相应的状态数为:
V V V d (k ) dk ds k (k ) ds 3 3 3 (2 ) (2 ) (2 ) k n (k )
等能面Sn(ε)和Sn(ε+dε)之间计及自旋不同的电子 态数为
V V (k ) N N 2 ds k (k ) 2 ds 3 3 (2 ) (2 ) k n (k )
2 2 2 J 0 6 J1 a J1 k x k y k z at s 2
2 2 2 s (k ) sat J 0 6 J1 a 2 J1 k k k y z x
2. 简立方紧束缚近似s电子, 能量为
s (k ) sat J 0 2 J1 (cos k x a cos k y a cos k z a )
k n (k ) 2aJ1 sin 2 k x a sin 2 k y a sin 2 k z a
つづき
写成积分的形式则有
ds V dN n ( ) 2 3 (2 ) k n (k ) d (k )
则态密度为
dN n ( ) 2V N n ( ) d (k ) (2 )3
2 (2 )
3
k n (k )
ds
kz = 0时的等能面的截面示意图 sc结构s带紧束 缚近似下的能态 密度示意图
0 6 J1
3. 简立方近自由电子模型,除了布里渊区边界附近 外,其它地方和自由电子一样,等能面为球面,所以 能态密度也是类似于自由电子。
在布里渊区边界附近时,因为周期势的微扰使其能量下 降(与自由电子相比),所以要达到同样的能量(等能面), 需要更大的波矢,从而导致等能面向布里渊区边界凸起. 越靠近边界,凸起越强烈,因而导致等能面间的体积元愈 来愈快的增长,从而能态密度也比自由电子的显著增大. 当然这是第一布里渊区内 且对应的等能面的能量小 于布里渊区边界中心A点 (±π/a,0,0)的能量时的 状态。