数电课件第6章

图6.3 SRAM存储元
2. DRAM存储元 静态MOS管组成的存储元中管子数目较多， 不利于提 高集成度。 为了克服这些缺点， 人们利用大规模集成工艺， 研制出了动态DRAM。 DRAM存储信息的原理基于MOS管 栅极电容的电荷存储效应。 由于漏电流的存在， 电容上存储的信息不能长久保持， 因而必须定期给电容补 充电荷， 以免存储的信息丢失， 这种操作称为再生或刷新。
图6.5 随机读/写存储器位扩展方式
2. 字扩展方式 字扩展的方法是将地址线、 输出线对应连接, CS分别与译码器的输出端连接。 图6.6所示为4片256×8 RAM扩展为1024 ×8 RAM， 需要有10根地址输入线。
图6.6 随机读/写存储器字扩展方式
然而每片集成电路上的地址输入端只有8位(A0~A7)， 给出的地址范围全部是0～255， 无法区分4片中同样的地址 单元。 因此增加了两位地址代码A8、A9， 使地址代码增加 到10位， 才得到1024地址。 图6.6中通过2线-4线译码器选 择每片RAM的片选端CS， 当CS=0时， 该片被选中工作, 当 CS=1时， 该片RAM不工作， 从而实现了4片RAM轮流选通 工作。
3. 可擦除可编程只读存储器 可擦除可编程只读存储器(EPROM)不仅可以编程, 而且 写入的信息可以擦除， 从而再编入新的信息， 即可多次编 程。 因此熔丝结构、 二极管结构不能作为EPROM的编程单 元， 而应采用浮栅型MOS管。 编程时， 给写入“0”信息的 MOS管的浮栅充电； 若要擦除信息， 则以紫外光照射使浮 栅上所积累的电荷消失。
地址译码电路实现地址的选择。 在大容量的存储器中， 通常采用双译码结构， 即将输入地址分为行地址和列地址 两部分， 分别由行地址译码电路、 列地址译码电路译码。 行地址译码电路、 列地址译码电路的输出作为存储矩阵的 行地址选择线、 列地址选择线， 由它们共同确定欲选择的 地址单元。 地址单元的个数N与二进制地址码的位数 n满足关系式N=2n。 图6.2是一个1024×4位的RAM实例。

Q1nQ2n Q3n
C Q3n
根据方程可得出状态迁移表， 如表 6－1 所示， 再由 表得状态迁移图， 如图 6－2 所示。 由此得出该计数器为 五进制递增计数器， 具有自校正能力(又称自启动能力)。
所谓自启动能力， 指当电源合上后， 无论处于何种状 态， 均能自动进入有效计数循环; 否则称其无自启动能力。
J 3 Q1nQ2n
___ ___
次态方程和时钟方程为 Q1n1 Q3n Q1n
___
Q2n1 Q2n
K3 1 CP1 CP CP2 CP1
___
Q3n1 Q1nQ2n Q3n
CP3 CP
由于各触发器仅在其时钟脉冲的下降沿动作，其余 时刻均处于保持状态，故在列电路的状态真值表时必须 注意。
(1) 当现态为000时，代入Q1和Q3的次态方程中，可
知在CP作用下Qn+1=1,
Q n 1 3
0
，
由于此时CP2=Q1,
Q1由
0→1 产生一个上升沿，用符号↑表示，故Q2处于保持状
态， 即 Q2n1 Q2n 0 。 其次态为 001。
(2)
当现态为
001
时，
Q n1 1
0,
Q n1 3
0
，此
z Q1n
(2) 列出状态真值表。 假定一个现态， 代入上述次态方程中得相应的次态， 逐个假定列表表示即得相应的状态真值表， 如表 6－3 所示。
(3) 画出状态迁移图。 由状态真值表可得出相应的状态图， 如图 6－8 所示。
图 6-8 例 3 状态迁移图
(4) 画出给定输入x序列的时序图。 根据给出的x序列， 由状态迁移关系可得出相应的次 态和输出。 如现态为 00， 当x=1 时， 其次态为 01， 输出 为0； 然后将该节拍的次态作为下一节拍的现态， 根据输 入x和状态迁移关系得出相应的次态和输出， 即 01 作为第 二节拍的现态。 当x=0 时， 次态为 11， 输出为 0， 如此 作出给定x序列的全部状态迁移关系， 如下所示， 其箭头 表明将该节拍的次态作为下一节拍的现态。

