充电连接控制时序

电动汽车充电桩数据采集及监控摘要：电动汽车充电桩与加油站当中的加油设备非常类似，主要在墙壁或者地面等位置上固定，能够持续给电动车提供能量。

一般在居民小区停车场或者公共建筑停车区域安装，依照电压等级不同为相应的电动汽车提供充电服务，在此过程中需要关注电动汽车充电桩的监控和管理，采集相关数据，并且对电动汽车充电桩的供电情况进行了解，以便使电动汽车充电桩的运行效率提升。

关键词：电动汽车；充电桩；数据采集；监控引言当前能源问题越来越严重，环境问题越来越紧张，汽车由于消耗大量的传统化石能源带来大气污染而受到关注，而电动汽车由于其节能、环保、清洁的特点，因此受到人们的广泛关注，国家政府开始逐步重视电动汽车的推广和使用，可以大幅度减少石油的依赖，减少周边环境污染，其他国家也出台了各种鼓励性措施，以帮助汽车企业逐步对电动汽车进行研发，促进电动汽车的发展。

电动汽车行业发展的过程中遇上的两个瓶颈，一个是汽车动力电池本身，另外一个就是充电方法。

充电技术的挑战在于对充电的情况进行监控，一般的充电监控系统主要是利用控制软件来进行管理，无法对命令代码进行有效维护，在扩展方面的功能不够健全。

在电动汽车充电系统越来越普及的条件下，这种原始的充电控制方法无法适应系统的发展，在信息化技术逐步展开的过程中，嵌入式实时操作系统逐步开始在通信、过程控制、制造业等方面得到广泛应用。

