面向RF IC的片上铁氧体磁膜电感

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第19卷第5期 2006年10月 传感技术学报 CHINESE JOURNAL OF SENSORS AND ACTUATORS Vo1.19 No.5 0ct.2006 

On-Chip Integrated Inductors with Ferrite Thin-Films for RF IC 

YANG Chen,L儿 Feng,REN Tian—ling ,LIULi—tian (Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China) 

Abstract:On-chip RF integrated inductors with kinds of ferrite thin-films(Nio.4 Zn0.4 Cuo.2 Fe2 O4,Y2.8 Bio.2 Fe5 O12 and Co7 ZrO9)have been fabricated using IC compatible processes.The ferrite thin-films prepared 

by spin-coated method show good magnetic performance for RF inductor applications.The high—frequency 

characteristics of inductor samples are tested,compared and analyzed using the equivalent circuit.The ex— 

periments demonstrate that,ferrite thin-film integration improves the inductor performance significantly, which is a promising way to achieve super compact high-performance on--chip inductors for RF IC. 

Key words:Ferrite thin-film;Inductor;RF IC 

EEACC:3110E;2140;2570D 

面向RF IC的片上铁氧体磁膜电感 

杨 晨,刘 锋,任天令 ,刘理天 

(清华大学微电子学研究所,北京100084) 

摘 要:采用集成工艺制作了片上铁氧体磁膜(Ni。 Zno Cuo。Fe。04,Y .。Bi Fe O 和Co ZrO9)射频微电感.铁氧体薄膜采 用溶胶凝胶法制作,高频特性较好,适于片上电感的应用.对电感样品进行了测试和等效电路分析,结果表明,与无磁膜结构 相对比,铁氧体磁膜电感显著增强了电感性能,是一种实现小尺寸、高性能片上RF IC电感的很有前景的途径. 关键词:铁氧体薄膜;电感;射频集成电路 

中图分类号:TN409 文献标识码:A 文章编号:1004—1699(2006)05—1930—04 

集成电感是射频集成电路(RF IC)最基础的无 

源元件.目前,要实现足够大电感值(L)、足够高品 

质因数(Q)、足够小面积的集成微电感依然存在很 

大难度,阻碍了RF电路的发展和集成片上系统 

(SOC)的实现.目前,集成微电感的发展主要存在两 

个困难问题.第一是面积问题.为了达到数nH以上 

的电感值,片上平面螺旋电感通常需要占据数百微 

米见方的硅片面积,影响了RF电路的高度集成和 

低成本化.第二是性能问题.在RF频段,片上电感 

存在很大的衬底损耗和寄生效应,大大降低了电感 

的品质因数(通常小于10),影响了电路的整体性 

能.为解决第一个问题,研究者使用了叠层电感结 构_1]来压缩所占芯片面积.对于第二个问题,人们研 究了多种方法来减小损耗.如使用MEMS工艺制作 

悬浮或螺线管结构、采用特殊高阻衬底、引人图形化 金属屏蔽等等_2。].采用这些方法虽然取得了一些实 

质性的进展,但依然难以实现高集成度、高性能和工 

艺全兼容的统一.将高频软磁材料集成到RF微电 

感中,是解决上述问题的一种新方案_4].软磁材料可 

以增大磁通密度,减小磁通泄漏,提高电感量并降低 

损耗.作为初步的探索,采用软磁合金膜及颗粒膜的 

高频电感已经有所报道,如Cos Nd zZr。合金膜_5 ], 

Co-Pd-Al—O合金膜_7],坡莫合金-SiO2颗粒膜 

等_8].然而,上述合金或颗粒膜的电阻率很低(<lf2 

・cm),在高频下将产生很大的涡流损耗,严重限制 了Q的改善.与之相比,高频软磁铁氧体材料的突 

收稿日期:2006—07—01 基金项目:美国自然科学基金资助(0302449);中国自然科学基金资助(90607021) 作者简介:杨晨(1981一),男,博士研究生,主要从事射频器件与电路的研究,yangchen99@mails.thu.edu.cn 任天令(1971一),男,教授,博士生导师(通讯联系人),RenTL@tsinghua.edu.cn.

 维普资讯 http://www.cqvip.com 第5期 杨晨,刘 锋等:面向RF IC的片上铁氧体磁膜电感 1931 

出优点是电阻率很高(>1O Q・cm),在RF频段的 

涡流损耗可以忽略,因而具有应用在射频电感的潜 力. 本文制作了多种片上铁氧体磁膜射频电感 

(Nio.4 Zno.4 Cuo.2 Fe204,Y2.8 Bi0.2 Ol2和 Z ). 对电感样品进行了测试和等效电路分析,结果表明, 

铁氧体磁膜的集成显著增强了片上电感的性能. 

1 设计 

作为铁氧体磁膜电感的初步研究,设计了单层 

单圈的简单线圈结构.器件各层依次为:硅衬底/二 

氧化硅/铁氧体磁膜/铜线圈,如图1所示. 

InduccorcOil Test pads 

芒 l r . 蹿州 Si-substrate 

(a)线圈及测试pad (b)剖面图 图1铁氧体磁膜电感结构 制作的电感结构参数如表1所示,包括线圈长度 

f,内径di ,线宽叫,金属厚度t,氧化层厚度 及磁膜 

厚度 .使用Nio.4Zno.4Cuo.2Fe2 O4、Y2.8 .2 Ol2和 

C西 。磁膜的电感样品分别简称为NI-L、Y-I 和Co- 

L由于工艺制作批次不同,Ni—L与Y-L及Co-L的部 

分结构尺寸参数并不相同.作为对比,制作了无磁膜的 

参考样品.NH 的对比电感为R-1,Y-I 和Co-L的对 比样品为R-2. 

