模拟电子电路及技术基础第二版答案孙肖子第3章
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电子技术基础1.1 检验学习结果1、什么是本征激发?什么是复合?少数载流子和多数载流子是如何产生的?答:由于光照、辐射、温度的影响而产生电子—空穴对的现象称为本征激发;同时进行的价电子定向连续填补空穴的的现象称为复合。
掺入三价杂质元素后,由于空穴数量大大增加而称为多子,自由电子就是少子;掺入五价元素后,由于自由电子数量大大增加而称为多子,空穴就是少子。
即多数载流子和少数载流子的概念是因掺杂而形成的。
2、半导体的导电机理和金属导体的导电机理有何区别?答:金属导体中存在大量的自由电子载流子,因此金属导体导电时只有自由电子一种载流子;而半导体内部既有自由电子载流子又有空穴载流子,在外电场作用下,两种载流子总是同时参与导电,这一点是它与金属导体导电机理的区别。
3、什么是本征半导体?什么是N型半导体?什么是P型半导体?答:原子排列得非常整齐、结构完全对称的晶体称为本征半导体.....。
本征半导体掺入五价元素后形成N型半导体;掺入三价元素后形成P形半导体。
4、由于N型半导体中多数载流子是电子,因此说这种半导体是带负电的。
这种说法正确吗?为什么?答:这种说法不正确。
因为,虽然N型半导体中有多子和少子之分,造成定城的离子带正电,但是整个晶体上的正、负电荷总数在掺杂过程中并没有失去或增加,所以晶体不带电。
5、试述雪崩击穿和齐纳击穿的特点。
这两种击穿能否造成PN结的永久损坏?答:电击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿,前者是一种碰撞的击穿,后者属于场效应的击穿,这两种电击穿一般可逆,不会造成PN结的永久损坏。
6、何谓扩散电流?何谓漂移电流?何谓PN结的正向偏置和反向偏置?说说PN结有什么特性?答:由多子形成的导通电流称扩散电流,由少子形成的电流称为漂移电流;当PN 结的阳极P接电源正极,阴极N接电源负极时称为正向偏置,反之为反向偏置;PN结具有“正向导通、反向阻断”的单向导电性。
1.2 检验学习结果1、何谓死区电压?硅管和锗管死区电压的典型值各为多少?为何会出现死区电压?答:二极管虽然具有单向导电性,但是当正向电压较小时,由于外加正向电压的电场还不足以克服PN结的内电场对扩散运动的阻挡作用,二极管仍呈现高阻态,所以通过二极管的正向电流几乎为零,即基本上仍处于截止状态,这段区域通常称为死区..。
20XX年复习资料大学复习资料专业:班级:科目老师:日期:第1章直流电路习题解答1.1 在图1.1所示电路中,(1)选d 为参考点,求a V 、b V 和c V ;(2)选c 为参考点,求a V 、b V 和d V 。
图1.1 习题1.1电路图解 (1) 当选d 为参考点时, V 3ad a ==u VV 112cd bc bd b =-=+==u u u V ;V 1cd c -==u V (2) 当选c 为参考点时, 4V 13dc ad a =+=+=u u VV 2bc b ==u V ;V 1dc d ==u V1.2 求图1.2中各元件的功率,并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.2 习题1.2电路图解 W 5.45.131=⨯=P (吸收); W 5.15.032=⨯=P (吸收) W 15353-=⨯-=P (产生);W 5154=⨯=P (吸收); W 4225=⨯=P (吸收)元件1、2、4和5起负载作用,元件3起电源作用。
1.3 求图1.3中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.3 习题1.3电路图解 A 2=I ;V 13335=+-=I I U电流源功率:W 2621-=⋅-=U P (产生),即电流源产生功率6W 2。
电压源功率:W 632-=⋅-=I P (产生),即电压源产生功率W 6。
1.4 求图1.4电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.4 习题1.4电路图解 A 1231=-=IA 1322-=-=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得:A 1223=+=I I 1.5 试求图1.5所示电路的ab U 。
图1.5 习题1.5电路图解 V 8.13966518ab -=⨯+++⨯-=U 1.6求图1.6所示电路的a 点电位和b 点电位。
图1.6 习题1.6电路图解 V 4126b =⨯-=VV 13b a =+-=V V1.7 求图1.7中的I 及S U 。
第一章1.1 能否将1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?解:不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.5V 时,管子会因电流过大而烧坏。
1.2已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解:U O1=6V ,U O2=5V 。
1.3写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。
(该题与书上略有不同)解:U O1≈1.3V ,U O2=0,U O3≈-1.3V ,U O4≈2V ,U O5≈1.3V ,U O6≈-2V 。
1.5 电路如图P1.5(a )所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b )所示,二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出输出电压u O 的波形,并标出幅值(该题与书上数据不同)解:u O 的波形如解图P1.5所示。
解图P1.51.9电路如图T1.9所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。
试问: (1)R b =50k Ω时,u O =? (2)若T 临界饱和,则R b ≈? 解:(1)R b =50k Ω时,基极电流、集电极电流和管压降分别为26bBEBB B =-=R U V I μAV2mA 6.2 C C CC CE B C =-===R I V U I I β所以输出电压U O =U CE =2V 。
1.11电路如图P1.11所示,试问β大于多少时晶体管饱和? 解:取U CES =U BE ,若管子饱和,则Cb C BECC b BE CC R R R U V R U V ββ=-=-⋅所以,100Cb=≥R R β时,管子饱和。
图1.11 1.12 分别判断图P1.12所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态第二章2.1试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。
模拟电子技术(第2版) 第三章习题 一、填空 1. 单级双极型三极管放大电路中,输出电压与输入电压反相的为共 极电路,输
出电压与输入电压同相的有共 极电路、共 极电路。 2. 已知某放大电路的⏐Au⏐=100,⏐Ai⏐=100,则电压增益为 dB,电流增益为
dB,功率增益为 dB。 3. 差动放大电路中,差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比,称为 ,理
想差动放大电路中其值为 。 4. 放大器的静态工作点过高可能引起______失真,过低则可能引起____ __失真。分压
式偏置电路具有自动稳定____ __的优点。 5. NPN管和PNP管构成放大电路时,所需的工作电压极性相 , 但这两种管子
的微变等效电路 。 6. 射极输出器的主要特点是:电压放大倍数 、输入电阻 、输出
电阻 。 7. 三种基本组态双极型三极管放大电路中,若希望源电压放大倍数大,宜选用共 __
极电路,若希望带负载能力强,宜选用共 极电路,若希望从信号源索取的电流小,宜选用共 极电路,若希望用作高频电压放大器,宜选用共 极电路。 8. 差分电路的两个输入端电压分别为ui1=2.00V,ui2=1.98V,则该电路的差模输入电压
uid为 V,共模输入电压uic为 V。
9. 场效应管放大电路中,共 极电路具有电压放大能力,输出电压与输入电压反
相;共 极电路输出电阻较小,输出电压与输入电压同相。 10. 在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中,若两个输入电压ui1 = u
i2,则输出
电压uO = 。若ui1 = +50mV,ui2= +10mV,则可知该差动放大电路的共模输入信号uic
= ; 差模输入电压uid = ,因此分在两输入端的一对差模输入信号为uid1
= ,uid2 = 。
11. 三种基本组态双极型三极管放大电路中,输入电阻最大的是共 极电路,输入
电阻最小的是共 极电路,输出电阻最小的是共 极电路。 12. 当放大电路要求恒压输入时,其输入电阻应远 于信号源内阻;要求恒流输入