在电动汽车充电桩发展过程中，需要有机地将嵌入式系统融入其中，加强充电监控的实时性，有效地对监控的过程进行拓展，以满足电动汽车对充电系统的具体操作要求。

1充电桩系统的组成及概述依照设计要求和具体的应用场景，充电监控数据采集系统设计过程中包含近场通信数据、服务器数据、传输管理等多个系统。

由于许多充电站和充电器的品牌混杂，需要配备多工作站才能收集充电时的监控数据。

每个工作站需要随时将数据分发给充电器，在计费模式和其他功能参数方面也需要对系统进行充分设计，以便及时获取数据库服务器当中的调整命令。

ddr4时序标准
DDR4是一种双倍数据率同步动态随机访问存储器（SDRAM），它是DDR3的后继产品。

DDR4的时序标准包括预充电、激活、读取和写入等关键时序参数。

以下是关于DDR4时序标准的详细内容：
1. 预充电（Precharge）：预充电是指在进行下一个操作之前将存储器行恢复到预充电状态的过程。

DDR4的预充电时序参数包括tRP（行预充电时间）和tRAS（行激活到预充电时间）。

2. 激活（Activate）：激活是指将存储器行从预充电状态切换到激活状态的过程。

DDR4的激活时序参数包括tRCD（行激活到列访问延迟时间）和tRRD（行行延迟时间）。

3. 读取（Read）：读取是指从存储器中读取数据的过程。

DDR4的读取时序参数包括tCAS（列地址到列地址延迟时间）和tRTP（读取到预充电时间）。

4. 写入（Write）：写入是指向存储器中写入数据的过程。

DDR4的写入时序参数包括tWR（写入恢复时间）和tWTR（写入到读取延迟时间）。

除了上述关键时序参数外，DDR4还有其他一些时序标准，如tCK（时钟周期时间）、tCKE（时钟使能到时钟禁用时间）和tFAW （四个激活窗口时间）等。

这些时序标准对于DDR4的性能和稳定性起着至关重要的作用，制造商和设计者需要严格遵守这些标准以确保DDR4的正常运行和高效性能。

在我们平时的工作和生活中，总是想挖掘他表面下更深层次的内涵，追求自己远大的理想，以至于达到最高的境界。

下面结合这篇有关于EC的论述，来了解笔记本最底层的EC与电源，与开机的关系，从而提高笔记本的维修理论水平。

BIOS（基本输入输出系统）在整个系统中的地位是非常重要的，它实现了底层硬件和上层操作系统的桥梁。

比如你现在从光盘拷贝一个文件到硬盘，您只需知道“复制、粘贴”的指令就行了，您不必知道它具体是如何从光盘读取，然后如何写入硬盘。

对于操作系统来说也只需要向BIOS发出指令即可，而不必知道光盘是如何读，硬盘是如何写的。

BIOS构建了操作系统和底层硬件的桥梁。

而我们平时说的BIOS设定仅仅是谈到了其软件的设定，比如设置启动顺序、禁用/启用一些功能等等。

但这里有一个问题，在硬件上，BIOS是如何实现的呢？毕竟，软件是运行在硬件平台上的吧？这里我们不能不提的就是EC。

开机控制芯片又称为 EC（Embed Controller，嵌入式控制器）是一个16位单片机，它内部本身也有一定容量的Flash来存储EC的代码。

EC在系统中的地位绝不次于南北桥，在系统开启的过程中，EC控制着绝大多数重要信号的时序。

在笔记本中，EC是一直开着的，无论你是在开机或者是关机状态，除非你把电池和Adapter完全卸除。

在关机状态下，EC一直保持运行，并在等待用户的开机信息。

而在开机后，EC更作为键盘控制器，充电指示灯以及风扇和其他各种指示灯等设备的控制，它甚至控制着系统的待机、休眠等状态。

主流笔记本系统中，EC在系统架构中的地位如下图：现在的EC有两种架构，上图左边是比较传统的，即BIOS的FLASH通过X-BUS接到EC，然后EC通过LPC接到南桥，一般这种情况下EC的代码也是放在FLASH中的，也就是和BIOS共用一个FLASH。

右边的则是比较新的架构，EC和FLASH 共同接到LPC总线上，一般它只使用EC内部的ROM。

至于LPC总线，它是INTEL 当初为了取代低速落后的X-BUS而推出的总线标准。

详解5项国家电动车充电接口及通信协议标准质检总局、国家标准委联合国家能源局、工信部、科技部等部门，在京发布新修订的电动汽车充电接口及通信协议5项国家标准。

中国于2011年12月22日颁布了自己的电动汽车充电接口和通信协议4项国家标准。

但是，对充电时的电流、电压、功率等细节并未进一步地做出详尽要求。

此次5项标准修订电动车充电接口在硬件和软件层面最终实现了统一，全面提升了充电的安全性和兼容性。

本文将对新国标做详细解读。

充电接口标准几经修订中国在2006年就发布了《电动汽车传导充电用插头、插座、车辆耦合器和车辆插孔通用要求》（GB/T20234-2006），这个国家标准详细规定了充电电流为16A、32A、250A交流和400A直流的连接分类方式，主要借鉴了国际电工委员会（IEC）2003年提出的标准，但是这个标准并未规定充电接口的连接针数、物理尺寸和接口定义。

2011年，中国又推出了GB/T20234-2011推荐性标准，替换了部分GB/T20234-2006中的内容，其中规定：交流额定电压不超过690V，频率50Hz，额定电流不超过250A;直流额定电压不超过1000V，额定电流不超过400A。

此次新国标的充电接口标准提高了电压和电流等级，并且调整了信号针和机械锁的部分尺寸，明确了电子锁的有关要求等。

另一方面，新标准对充电设备是有很大好处的，对充电设备的推广应用有很大帮助。

在此前充电设备面临谁建谁用的问题，国标重点统一了充电桩通信协议，这意味着电动车充电接口在硬件和软件的标准层面最终实现了统一，这将提高充电设备的利用率。

新国标都有哪些改变相对于旧标准，新标准改动很多，有一些是细节上优化，譬如充电接口标准本次修订提高了电压和电流等级，从而提高了充电功率，缩短了充电的时间，并且调整了信号针和机械锁的部分尺寸，优化了连接时序等。

1.通用要求此次新国标要求在直流充电枪内安装电子锁，同时预留车辆插座加装电子锁的机械结构。

内存（DRAM）的工作原理及时序介绍DRAM（Dynamic Random-Access Memory）是一种常见的计算机内存类型，它以其低成本和高密度而受到广泛应用。

