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IR 驱动MOS I T组成H桥原理与驱动电路分析

IR 驱动MOS I T组成H桥原理与驱动电路分析
IR 驱动MOS I T组成H桥原理与驱动电路分析

IR2110驱动MOS IGBT组成H桥原理与驱动电路分析 3.3 电机驱动模块设计

3.3.1 H桥工作原理及驱动分析

3.3.2 前级PWM信号和方向控制信号逻辑处理电路设计分析

由于H桥控制MOS管的开关需要4路控制信号,对于由NMOS管组成H桥的一侧而言,一般情况下,上下两管共用一个控制信号,并且其中一只NMOS管的控制信号是将共用的控制信号反向得到的,如图3-7所示,74HC14的作用是将输入的控制信号反向作为下管的控制信号,从而保证上下两个MOS管不会同时导通,那么对于一个完整的H桥就要2路PWM信号来控制电机的速度和正反转,而且两路PWM信号还必须保证同步且极性相反,对于低端单片机而言这一点不是很容易做到。

图3-7 一般控制信号处理原理图

本设计在上面所述的思想上做了改进和延伸,通过一路PWM信号、一路DIR方向控制信号、74HC00、74HC08数字芯片,实现四路控制信号的输出,上下两管的逻辑控制信号具有有互锁保护功能,从而保证同侧桥臂的上下NMOS管不会同时导通造成能量浪费甚至烧毁MOS管和电源。如图3-8所示,HIN1、LIN1、HIN2、LIN2分别为两侧上下管的控制信号,HIN1、LIN1不能同时为1,HIN2、LIN2不能同时为1。DIR=1时,电机正转,DIR=0时,电机反转。当DIR=1正转时,LIN2恒为1,图3-9中Q3始终导通,HIN1、LIN1通过PWM 控制导通时间调节转速,当DIR=0反转时,LIN1恒为1,图3-9中Q4始终导通,HIN2、LIN2通过PWM控制导通时间调节转速。DIR=0或1,两桥臂下管始终导通,这也为自举电容的快速充电提增加了一条回路,也就是说不管是正转还是反转,当上管关闭时两侧下管可同时提供充电回路,而不是单侧的下管,因为电机阻抗的存在,起主要充电作用的还是单侧的下管。当PWMZ占空比为0时,LIN1、LIN2都为1时,两侧下管同时导通将电机两端接地,这样可以实现电机快速制动。当DIR=1时,HIN、LIN控制信号仿真图和实际波形分别如图3-10和图3-11所示。

图3-8 前级信号处理电路 图3-9 NMOS管组成的H桥

图3-10 控制信号仿真波形 图3-11 示波器实测控制信号HIN 和LIN

3.3.3 IR2110介绍及悬浮驱动电路设计分析

IR2110是美国IR 推出的大功率MOSFET 和IGBT 专用驱动集成电路, 已在电源变换、马达调速等功率驱动领域中获得了广泛的应用。该电路芯片体积小,集成度高,响应快,偏值电压高,驱动能力强,内设欠压封锁,而且其成本低,易于调试, 并设有外部保护封锁端口。尤其是上管驱动采用外部自举电容上电,使得驱动电源数目较其他驱动IC 大大减小。对于4管构成的H 桥电路,采用2片IR 2110 驱动2 个桥臂,仅需要一路10-20 V 电源。

如图3-12所示为一侧桥臂悬浮自举电路,两侧对称电路见附录。C13为自举电容,当低压输出端打开(LIN=1)、高压输出端关闭(HIN=0)时,低压侧12V 电源电压经D3、C13、负载、Q4和另一侧Q3给C13充电,当低压输出端关闭(LIN=0)、高压输出端打开(HIN=1)时,Q2管的栅极靠C13上足够的储能来驱动,从而在逻辑信号的控制下循环

往复,从而实现NMOS管的悬浮自举驱动。若负载阻抗较大,自举电容经负载降压充电较慢,使得Q4关断、Q2开通时,自举电容上的电压仍充电达不到自举电压8.3V以上时,输出驱动信号会因欠压被逻辑封锁,Q2就无法正常工作。所以,要么选用小容量电容,以提高充电电压;要么为自举电容提供快速充电通路。由于Q4每开关一次,C13就通过Q4充电一次,因此自举电容C13的充电还与输入信号HIN、LIN的PWM脉冲频率和占空比有关,当PWM工作频率过低时,若Q2导通脉宽较窄,自举电压8.3V容易满足;反之无法实现自举。因此要合理设置PWM开关频率和占空比调节范围,并且PWM的占空比不能达到100%,否则无法给自举电容充电,也就无法自举驱动。通过实验自举电容和自举二极管的选择应考虑以下几点[2]:

(1) 自举电容的选择与PWM的频率有关,频率高,自举电容应该选择小一点的;

(2) 自举电容的种类最好是钽电容,本设计选用的是1uF的钽电容和一只0.1uF的独石电容并联;

(3)尽量使自举回路上不经过大阻抗负载,这样就要为自举电容充电提供快速充电通路;

(4)对于占空比调节较大的场合,特别是在高占空比时,Q4开通时间较短,自举电容应该选择小点的;

(5)自举二极管能阻断直流干线上的高压,二极管承受的电流是栅极电荷与开关频率之积。为了减少电荷损失,应选用漏电流小的快恢复二极管(高频),本设计选用的是IN4148。

由于驱动器和MOSFET 栅极之间的引线、地回路的引线等所产生的电感, 以及IC 和FET 内部的寄生电感,在开启时会在MOSFET 栅极出现振铃现象,一方面增加MOSFET 的开关损耗,同时EMC 方面不好控制。在MOSFET的栅极和驱动IC的输出之间串联一个电阻,如图3-12中R6、R8,这个电阻称为“栅极电阻”,其作用是调节MOSFET 的开关速度,减少栅极出现的振铃现象,减小EMI,也可以对栅极电容充放电起限流作用。该电阻的引入减慢了MOS管的开关速度, 但却能减少EMI,使栅极稳定.同时MOS管的关断时间要比开启时间慢(开启充电,关断放电),因此就要改变 MOS管的关断速度,可以在栅极电阻上反向并联一个二极管,如图3-12中D5、D7,当MOS管关断时,二极管导通,将栅极电阻短路从而减少放电时间, 使MOS管实现快速放电,确保上下桥臂MOS管不会同时导通[1]。

因电机是感性负载,在H 桥的输出端、正极到电机外壳、负极到电机外壳分别接一个0.1uF的小电容,可以起到换向时消除火花的作用保护电机。同时在局部供电部分加

一个去藕电容以保证电源稳定,如图3-12中C7。

驱动模块在设计时除考虑到做电机驱动用,还可以扩展应用为直流数控电源,如图3-12所示,做电机驱动时电感L1用导线短接,C15、C17、R10、R11空缺不管,当做直流数控电源电感L1 、C15、C17组成LC滤波电路,对脉冲信号进行滤波,同时电感L1还起着续流储能作用,R10、R11构成反馈回路,将实时电压信号反馈给MCU,MCU再控制PWM信号的输出,这样可以实现闭环的数控电源。

