执行功率循环测试以分析汽车IGBT 芯片中的材料性能下降，这是我们需要校准仿真模型的原因。
图10 显示了使用校准后的详细模型仿真加热期结束时，两个相邻IGBT 的温度分布。
相邻芯片之间的热耦合可以忽略不计；因此，可以单独地调查每个芯片。
图10：3 秒钟之后一个半桥模块的仿真温度分布。
由于加热时间短，基板-底板连接的最大温升为71 °C，但是芯片粘接温度升高超过100 °C。
这种结果表明，结构中最易受损的地方是芯片粘接材料。
定期测量的热瞬态值允许我们根据应用的不同功率循环次数生成结构函数。
图11 显示产生的功率循环对每5,000 个循环对应的结构函数的影响。
在第一个电容阶跃之后，平坦区域对应于芯片粘接材料。
结构在17,000 个循环之前保持稳定；但是，在此之后，芯片粘接材料明显发生降级，并且其阻抗连续升高直至器件发生故障。
图11：样品0 对应于不同时间点的控制测量结果的结构函数。
如图12 中所示，读取的芯片粘接层热阻除以系统的初始结-环境阻抗，并绘制为功率循环的函数。
此计算可确认该层在15,000 个循环之后迅速开始降级。
热路径的变化极其显著，因为芯片粘接材料发生了极大的变化，在后一个结构元件中无法调查。
但是，后一部分中的降级也可合理预测，只不过它们与芯片粘接材料的问题相比可忽略不计。
图12：初始状态下的芯片粘接层热阻与结-环境热阻对比。
大约20,000 个循环后，芯片粘接层的降级影响变得很明显，在大约10,000 个循环内，样品的结-环境总热阻由于循环而倍增。
在30,000 个循环后，我们无法确定芯片粘接层的热阻，因为热扩散路径发生了变化。
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