本文将介绍DRAM的工作原理和时序。

DRAM是一种存储信息的半导体器件，它由一系列的存储单元组成。

每个存储单元通常由一个电容和一个开关组成，电容存储数据位的信息（0或1），而开关用于控制访问电容的操作。

DRAM的工作原理可以简单地概括为以下几个步骤：1.存储数据：当计算机开始写入数据时，DRAM控制器向DRAM芯片发送写入命令和数据信号。

DRAM芯片将数据存储在电容中，并将电压驱使电容充电或放电，以表示数据位的状态（0或1）。

2.刷新电容：由于电容会有漏电现象，DRAM芯片需要定期刷新电容以保持数据的有效性。

当计算机不在访问DRAM时，DRAM控制器会发送刷新命令，将电容充电至预定电压。

刷新过程会导致DRAM芯片无法响应读写请求，这被称为刷新周期。

3.访问数据：当计算机需要读取数据时，DRAM控制器向DRAM芯片发送读命令和地址等相关信息。

DRAM芯片根据地址定位并提供相应的数据信号。

读取的数据会传送到数据总线上，供计算机使用。

需要注意的是，DRAM的读写操作是不可同时进行的，因为它们共享同一个数据总线。

DRAM芯片会根据控制信号进行选择性地执行读写操作。

DRAM的时序是指控制信号的时序，即确定命令传输、地址传输和数据传输等操作的时间顺序。

下面是一些常见的DRAM时序信号以及它们的功能：1. RAS（Row Address Strobe）：行地址选通信号，用于选择DRAM 芯片中的行（即数据块）。

2. CAS（Column Address Strobe）：列地址选通信号，用于选择行内的列。

3. WE（Write Enable）：写使能信号，用于启动写操作。

4. OE（Output Enable）：输出使能信号，用于启动读操作。

5. CLK（Clock）：时钟信号，用于同步DRAM芯片操作。

笔记本电池充电接口定义问题最简单使用后背接口，只要连接 4 根线：电源、地线、SCL SDA （笔记本电池接口处的电池连接”认证脚2和1脚要连好，SCL SDA是I2C总线的两根线）。

连接了这些线以后，笔记本即可与电池通讯、充电、放电、正常使用。

A230电池接口详细解释：1 ：地线2：电池连接确认脚此脚功能是告诉主机，电池连接上了。

方法是将2脚连接到 1 脚，笔记本就知道电池已经连上。

SDA（DATA,或作D）此脚是I2C总线的数据线。

4：SCL（CLOCK 或作C）7 关于第5 脚,测量了一下笔记本这端接口第5 脚的确是接地。

但电池这端的第5脚测起来却有10V电压。

估计是电池下拉端口，告诉电池已经连接到笔记本，还有电池端的第6脚也有5V电压。

估计电池本身对保护板也有供电。

或者是充电状态指示电平。

［同意下拉的说法,如果接地了,不应该是充电状态指示电平吧？6：+5V:如果电池连接到了主机,主机会将稳压后的正5伏输出一路给电池保护电路使用,此路电流很小,只够电池保护板使用。

不同的笔记本电池设计的不一样，供给电池保护电路的+5V —般有三种：第一种是5V稳压电路在电池内，这是比较常见的设计，带检电钮和电量指示灯的一般是这种；第二种是电池供电给主机，主机将稳压后的5V再输出给电池, A230 就属于这一种；第三种是电池保护电路在笔记本电脑主机中,电池内部只有一个I2C的EEPROM还有温度等传感器传输到主机，电池内没有保护电路和大功率开关管。