图3-12 H桥一侧悬浮驱动原理图

3.4 系统电源电路设计分析

本系统所需的电源有5V、12V、16V,其中5V用于单片机、液晶、驱动芯片,12V 用于IR2110S驱动芯片的低端电源电压,16V是电机驱动电源,整个系统采用16V供电。5V和12V分别采用78M05和78M12三端稳压芯片经过16V稳压提供。78MXX三端稳压集成芯片芯片采用TO-252 DPAK封装 ,最大输出电流500mA,满足系统要求。78MXX最大输入电压35V,具有过流过热短路保护功能。由于5V由16V稳压得到,压差较大△

U=16-5=11V,假如系统5V电源输出电流I≈300mA,将会导致大量的能量浪费,△P=△U*I≈3.3W,所以为降低能量损耗,保护稳压芯片延长使用寿命,本设计将驱动电路5V 电源和单片机及LCD显示部分5V电源分开,分别用一片78M05供电,同时取消LCD背光功能,以减小电流降低功耗。电源模块电路原理图如图3-13所示。

图3-13 电源模块原理图

直流电机驱动H桥

直流电机驱动H桥 直流电机驱动(H桥)原理研究与设计 学生姓名王俊岭周磊周雪瑞秦淦阿不都.沙拉木 指导教师杨焱青 系(部)创新实验室 论文写作日期 2011 年 12 月 20 日

第1章序论 1.1课题研究的目的 1.2本课题研究的意义 1.3方案论证 第2章基本原理 2.1声光节能灯基本原理 2.2555电路基本原理 2.3声控电路基本原理 2.4光控电路基本原理 第3章电路设计与分析 3.1电源电路 3.2声电转换机放大电路 3.3延时处理电路单稳态电路 3.4光控电路 第4章故障分析 第5章心得体会 第6章致谢 第一章序论 1.1 课题研究的目的 随着社会不断进步,科技发展,声光双控节电灯逐步走进社会各个公共角落,声光双控节电灯不仅适用于住宅区的楼道,而且也适用于工厂、办公楼、教学楼等公共场所,它具有体积小、外形美观、制作容易、工作可靠等优点,适合于各种楼房走廊

的照明设备。用声光控延时开关代替住宅小区的楼道上的开关,在天黑以后,当有人走过楼梯通道,发出脚步声或其它声音时,楼道灯会自动点亮,提供照明,当人们进入家门或走出公寓,楼道灯延时几分钟后会自动熄灭。在白天,即使有声音,楼道灯也不会亮,它解决了“长明灯”浪费电能的问题,延长灯泡的使用寿命,安全性好,可靠性高。该装置省去了能耗大、笨重、极易产生热量的电源变压器,具有结构简单、自耗电轻微、性能稳定、灵敏度高、通用性强,降低能耗、节约能源的目的。 1.2课题研究的意义 通过本课题的研究,加强了自己的动手能力,增强了团队意识,巩固了对所学知识的认知。通过本次试验我们设计了一种简易的直流电机驱动H桥转动的,不仅使自己学习到了知识,而且也为社会做出了贡献。 1.3 方案论证 方案1 主要包含四部分电路,分别为;电源电路,光控电路,声控延时电路,晶体管开 并电路,. 电源电路主要由微控制电路提供工作电压,本设计采用传统的电源电路设计方法, 即降压,整流,滤波,稳压,使电路输出电压6V直流电压供给控制电路. 光控制电路是根据光线强弱来优先决定电灯的亮灭,该电路可以对声控延 时电路进行控制,在白天光线强时,光控制电路输出低电平将声控电路封锁;在晚 上光线较弱时,光控制电路输出高电平,声控功能打开.本设计采用光敏电阻和其 他电阻组成的分压电路来控制555定时器的触发器输入端2脚,并将555定时器 的2脚和6脚连接在一起,通过电容接地,555定时器的输出去控制电路中的定时 器的复位端. 声控延时电路,该电路主要在光线较弱时起作用.这主要是通过光控电路的 输出来控制的.在晚上,光控电路将该电路的功能打开,使用该电路能根据外界声 音信号做出相应的响应.经放大处理后的声音信号控制处于单稳工作模式的555 定时器来实现声控延时功能. 晶体管开关电路,该电路受声控电路555定时器输出端的的控制.当其输 出高电平时,晶体管导通,照明灯点亮.

半桥电路的工作原理及注意问题

半桥电路的工作原理及注意问题 在PWM和电子镇流器当中,半桥电路发挥着重要的作用。半桥电路由两个功率开关器件组成,它们以图腾柱的形式连接在一起,并进行输出,提供方波信号。本篇文章将为大家介绍半桥电路的工作原理,以及半桥电路当中应该注意的一些问题,希望能够帮助电源新手们更快的理解半桥电路。首先我们先来了解一下半桥电路的基本拓扑: 半桥电路的基本拓扑电路图 电容器C1和C2与开关管Q1、Q2组成桥,桥的对角线接变压器T1的原边绕组,故称半桥变换器。如果此时C1=C2,那么当某一开关管导通时,绕组上的电压只有电源电压的一半。半桥电路概念的引入及其工作原理电路的工作过程大致如下:参照半桥电路的基本拓扑电路图,其中Q1开通,Q2关断,此时变压器两端所加的电压为母线电压的一半,同时能量由原边向副边传递。Q1 关断,Q2关断,此时变压器副边两个绕组由于整流二极管两个管子同时续流而处于短路状态,原边绕组也相当于短路状态。Q1关断,Q2开通。此时变压器两端所加的电压也基本上是母线电压的一半,同时能量由原边向副边传递。副边两个二极管完成换流。半桥电路中应该注意的几点问题偏磁问题原因:由于两个电容连接点A的电位是随Q1、Q2导通情况而浮动的,所以能够自动的平衡每个晶体管开关的伏秒值,当浮动不满足要求时,假设Q1、Q2具有不同的开关特性,即在相同的基极脉冲宽度t=t1下,Q1关断较慢,Q2关断较快,则对B点的电压就会有影响,就会有有灰色面积中A1、A2的不平衡伏秒值,原因就是Q1关断延迟。如果要这种不平衡的波形驱动变压器,将会发生偏磁现象,致使铁心饱和并产生过大的晶体管集电极电流,从而降低了变换器的效

