单晶硅高速走丝电火花线切割试验研究
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第40卷第6期2008年12月 南 京 航 空 航 天 大 学 学 报Jou rnal of N an jing U n iversity of A eronau tics &A stronau ticsV o l .40N o.6 D ec .2008单晶硅高速走丝电火花线切割试验研究刘志东 汪 炜 邱明波 田宗军 黄因慧(南京航空航天大学机电学院,南京,210016)摘要:研究了基于复合工作液的高速走丝电火花线切割(W EDM 2H S )对单晶硅切割的形貌特征及工艺规律。
试验表明W EDM 2H S 对低电阻率单晶硅切割具有效率高、切缝窄、厚度薄且无明显表面微裂纹等特性,在硅表面放电凹坑内由于高温电解作用会形成密集、壁面光滑且高深径比的微孔洞结构。
该工艺将在宏观方面为单晶硅大尺寸超薄高效切割,在微观方面为在单晶硅上加工出具有高深径比微孔洞结构提供研究思路。
关键词:电火花;硅;复合工作液;高效切割;微孔中图分类号:T G 661 文献标识码:A 文章编号:100522615(2008)0620758205 基金项目:江苏省高技术研究计划(BG 2007004)资助项目。
收稿日期:2007207217;修订日期:2007209207 作者简介:刘志东,男,副教授,1966年3月生,E 2m ail :liuti m @nuaa .edu .cn 。
Exper i m en ta l Research of W EDM -HS on M onocrysta l Sil icon Cutti ngL iu Z h id ong ,W ang W ei ,Q iu M ing bo ,T ian Z ongjun ,H uang Y inhu i(Co llege of M echanical and E lectrical Engineering ,N anjing U niversity of A eronautics &A stronautics ,N anjing ,210016,Ch ina )Abstract :M o rp ho logy featu re and p rocessing ru le of cu t m ono 2crystal silicon (m c 2Si )based on com p lex dielectric flu id u sed in w ire cu t electric discharge m ach in ing w ith h igh traveling speed (W EDM 2H S )is re 2searched .T he resu lt show s that W EDM 2H S p rocesses on m c 2Si w ith low resistivity have good charac 2teristics of the h igh efficiency ,th in th ickness ,narrow gap ,no obvi ou s su rface m icro 2crack s ,and den se m icropo rou s w ith s m oo th w all and h igh aspect rati o becau se of h igh 2tem peratu re electro lysis on su rface discharge den ts .L arge size and u ltra 2th in m c 2Si cu tting is innovated in the m acro scop ic aspect .T he p ro 2cessing m icropo rou s structu re w ith h igh asp ect rati o on silicon m aterials is developed on the m icro scop ic asp ect .Key words :w ire 2EDM (electric discharge m ach in ing );m ono 2crystal silicon ;com p lex dielectric flu id ;h igh efficiency slicing ;m icropo ro sity引 言目前硅片切割方法主要有:内圆切割(I D saw )和多线切割(W ire saw ),切割原理分别如图1,2所示。
而电火花线切割(W EDM )硅片切割技术则是目前国外硅片切割研究的一种新方法,低速走丝电火花线切割(W EDM 2L S)硅片切割技术在国外已有报道[126]。
表1概括了上述3种方法切割硅片的性能对比[126]。
由表1可以看出,由于W EDM 2L S 加工是利用图1 硅片内圆切割原理图工件和电极丝之间的脉冲性火花放电,产生瞬间高图2 硅片多线切割原理图温使硅材料局部熔化或气化从而达到加工目的。
它是一种与晶向无关、非接触、宏观加工力很小的加工方式,理论上讲,采用W EDM2L S切割,硅片厚度可以达到很薄,与内圆切割和多线切割相比, W EDM2L S方法在硅片最小切割厚度及减少翘曲方面具有较大的优势。