7：空脚!8：电池电源脚此脚连接电池输出与主机，充、放电均通过此接口。

笔记本电池接口定义,通讯问题电源正负极pins,通讯pin,id识别pin,控制pin等等你如果是用BQ2060做的，是双线通讯协议，一般来说，接口PIN以下几脚是必须有的:1. PACK+电池的输出正极）2. PACK-电池的输出负极）3.SDA係统数据）4.SCL系统时钟）还有一些根据不同的电池是可选的，如NTC热敏电阻）ID（识别电阻端子）一般来说,每个型号的电池接口定义是不一样的,但相同品牌电脑电池的接口基本是类似的,并且接口定义顺序也大概相同.xx100笔记本电池接口定义xx100笔记本电池接口定义：电池接口向上,从电池腹面由左往右分别为GND,SMBC,SMBD,TH,B/I,ID,B+拆下电池测量只有GND与B/I接口有5V电压,接通GND与B/I接口，测量GND 与B+能得到电池电压！SMBC,SMBD分别为与笔记本数据通讯的时钟和数据引脚,TH 为电池温度引脚，ID本人还未搞懂是什么用途，从充电到放电和待机都没发现有什么电压变化.同型号的电池接口都不一样,但总的来说都包含：正负级,SMData,SMCIk,T等］使用现成的专用芯片，如最流行的BQ系列芯片:BQ2060A,BQ2083,BQ2085,BQ20,4有的电池将充电部分做到电池里面去了，如COMPAQ笔记本电脑的不少电池都是如此.xx 笔记本电池!!!笔记本电池通通通!!!笔者因主持研发笔记本电池测试系统(即所谓的电池老化柜),感觉在学习和实践中都走了弯路,浪费了不少时间和精力,故此想写点什么,也许可以帮助后来者省却一点弯路.第一个误区是直奔锂电池原理.实际上很少有将原理讲得透彻的资料,即使将清楚了,初学者也大都看不透彻.那么,先想想什么好呢?一块电池,根本作用还是给电脑供电.所以最基本的想法是将一节的电芯(cell)串在一起,就象将几节电池串在一起给手电筒供电一样,确实,笔记本电池里就是将几节电池串在一起的.当然,要是如此简单就没有什么好说的了.现在的笔记本电池都是所谓智能(smartbattery)的了，她能告诉电脑：我现在还剩余多少容量,现在的电压是多少,电流是多少,按现在的放电速率我还能用多长时间,我是否该充电了,充电应该用多大的电流、电压,充电是否充过头了,放电是否放过头了,温度是否过高,等等.电池要提供这些所谓的智能信息,就要在电池中增加一个电路•这个电路通常都使用现成的专用芯片，如最流行的BQ系列芯片:BQ2060A,BQ2083,BQ2085,BQ204等，这些芯片检测流入和流出电芯的电流，算出上面所谓的智能信息.这个电路还要增加一个功能:保护功能.上面说了电路能检测出充电是否充过头了,放电是否放过头了.既然知道充过头了,就要使充电电源充不到电芯上去;放电放过头了,就要切断电芯对外放电.温度过高了,就要是电池停下来.这就是所谓的保护功能.最后一个功能就是通讯,电池准备了这些信息,总要发送出去吧.所以通讯少不了.按上所说,通常的电池其实主要是检测部分,能检测出来信息,保护功能实现自然简单,无非是开关而已.当然有的电池将充电部分做到电池里面去了,如COMPAQ笔记本电脑的不少电池都是如此.所以，初学者可以先学习具体的电池检测芯片，如BQ2060A,注意，不要从BQ2050开始,理解了BQ2060A回过头来才好理解BQ2050.")先不必看BQ2060是如何检测那些智能信息的，先看BQ2060都检测出了哪些信息？这些检测出来的信息存放在什么地方了？在BQ2060的DATASHEE中，有个Table3. "bq2060Registerfunctions,这里存放了BQ2060检测出来智能信息的.这些信息就是所谓的SmartBatteryData(智能电池数据)，它们都被定义成标准了(见SmartBatteryDataSpecfication).BQ2050中检测出来的信息没有这么丰富，它不符合这个标准.BQ2040,BQ2083,BQ208都符合这个标准，检测出来的信息也是这些.下面解释一下BQ2060检测出来信息的意思.1、静态信息:静态信息不是检测出来的,而是生产厂家自己写进去的,它一般写在24C01中,BQ2060从24C01中读到它自己里面去.ManufactureDate,ManufactureName,DeviceName,Devicechemistry,Specificatio nInfo,DesignVoltage,DesignCapacity,RemaingCapacityAlarm, RemaingTimeAlarm, BatteryMode. 这些信息不言自明.2、"动态信息:动态信息中有些是检测出来的,有些是纯粹计算出来的,目的就是免去用户自己计算了.检测的:Voltage,Current,Temperature,AverageCurrent,RemaingCapacity,FullChargeCapa city,BatteryStatus计算的：RelativeStateOfCharge,AbsoluteStateOfCharge,RunTimeToEmpty,AverageTimeToEmpty,AverageTimeToFull,CycleCoun信息ChargingVoltage,ChargingCurren告诉充电器应该用多大的充电电流给它充电,在多大的电压处应该变成恒压充电.AtRate, AtRateTimeToFull, AtRateTimeToEmpty, AtRateO纯粹是帮用户计算信息用的.3、每个厂家的特定信息：标准SmartBattery Data Specfication之外的一些信息.