区张江高科技园区松涛路647弄7-8号,邮编201203摘要 — 诸如高环境温度、暴露于机械冲击以及特定的驱动循环等环境条件,要求对功率模块的机械和电气特性给予特别的关注,从而在整个使用寿命期间能确保其性能得到充分发挥,并保持很高的可靠性。
本文对功率和热循环、材料选型以及电气特性等问题和故障模式进行了探讨。
关键词: IGBT、功率模块、传动系、HEV1 导言由于各种工业应用中通常会使用多达十几种的IGBT(绝缘栅双极晶体管),因而人们熟知它们的具体应用环境条件。
这样,设计IGBT模块的目的就是为了向某种专门的应用提供最优的性价比和适当的可靠性。
图1为现有的IGBT功率模块的主要组成部分。
图1 带基板的IGBT模块构架商用电动车(EV)和混合动力电动车(HEV)的出现为IGBT模块创造了一个新的市场。
EV和HEV中对IGBT功率模块的可靠性要求最高的部分是传动系,IGBT位于逆变器中,为混合系统的电机提供能量。
根据传动系的概念,逆变器能够位于尾箱、变速箱内或引擎盖下靠近内燃机的位置。
因此,IGBT模块要经受严峻的热和机械条件(振动和冲击)的考验。
为了向汽车设计人员提供高可靠性的标准工业IGBT模块,必须特别小心地选择材料和设计电气特性,以得到相似甚至更好的结果。
1.1 热循环和热冲击试验在热循环(TC)期间,待测器件(DUT)交替地暴露于被精确设定的最低和最高温度下,使其管壳的温差(∆T C)达到80K到100K。
DUT处于最低和最高温度的存储时间必须足以使其达到热平衡(即2到6分钟)。
此项试验的重点是检测焊接处的疲劳特性。
通过更严格的试验,还可以研究其它部分(如模块的框架)所存在的弱点。
热冲击试验(TST),也被称作二箱试验,是在经过扩展的∆T C 的条件下进行的,例如从-40°C 到+150°C。
根据乘联会数据,2022年6月新能源车国内零售渗透率27.4%,并且2022年6月29日欧盟对外宣布,欧盟27个成员国已经初步达成一致,欧洲将于2035年禁售燃油车。
市场越来越景气,同时国内近期新发布的新能源车型也百花齐放。
不论是普通消费者、新能源汽车产业相关从业者,还是一二级市场投资人,也逐渐深入关注研究新能源车的一些核心部件,尤其是功率器件IGBT模块,今天小编就用问答的形式给大家展开讲讲,希望能够用比较通俗的解释帮助到大家。
电驱系统和IGBT模块的作用要弄明白IGBT模块,就要先了解新能源汽车的电驱系统,先用一句话概括电驱系统如何工作:在驾驶新能源汽车时,电机控制器把动力电池放出的直流电(DC)变为交流电(AC)(这个过程即逆变),让驱动电机工作,电机将电能转换成机械能,再通过传动系统(主要是减速器)让汽车的轮子跑起来。
反过来,把车轮的机械能转换存储到电池的过程就是动能回收。
1、什么是“三电系统”和“电驱系统”?三电系统,即动力电池(简称电池)、驱动电机(简称电机)、电机控制器(简称电控),也被人们成为三大件,加起来约占新能源车总成本的70%以上,是决定整车运动性能核心的组件。
电驱系统,我们一般简单把电机、电控、减速器,合称为电驱系统。
但严格定义上讲,根据进精电动招股说明书,电驱动系统包括三大总成:驱动电机总成(将动力电池的电能转化为旋转的机械能,是输出动力的来源)、控制器总成(基于功率半导体的硬件及软件设计,对驱动电机的工作状态进行实时控制,并持续丰富其他控制功能)、传动总成(通过齿轮组降低输出转速提高输出扭矩,以保证电驱动系统持续运行在高效区间)。
图:电驱系统示意图图片来源:进精电动招股说明书2、什么是“多合一电驱系统”?一开始电机、电控、减速器都是各自独立的零部件,但随着技术的进步,我们把这三个部分集合在一起做成一个部件,就变成了“三合一电驱”。
集成的目的主要是节省空间、降低重量、提升性能、降低成本。
功率模块IGBT、IPM、PIM 的性能及使用时有关问题的综述1 IGBT主要用途IGBT是先进的第三代功率模块,工作频率1-20KHZ,主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路,即DC/AC变换中。
例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。
