磁流变抛光技术及应用
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浅谈磁流变液及其在机械工程中的应用引言磁流变液(MRF)作为一种新型智能材料,在外加磁场下其流变特性可以发生急剧变化:在没有外加磁场环境下,其是流动性良好的牛顿流体,而一旦受到外加磁场的作用,流体的流变特性将发生极大的变化,其表观粘度可以在10ms内增加数个数量级,并且表现出与固体相类似的力学性质,而且这种粘度的变化是可拟的,在去掉磁场作用后,其又会变成流动性良好的牛顿流体。
由于其具有这种特点,因此,其在社会各个领域得到了广泛的应用,尤其是机械工程领域。
1 磁流变液的构成及其流变特性磁流变液主要由三个部分组成,即载液、软磁性颗粒以及稳定剂,其中载液是组成磁流变液的重要成分,具有低凝固点、低粘度、耐腐蚀性以及热稳定性的特点,磁流变液应用的载液具有很多种,比如煤油、硅油等;软磁颗粒作为一种晶体尺寸在0.01-10μm的球形颗粒,种类也有很多种,而羟基铁粉与纯铁粉则是应用最广泛的软磁颗粒;在磁流变液中,稳定剂具有重要的作用,其不仅具有润滑的作用,还能够保证磁流变液的稳定性以及具有一定的抗腐蚀性,同时,其还能够防止磁性颗粒的沉降与聚集。
2 磁流变液的工作模式2.1 阀式模式在阀式模式下,磁流变液通常会在在两个静止的板极之间被限制,在两个板极的垂直作用之下,磁流变液的流动性能会发生一定的变化,从而使磁流变液的流动活塞受到的阻力发生变化,进而达到通过控制外加磁场对阻力进行控制的目的。
大部分流体的减震阀、控制阀采用的都是这种工作模式,比如四川宜宾普什重机有限公司研制的在工程机械中使用的发动机磁流变悬置系统,该系统就是针对某工程机械用发动机,首先对磁流变悬装置系统的结构尺寸进行确定,然后完成磁路设计。
2.2 剪切模式在剪切模式下,上下两极板是相对运动的,外加磁场通过极板作用于两极板之间的磁流变液,使之在两极板之间产生剪切力,通过改变磁场可连续改变切应力一切应变率的特性。
运用这种工作模式的磁流变器件很多,诸如离合器、制动器、旋转式阻尼器等。
磁流体抛光设备
磁流体抛光技术原理:
磁流体抛光技术是由前苏联传热传质研究所的Kordonski及作者
在20世纪90年代初将电磁学、流体力学和分析化学相结合而提出的一种新型的零件加工方法。
磁流体抛光技术是在一定磁场作用下,磁流变液中的磁性颗粒迅速凝聚,磁流变液粘度增大形成的一定硬度的“小磨头”代替传统抛光过程中的刚性抛光盘来加工零件表面的一种新技术。
原理如下图所示:
磁流变超精密磨床:美国QED公司的Q22系列磁流变抛光机床
国防科技大学研制的KDRMF-1000磁流变抛光设备,加直径为200mm,1;16的K9玻璃抛物面镜,其面形误差小于/100(rms),粗糙度优于
0.5nm。
图。
基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术综述磁流变抛光是一种通过利用磁流变流体的特性来实现表面抛光的技术。
它可以用于光学元件的抛光,以改善其表面质量和光学性能。
本文将综述基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术。
磁流变抛光技术利用磁流变流体的流变特性,通过调节磁场的强度和方向来控制流体的流动行为,从而实现对光学元件表面的抛光。
磁流变流体一般由磁流变材料和基础流体组成,当施加磁场时,磁流变材料会发生类似于液体变固体的相变,使流体具有较高的黏度和流变性能。
1.磁场控制技术:磁场是磁流变抛光的关键因素,磁场的强度和方向会直接影响磁流变流体的流动行为。
相关专利技术主要涉及磁场控制装置的设计和优化,如磁铁的布置、磁场的稳定性和均匀性等方面。
2.抛光材料选择和制备技术:抛光材料是磁流变抛光的另一个重要方面,它既需要具备较高的磁流变效应,又要具备适当的硬度和表面平整度,以保证对光学元件表面的均匀抛光。
相关专利技术探索了不同的抛光材料和制备方法,如磁流变材料的合成、涂覆和粒度控制等。
3.抛光工艺优化技术:磁流变抛光的工艺参数对抛光效果有着重要的影响,如磁场的强度和方向、抛光时间、抛光速度等。
相关专利技术通过设计合适的工艺参数和优化工艺流程,以提高抛光效率和表面质量。
4.表面检测和评估技术:对抛光后的光学元件进行表面检测和评估是确保抛光效果的关键步骤。
相关专利技术涵盖了不同的表面检测方法和设备,如光学显微镜、激光扫描等,以及表面质量评估的指标和标准。
基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术主要集中在磁场控制技术、抛光材料选择和制备技术、抛光工艺优化技术以及表面检测和评估技术等方面。