这些信息只有5项不同厂家不一样，对于BQ2060就是VCELL1-和PackConfigureation对于BQ2085,PackConfigureation的意义就和BQ2060 不大一样.4、ManufactureAccess标准SmartBatteryDataSpecfication之夕卜，厂家特定的操作，如BQ2060的Seal读写EEPROM,Calibratior等，都是通过它来完成的.具体每一项信息的意义论坛中有人翻译了BQ2060的DATASHEE在此不在重复.BQ2060是如何检测那些智能信息的呢？简单地说，将是将一个电阻串接到电芯上,检测流过这个电阻上的电流的大小就可以知道充了多少电,放了多少电.充电充的是电荷、放电放的也是电荷,所以检测电流就知道充了多少电,放了多少电.至于电压、温度的检测更简单了，用的A/D转换就可以，BQ2060中就是这样做的.BQ2060检测到信息后就要作出一些判断，如温度是否高了，我是否该充电了，充电应该用多大的电流、电压,充电是否充过头了,放电是否放过头了.电池无论如何也不知道多高温度属于高了,多大电流是过流了,所以,人为地先设定个标准,这样电池就可以判断了.这些标准生产厂家就放在24C01中,BQ2083,BQ2085放在它们自身的DATAFLAS弗了.而BQ2050则是死设定，厂家智能用外围的电阻，电容等硬件设定,它不用EEPROM或DATA FLASH,较死板.（其实BQ2050的功能简单多了,好多判断都没有.）检测到异常情况，BQ2060就可简单地向外发个出发电平，以关断充电或放电开关，这样保护功能就简单地实现了•实际上,大都用BQ2060的电池没有使用BQ2060提供的保护功能，而是另外加了芯片做保护，如M14."另加的芯片和BQ2060自然有些功能是重复的，但没办法,谁让另加芯片了呢.下面就是通讯方式问题,SMBUS其实就是I2C的子集，主要是时序上比I2C要求严格些•若你不写程序，简单地将SMBUS混同I2C就可以了.当你看懂了BQ2060不要以为所有的电量检测芯片都是如此，BQ2060是与标准Smart Battery Data Specfication兼容的芯片，即所谓的SBSV1. "1-Campliant,其实BQ2050就不兼容这个标准.BQ2050提供的信息少了不少，通讯方式也不同（DQ）.COMPAQ Ev系列电脑的电池就是采用BQ2050H的所以要增加PIC来增加一些功能•（当然里面还有充电功能.）还有比较流行的芯片是M37516 + 4494这个方案比较原始，M37516就是个通用的MCU,其实用PIC、AVR等好多MCU都可以代替它的特点就是有A/D,PWM,I2C接口.在M37516中写程序，实现BQ2060的功能，自然就可以不用BQ2060 了•当然用M37516写程序来实现肯定没有使用专用芯片简单.使用M37516的电池可以是SBS V1."1-Campliant,也可以不是的.很多电池既使用了PIC又使用了BQ2060或BQ20等，这多数是厂家故弄玄虚如果它也是使用SMBUS接口,很可以省掉PIC的.还有个电池解密问题，即unseal问题,BQ2060因为外接EEPROM所以unseal 总是能实现的，虽然比较麻烦但总是可以的，而BQ则几乎不可能，除非你知道厂家设置的unseal密码，否则，写程序用枚举方法解密一块电池要小一年时间•很多OEM电池厂家都想将就电池改写数据就以就充新地买.还有电池检测（老化）问题.检测设备有检测电芯级的,有检测电池板级的.经过前者检测出来的电池即使是合格的,但实际上电池也可能是不合格的,因为电板可能有问题而没有被检测出来.而经过后者检测出合格的电池,才是真正合格的电池. 大多数电池不用时你也可以直接在电池接口处测量到电压,而有的电池不接到电脑上你是测量不到电压，即所谓的电池没有打开，如COMPAQ Ev（系列.在此解释一下Capacity Relearn.其实电池的relearn-cycle或Conditioning-cycle都是充放电过程，Calibration 就是充放电过程.这个过程如下:1、"先将电池充满.2、放电放完（这个过程中不能有充电）3、再充满电.CapacityRelearn就是重新确定FCC因为在过程1的结束,BQ2060将DCR复位为0,在过程2中DCR从0开始不断增加，当放电结束时，用DCR更新FCC在BQ2060的DATASHEEE中将这个过程说得比较难懂，而BQ2050中说得比较清楚.下次再聊聊笔记本电池的充电问题.免费提供ATMEGA406笔记本电池方案，可以用在山寨笔记本和各品牌的替代电池，同时解决IBM、dell带数字认证的问题！!!需要请联系：笔记本电池接口上的:C,D,S.P是啥意思+,-是电池输出的正极与负极，D是数据线,C是时钟线,T是有一电阻与-连接.松下笔记本电池采用三菱M37516的方案.很多公司采用BQ系列方案基本功能：具有过充、过放、过流、过温、休眠和通迅协议等功能技术参数：项目参数过充电检测电压Vco1（n=1,2,3）4. "23V ±0."015（可调整）过充电检测电压Vco2（n=1,2,3）4. "28V ±0."015（可调整）过放电检测电压Vdo1（n=1,2,3）3."0V ±0."015（可调整）过电流检测电压Vm1 ±O."4V （电压大小和xx可调）过电流检测电压Vm2 ±0."5V （电压大小和xx可调）过电流检测电压Vm3 士1V电压大小和延迟时间可调）过电流延迟时间1,2,3 4S,10mS,400us （可调整）欠温保护0C 欠温保护释放3C过温度保护值60C±2（可调整）过温释放50C±2（可调整）容量低提示警告 1 7％容量低提示警告2 3％工作时自耗电流＜200uA休眠时自耗电流＜10uA 过流保护值4A±0."1A线路板内阻＜150 m Q。