并通过试验证明用线切割放电加工法得到的硅片总厚度变化(T TV)和弯曲程度(W arp)与多线切割的几乎一样,切缝造成的硅材料损失与多线切割法得到的数值相当[7]。
但国外的相关研究中均采用去离子水作为工作介质,单脉冲放电能量较大,硅片表面存在明显的显微裂纹,加工效率不高(最高切割效率<110mm2 m in)。
表1 三种硅片切割方法对比切割方法多线切割内圈切割电火花切割切割原理磨料研磨金刚石沉积刀片切磨火花放电材料电阻率8・c m0~∞0~∞0~10表面织构切痕剥落,破碎放电凹坑损伤层厚度 Λm25~3535~4015~25切割效率 (mm2 m in-1)180~360(单片时)30~6575~110切割硅片最小厚度 Λm250350250适合切割硅片高度 mm200~300<200200硅片翘曲轻微严重轻微切缝宽度 Λm150~210300~500280~290 (丝径250)切割片数多片单片单片或多片 目前作为硅片切割主流技术的多线切割其切割过程中仍是以金刚砂粒切磨硅材料,金刚砂切磨硅材料时必然会产生切削反力并使非刚性的钢丝线产生变形,然后释放变形,从而对脆性硅材料表面产生冲击,此外大尺寸硅材料切割时钢丝线还会受到冷却条件限制,上述因素都使得尺寸300mm 以上,厚度300Λm以下的大尺寸超薄硅片切割非常困难[122,8210]。
要使目前的大尺寸硅片切割厚度进一步降低,并减少切缝损耗,实现低成本高效切割,技术难度相当大。
所以开展大尺寸超薄硅片切割方法的创新研究,已成为当前晶硅产业降低生产成本和提高生产效率的迫切需求和国际研究热点。
高速走丝电火花线切割(W EDM2H S)是具有我国自主知识产权的电加工方式,具有较高的性价比以及使用方便等特点,初步试验结果表明: W EDM2H S对在电阻率数欧姆・厘米(8・c m)范围内的硅片切割具有明显的优势。
1 W EDM-HS硅片切割形貌分析111 试验设备、条件 本课题组在国内率先开展了硅片电火花电解复合切割研究,采用W EDM2H S,通过研究切割方式、工作液类型、电源及控制策略等因素对硅表面质量和加工效率的影响,以掌握减少切割表面显微裂纹及热影响区等关键技术为研究目标,进行了单晶硅(电阻率:01038・c m)切割的前期研究工作(目前最高切割效率>600mm2 m in)。
试验系统如图3所示,在传统的W EDM2H S机床上进行了如下改进措施:首先在运丝系统上增加电极丝导向器及电极丝恒张力装置,目的在于避免传统W EDM2H S 电极丝来回换向而产生的电极丝空间位置变化导致的硅片切割表面机械换向条纹的出现;其次由于传统W EDM2H S工作介质一般采用含油5%左右图3 W EDM2H S硅片切割试验系统示意图的乳化液,在放电加工时伴随着放电通道内10000℃以上的高温,乳化液中的矿物油将分解生成大量的高分子化合物,并与蚀除产物反应生成胶体状物质,这些物质将粘附在切缝内严重影响新鲜工作介质的进入及电蚀产物的排出,并使两极间工作介质不能正常流动,导致切割速度下降,工件表面加工质量恶化,电极丝损伤,耐用度下降,严重时引起电957第6期刘志东,等:单晶硅高速走丝电火花线切割试验研究极丝烧断。
一旦断丝,将在硅片表面产生接痕,导致硅片报废。
因此为克服使用乳化液在硅片切割时产生的上述问题,已经研发出具有良好洗涤能力的复合工作液[11],该工作液能在切割时使放电间隙内均匀地充满工作介质,维持极间冷却的均匀性,同时进一步提高切割效率和切割厚度并使得在正常使用寿命范围内不断丝;第三,复合工作液具有较高的电导率,在配比1∶15时其电导率为115m s ・c m 21,而乳化液在同配比时电导率为0118m s ・c m 21,因此复合工作液可以在放电切割的同时对硅片表面进行较强的电解复合加工,采集到的使用复合工作液的典型极间加工波形如图4所示,可看出在正常加工情况下,有较多比例的脉冲起到电解复合加工的作用。
图4 复合工作液硅片切割加工波形图112 微观形貌分析试验中还进行了W EDM 2L S与W EDM 2H S 对单晶硅切割的对比试验,切割后表面显微照片如图5,6所示。
图5 W EDM 2L S 硅片切割表面形貌由图5可看出采用去离子水为工作介质的W EDM 2L S 切割后硅片的表面粗糙、松散并存在明显显微裂纹。
图6是W EDM 2H S 采用复合工作液切割后形成的表面微观形貌,可看出硅片表面完整性较好,无明显显微裂纹,且由于工作介质具有较高的电导率,在电火花加工的同时可以对硅表面起到较强的电解复合加工作用,从而达到提高表面平整性,减少热影响区的目的。
在图6中还发现,表面在放电凹坑内还存在密集、壁面光滑且较小的二次孔洞,其放大的显微照片如图7所示,垂直加工面剖开后侧面的显微照片如图8所示。
可观察到形成的二次孔洞直径可以小于1Λm (图7),从图8剖面照片可以看到,在表面产生的二次孔洞已穿透侧面,因此其深度大于10Λm,由于形成的孔洞壁面十分光滑,因此初步分析认为这主要是在电火花放电加工的同时,由于复合工作液较强的电解作用并伴随着在很高温度环境下产生的局部高温电解复合加工的结果。
图6 W EDM 2H S 硅片切割表面形貌图7 硅片表面放电凹坑内二次孔洞结构图8 硅片剖面具有高深径比微孔群因此该种电火花电解复合加工的原理有可能会形成一种在硅材料上加工出具有高深径比微孔的新工艺,为开发并制造出具有大深宽比和真三维结构的微型硅材料器件提供一种有参考价值的加067南 京 航 空 航 天 大 学 学 报第40卷工方式。