这些专利技术的发展为提高光学元件的表面质量和光学性能提供了重要的技术手段。
第7卷 第5期光学 精密工程Vol.7,No.5 1999年10月O PT I CS AND PR EC IS I ON EN G I N EER I N G O ctober,1999文章编号 10042924X(1999)0520001208磁流变抛光技术张 峰 余景池 张学军 王权陡(中国科学院长春光学精密机械研究所应用光学国家重点实验室 长春130022)摘 要 对磁介质辅助抛光技术20年来的发展作了简要的回顾,进而介绍了磁流变抛光技术的产生和发展背景、抛光机理及微观解释、数学模型,同时提出了这种抛光技术的关键所在,并对其发展未来进行了展望。
关键词 磁介质辅助抛光 磁流变抛光 磁流变抛光液 凸缎带 抛光区中图分类号 TQ171.684 文献标识码 A1 引 言 随着科学技术的进步,各个学科交叉发展,形成了许多新领域,产生了很多新技术。
对于光学加工技术,人们也不断地进行探索。
80年代初期,日本有人将磁场用于光学加工,形成了磁介质辅助抛光方法。
1984年,Y.T ain和K.Kaw ata[1]利用磁场辅助抛光对聚丙烯平片进行加工。
图1为这种加工方法的原理示意图。
他们将一些N、S极相间的长条形永久磁铁紧密相连排成一列形成非均匀磁场(磁通密度大约0.1T)。
将盛有非磁性抛光粉(碳化硅,直径4Λm,体积含量40%)和磁性液体(直径为10~15nm的四氧化三铁磁性微粒均匀地混合在二十烷基萘基液中)的均匀混合液的圆形容器放置在这个磁场中。
磁场梯度使抛光粉浮起来与浸在磁性液体中的工件相接触。
在加工过程中,工件与容器同时旋转来实现对材料的去除,其材料去除率为2Λm m in。
经过一小时的抛光工件表面粗糙度降低了10倍。
1987年,Y.Sati o等[2]人又在水基的磁性液体中对聚丙烯平片进行了抛光。
这种方法的缺点是抛光压力较小,不能对玻璃或其它较硬材料进行抛光,并且不能对工件面形进行较为有效的控制。
3国家自然科学基金资助项目(批准号69608006)收稿日期:1999-06-07修稿日期:1999-07-02F ig .1 Po lish ing of acrylic p lates w ith Si C abrasives in a m agnetic fluid compo sed of 15nm diam eterm agnetic particles .T he po le p ieces serve as the reference lapp ing surface fo r the w o rkp iece . 1989年,Suzuk i 等[3]人用柔性的橡胶垫和聚氨酯将铜盘槽内的磁性液体密封。
磁流变抛光技术的发展及应用摘要:阐述了磁流变抛光技术的原理,综述了磁流变抛光技术的国内外研究现状与研究进展,并详细介绍了磁流变液的性能评价标准,及依据这一标准选取磁流变液的各组分,配置出标准的光学用磁流变抛光液。
然后,介绍了磁流变抛光技术的研究方向。
最后对磁流变抛光技进行了前景展望。
关键词:磁流变抛光;磁流变液;光学加工The Development and Application of Magnetorheological Finishing (The Institute of Mechanical and Electrical Engineer, Xi'an Technological University,Xi’an710032,China)Abstract: This paper first introduces the principle of magnetorheological finishing, then its research status and progress at home and abroad are reviewed. A standard is also suggested for evaluation of fluid finishing of optical glass. The elements of MR fluid were chosen according to the standard and MR fluid was prepared for optical finishing. Finally, the prospect of the MFR technique is discussed.Key words:magnetorheological finishing; magnetorheological fluid;optical machining1引言:随着现代科学技术的发展,对应用于各种光学系统中的光学元件提出了越来越高的要求。