dram 读写操作时序DRAM（动态随机存取存储器）是一种常见的计算机内存类型，它需要特定的读写操作时序来进行数据的读取和写入。

下面我会从多个角度来解释DRAM的读写操作时序。

首先，让我们来看看DRAM的读操作时序。

DRAM的读操作通常包括以下几个步骤，预充电、行选通、列选通和数据输出。

在预充电阶段，存储单元的电荷被预先充电以确保准确的读取。

然后，在行选通阶段，DRAM控制器发送行地址并激活所选行的存储单元。

接着，在列选通阶段，DRAM控制器发送列地址并读取所需数据。

最后，在数据输出阶段，所选数据被输出到总线上供CPU或其他设备使用。

接下来，让我们来看看DRAM的写操作时序。

DRAM的写操作通常包括以下几个步骤，预充电、行选通、列选通和数据输入。

在预充电阶段，存储单元的电荷被预先充电以确保准确的写入。

然后，在行选通阶段，DRAM控制器发送行地址并激活所选行的存储单元。

接着，在列选通阶段，DRAM控制器发送列地址并将要写入的数据输入到存储单元中。

除了以上的基本步骤外，DRAM的读写操作时序还受到内部时序、外部时序、时钟周期等因素的影响。

内部时序包括存储单元内部电荷的传输和放大过程，而外部时序则包括DRAM控制器和CPU之间的通信时序。

时钟周期则决定了DRAM的读写操作的速度和稳定性。

此外，DRAM的读写操作时序还受到DRAM芯片本身的特性、控制器设计的复杂度、总线带宽和延迟等因素的影响。

因此，在实际应用中，需要综合考虑这些因素来优化DRAM的读写操作时序，以提高系统性能和稳定性。

综上所述，DRAM的读写操作时序涉及到多个步骤和因素，包括预充电、行选通、列选通、数据输入输出、内部外部时序、时钟周期、芯片特性、控制器设计等。

合理优化这些因素可以提高DRAM的读写性能和稳定性，从而更好地满足计算机系统的需求。

TCU常见问题解决方案1.已注册设备启动后显示“软件有效期未到”问题原因：软件发布时间早于系统时间。

解决方案：将系统时间修改实时时间，命令如下：date -s “YYYY-MM-DD hh:mm:ss”; 如:data -s “2017-09-05 16:30”hwclock -w;结果假设：如果修改系统时间重启之后还会出现该故障提示，说明时间没有写到RTC，原因可能是RTC芯片损坏或RTC电池没电导致的。