H桥驱动直流电机分析

H 桥驱动直流电机分析 1. H桥PWM变换器驱动电机运行过程 如图1所示,电动机M 两端电压U AB 的极性随开关器件驱动电压的变化而变化,这里分析双极式控制的可逆PWM 变换器。四个驱动电压波形如图2所示,它们的关系是 1423g g g g U U U U ==-=-.在 一个开关周期内,当0on t t ≤<时,1VT 和4VT 导通,2VT 和3 VT 关断,AB s U U =,电枢电流d i 沿 回路1流动;当on t t T ≤<时,1 VT 和4VT 关断, 2VT 和3VT 由于2VD 和3VD 的钳制作用不能马上导通,d i 沿回路2流经二极管续流, AB s U U =-. 当电机需要降速制动 时,先改变控制脉冲的占空比,使驱动电压的平均值d U 减小,但是由于机械惯性,转速和反电势还来不及变化,因而造成d E U >,很快使电流反向,在0on t t ≤<时,反向电流沿回路4向电源充电, 实现再生制动,而1VT 和4VT 被钳制不能导通;在on t t T ≤<时,2VT 和3VT 被打开,负向 电流通过2VT 和3VT ,实现能耗制动。当电机反向转动时,各器件的导通情况与上述情形相反。图3绘出了双极式控制时电机 图1 H 桥可逆PWM 变换器 图2 驱动电压

正转时的输出电压和电流波形。电动机的正反转则体现在驱动电压正负脉冲的宽窄上。当正脉冲较宽时, 2 on T t > ,则AB U 的平均值为正,电动机正转,反之则反转;如果正负脉冲相等,2 on T t = ,平均电压为零,则电动机停止。但电动机停止时电枢电压并不等于零,而是正负脉宽相等的交变脉冲电压,因而电流也是交变的,平均值为零,不产 生转矩,电动机损耗陡然增大,但是此时消除了正反向时的静摩擦死区,起“动态润滑”的作用。另外,图3所示的2d i 为轻载状态下的输出电流变化情况。2. 直流电机启动和降速过程 电动机在未启动之前,转速0n =,反电势0E =,而电枢电阻a R 很小,所以将电动 机加上额定电压时,启动电流/st n a I U R =将很大,可能烧坏整流子。所以在电机启动时 都采用限制电流的方法,下面讨论常用的电枢回路串接电阻的方法。图3 输出电压和电流

IR2181S驱动芯片在全桥电路中应用设计和注意事项

IR2181S驱动芯片在全桥电路中应用设计和注意事项 要:三相全桥技术具有应用广泛 ,控制方便 ,电路简单等特点 , 因此 ,广泛应用于逆变电源 ,变频技术 ,电力电子等相关领域 , 但其功率MOSFET以及相关的驱动电路的设计直接与电路的可靠性紧密相关,如MOSFET的驱动电路设计不当,MOSFET很容易损坏 ,因此本文主要分析和研究了成熟驱动控制芯片 IR2181S组成的电路,并设计了具体的电路,为提高MOSFET的可靠性作一些研究 ,以便能够为设计人员在设计产品时作些参考。 关键词:IR2181S驱动芯片;MOSFET全桥电路;自举电路设计;吸收电路 IR2181S的结构和驱动电路设计 IR2181S是IR公司研发的一款专用驱动芯片电其内部结 构参考图 1:主要由 :低端功率晶体驱动管 ,高端功率晶体驱动管,电平转换器 ,输入逻辑电路等组成。 IR2181S优点是可靠性高,外围电路简单。它驱动的 MOSFET高压侧电压可以达到 600V最大输出电流可达到 1.9A(高端)2.3A(低端)。

具体设计电路时如将 MOSFET或IGBT作为高压侧开关 (漏极直接接在高压母线上)需在应用的时候需要注意以下几点: (1)栅极电压一定要比漏极电压高10-15V作为高压侧开 关时 ,栅极电压是系统中电压最高的。 (2)栅极电压从逻辑上看必须是可控制的 ,低压侧一般是 以地为参考点的 ,但在高端是就必须转换成高压侧的源极电 位,相当于将栅极驱动的地悬浮在源极上,所以在实际应用栅极控制电压是在母线电压之间浮动的。 (3)栅极驱动电路吸收的功率不会显著影响整个电路的 效率。 图2是以IR2181S驱动芯片设计的三相全桥电路图2中应用到三个IR2181S驱动芯片每路驱动一组桥臂 提供高端和低端两路驱动信号(HO*,LO*),以第一路桥臂为例(其它同理):IR2181S输入是由DSP或其他专用驱动信号发生 芯片产生的高端和低端两路驱动信号,经过 2181 输出同样也

IR2104 + IRF540 MOS电机驱动全桥

R2104 + IRF540 MOS电机驱动全桥学习与实践过程 https://www.doczj.com/doc/cb1611165.html,/bbs/article_1012_130178.html 使用L293或L298等全桥芯片来控制直流电机虽然简便而且成本低廉,但由于它们的内阻较大,在控制大电流的马达时芯片常常过热,导致系统的整体效率较低。在电动车上,马达控制芯片的内阻过大会导致车子的加速度变小。 本人设想在暑假制作一个大的轮式或者履带式机器人,并且希望它能跑到公交车那么快,于是开始研究如何使用MOS管来控制更大电流的电机。 首先,本人参考了《大功率直流马达的驱动——ABU ROBOCON 2005比赛之动力方案》一文中的电路图(原文地址 https://www.doczj.com/doc/cb1611165.html,/article.php?sid=192 ) 按照这个原理图,我热转印制作了单个全桥的实验电路。个别的电阻电容值有所变动。 上电并给予有效的持续高电平信号后发现电路不能驱动马达,而2104开始发烫,540没有任何反应。于是更换2104,但仍出现同样的现象。通过示波器检测发现,高端MOS没有被驱动,而低端MOS的G端信号正常,因而桥没有被导通。更换信号方向,另外半桥仍然出现相同的现象。 本人开始怀疑是BOOTSTRAP电容的问题,于是实验了不同的电容值。但无论怎么变换,问题仍然没有被解决。由于手头没有4148,使用了IN5819作为续流二极管,按道理5819只会比4148更好,不应该成为问题的原因。 由于手头2104只有6片,而所有的都上电并且发热过,于是重新购买了一批2104。在这里感谢周顺同学,那天刚好他毕业考考好,帮我到科技京城买了2104。 更换2104后,电路工作正常。周顺看了看我原来的2104,恍然大悟:原来的芯片是97年前的旧货。 马达欢快地转了起来。由于540的内阻要比298小很多,马达的加速度明显提高,变向时电刷更是发出了闪亮的火星。 回到家后用示波器开始研究高端MOS的G端驱动电压波形。发现在EN端为高的初期,高端MOS的驱动电压突然升至比VCC高10V。此时强推动作用起效。但随着时间的流逝,该电压逐渐衰减为VCC,MOS的导通程度越来越不完全。直到下一个脉冲到来,G端电压又恢复为VCC+10V,但又逐渐衰减。也就是说,用持续的高电平信号来驱动MOS会导致MOS不能被完全导通,致使MOS 发热,马达的实际功率低下。使用PWM信号则可以解决这个问题,它使BOOTSTRAP电容反复充电放电,使高端驱动电压始终维持在一个比较高的水平。倘若想让马达全速前进,不能使用持续的高

