面向RF IC的片上铁氧体磁膜电感
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第19卷第5期 2006年10月 传感技术学报 CHINESE JOURNAL OF SENSORS AND ACTUATORS Vo1.19 No.5 0ct.2006
On-Chip Integrated Inductors with Ferrite Thin-Films for RF IC
YANG Chen,L儿 Feng,REN Tian—ling ,LIULi—tian (Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China)
Abstract:On-chip RF integrated inductors with kinds of ferrite thin-films(Nio.4 Zn0.4 Cuo.2 Fe2 O4,Y2.8 Bio.2 Fe5 O12 and Co7 ZrO9)have been fabricated using IC compatible processes.The ferrite thin-films prepared
by spin-coated method show good magnetic performance for RF inductor applications.The high—frequency
characteristics of inductor samples are tested,compared and analyzed using the equivalent circuit.The ex—
periments demonstrate that,ferrite thin-film integration improves the inductor performance significantly, which is a promising way to achieve super compact high-performance on--chip inductors for RF IC.
Key words:Ferrite thin-film;Inductor;RF IC
EEACC:3110E;2140;2570D
面向RF IC的片上铁氧体磁膜电感
杨 晨,刘 锋,任天令 ,刘理天
(清华大学微电子学研究所,北京100084)
摘 要:采用集成工艺制作了片上铁氧体磁膜(Ni。 Zno Cuo。Fe。04,Y .。Bi Fe O 和Co ZrO9)射频微电感.铁氧体薄膜采 用溶胶凝胶法制作,高频特性较好,适于片上电感的应用.对电感样品进行了测试和等效电路分析,结果表明,与无磁膜结构 相对比,铁氧体磁膜电感显著增强了电感性能,是一种实现小尺寸、高性能片上RF IC电感的很有前景的途径. 关键词:铁氧体薄膜;电感;射频集成电路
中图分类号:TN409 文献标识码:A 文章编号:1004—1699(2006)05—1930—04
集成电感是射频集成电路(RF IC)最基础的无
源元件.目前,要实现足够大电感值(L)、足够高品
质因数(Q)、足够小面积的集成微电感依然存在很
大难度,阻碍了RF电路的发展和集成片上系统
(SOC)的实现.目前,集成微电感的发展主要存在两
个困难问题.第一是面积问题.为了达到数nH以上
的电感值,片上平面螺旋电感通常需要占据数百微
米见方的硅片面积,影响了RF电路的高度集成和
低成本化.第二是性能问题.在RF频段,片上电感
存在很大的衬底损耗和寄生效应,大大降低了电感
的品质因数(通常小于10),影响了电路的整体性
能.为解决第一个问题,研究者使用了叠层电感结 构_1]来压缩所占芯片面积.对于第二个问题,人们研 究了多种方法来减小损耗.如使用MEMS工艺制作
悬浮或螺线管结构、采用特殊高阻衬底、引人图形化 金属屏蔽等等_2。].采用这些方法虽然取得了一些实
质性的进展,但依然难以实现高集成度、高性能和工
艺全兼容的统一.将高频软磁材料集成到RF微电
感中,是解决上述问题的一种新方案_4].软磁材料可
以增大磁通密度,减小磁通泄漏,提高电感量并降低
损耗.作为初步的探索,采用软磁合金膜及颗粒膜的
高频电感已经有所报道,如Cos Nd zZr。合金膜_5 ],
Co-Pd-Al—O合金膜_7],坡莫合金-SiO2颗粒膜
等_8].然而,上述合金或颗粒膜的电阻率很低(<lf2
・cm),在高频下将产生很大的涡流损耗,严重限制 了Q的改善.与之相比,高频软磁铁氧体材料的突
收稿日期:2006—07—01 基金项目:美国自然科学基金资助(0302449);中国自然科学基金资助(90607021) 作者简介:杨晨(1981一),男,博士研究生,主要从事射频器件与电路的研究,yangchen99@mails.thu.edu.cn 任天令(1971一),男,教授,博士生导师(通讯联系人),RenTL@tsinghua.edu.cn.
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出优点是电阻率很高(>1O Q・cm),在RF频段的
涡流损耗可以忽略,因而具有应用在射频电感的潜 力. 本文制作了多种片上铁氧体磁膜射频电感
(Nio.4 Zno.4 Cuo.2 Fe204,Y2.8 Bi0.2 Ol2和 Z ). 对电感样品进行了测试和等效电路分析,结果表明,
铁氧体磁膜的集成显著增强了片上电感的性能.
1 设计
作为铁氧体磁膜电感的初步研究,设计了单层
单圈的简单线圈结构.器件各层依次为:硅衬底/二
氧化硅/铁氧体磁膜/铜线圈,如图1所示.
InduccorcOil Test pads
芒 l r . 蹿州 Si-substrate
(a)线圈及测试pad (b)剖面图 图1铁氧体磁膜电感结构 制作的电感结构参数如表1所示,包括线圈长度
f,内径di ,线宽叫,金属厚度t,氧化层厚度 及磁膜
厚度 .使用Nio.4Zno.4Cuo.2Fe2 O4、Y2.8 .2 Ol2和
C西 。磁膜的电感样品分别简称为NI-L、Y-I 和Co-
L由于工艺制作批次不同,Ni—L与Y-L及Co-L的部
分结构尺寸参数并不相同.作为对比,制作了无磁膜的
参考样品.NH 的对比电感为R-1,Y-I 和Co-L的对 比样品为R-2.
