基本存 储电路
刷新放大器
列选择信号
T2
数据输入输出 Dn
读 该行上所有T1导通,刷新放
大器读取对应存储电容上的电压 值,并将此电压值放大转换至对 应的逻辑电平0或l。然后,再重 写到存储电容上。只有(列信号) T2导通才能将其送出
A[m-1,0]
l 片内结构
X0
XX
地地
址址
寄 存
译 码
Xp-1
器器
存储器的存取速度
AB CS Dout
tRC tA
tCO
tOHA
读周期
min max (ns)
tRC 读周期 200
tA 读取时间
T6 A
T3
D
Xi VDD
T2
B T5
T1
Yi
D
速度快,结构复杂,价格偏高,集成度低
动态存储器DRAM
电容储存电荷原理
行、列选择信号有 效,T1、T2通;
电容上电荷代表的 数据可送出(读); 或由数据线送入 (写);
为防止电荷泄漏, 需定时刷新。此时行 信号有效,列信号无 效(逐行进行)
行选择信号 T1
……
…… ……
X0
D0,0 ……
ห้องสมุดไป่ตู้D0,m-1
Xm1-1
D0,n-1 Dn-1,m-1
D[n-1,0]
d0
d1
数双 据向
缓
dn-1
冲 器
三 态
RAM m*n 单译码
读写控制逻辑 R/W CS
A[m1-1,0]
RAM m*1 双译码 m2m1m2 (单元数)
X0
XX 地地
X0
D0,0 ……