H桥电路驱动原理(经典)

H桥电路驱动原理 2009年04月08日 星期三 上午 08:43 H桥电路驱动原理 一、H桥驱动电路 图4.12中所示为一个典型的直流电机控制电路。电路得名于“H桥驱动电路”是因为它的形状酷似字母H。4个三极管组成H的4条垂直腿,而电机就是H中的横杠(注意:图4.12及随后的两个图都只是示意图,而不是完整的电路图,其中三极管的驱动电路没有画出来)。 如图所示,H桥式电机驱动电路包括4个三极管和一个电机。要使电机运转,必须导通对角线上的一对三极管。根据不同三极管对的导通情况,电流可能会从左至右或从右至左流过电机,从而控制电机的转向。 图4.12 H桥驱动电路 要使电机运转,必须使对角线上的一对三极管导通。例如,如图4.13所示,当Q1管和Q4管导通时,电流就从电源正极经Q1从左至右穿过电机,然后再经 Q4回到电源负极。按图中电流箭头所示,该流向的电流将驱动电机顺时针转动。当三极管Q1和Q4导通时,电流将从左至右流过电机,从而驱动电机按特定方向 转动(电机周围的箭头指示为顺时针方向)。

图4.13 H桥电路驱动电机顺时针转动 图4.14所示为另一对三极管Q2和Q3导通的情况,电流将从右至左流过电机。当三极管Q2和Q3导通时,电流将从右至左流过电机,从而驱动电机沿另一方向转动(电机周围的箭头表示为逆时针方向)。 图4.14 H桥驱动电机逆时针转动 二、使能控制和方向逻辑 驱动电机时,保证H桥上两个同侧的三极管不会同时导通非常重要。如果三极管Q1和Q2同时导通,那么电流就会从正极穿过两个三极管直接回到负极。此时,电 路中除了三极管外没有其他任何负载,因此电路上的电流就可能达到最大值(该电流仅受电源性能限制),甚至烧坏三极管。基于上述原因,在实际驱动电路中通常 要用硬件电路方便地控制三极管的开关。 图4.155 所示就是基于这种考虑的改进电路,它在基本H桥电路的基础上增加了4个与门和2个非门。4个与门同一个“使能”导通信号相接,这样,用这一个信号就能控制 整个电路的开关。而2个非门通过

IR2110驱动MOS IGBT组成H桥原理与驱动电路分析

IR2110驱动MOS IGBT组成H桥原理与驱动电路分析 3.3 电机驱动模块设计 3.3.1 H桥工作原理及驱动分析

3.3.2 前级PWM信号和方向控制信号逻辑处理电路设计分析 由于H桥控制MOS管的开关需要4路控制信号,对于由NMOS管组成H桥的一侧而言,一般情况下,上下两管共用一个控制信号,并且其中一只NMOS管的控制信号是将共用的控制信号反向得到的,如图3-7所示,74HC14的作用是将输入的控制信号反向作为下管的控制信号,从而保证上下两个MOS管不会同时导通,那么对于一个完整的H桥就要2路PWM信号来控制电机的速度和正反转,而且两路PWM信号还必须保证同步且极性相反,对于低端单片机而言这一点不是很容易做到。

图3-7 一般控制信号处理原理图 本设计在上面所述的思想上做了改进和延伸,通过一路PWM信号、一路DIR方向控制信号、74HC00、74HC08数字芯片,实现四路控制信号的输出,上下两管的逻辑控制信号具有有互锁保护功能,从而保证同侧桥臂的上下NMOS管不会同时导通造成能量浪费甚至烧毁MOS管和电源。如图3-8所示,HIN1、LIN1、HIN2、LIN2分别为两侧上下管的控制信号,HIN1、LIN1不能同时为1,HIN2、LIN2不能同时为1。DIR=1时,电机正转,DIR=0时,电机反转。当DIR=1正转时,LIN2恒为1,图3-9中Q3始终导通,HIN1、LIN1通过PWM 控制导通时间调节转速,当DIR=0反转时,LIN1恒为1,图3-9中Q4始终导通,HIN2、LIN2通过PWM控制导通时间调节转速。DIR=0或1,两桥臂下管始终导通,这也为自举电容的快速充电提增加了一条回路,也就是说不管是正转还是反转,当上管关闭时两侧下管可同时提供充电回路,而不是单侧的下管,因为电机阻抗的存在,起主要充电作用的还是单侧的下管。当PWMZ占空比为0时,LIN1、LIN2都为1时,两侧下管同时导通将电机两端接地,这样可以实现电机快速制动。当DIR=1时,HIN、LIN控制信号仿真图和实际波形分别如图3-10和图3-11所示。

Arduino 双H桥直流电机驱动板

从机器人基地淘宝店铺邮寄的Arduino 双H桥直流电机驱动板今天终于到了。 蓝色的板子,金色的印字,做工真的很精美,物有所值,吼吼~刚拿到的驱动板就来编写一个小程序测试一下吧,当务之急就是要了解一下这款驱动板接口说明和参数指南,这里我就“盗用”一下机器人基地的功能图解,敬请见谅啦!

可以看到板子左、右下角分别有两个直流电机控制信号输入接口,我这里准备了一个从玩具小车上拆下来的电机,我就选择左边的接口,将直流电机接入绿色端子,左下角的信号输入接口三个插针分别是EA、I1、I2,EA是区别于右边的EB,是用来接入PWM接口给电机调速的,I1、I2分别接入数字接口就OK了,是用来控制电机转向的。我就将EA接入Arduino的pin11PWM接口,I1、I2分别接8、9数字接口,至于逻辑供电部分,我就直接接入Arduino 板子上的5V输出接口了,这里也可以不接线,因为这款驱动板子是可以板内取电的,如需要板外取电需将控制板内取电的跳线帽取下(这里我只是为了给网友们演示外部取电的使用方法,我并没有取下板内取电的跳线帽,如图接

线实际上仍是板内取电。这里希望没有造成误导),端子左边的VMS接口是驱动部分取电,我接入四节5号电池,按下图连接好电路。

连接好电路就剩编程的工作了,我就让电机先顺时针转两秒,再逆时针转两秒,再让电机停止转动,这样循环进行。

程序如下: int pinI1=8;//定义I1接口 int pinI2=9;//定义I2接口 int speedpin=11;//定义EA(PWM调速)接口 void setup() { pinMode(pinI1,OUTPUT);//定义该接口为输出接口pinMode(pinI2,OUTPUT); pinMode(speedpin,OUTPUT); } void loop() { analogWrite(speedpin,100);//输入模拟值进行设定速度 delay(2000); digitalWrite(pinI1,LOW);//使直流电机顺时针转digitalWrite(pinI2,HIGH); analogWrite(speedpin,100); delay(2000); digitalWrite(pinI1,HIGH);//使直流电机逆时针转digitalWrite(pinI2,LOW);