表1铁氧体磁膜电感及对比电感的结构参数
图2(a)是常见片上平面螺旋电感电感Ⅱ型等
效电路[9],其中L 和R 分别是金属线圈的串联电
感和串联电阻.C 是前馈电容,主要部分是线圈和
中心引出线之间的电容.C口和R口表征线圈和衬底
之间的阻抗,包括氧化层电容、衬底电容和电阻.图
2(b_)是基于上述电路提出的铁氧体磁膜电感等效
电路模型.相比于图2(a)所示电路,该电路增加了 Lm、R 、 。等元件.Lm代表磁性薄膜对线圈电感
值的贡献,在尺寸固定的情况下由磁膜的磁导率
决定.R 代表加入磁膜引起的等效串联电阻的增加 量,主要由磁膜的磁损耗即磁导率虚部/x' 引起.铁
氧体薄膜具有介电性,因此在线圈和中心引出线之
间增加了磁膜前馈电容CmI .同样,磁膜在线圈与
衬底之间也引入额外的层间电容,因此其等效阻抗
元件由Cp和R 变为Cp 和R .由于铁氧体具有很
高的电阻率,因此忽略铁氧体磁膜内部的欧姆损耗. 使用镜像电流积分方法_1 ,可以推出L 一a・
L ,其中a为0到1之间的系数.a不仅由磁膜磁导 率和电导率决定,同时受到磁膜厚度及其它结构参
数的影响.对于半无限厚绝缘磁膜衬底的极端情况
而言,a等于( 一1)/( +1),当磁导率充分大时,a
接近于l,这:表明单层磁材料电感感值的最大提升
量接近约为】O0 .Q的变化受到电路所有元件的
影响.在远低于自谐振频率 的工作频段,Q值约 为cUL /R .对于铁氧体磁膜电感,该项的分子分母
都被增大.当磁损耗较小时,由L 到L +L 的变
化占优势地位,从而使得Q值获得增大.
(a)普通空气芯平面螺旋 (b)铁氧体磁膜电感 电感的等效电路 的等效电路 图2
2 实验
铁氧体磁膜采用溶胶一凝胶法(Sol—Ge1)制作.
Sol—Gel法工艺简单、成本低、易于调整和精确控制
材料组分.使用快速热处理工艺(RTP)对磁膜进行 晶化,可以有效避免持续高温对电路的影响.以
Ni叫Zno, Cu。.2Fe 04薄膜为例说明薄膜制作流程.
将按组分配比的硝酸镍、乙酸锌、硝酸铜和硝酸铁溶
于二甲基甲酰胺、醋酸和水的混合液,浓度为0.3 mol/I .加入PVP(Polyvinglpyrrolidone)粉末作为
分散剂,防止溶解离子凝聚.将上述溶液充分搅拌后 静置.随后将溶液旋涂在衬底表面,并在l2O℃和
400℃下依次热解lO和30 rain.再在750℃下快速
退火5 rain,晶化形成铁氧体薄膜.重复上述过程,
直至磁膜厚度达到设计参数.
使用HP4921A和HP4191A阻抗分析仪测试 了铁氧体瓷环的相对磁导率和介电常数,结果如表
2所示.由表可见,上述三种材料在l GHz频率下
具有一定的磁导率,介电常数较小,适于片上电 删 m~ F t
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感的应用.
表2铁氧体材料的磁导率和介电常数
电感样品的整体制作工艺如图3所示.以Yz.s
Bi0.2Fe O 磁膜电感为例,首先在N型(100)高阻硅
(电阻率900 Q・cm)衬底上进行热氧化,生长厚度 为5000 A的SiO 绝缘层;用溶胶凝胶法制备Yz 8
Bi0.2Fe5O。2磁膜,厚度8000 A;溅射1500 A的Cu/
Ti,作为电镀用种子层;正胶光刻;电镀4 m的Cu
线圈;用丙酮去除光刻胶;利用湿法腐蚀方法去除图
形外种子层,清洗后得到磁膜结构微电感.同批制备 了无磁膜微电感作为对比,并取各项结构参数与磁
膜微电感相一致.与有磁膜电感相比,仅在工艺步骤
中去掉了磁膜制备步骤.图4所示为磁膜电感的扫
描电镜照片.
YBiFeO Seed layer
_—— I Si.Substrate l I Si.Substrate I l Si-Substrate I (a)热氧化 (b)磁膜制备 (c)种子层溅射 photoresist Cu
(d)正胶铸膜 (e)cu电镀 (f)去除正胶和图形外种子层
图3 Y2.8Bi0_2Fe5O。2磁膜电感的制作工艺
图4 Y2 8Bio.2Fes0l2磁膜电感的扫描电镜照片
3结果与讨论
采用Agilent E8358A型网络分析仪Cascade
GSG微波探针测量电感的二端口散射(S)参数,再
将所测量的S参数转化成Y参数,测量频率范围为
100 MHz到9 GHz.由于采用单层金属线圈结构,
因此器件不存在前馈电容,从而忽略C 和 ,于
是等效电路每条支路均包含两个元件.根据图5所 示的流程提取和计算各元件值、总电感L、总电阻R 和Q值.系统特征阻抗为50 Q.