简析磁流变材料在现代加工设备中的应用论文简析磁流变材料在现代加工设备中的应用论文磁流变材料是一种流变性能可由磁场大小控制的新型智能材料,是目前智能材料研究领域中比较活跃的一种。
当外加磁场变化时,它的刚度会发生相应的变化,而且这种变化是可逆、可控、迅速(毫秒级)且连续的。
近年来,这类智能材料的发展与应用得到了学者们的普遍___,研究的磁流变材料比较热门的有两种—磁流变液(Magorheological Fluids,MRF)和磁流变弹性体(Magorheological Elastomer,MRE)。
磁流变液是磁流变材料中最早被发现的一种,其主要是由液态载体(硅油等)和分散在其中的铁磁性颗粒(铁、钴等微米级颗粒)所组成。
相比其它磁流变材料,磁流变液的应用最为广泛,而且随着科研人员的不断努力,磁流变液的性能已经得到了很大程度的改善。
目前全球已经有一万多种磁流变产品,包括磁流变减振器、离合器、阻尼器等已经在实际工程中应用,据预测,在未来10 年内将会有超过100 万个磁流变产品应用于实际工程中。
我国对磁流变技术的研究开始于20 世纪90 年代,与国外的研究相比,我国对磁流变技术以及产品的研究与应用起步相对较晚,仍有一定差距。
目前我国在磁流变流变机理、动力建模、控制策略、实用装置 ___及工程应用等方面取得了一定的进展,已有某大学、某科研院所等数十家科研单位从事磁流变技术的研究,有些研究成果已经应用于实际工程中,取得了良好的效果。
磁流变弹性体最初是由 ___科研人员于1995 年发现的。
磁流变弹性体是在磁流变液的基础上发展起来的,在外加磁场的作用下能够显著的改变其弹性模量。
它作为一种新型的磁流变材料,同时具有磁流变材料和弹性体的一些特点,不但具有可控性、可逆性、响应迅速(毫秒级)等高技术特征,还具有稳定性好、结构简单、其应用装置无需密封、成本低、功耗小等独特的优点。
因此磁流变弹性体非常适用于对振动的控制,在机械 ___、精密制造等振动的控制、降噪方面有着很好的应用前景,已经成为一个研究的热点问题。
基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术综述
磁流变抛光(MRF)技术是一种利用磁流变液体对光学元件进行抛光的方法。
该方法在光学制造领域具有广泛的应用,可以用于抛光各种形状和材料的光学元件,如透镜、棱镜、平板等。
本文将综述基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术。
目前,磁流变抛光技术在光学元件抛光领域已经形成了一系列的专利技术。
这些专利
技术涉及到磁流变液体的制备方法、磁流变液体与光学元件的接触方式、磁流变液体的应
用压力控制等方面。
下面将分别介绍几个代表性的专利案例。
专利案例一:一种基于磁流变抛光法的平板光学元件抛光装置及方法。
该专利技术提
出了一种用于平板光学元件抛光的装置和方法。
该装置包括磁流变液体供给装置、磁场装
置和支撑平台等组件。
该方法通过控制磁流变液体的流动和磁场的作用,实现对平板光学
元件表面的抛光。
除了上述专利案例,还存在很多其他基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术。
这
些技术在提高光学元件制造效率、减小表面光学散射等方面具有重要的应用价值。
磁流变
抛光技术在实际应用中还存在一些需要解决的问题,如磁流变液体的稳定性、磁场的加工
精度等。
对于这些问题的解决将进一步推动磁流变抛光技术在光学制造领域的应用。
1718光学精密工程第18卷性,在加工过程中就必须保证两点:一是磁流变液的缎带切深保持不变,二是抛光轮的方向矢量同工件保持固定的拓扑关系。
这个拓扑关系就是使得抛光轮的方向矢量同光学零件所在的平面垂直。
在对光学镜面进行磁流变抛光时,在抛光点处的小范围内,球面的面形可以近似看成一个平面,因此为了保证去除函数的一致性,除了保持切深不变,还必须使抛光轮的方向矢量H(U,,“,,U。
)处于光学镜面上抛光点的法线方向。
只有这样,才能确保加工过程同获取去除函数时具有同样的截流状态,也才能实现光学镜面面形误差的确定性去除。
在对光学镜面进行后置处理求解时,只需要知道抛光点如(九,P,,P:)和抛光轮的方向矢量H(乱。
,“。
,“:),代人方程(5)、(6)、(7)、(8)、(9)就可以解出机床各运动轴的坐标。
假设光学镜面的面形满足方程:z2+Y2+z2一R2,(10)由于抛光点在光学镜面上,故抛光点b(P,,P,,P:)必然满足该方程,所以存在下式:P:+P:+P!一R2.(11)由于经过光学镜面上的抛光点b(P,,P,,P:)的法线方程为:皆=皆一皆,㈣,2P,2P、,2P:’…7在抛光过程中,抛光轮的方向矢量位于光学镜面上抛光点的法线上,因此方向矢量H(U。