P-N MOS管 H桥驱动原理

P-N MOS管H桥原理 所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。下图就是一种简单的H桥电路,它由2个P 型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q3组成,所以它叫P-NMOS管H桥。 桥臂上的4个场效应管相当于四个开关,P型管在栅极为低电平时导通,高电平时关闭;N型管在栅极为高电平时导通,低电平时关闭。场效应管是电压控制型元件,栅极通过的电流几乎为“零”。 正因为这个特点,在连接好下图电路后,控制臂1置高电平(U=VCC)、控制臂2置低电平(U=0)时,Q1、Q4关闭,Q2、Q3导通,电机左端低电平,右端高电平,所以电流沿箭头方向流动。设为电机正转。 高 低 控制臂1置低电平、控制臂2置高电平时,Q2、Q3关闭,Q1、Q4导通,电机左端高电平,右端低电平,所以电流沿箭头方向流动。设为电机反转。 高 低 Liang110034@https://www.doczj.com/doc/cb1611165.html,

当控制臂1、2均为低电平时,Q1、Q2导通,Q3、Q4关闭,电机两端均为高电平,电机不转; 当控制臂1、2均为高电平时,Q1、Q2关闭,Q3、Q4导通,电机两端均为低电平,电机也不转, 所以,此电路有一个优点就是无论控制臂状态如何(绝不允许悬空状态),H桥都不会出现“共态导通”(短路),很适合我们使用。 (另外还有4个N型场效应管的H桥,内阻更小,有“共态导通”现象,栅极驱动电路较复杂,或用专用驱动芯片,如MC33883,原理基本相似,不再赘述。)下面是由与非门CD4011组成的栅极驱动电路,因为单片机输出电压为0~5V,而我们小车使用的H桥的控制臂需要0V或7.2V电压才能使场效应管完全导通,PWM输入0V或5V 时,栅极驱动电路输出电压为0V或7.2V,前提是CD4011电源电压为7.2V。切记!! 故CD4011仅做“电压放大”之用。之所以用两级与非门是为了与MC33886兼容。 单片机0~5V 0~7.2V 两者结合就是下面的电路:调试时两个PWM输入端其中一个接地,另一个悬空(上拉置1),电机转为正常。监视MOS管温度,如发热立即切断电源检查电路。 CD4011的14引脚接7.2V,7引脚接地。

H桥式电机驱动电路

本文摘自:《机器人探索》 一、H桥式电机驱动电路 图4.12中所示为一个典型的直流电机控制电路。电路得名于“H桥式驱动电路”是因为它的形状酷似字母H。4个三极管组成H的4条垂直腿,而电机就是H中的横杠(注意:图4.12及随后的两个图都只是示意图,而不是完整的电路图,其中三极管的驱动电路没有画出来)。 如图所示,H桥式电机驱动电路包括4个三极管和一个电机。要使电机运转,必须导通对角线上的一对三极管。根据不同三极管对的导通情况,电流可能会从左至右或从右至左流过电机,从而控制电机的转向。 图4.12 H桥式电机驱动电路 要使电机运转,必须使对角线上的一对三极管导通。例如,如图4.13所示,当Q1管和Q4管导通时,电流就从电源正极经Q1从左至右穿过电机,然后再经Q4回到电源负极。按图中电流箭头所示,该流向的电流将驱动电机顺时针转动。 当三极管Q1和Q4导通时,电流将从左至右流过电机,从而驱动电机按特定方向转动(电机周围的箭头指示为顺时针方向)。

图4.13 H桥电路驱动电机顺时针转动 图4.14所示为另一对三极管Q2和Q3导通的情况,电流将从右至左流过电机。 当三极管Q2和Q3导通时,电流将从右至左流过电机,从而驱动电机沿另一方向转动(电机周围的箭头表示为逆时针方向)。 图4.14 H桥电路驱动电机逆时针转动 二、使能控制和方向逻辑 驱动电机时,保证H桥上两个同侧的三极管不会同时导通非常重要。如果三极管Q1和Q2同时导通,那么电流就会从正极穿过两个三极管直接回到负极。此时,电路中除了三极管外没有其他任何负载,因此电路

上的电流就可能达到最大值(该电流仅受电源性能限制),甚至烧坏三极管。 基于上述原因,在实际驱动电路中通常要用硬件电路方便地控制三极管的开关。 图4.155所示就是基于这种考虑的改进电路,它在基本H桥电路的基础上增加了4个与门和2个非门。4个与门同一个“使能”导通信号相接,这样,用这一个信号就能控制整个电路的开关。而2个非门通过提供 (与本节前面的示意图一样,一种方向输人,可以保证任何时候在H桥的同侧腿上都只有一个三极管能导通。 图4.15所示也不是一个完整的电路图,特别是图中与门和三极管直接连接是不能正常工作的。) 图4.15 具有使能控制和方向逻辑的H桥电路 采用以上方法,电机的运转就只需要用三个信号控制:两个方向信号和一个使能信号。如果DIR-L信号为0,DIR-R信号为1,并且使能信号是1,那么三极管Q1和Q4导通,电流从左至右流经电机(如图4.16所示);如果DIR-L信号变为1,而DIR-R信号变为0,那么Q2和Q3将导通,电流则反向流过电机。 图4.16 使能信号与方向信号的使用 实际使用的时候,用分立件制作H桥式是很麻烦的,好在现在市面上有很多封装好的H桥集成电路,接上电源、电机和控制信号就可以使用了,在额定的电压和电流内使用非常方便可靠。比如常用的L293D、L298N、TA7257P、SN754410等。 在典型H型驱动电路的基础上,给出了增加两只二极管保护驱动管的改进电路,并对其原理和特点进行了分析和讨论. 驱动电路的性能很大程度上影响整个系统的工作性能。有许多问题需要慎重设计,例如,

型桥式驱动电路

电动小车的电机驱动及控制 【字体:大中小】来源:凌阳大学计划网站 作者:邱国普 一个电动小车整体的运行性能,首 先取决于它的电池系统和电机驱动系统。 电动小车的驱动系统一般由控制器、功率变换器及电动机三个主要部分组成。 电动小车的驱动不但要求电机驱动系统 具有高转矩重量比、宽调速范围、高可靠 性,而且电机的转矩-转速特性受电源功 率的影响,这就要求驱动具有尽可能宽 的高效率区。我们所使用的电机一般为 直流电机,主要用到永磁直流电机、伺服 电机及步进电机三种。直流电机的控制 很简单,性能出众,直流电源也容易实 现。本文即主要介绍这种直流电机的驱 动及控制。 型桥式驱动电路 H 型桥式驱动电路 1.H 型桥式驱动电路 直流电机驱动电路使用最广泛的就 是H型全桥式电路,这种驱动电路可以 很方便实现直流电机的四象限运行,分 别对应正转、正转制动、反转、反转制动。 它的基本原理图如图1所示。 全桥式驱动电路的4只开关管都工 作在斩波状态,S1、S2为一组,S3、S4 为另一组,两组的状态互补,一组导通则 另一组必须关断。当S1、S2导通时,S3、 S4关断,电机两端加正向电压,可以实 现电机的正转或反转制动;当S3、S4导 通时,S1、S2关断,电机两端为反向电 压,电机反转或正转制动。 在小车动作的过程中,我们要不断 地使电机在四个象限之间切换,即在正 转和反转之间切换,也就是在S1、S2导 通且S3、S4关断,到S1、S2关断且S3、 S4导通,这两种状态之间

