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第五章: 超辐射发光管Superluminescent diode （SLD ）5.1 超辐射发光管的工作原理5.2 超辐射发光管的结构设计及特性E 21.LED －自发辐射5.1超辐射发光管的原理2E 1自发辐射：不受外界因素作用不受外界因素作用，，处于高能态的电子自发地处于高能态的电子自发地、、随机地跃迁到低能态机地跃迁到低能态，，与空穴复合而发射光子与空穴复合而发射光子，，特点为发射光子的能量的能量、、方向方向、、位相位相、、偏振等均不相同偏振等均不相同，，是一种非相干光是一种非相干光。
5.2 超辐射发光管的结构设计及特性5通常的超辐射发光二极管结构（a ）抗反射膜解理腔面SLD ，（b ）带吸收区SLD（a ）（b ）SLD 特性6带弯曲波导吸收区SLD 及其特性7倾斜型SLD与SOA集成器件及其特性8其他SLD器件结构9为谱线线宽，它越宽，相应的相干时间和相干长度就越短，萨格耐克(SagnacSagnac))效应在图中，设直径为D的单匝光纤线圈绕垂直于自身的轴以角速度Ω顺时针方向旋转时，从环形光路的P点分别沿顺时针（CW）、逆时针（CCW）发射两路光波。
当Ω=0时，P'点和P点重合，两束光绕环形光路一周的穿越时间相同；当Ω≠0时，入射点P'和P在空间的位置将不再重合，顺时针光束绕环形光路的穿越时间TCW 为：萨格耐克(SagnacSagnac))效应实验图顺时针光束绕环形光路的穿越时间T CW 为：22D n c D D V D V D T f CWCW Ω−=Ω−==πππ其中是顺时针光束的速度，V f 为光在光纤)2/(D V V f CW ⋅Ω−=线圈中的传播速度，c 为真空中的光速，n 为光纤材料的折射率。
同样逆时针光束绕环形光路的穿越时间T CCW 为:2D n c D2D V D V D T f CCWCCW ΩπΩππ+=+==两反向旋转的光束绕光纤线圈一周的穿越时间差ΔT 为：42222D n c D T T T CCW CW Ω−⎟⎠⎞⎜⎝⎛Ω=−=Δπ222⎟⎠⎞⎜⎛<<Ωn c D 4⎝Ω=Δ222C D n T π假设一个光纤陀螺具有N 匝光纤线圈，光学路径长度为：DN L π=与穿越时间差对应的两光束相移为：s ϕΩΩλπΩπλπΔπΔπΔωϕs 2222s K C LDn 2C D n C N2T Nv 2T T2NT N ======（4.21）其中，φS 称为Sagnac 相移，ω、v 分别为光波的角频率和频率，λ为光波在真空中的波长，K S 为光纤陀螺的Sagnac 刻度系数。