果从Q3~Q0取得输出可以构成一个八进制计数器。 对比一下图 6.6中的时钟脉冲波形与Q3的输出波形， 不难发现，Q3的波形 的频率恰为时钟波形频率的1/8。 如果从Q3取得输出， 则 6.5电路构成了一个8分频器。
第6章 寄 存 器
2. 所谓可编程分频器是指分频器的分频比可以受程序控制。 在现代通信系统与控制系统中，可编程分频器得到广泛的应 用。 下面以图6.10的实际电路为例， 介绍利用移位寄存器 实现可编程分频的基本思路。
(2) 并行加载数据。 断开电源， 将S0、 S1置11（都接 高电平）， 将D0~D3置1010； 接通电源， 此时， 发光二极 管均不亮， 送出一个单脉冲， 观察发光二极管的亮、 灭情 况。如果操作准确， 发光二极管的亮、 灭指示Q0~Q3的数据 为1010， 说明D0~D3的数据已加载到输出端， 此时再改变输 入端的数据， 输出数据不变。
第6章 寄 存 器 实训6 寄 存 器
6.1 寄存器的功能与使用方法 6.2 寄存器应用实例 6.3 寄存器集成电路简介
第6章 寄 存 器
实训6 1. （1） 了解寄存器的基本功能。 （2） 学会寄存器的使用方法。 （3） 熟悉寄存器的一般应用。 （4） 进一步掌握数字电路逻辑关系的检测方法。
第6章 寄 存 器
第6章 寄 存 器
当A、 B的数据(即74LS194 S0、 S1端的数据)为01时， 数据右移； 第一个时钟脉冲过后， 74LS194（1）DSR端的数 据1移位至Q0端， 其他Q端的0均依次右移， 各输出端的数据 如表6.1的第2行数据所示； 此后， 随着时钟脉冲的到来， 发光二极管自左至右一个个点亮， 第8个脉冲以后， 全部二 极管均点亮, 此时， DSR端的数据变为0， 随着后续脉冲的到 来， 发光二极管自左至右一个个熄灭。

可导出
t ln uC () uC (0)
uC () uC (t)
(6.1)
将τ=RC，uC(∞)=UCC，uC(0)=0， (6.1)，可得
uC (t)
2 3
U
代入式
CC
tW
RC ln UCC 0
U CC
2 3
U
CC
RC ln 3 1.1RC
(6.2)
第6章 脉冲波形发生器与整形电路
6.1.3 用555 (1) 输入信号从低电平上升的过程中，电路状态转换时
对应的输入电平与输入信号从高电平下降过程中电路状态转换 对应的输入电平不同，分别称为正向阈值电压UT＋和负向阈值 电压UT－，正向阈值电压与负向阈值电压之差称为回差电压， 用ΔUT表示(ΔUT＝UT＋－UT－)
(2) 在电路状态转换时，通过电路内部的正反馈过程使
第6章 脉冲波形发生器与整形电路
2. (1) 输出脉冲宽度tWO。如图6-8(c)波形图可知，暂稳态 t1～t2的时间即为输出脉冲宽度tWO。为计算方便，以t1时刻作 为计算时间起点，由uC
uC(0＋)≈0， uC(∞)≈UDD，
uC(tWO)=UTH=
1 UDD, τ≈RC 2
第6章 脉冲波形发生器与整形电路
它由电阻分压器、电压比较器C1和C2、基本RS触发器、放电三 极管V、一个与非门和一个非门组成。
第6章 脉冲波形发生器与整形电路
图6-1 CB555的电路和外引线排列
第6章 脉冲波形发生器与整形电路
555定时器的功能如表6-1 表6-1 555定时器的功能表
第6章 脉冲波形发生器与整形电路
6.1.2 用555 前面讲过的触发器有两个稳定状态，从一个稳定状态翻转