,“,,“:)满足法线方程,即:≮上=≮三一!铲.…)DDD‘…7同时,方向矢量H(U;,“,,“:)存在下述关系:“,2+“:+“:一1.(14)实际加工中,抛光点在平面o。
X。
y。
上的位置是人为给定的,即P,和P。
已知,这样,根据方程(5)、(6)、(7)、(8)、(9)联立方程(11)、(13)、(14)就能解出抛光轮要达到指定抛光点所需的各轴运动坐标:以=arctan(一P,∥Fi弼)0a=arcsin(P:/R)‘一以+RⅢsin0B,(15)S一户y一(R,+R。
CO¥如)sinOAs#;/窿=了事=巧+(Rf+R。
COS0B)COS0a3.2四轴联动近似插补在进行光学镜面的磁流变抛光时,光学镜面的面形误差一般都不呈回转对称分布,或者说光学镜面的非回转对称误差在其面形精度达到一定要求后会表现得越来越明显。
基于磁流变抛光法的光学元件抛光专利技术综述随着光电子科技的迅猛发展,光学元件的制造技术也在不断向前发展。
在光学元件的制造过程中,抛光是一个非常重要的工艺步骤,影响着光学元件的表面质量、形状精度和光学性能。
传统的光学元件抛光方法存在着一定的局限性,而磁流变抛光法则是一种新型的抛光技术,其基于磁流变效应,可以实现对光学元件的高效抛光。
本文将从磁流变抛光技术的基本原理、应用现状以及相关专利技术进行综述,以期为相关领域的研究提供一定的参考和借鉴。
一、磁流变抛光技术的基本原理磁流变效应是指在磁场的作用下,磁流变材料的流变应力发生变化的效应。
磁流变材料是一类特殊的材料,当它处于磁场中时,可以通过改变磁场的强度和方向来控制其流变应力的大小和方向。
磁流变材料具有较高的灵活性和可调节性,因此在光学元件抛光中引入磁流变材料可以实现对抛光过程的精确控制。
磁流变抛光技术主要包括以下几个步骤:首先是将磁流变材料与磨削磨粉混合物混合,形成磨削液;然后将光学元件与磨削液放置在磁场中进行抛光,通过改变磁场的强度和方向来调节磁流变材料的流变应力,从而控制抛光过程中磨损的形态和速度;最后是清洗和表面处理,以获得最终的光学元件。
磁流变抛光技术的核心在于对磁流变材料的流变特性进行精确控制,在磁场的调节下实现对光学元件表面的高效抛光。
这种技术不仅可以有效减小表面的粗糙度,提高光学元件的光学性能,而且可以实现对光学元件形状的精确修整,满足不同光学器件对表面质量和形状精度的要求。
目前,磁流变抛光技术已在光学元件制造领域得到了较为广泛的应用。
以抛光镜片为例,磁流变抛光技术可以用于调整镜片的表面形貌、提高其光学性能,使得镜片在激光器、望远镜、测量仪器等领域具有更为优越的应用价值。
磁流变抛光技术还可用于对光学晶体的表面进行抛光。
晶体制品由于材料本身的特殊性,通常具有较强的吸湿性和易溶性,采用传统的抛光方法往往难以获得理想的抛光效果,而磁流变抛光技术的可控性可以在一定程度上解决这一难题,使得晶体表面的抛光更为精细。
磁流变抛光工艺优化及关键技术研究与应用一、引言磁流变抛光工艺作为一种新型的表面加工技术,在材料加工领域取得了广泛的应用。
它利用磁流变液体的流变特性,结合磁场作用,实现对工件表面的精密抛光。
本文将就磁流变抛光工艺的优化及关键技术进行深入探讨,并探讨其在实际应用中的研究和发展。
二、磁流变抛光工艺概述磁流变抛光是一种集机械、液压、磁力于一体的新型表面处理技术,其基本原理是在磁流变液的作用下,通过控制磁场的变化,调节磁流变液的粘度,实现对工件表面的抛光。
研究表明,磁流变抛光工艺能够显著提高工件表面的光洁度和精度,并且具有能耗低、加工成本低等优点。
三、磁流变抛光工艺优化1. 工艺参数优化磁流变抛光工艺中,工艺参数的选择对抛光效果起着至关重要的作用。
磁场强度、磁流变液的粘度、工件的转速等参数的选择都会直接影响抛光效果。
通过对这些工艺参数进行优化,可以有效提高磁流变抛光工艺的效率和质量。
2. 磁流变液的选择和优化磁流变液作为磁流变抛光的重要工作介质,其性能直接关系到抛光效果。
对磁流变液的选择和优化是磁流变抛光工艺优化的关键之一。
在实际应用中,需根据工件的材料特性和抛光要求,选择合适的磁流变液,并通过磁流变液的稳定性、粘度、流变特性等性能进行优化。
4. 抛光头设计与优化抛光头是磁流变抛光设备中的关键部件,其设计与优化直接影响着抛光效果。
通过合理设计抛光头的结构和参数,可以实现对工件表面的精密抛光,提高抛光效率和质量。
四、磁流变抛光工艺关键技术研究与应用1. 磁流变抛光的自动化控制技术为了提高磁流变抛光的生产效率和稳定性,磁流变抛光设备需要具备自动化控制技术。
通过对磁场、磁流变液流量、工件转速等参数进行智能控制,可以实现抛光过程的自动化和精密控制。