问世迄今有十年多历史,几乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、MOSFET,双极型达林顿管等,目今功率可高达1MW的低频应用中,单个元件电压可达4.0KV(PT结构)— 6.5KV(NPT结构),电流可达1.5KA,是较为理想的功率模块。
追其原因是第三代IGBT模块,它是电压型控制,输入阻抗大,驱动功率小,控制电路简单,开关损耗小,通断速度快,工作频率高,元件容量大等优点。
实质是个复合功率器件,它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化。
又因先进的加工技术使它通态饱和电压低,开关频率高(可达20KHZ),这两点非常显著的特性,最近西门子公司又推出低饱和压降(2.2V)的NPT—IGBT性能更佳,相继东芝、富士、IR、摩托罗拉亦已在开发研制新品种。
IGBT发展趋向是高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠、低成本为目标的,特别是发展高压变频器的应用,简化其主电路,减少使用器件,提高可靠性,降低制造成本,简化调试工作等,都与IGBT有密切的内在联系,所以世界各大器件公司都在奋力研究、开发,予估近2-3年内,会有突破性的进展。
目今已有适用于高压变频器的有电压型HV-IGBT,IGCT,电流型SGCT等。
2 关断浪涌电压在关断瞬时流过IGBT的电流,被切断时而产生的瞬时电压。
它是因带电动机感性负载(L)及电路中漏电感(Lp),其总值L*p = L + Lp则Vp* = Vce + Vp而Vp = L*p di/dt在极端情况下将产生Vp* Vces(额定电压)导致器件的损坏发生,为此要采取尽可能减小电感(L),电路中的漏电感(Lp)—由器件制造结构而定,例合理分布,缩短到线长度,适当加宽减厚等。
IGBTÿÿ 汽车用IGBT电源模块应用笔记技术说明AN2010-09版本1.0电力动力总成版本1.0英飞凌科技股份公司印制地址:81726 Munich, Germany©英飞凌科技股份公司版权所有,2010年。
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IGBT模块:技术、驱动和应用IGBT模块是一种集成了多个功率晶体管的集成电路,它能够承受高电压和高电流,广泛应用于电力变换和工业控制领域。
IGBT模块的技术、驱动和应用,是电力电子学、微电子学和电气工程领域的重要内容。
本文将针对IGBT模块的技术、驱动和应用进行详细的分析和讨论。
一、技术1. IGBT的结构和原理IGBT模块采用了IGBT功率晶体管技术,是一种高功率半导体器件。
IGBT由P型掺杂的底部导电层、N型的发射区、P 型区域和N型区域组成。
IGBT的结构与三极管相似,但它在结构上融合了场效应晶体管(FET)和双极型晶体管(BJT)的优点。
IGBT的输出开关特性类似于MOSFET,控制端需要施加正向偏置电压才能开启它。
然而,IGBT模块的输出电容较大,需要控制端施加负向电压才能关闭它。
2. IGBT模块的特性(1)高平均功率:IGBT模块能够承受高电压和高电流,适用于高功率应用。
(2)低电压降:IGBT模块的导通电阻比较低,导通时的电压降较小。
(3)快速开关:IGBT模块的响应速度较快,可以实现高频开关。
(4)耐高温:IGBT模块的工作温度范围宽,可以在高温环境下工作。
3. IGBT模块的制造工艺IGBT模块的制造过程包括晶体管芯片制造、封装和模块组装三个步骤。
晶体管芯片制造是IGBT模块制造的核心,它需要进行掺杂、生长晶片、刻蚀和沉积等多个步骤。
封装使晶体管芯片和引脚封装在一起,并对晶片进行保护。
模块组装是将多个IGBT芯片、散热器和电容器等部件组合起来形成一个完整的IGBT模块。
组装包括焊接、粘接和测试等多个工序。
4. IGBT模块的散热和保护IGBT模块的高功率和高温度会导致散热问题。
散热系统需要有效地排放IC模块产生的热量。
通常采用散热片、散热器和风扇等来散热。
保护系统需要检测IGBT模块的输出信号和工作状态,并及时停止或调节当前的工作状态以保证工作的稳定性和可靠性。
通常采用过流保护、过压保护和过温保护等方式进行保护。
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