转换。在这种 情况下,理论上要求两组控制信号完全 互补,但是,由于实际的开关器件都存在 开通和关断时间,绝对的互补控制逻辑 必然导致上下桥臂直通短路,比如在上 桥臂关断的过程中,下桥臂导通了。这个过程可用图2说明。 因此,为了避免直通 短路且保证各个开关管动作之间的协同 性和同步性,两组控制信号在理论上要 求互为倒相的逻辑关系,而实际上却必须相差一个足够的死区时间,这个矫正过程既可以通过硬件实现,即在上下桥 臂的两组控制信号之间增加延时,也可 以通过软件实现(具体方法参看后文)。 驱动电流不仅可以通过主开关管流通,而且还可以通过续流二极管流通。当电机处于制动状态时,电机便工作在发电状态,转子电流必须通过续流二极管流通,否则电机就会发热,严重时烧毁。 开关管的选择对驱动电路的影响很大,开关管的选择宜遵循以下原则: (1)由于驱动电路是功率输出,要求开关管输出功率较大; (2)开关管的开通 和关断时间应尽可能小; (3)小车使用的电源电压不高,因此开关管的饱和压降应该尽量低。 在实际制作中,我们选用大功率达林顿管TIP122或场效应管IRF530,效果都还不错,为了使电路简化,建议使用集成有桥式电路的电机专用驱动芯片,如L298、LMD18200,性能比较稳定可靠。 由于电机在正常工作时对电源的干扰很大,如果只用一组电源时会影响单片机的正常工作,所以我们选用双电源供电。一组5V给单片机和控制电路供电, 另外一组9V给电机供电。在控制部分和电机驱动部分之间用光耦隔开,以免影响控制部分电源的品质,并在达林顿管的基极加三极管驱动,可以给达林顿管提供足够大的基极电流。图3所示为采用TIP122的驱动电机电路,IOB8口为“0”,IOB9口输入PWM波时,电机正转,通过 改变PWM的占空比可以调节电机的速度。而当IOB9口为“0”,IOB8口输入PWM 波时,电机反转,同样通过改变PWM的占空比来调节电机的速度。

全桥驱动原理

5.2.1 全桥驱动原理 全桥驱动又称H桥驱动,下面介绍一下H桥的工作原理: H桥一共有四个臂,分别为B1~B4,每个臂由一个开关控制,示例中为三极管Q1~Q4。 如果让Q1、Q2导通Q3、Q4关断,如图5-8所示,此时电流将会流经Q1、负载、Q2组成的回路,电机正转。 图5-8 B1、B2工作时的H桥电路简图图5-9 B3、B4工作时的H桥电路简图如果让Q1、Q2关断Q3、Q4导通,如图5-9所示,此时电流将会流经Q3、负载、Q4组成的回路,电机反转。 如果让Q1、Q2关断Q3、Q4也关断,负载Load两端悬空,如图5-10所示,此时电机停转。这样就实现了电机的正转、反转、停止三态控制。 如果让Q1、Q2导通Q3、Q4也导通,那么电流将会流经Q1、Q4组成的回路以及Q2和Q3组成的回路,如图5-11所示,这时桥臂上会出现很大的短路电流。在实际应用时注意避免出现桥臂短路的情况,这会给电路带来很大的危害,严重会烧毁电路

图5-10 B1~B4全部停止工作时的H桥简图图5-11 B1~B4全部工作时的H桥简图 6.2 程序中需要说明的几个问题 在程序中有几个地方不易理解,需要特别说明一下: 首先,小车有没有被训练过是怎么知道的? 在这里利用了一个特殊的Flash单元,语音模型存储区首单元(该示例程序中为0xe000单元)。当Flash在初始化以后,或者在擦除后为0xffff,在成功训练并存储后为0x0055(该值由辨识器自动生成)。这样就可以根据这个单元的值来判断是否经过训练。 其次,为什么已经训练过的系统在重新运行时还要进行模型装载? 在首次训练完成之后,辨识器中保存着训练的模型,但是系统一旦复位辨识器中的模型就会丢失,所以在重新运行时必须把存储在Flash中的语音模型装载到辨识器(RAM)中去。 第三,在转弯时为什么前轮要先做一个反方向的摆动? 这是为了克服车体的限制,由于前轮电机的驱动能力有限,有时会出现前轮偏转不到位的情况,所以在转弯前首先让前轮朝反方向摆动,然后再朝目标方向摆动。这样前轮的摆动范围更大,惯性更大,摆幅也最大,能更好实现转弯。

直流电机H桥驱动方式

直流电机H桥驱动2013年08月01日

直流电机H 桥驱动方案 H桥原理简述 所谓H 桥驱动电路是为了直流电机而设计的一种常见电路,它主要实现直流电机的正反向驱动,其典型电路形式如下: 从图中可以看出,其形状类似于字母“H”,而作为负载的直流电机是像“桥”一样架在上面的,所以称之为“H 桥驱动”。4个开关所在位置就称为“桥臂”。

从电路中不难看出,假设开关A、D接通,电机为正向转动,则开关B、C接通时,直流电机将反向转动。从而实现了电机的正反向驱动。 借助这4 个开关还可以产生电机的另外2 个工作状态: A)刹车——将B 、D开关(或A、C)接通,则电机惯性转动产生的电势将被短路,形成阻碍运动的反电势,形成“刹车”作用。 B)惰行——4个开关全部断开,则电机惯性所产生的电势将无法形成电路,从而也就不会产生阻碍运动的反电势,电机将惯性转动较长时间。 以上只是从原理上描述了H 桥驱动,而实际应用中很少用开关构成桥臂,通常使用晶体管,因为控制更为方便,速度寿命都长于有接点的开关(继电器)。 细分下来,晶体管有双极性和MOS管之分,而集成电路只是将它们集成而已,其实质还是这两种晶体管,只是为了设计、使用方便、可靠而做成了一块电路。 双极性晶体管构成的H 桥:

MOS管构成的H 桥: 以下就分析一下这些电路的性能差异。

典型H 桥驱动电路分析 分析之前,首先要确定H 桥要关注那些性能: A)效率——所谓驱动效率高,就是要将输入的能量尽量多的输出给负载,而驱动电路本身最好不消耗或少消耗能量,具体到H 桥上,也就是4个桥臂在导通时最好没有压降,越小越好。 B)安全性——不能同侧桥臂同时导通; C)电压——能够承受的驱动电压; D)电流——能够通过的驱动电流。 大致如此,仔细考量,指标B)似乎不是H桥本身的问题,而是控制部分要考虑的。 而后两个指标通过选择合适参数的器件就可以达到,只要不是那些特别大的负载需求,每种器件通常都能选择到。而且,小车应用中所能遇到的电流、电压更是有限。 只有指标A)是由不同器件的性能所决定的,而且是运行中最应该关注的指标,因为它直接影响了电机驱动的效率。 所以,经分析的重点放在效率上,也就是桥臂的压降上。 为了使分析简单,便于比较,将H 桥的驱动电流定位在2A 水平上,而电压在5 - 12V 之间。 选择三个我所涉及到的器件: A)双极性晶体管—— D772、D882 B)MOS管—— 2301、2302 C)集成电路H桥—— L298

全桥功率开关驱动电路仿真试验

内燃机测试技术试验 实验 全桥功率开关驱动电路仿真试验 实验学时:2 实验类型:基础型 实验对象:本科生 一.实验目的: 1.了解全桥功率开关驱动电路的工作原理和应用。 2.了解全桥功率开关驱动方式的实现原理和特点。 3.掌握全桥功率开关驱动电路关键元器件选择和电路保护。 二.实验原理及设备说明 1.全桥功率开关驱动电路的工作原理 全桥功率开关驱动电路,又称为H桥驱动电路,其基本原理图如图1所示。形象的说,4个开关或者功率管组成H桥的4条垂直腿,而电机或者负载就是H 中的横杠。通过控制4个开关的导通与截止可以实现负载的正向加电和反向加电,其最广泛的用途就是电机的正反转。H桥驱动电路加电必须是对角线两个开关管同时打开,而半桥臂的上下开关管不能同时打开,否则会造成上下位开关管直接短路,电源直接对地短接,造成瞬态电流过大,开关管损坏。当开关管中的1,4导通时,电流经过开关1-电机-开关4流动,电机向一个方向运动;反之,当开关管中的2,3导通时,电流则经过开关3-电机-开关2流动,电机向相反方向运动。 图1 H桥驱动电路原理

由于全桥电路采用了两高两低四个开关管的方式,对于开关管采用是N型还是P型,可以有多种实现方式。一般来讲,高位开关管采用P型实现,驱动最为简单方便,但是P型开关管最大电流不能太大,因此适合再小功率的电机或负载中使用。上下位管均采用N型开关管实现的话,高位的N型开关管控制实现困难一些,但是最大电流可以较大,因此功率可以比较高。总的来说,全桥电路的实际实现方式必须和负载特性结合起来,选择正确的配置。 全桥驱动电路在汽车中的典型应用为电子节气门,EGR阀,电动座椅,伺服阀等。 2.全桥功率开关驱动方式的实现原理和特点 由前面全桥功率开关驱动原理知道,全桥功率开关主要实现的是负载中的电流正反向流动,在实际应用中,全桥驱动基本上使用在电机等类负载上,而从电机的特性上来讲,除了正反向运动外,另外就是电机的调速特性。按照电机调速的基本原理,可以采用调节电机两端电压来实现,而现在调节电机两段电压的方式基本上采用PWM脉宽调制实现,因此必须对PWM脉宽调制下的驱动方式和电机中的电流有比较清楚的理解。表1为典型的电子节气门全桥驱动芯片TLE6281的控制真值表,图2为和真值表对应的控制波形。 表1 TLE6281全桥驱动芯片真值表

IR2104_+_IRF540_MOS电机驱动全桥_学习与实践过程

IR2104 + IRF540 MOS电机驱动全桥学习与实践过程 使用L293或L298等全桥芯片来控制直流电机虽然简便而且成本低廉,但由于它们的内阻较大,在控制大电流的马达时芯片常常过热,导致系统的整体效率较低。在电动车上,马达控制芯片的内阻过大会导致车子的加速度变小。 本人设想在暑假制作一个大的轮式或者履带式机器人,并且希望它能跑到公交车那么快,于是开始研究如何使用MOS管来控制更大电流的电机。 首先,本人参考了《大功率直流马达的驱动——ABU ROBOCON 2005比赛之动力方案》一文中的电路图(原文地址 https://www.doczj.com/doc/cb1611165.html,/article.php?sid=192 ) 按照这个原理图,我热转印制作了单个全桥的实验电路。个别的电阻电容值有所变动。

上电并给予有效的持续高电平信号后发现电路不能驱动马达,而2104开始发烫,540没有任何反应。于是更换2104,但仍出现同样的现象。通过示波器检测发现,高端MOS没有被驱动,而低端MOS的G 端信号正常,因而桥没有被导通。更换信号方向,另外半桥仍然出现相同的现象。 本人开始怀疑是BOOTSTRAP电容的问题,于是实验了不同的电容值。但无论怎么变换,问题仍然没有被解决。由于手头没有4148,使用了IN5819作为续流二极管,按道理5819只会比4148更好,不应该成为问题的原因。 由于手头2104只有6片,而所有的都上电并且发热过,于是重新购买了一批2104。在这里感谢周顺同学,那天刚好他毕业考考好,帮我到科技京城买了2104。 更换2104后,电路工作正常。周顺看了看我原来的2104,恍然大悟:原来的芯片是97年前的旧货。 马达欢快地转了起来。由于540的内阻要比298小很多,马达的加速度明显提高,变向时电刷更是发出了闪亮的火星。 回到家后用示波器开始研究高端MOS的G端驱动电压波形。发现在EN端为高的初期,高端MOS的驱动电压突然升至比VCC高10V。此时强推动作用起效。但随着时间的流逝,该电压逐渐衰减为VCC,MOS的导通程度越来越不完全。直到下一个脉冲到来,G端电压又恢复为VCC+10V,但又逐渐衰减。也就是说,用持续的高电平信号来驱动MOS会导致MOS不能被完全导通,致使MOS发热,马达的实际功率低下。使用PWM信号则可以解决这个问题,它使BOOTSTRAP电容反复充电放电,使高端驱动电压始终维持在一个比较高的水平。倘若想让马达全速前进,不能使用持续的高电平,而需要用3%左右占空比的PWM,这是驱动2104与驱动298等全桥芯片的最大差别。 不同的BOOTSTRAP电容值适应于不同频率的PWM信号与不同的MOS。电容值大的充电和放电时间都比较大,电压衰减得也比较慢,因而适合较低频率的PWM;电容值小的充电放电时间比较短,适合于较高频率的PWM。虽然IR给出过一个BOOTSTRAP电容的计算公式,但本人更倾向于通过实验来寻找合适的电容值。这样做既避免了繁杂的计算,又可以通过实验来了解它的工作原理,而且还可以适应板载电容。 通过实验,本人确定了1UF的电容值。该电容采用了旦电容,以减少漏电。但如果没有旦电容,其他漏电较大的电容影响也并非很大。相对于高频的PWM,在如此短的时间内漏电的影响是微乎其微的。但从理论上来说,BOOTSTRAP电容漏电会导致高端MOS的导通电阻变大。 总结了以上经验,本人又制作了一块双电机的MOS驱动电路。电路没有太大的改变,只是把续流二极管改为原图所说的4148,把阻容换成了贴片封装,并且采用了1UF旦电容作为BOOTSTRAP电容。 点击此处下载热转印用PCB文档(DXP)