表1铁氧体磁膜电感及对比电感的结构参数 

图2(a)是常见片上平面螺旋电感电感Ⅱ型等 

效电路[9],其中L 和R 分别是金属线圈的串联电 

感和串联电阻.C 是前馈电容,主要部分是线圈和 

中心引出线之间的电容.C口和R口表征线圈和衬底 

之间的阻抗,包括氧化层电容、衬底电容和电阻.图 

2(b_)是基于上述电路提出的铁氧体磁膜电感等效 

电路模型.相比于图2(a)所示电路,该电路增加了 Lm、R 、 。等元件.Lm代表磁性薄膜对线圈电感 

值的贡献,在尺寸固定的情况下由磁膜的磁导率 

决定.R 代表加入磁膜引起的等效串联电阻的增加 量,主要由磁膜的磁损耗即磁导率虚部/x' 引起.铁 

氧体薄膜具有介电性,因此在线圈和中心引出线之 

间增加了磁膜前馈电容CmI .同样,磁膜在线圈与 

衬底之间也引入额外的层间电容,因此其等效阻抗 

元件由Cp和R 变为Cp 和R .由于铁氧体具有很 

高的电阻率,因此忽略铁氧体磁膜内部的欧姆损耗. 使用镜像电流积分方法_1 ,可以推出L 一a・ 

L ,其中a为0到1之间的系数.a不仅由磁膜磁导 率和电导率决定,同时受到磁膜厚度及其它结构参 

数的影响.对于半无限厚绝缘磁膜衬底的极端情况 

而言,a等于( 一1)/( +1),当磁导率充分大时,a 

接近于l,这:表明单层磁材料电感感值的最大提升 

量接近约为】O0 .Q的变化受到电路所有元件的 

影响.在远低于自谐振频率 的工作频段,Q值约 为cUL /R .对于铁氧体磁膜电感,该项的分子分母 

都被增大.当磁损耗较小时,由L 到L +L 的变 

化占优势地位,从而使得Q值获得增大. 

(a)普通空气芯平面螺旋 (b)铁氧体磁膜电感 电感的等效电路 的等效电路 图2 

2 实验 

铁氧体磁膜采用溶胶一凝胶法(Sol—Ge1)制作. 

Sol—Gel法工艺简单、成本低、易于调整和精确控制 

材料组分.使用快速热处理工艺(RTP)对磁膜进行 晶化,可以有效避免持续高温对电路的影响.以 

Ni叫Zno, Cu。.2Fe 04薄膜为例说明薄膜制作流程. 

将按组分配比的硝酸镍、乙酸锌、硝酸铜和硝酸铁溶 

于二甲基甲酰胺、醋酸和水的混合液,浓度为0.3 mol/I .加入PVP(Polyvinglpyrrolidone)粉末作为 

分散剂,防止溶解离子凝聚.将上述溶液充分搅拌后 静置.随后将溶液旋涂在衬底表面,并在l2O℃和 

400℃下依次热解lO和30 rain.再在750℃下快速 

退火5 rain,晶化形成铁氧体薄膜.重复上述过程, 

直至磁膜厚度达到设计参数. 

使用HP4921A和HP4191A阻抗分析仪测试 了铁氧体瓷环的相对磁导率和介电常数,结果如表 

2所示.由表可见,上述三种材料在l GHz频率下 

具有一定的磁导率,介电常数较小,适于片上电 删 m~ F t

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感的应用. 

表2铁氧体材料的磁导率和介电常数 

电感样品的整体制作工艺如图3所示.以Yz.s 

Bi0.2Fe O 磁膜电感为例,首先在N型(100)高阻硅 

(电阻率900 Q・cm)衬底上进行热氧化,生长厚度 为5000 A的SiO 绝缘层;用溶胶凝胶法制备Yz 8 

Bi0.2Fe5O。2磁膜,厚度8000 A;溅射1500 A的Cu/ 

Ti,作为电镀用种子层;正胶光刻;电镀4 m的Cu 

线圈;用丙酮去除光刻胶;利用湿法腐蚀方法去除图 

形外种子层,清洗后得到磁膜结构微电感.同批制备 了无磁膜微电感作为对比,并取各项结构参数与磁 

膜微电感相一致.与有磁膜电感相比,仅在工艺步骤 

中去掉了磁膜制备步骤.图4所示为磁膜电感的扫 

描电镜照片. 

YBiFeO Seed layer 

_—— I Si.Substrate l I Si.Substrate I l Si-Substrate I (a)热氧化 (b)磁膜制备 (c)种子层溅射 photoresist Cu 

(d)正胶铸膜 (e)cu电镀 (f)去除正胶和图形外种子层 

图3 Y2.8Bi0_2Fe5O。2磁膜电感的制作工艺 

图4 Y2 8Bio.2Fes0l2磁膜电感的扫描电镜照片 

3结果与讨论 

采用Agilent E8358A型网络分析仪Cascade 

GSG微波探针测量电感的二端口散射(S)参数,再 

将所测量的S参数转化成Y参数,测量频率范围为 

100 MHz到9 GHz.由于采用单层金属线圈结构, 

因此器件不存在前馈电容,从而忽略C 和 ,于 

是等效电路每条支路均包含两个元件.根据图5所 示的流程提取和计算各元件值、总电感L、总电阻R 和Q值.系统特征阻抗为50 Q.