如果RTC电池没电，可更换电池解决，重启之后重新修改时间。

2.已注册设备启动或运行中提示“很抱歉，设备故障请联系维护人员”问题原因：TCU启动或运行时读取数据库或调用libtcu.so出现了段错误导致tcu进程挂掉。

解决方案：删掉tcuconfig.db tcuprice.db tcuaccount.db结果假设：如果删掉上述三个数据库之后问题仍然没有解决，可能是底层库出现了问题。

3.已注册设备启动后提示“设备维护中，请选择其他设备充电”问题原因：设备没有计费模型解决方案：使设备上线，等待后台下发计费模型，待模型下发后自动恢复。

4.已注册设备重复离线、恢复在线问题原因：场地环境网络信号不稳定频繁的在4G、3G、2G之间切换。

解决方案：将网络制式固定到3G结果假设：固定网络制式后仍不能解决频繁离线在线，需要根据底层分析4G模块是否检测到SIM卡状态的改变。

5.已注册设备启动时停留在“小企鹅”界面问题原因：设备分区丢失或加载内核失败。

问题辨别：如果能通过串口或网口操作TCU说明是分区丢失导致国网守护进程没起来，如果不能操作说明是加载内核出现了问题。

解决方案：分区丢失时需要重新建立恢复分区，内核加载出现问题需要重新烧写内核，然后将注册信息恢复。

6.已注册设备启动后黑屏问题原因：LVDS接口损坏、LVDS接口没连接稳定、显示屏损坏、tcu进程没有起来解决方案：首先通过ps命令检测tcu进程是否起来，如果没有请检测启动脚本和tcu程序是否烧录。

详解5项国家电动车充电接口及通信协议标准质检总局、国家标准委联合国家能源局、工信部、科技部等部门，在京发布新修订的电动汽车充电接口及通信协议5项国家标准。

中国于2011年12月22日颁布了自己的电动汽车充电接口和通信协议4项国家标准。

但是，对充电时的电流、电压、功率等细节并未进一步地做出详尽要求。

此次5项标准修订电动车充电接口在硬件和软件层面最终实现了统一，全面提升了充电的安全性和兼容性。

本文将对新国标做详细解读。

充电接口标准几经修订中国在2006年就发布了《电动汽车传导充电用插头、插座、车辆耦合器和车辆插孔通用要求》（GB/T20234-2006），这个国家标准详细规定了充电电流为16A、32A、250A交流和400A直流的连接分类方式，主要借鉴了国际电工委员会（IEC）2003年提出的标准，但是这个标准并未规定充电接口的连接针数、物理尺寸和接口定义。

2011年，中国又推出了GB/T20234-2011推荐性标准，替换了部分GB/T20234-2006中的内容，其中规定：交流额定电压不超过690V，频率50Hz，额定电流不超过250A;直流额定电压不超过1000V，额定电流不超过400A。

此次新国标的充电接口标准提高了电压和电流等级，并且调整了信号针和机械锁的部分尺寸，明确了电子锁的有关要求等。

另一方面，新标准对充电设备是有很大好处的，对充电设备的推广应用有很大帮助。

在此前充电设备面临谁建谁用的问题，国标重点统一了充电桩通信协议，这意味着电动车充电接口在硬件和软件的标准层面最终实现了统一，这将提高充电设备的利用率。

新国标都有哪些改变相对于旧标准，新标准改动很多，有一些是细节上优化，譬如充电接口标准本次修订提高了电压和电流等级，从而提高了充电功率，缩短了充电的时间，并且调整了信号针和机械锁的部分尺寸，优化了连接时序等。

1.通用要求。