基于H桥控制直流电机驱动电路设计

基于H桥控制直流电机驱动电路设计 林海滨※张镐 (厦门蒙发利电子有限公司,福建厦门361100) 摘要:基于H桥控制技术设计了1款用于直流电机的驱动电路,该电路自带开路和短路保护功能。系统由MCU信号生成电路、光电隔离电路、电机逻辑驱动电路、H桥功率驱动电路、电流采样电路、滤波检波电路、线性放大隔离电路等五部分组成。电机逻辑驱动电路是核心部分,其主要由单片机时序控制、信号缓冲处理、光电隔离电路、滤波电路等组成;H桥功率驱动电路,由4个MOS管组成,上下桥臂分别用2个P沟道功率MOS管和2个N沟道功率MOS管。通过对逻辑电路时序的巧妙控制,遏制了H桥驱动的直通现象,无需增加死区的控制电路。系统最大的特点是结构简单,可靠性强,且输出功率优于IC驱动,易形成性价比高的方案。 关键词:H桥;,PWM;直流电机;驱动;逻辑控制 DC Motor Driver Design Base on the H-bridge Controlled LIN Haibin ZHANGHao (XIAMEN COMFORT SCIENCE & TECHNOLOGY GROUP) Abstract:Based on the h-bridge control technology, a driver circuit for dc motor is designed. The circuit has the function of open circuit and short circuit protection. System consists of MCU signal generated logic circuit, photoelectric isolation circuit, motor drive circuit, H bridge power drive circuit, current sampling circuit, filter detection circuit, linear amplification of isolating circuit and so on five parts. The motor logic drive circuit is the core part, which consists of single chip computer time series control, signal buffer processing, optoelectronic isolation circuit and filter circuit. H bridge power drive circuit consists of four MOS tubes, with two P channel power MOS tubes and two n-channel power MOS tubes respectively. By controlling the sequence of logic circuits, the direct current of h-bridge is restrained, and the control circuit of the dead zone is not required. The system is characterized by simple structure, strong reliability and better output power than IC drive. Key words: H bridge; PWM; Dc motor; Drive; Logic control 0 引言 直流电机具有良好的线性特性、优异的控制性能等特点,成为大多数变速运动控制和闭环位置伺服控制系统的最佳选择。为适应小型直流电机的使用需求,各半导体厂商推出了直流电机控制专用集成电路,构成基于微处理器控制的直流电机伺服系统。但是,专用集成电路构成的直流电机驱动器的输出功率有限,不适合大功率直流电机驱动需求。因此采用分立元件构建H桥,实现大功率直流电机驱动控制。该驱动电路能够满足各种类型直流电机需求,并具有快速、精确、高效、低功耗等特点,可直接与微处理器接口,应用于PWM技术实现直流电机调速控制[1]。 1 电路工作原理分析 1.1电路原理设计框图 电路总体设计框图如图1所示,包括MCU信号生成电路、光电隔离电路、电机逻辑驱动 ※作者简介:林海滨(1986—),男,福建泉州人,研究方向:电力电子技术、电源技术、马达驱动,Email:linhaibin896@https://www.doczj.com/doc/cb1611165.html,

直流电机(H桥)驱动电路

直流电机(H桥)驱动电路 图4.12中所示为一个典型的直流电机控制电路。电路得名于“H桥驱动电路”是因为它的形状酷似字母 H。4个三极管组成H的4条垂直腿,而电机就是H中的横杠(注意:图4.12及随后的两个图都只是示意图,而不是完整的电路图,其中三极管的驱动电路没有画出来)。 如图所示,H桥式电机驱动电路包括4个三极管和一个电机。要使电机运转,必须导通对角线上的一对三极管。 根据不同三极管对的导通情况,电流可能会从左至右或从右至左流过电机,从而控制电机的转向。 图4.12 H桥驱动电路 要使电机运转,必须使对角线上的一对三极管导通。例如,如图4.13所示,当Q1管和Q4管导通时,电流就从电源正极经Q1从左至右穿过电机,然后再经 Q4回到电源负极。按图中电流箭头所示,该流向的电 流将驱动电机顺时针转动。当三极管Q1和Q4导通时,电流将从左至右流过电机,从而驱动电机按特定方向转动(电机周围的箭头指示为顺时针方向)。

图4.13 H桥电路驱动电机顺时针转动 图4.14所示为另一对三极管Q2和Q3导通的情况,电流将从右至左流过电机。当三极管Q2和Q3导通时,电流将从右至左流过电机,从而驱动电机沿另一方向转动(电机周围的箭头表示为逆时针方向)。 图4.14 H桥驱动电机逆时针转动 驱动电机时,保证H桥上两个同侧的三极管不会同时导通非常重要。如果三极管Q1和Q2同时导通,那么电流就会从正极穿过两个三极管直接回到负极。此时,电路中除了三极管外没有其他任何负载,因此电路

上的电流就可能达到最大值(该电流仅受电源性能限制),甚至烧坏三极管。基于上述原因,在实际驱动电 路中通常要用硬件电路方便地控制三极管的开关。 图4.155 所示就是基于这种考虑的改进电路,它在基本H桥电路的基础上增加了4个与门和2个非门。4个与门同一个“使能”导通信号相接,这样,用这一个信号就能控制整个电路的开关。而2个非门通过提供一种方向输人,可以保证任何时候在H桥的同侧腿上都只有一个三极管能导通。(与本节前面的示意图一样,图4.15所示也不是一个完整的电路图,特别是图中与门和三极管直接连接是不能正常工作的。) 图4.15 具有使能控制和方向逻辑的H桥电路 采用以上方法,电机的运转就只需要用三个信号控制:两个方向信号和一个使能信号。如果DIR-L信号为0,DIR-R信号为1,并且使能信号是1,那么三极管Q1和Q4导通,电流从左至右流经电机(如图4.16所示);如果DIR-L信号变为1,而DIR-R信号变为0,那么Q2和Q3将导通,电流则反向流过电机。 图4.16 使能信号与方向信号的使用

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