2. 磁流变抛光的在线检测技术在线检测技术是磁流变抛光工艺中的关键技术之一,通过对抛光过程中工件表面质量的实时监测和检测,可以及时发现问题并进行调整,保证抛光效果的稳定和一致性。
磁流变抛光技术在SiC晶片加工工艺中的应用研究作者:赵卫豆立博刘玲来源:《价值工程》2018年第11期摘要:碳化硅作为新兴的一种第三代半导体材料,现已在电力电子行业得到非常广泛的应用。
碳化硅应用技术的发展趋势必然会对晶片表面状况有着越来越高的要求,而这将是目前亟待解决的问题。
本文简单介绍机械抛光、机械化学抛光、重点分析磁流变抛光技术原理,并通过大量试验得到碳化硅晶片通过磁流变抛光技术无论是晶片表面状况还是工作效率均有了很大的提高,这对该技术应用到实际生产中有很好的指导和参考意义。
Abstract: As one of the third generation semiconductor materials, silicon carbide has been widely used in the power electronics industry. The development trend of silicon carbide application technology is bound to have higher and higher requirements on the wafer surface condition, which will be an urgent problem to be solved. This paper introduces the mechanical polishing, chemical mechanical polishing, focuses on the analysis of principle of magnetorheological polishing technology, and through a lot of experiments obtained by silicon carbide wafer magnetorheological polishing technology regardless of wafer surface conditions or the working efficiency has been greatly improved, it should be used in the actual production has a good guide and reference for the technology.关键词:碳化硅;晶片表面;磁流变抛光Key words: SiC;wafer surface;magnetorheological finishing中图分类号:O786 文献标识码:A 文章编号:1006-4311(2018)11-0222-020 引言碳化硅半导体材料作为继第一代和第二代半导体材料后快速发展起来的第三代宽带隙半导体核心材料,具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、击穿电场强度高、相对介电常数低、抗辐射能力强等特点。
矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。
如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。
㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。
(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。
如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。
对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。
二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。
2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。
㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。
2、矿产品价格稳定性及变化趋势。
三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。
2、矿区矿产资源概况。
3、该设计与矿区总体开发的关系。
㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。
2、矿床开采技术条件及水文地质条件。