模电,场效应管放大电路

模电（李国立）6章习题答案6 场效应管放大电路自我检测题一．选择和填空1. 共源极放大电路的vo与vi反相位，多作为中间级使用。

2．共漏极放大电路无电压放大作用，vo与vi 同相位。

3．共栅极放大电路vo与vi 反相位。

4. 在相同负载电阻情况下，场效应管放大电路的电压放大倍数比三极管放大电路低，输入电阻高。

5. 场效应管放大电路常用的栅压偏置电路如图选择题5所示，说明下列场效应管可以采用哪些类型的偏置电路。

（1）结型场效应管可以采用图示电路中的 b、d ；（2）增强型MOS场效应管可以采用图示中的 c、d ；（3）耗尽型MOS场效应管可以采用图示电路中的 a、b、c、d 。

6．在共源组态和共漏组态两种放大电路中， A 的电压放大倍数出电阻比较小。

B 的输出电压与输入电压是同相的。

（A．共源组态，B．共漏组态）VDDRdC1VTviRgvoviRgRsC2 C1VTvoCsviRg1RdVDDC2 Rg2C1VTvoviRg1RsRdVDDC2Rg2C1VTCsvoRdVDDC2 ?Av比较大， B的输(a )( b )( c )( d )图选择题5二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）1．结型场效应管通常采用两种偏置方式，即自偏压和分压式偏置电路。

（√ ） 2. 在共源放大电路中，当负载电阻减小时，电压放大倍数绝对值下降，输出电阻也减小。

（× ）3．MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以MOS管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大。

（× ）4．场效应管的跨导随漏极静态电流增大而增大（√ ），输入电阻则随漏极静态电流增大而减小。

（× ） 5．场效应管的栅极电流几乎等于零，所以场效应管放大电路的输入电阻通常很大（√），输出电阻也很大。

（× ）6．共漏放大电路电压放大倍数总是小于1（√ ），所以不能实现功率放大。

（× ） 7．场效应管的跨导gm=IDQ/VGSQ（× ）还是gm＝? ID/?VGS。

I BQ VCC VBEQ R1 VCC VBEQ R1
IB VCE
I CQ I BQ
VCEQ VCC ( R2 R3 ) I CQ
(2)写出电压增益Av、输入电阻Ri和输出电阻Ro的表达式；
Av
( R2 || RL )
rbe
ib vi
1
ic i vo
C1
+
+
+
RG RL
ui
-
uo
-
图2.7.4(b) 耗尽型MOS管放大电路
32
三、分压式偏置电路 +VDD
Rg2 Rg3 g Rg1 Rd C2
+
A C1
+
IDQ、 UGSQ + . U0 图2.7.5 分压式偏置电路
+ . Ui -
RS
+
RL
CS
静态时栅极电流为0，所以栅-源电压为
U GSQ U GQ U SQ R g1 R g1 R g 2 VDD I DQ Rs
20
3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程
i D f (v DS ) vGS const.
① 截止区
当vGS ＜VT 时，导电沟道尚
未形成，iD ＝0，为截止工 作状态。 ② 可变电阻区
vDS≤（vGS－VT）
③ 饱和区 （恒流区又称放大区） vGS >VT ，且vDS≥（vGS－VT）
例 已知电路中，VGG=6V,VDD=12V,Rd=3kΩ ;场效应管的开启 电压UGS(th)=4V,IDO=10mA。试估计电路的Q点、Au和Ro。
(3)当vs＝15mV时，求输出电压vo； (2)求该电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro；

温 T ( C 度 ) I C T ( C I C ) E I C O
T ( C U B ) 不 E I B I C 变
温度T (C) IC ，
若此时I B
，则I
、
CQ
U CEQ在输出特性坐标
系中的位置就可能
基本不变。
2.4 放大电路静态工作点的稳定
一、典型电路
消除方法：增大Rb，减小Rc，减小β。
例2-1:由于电路参数的改变使静态工作点产生如图所示变化。 试问（1）当Q从Q1移到Q2、 从Q2移到Q3、 从Q3移到Q4时， 分别是电路的哪个参数变化造成的？这些参数是如何变化的？
4mA 3mA 2mA 1mA
40µA
Q3
Q4
30µA 20µA
IB=10µA
2 6 m V
2 6 m V
r b e 2 0 0 ( 1 ) I E Q 2 0 0 ( 1 3 0 ) 1 . 2 m A 8 7 1 . 6 7
R i R b ∥ r b e r b e 8 7 1 . 6 7 R o R c 6 k
2.4 放大电路静态工作点的稳定
温度对Q点的影响
2、放大电路的动态分析（性能指标分析）
（1）放大电路的动态图解分析法
结论: 1. ui uBE iB iC uCE uo
阻容耦合共射放大电路
2、放大电路的动态分析（性能指标分析）
（1）放大电路的动态图解分析法 二、图解分析
结论: 2. uo与ui相位相反；3. 测量电压放大倍数；4. 最大不失 真输出电压Uom （UCEQ －UCES与 VCC－ UCEQ ，取其小者，除以 2 ）。
Q
UBE/V
UBEQ VCC
1、放大电路的静态工作点 （2）图解法确定静态工作点

第3章 场效应管及其基本放大电路试卷3.1判断下列说法是否正确，用“√”和“ ”表示判断结果填入空内1. 结型场效应管外加栅源电压u GS应使栅源间的耗尽层承受反偏电压，才能保证其输入电阻R G大的特点。

（ ）2. 耗尽型MOS管在栅源电压u GS为正或为负时均能实现压控电流的作用。

（ ）3. 若耗尽型N沟道MOS管的栅源电压u GS大于零，则其输入电阻会明显变小。

（ ）4. 工作于恒流区的场效应管，低频跨导g m与漏极电流I DQ成正比。

（ ）5. 增强型MOS管采用自给偏压时，漏极电流i D必为零。

（ ）【解3.1】：1. √ 2.√ 3.× 4.× 5.√3.2选择填空1. 场效应管的栅-源之间的电阻比晶体管基-射之间的电阻 。

A．大 B．小 C．差不多2. 场效应管是通过改变 来改变漏极电流的。

所以是 控制型器件。

A．栅源电压 B．漏源电压 C．栅极电流D．电压 E．电流3. 用于放大时，场效应管工作在特性曲线的 。

A．可变电阻区 B．恒流区 C．截止区4. N沟道结型场效应管中参加导电的载流子是 。

A．自由电子和空穴 B．自由电子 C．空穴5. 对于结型场效应管，当︱u GS︱︱U GS(off)︱时，管子一定工作在 。

A．恒流区 B．可变电阻区 C．截止区 B．击穿区6. 当栅源电压u GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。

A．结型场效应管 B．增强型MOS管 C．耗尽型MOS管7. 某场效应管的开启电压U GS(th)=2V，则该管是 。

A．N沟道增强型MOS管 B．P沟道增强型MOS管C．N沟道耗尽型MOS管 D．P沟道耗尽型MOS管8. 共源极场效应管放大电路，其输出电压与输入电压 ；共漏极场效应管放大电路，其输出电压与输入电压 。

A．同相 B．反相【解3.2】：1.A 2.A,D 3.B 4.B 5.C 6.A C 7.A 8.B,A3.3判断图T3.3所示各电路能否进行正常放大？如果不能，指出其中错误，并加以改正。