用图示仪测试常用电子元器件方法
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用图示仪测试常用电子元器件方法
使用前注意事项：首先应进行X Y轴校准，要用阶梯信号时应进行阶梯调零
一、测试三极管
1.h FE电流放大倍数检测
仪器设置：a．扫描电压：10V（或20V）；b．扫描极性：NPN置“＋”、PNP置“－”；c．阶梯极性：NPN置“＋”、PNP置“－”；d．功耗电阻：50~2KΩ；e．X轴作用：1V/度；f．Y轴作用：1mA/度左右（根据产品需要电流设定）；ｇ．阶梯幅度：根据需要确定；ｈ．终端选择：E接地。
将被测件的管脚ｅｂｃ对应与仪器的ｅｂｃ连接。
测试方法：被测件的管脚ｅｂｃ对应与仪器的ｅｂｃ连接。
判据：观察图示仪上三极管的输出特性曲线应如图示，放大倍数应大规定值，大功率三极管还必须与封样件作对比
如图所示：测试TIP41C的h FE电流放大倍数，该三级
管要求为：
h FE(15-75) 测试条件：I C=3A V CE=4V
设置如下：
Y轴作用0.5A/度
X轴作用1V/度
阶梯幅度5mA/级
得到如左图所示：
V CE＝4V Ic＝3A 对应Ib=5mA/级X7级＝35mA，得h FE
＝Ic/Ib＝3/0.035＝86
2.BV CEO、BV CBO、BV EBO检测
仪器设置：a．.扫描范围：BV EBO 0~20V，BV CEO和BV CBO：0~500V；b．扫描极性：NPN置“＋”、PNP置“－”；d.．功耗电阻：10KΩ；e.X轴作用：BV EBO为1V/度，BV CEO和BV CBO为10～15V/度；f．Y 轴作用：50uA/度；g. 终端选择：E接地。
测试方法：测BV EBO器件的e、b极分别接仪器的c、e插孔，器件的c极悬空；BV CEO器件的c、e极分别接仪器的c、e插孔，器件的b极悬空；BV CBO器件的c、b极分别接仪器的c、e插孔，器件的b极悬空。
判断：调节扫描电压至器件击穿点，要求击穿电压应大于等于规定值，且不得有软击穿现象。
左图为合格波形左图为软击穿波形
3.饱和压降Vce(sat) 检测
测试方法同电流放大倍数，其中X、Y轴作用根据测试条件确定
如TIP41C，要求Vce≤1.5V（条件：Ic＝6A Ib＝0.6A）设置：Y轴幅度：1A/度X轴幅度：0.5V/度阶
梯幅度：100mA/级；（读数前用表笔将CE 短路，得到校准值，实际结果应减去短路电压，采用将得到的短路图形往图示仪左移动短路电压值即可直接读数）
二、测试可控硅
1、耐电压ＶDRM ，ＶRRM 检测
使用仪器：DW4822晶体管特性图示仪
仪器设置：a ．扫描电压：5KV ；b ．功耗电阻最大；c ．X 轴作用：100～200V/度；d ．Y 轴作用：
5～20uA/度。
测试方法：按下输出按钮，调节扫描电压至额定电压，测正向耐压V DRM 时器件的阳极、阴极分
别接仪器的“＋”“－”输出端；测反向耐压V RRM 时器件的阳极、阴极分别接仪器的“－”、“＋”输出端。
判据：按下输出按钮，观察波形在额定电压时漏电流应小于规定值。
注意事项：在按输出按钮前，操作员的手应离开器件。
2、触发电流I GT 检测
使用仪器：DW4822晶体管特性图示仪
仪器设置：a ．扫描电压：10V （或20V ）；b ．功耗电阻：1k Ω左右；c ．X 轴作用：阶梯信号源；
d ．Y 轴作用：5mA/度左右；
e ．阶梯作用：重复；
f ．阶梯幅度：根据需要确定。
测试方法：被测件的K 、A 、G 对应连接至仪器的E 、C 、B 插孔，调节扫描电压至适当值使导通
电流满足规定要求。
判据：触发电流应符合规定要求。
3、通态压降
使用仪器：DW4822晶体管特性图示仪
仪器设置：a ．扫描电压：10V （或20V ）；b ．功耗电阻：0；d ．X 轴作用：0.5V/度；e ．Y 轴作用：1～2A/度；f ．阶梯作用：重复；g ．阶梯幅度：根据需要确定（能将可控硅触发导通）。
测试方法：首先将仪器的C 、E 两端短路，调节扫描电压至电流达到额定值，得到校正值，然后将被测件的K 、A 、G 对应连接至仪器的E 、C 、B 插孔，调节扫描电压至电流达到额定值。
判据：通态压降应符合规定要求。
注意事项：单件测试时间不得超过3s ，通态压降为实测值减去校正值。
（短路KA 级）
调节X 位移校
准零点 第1根导通线即I G 等于该线级数乘阶梯设定值
该点所处格数乘X 轴电压幅度即为V T 应小于规定的V TM
三、测试二级管
1、反向耐压V R（稳压值V Z）的检测
使用仪器：DW4822晶体管特性图示仪
1.1、整流二极管：a.电源开；b.扫描范围：5kV；c.扫描极性：“+”；d.功耗电阻：最大；e.X
轴作用：100～200V/度；f.Y轴作用：根据需要确定；g.连接：被测器件的正、负极分别
接仪器高压输出的“－”、“+”端，h.测试：按下高压输出按扭，调节扫描电压至要求值，
观察图示波形，要求漏电流应小于规定值。
如果需要观察击穿特性，继续增加电压直到
反向击穿，在规定电流下读出电压值即为击穿电压。
注意事项：在按下高压按扭时，操作人的手应离开被测器件，预防触电。
耐压测试图
1.2、稳压二极管：a.电源开；b.扫描范围：0~500V；c.功耗电阻：10KΩ左右；d.X轴作用：
根据稳压值确定；e.Y轴作用：1mA/度；f.终端选择：E接地；g.阴极接“C”，阳极接“E”；
h.。
调节扫描电压至被测件击穿点，要求在规定电流下，电压即稳压值应在规定范围内。
击穿特性图
2、正向压降V F的检测
使用仪器；DW4822晶体管特性图示仪。
测试方法：（1）电源开；（2）扫描范围：0～20V ；（3）扫描极性：“+”；（4）功耗电阻：0～10Ω；（5）X轴作用：0.2V/度；（6）Y轴作用：0.1A/度（根据需要选择）；（7）终端选择：E接地；（8）连接：被测件的“+”极接“C”，“－”极接“E”。
调节扫描电压，额定导通电流下的正向压降应小于规定值。
注意事项：测试应将插座短路校零，方法同测试可控硅通态压降
四、测试MOS管（N沟道）
1 DS击穿电压：V DSS
V GS=0V,I D=250μA时,V DSS≥75V
2 DS漏电流:I DSS
V DS=60V ，I DSS≤1μA 同V DSS
3 GS开启电压：V GS(TH)
V DS＝V GS I D＝250uA
4 DS导通电阻：R DS(ON)
T J =25℃，V GS=10V,I D=30A时，R DS（ON）＜11mΩ
5 DG耐压：V DGR
R GS=20kΩ时，V DGR≥75V
6 GS正反向漏电流：I GSS(F/R)
V GS=±20V,I GSS≤100nA
1、DS击穿电压测试（V DSS）（测试时采用测试插座将GS端短路，在插座内引线）
使用仪器；DW4822晶体管特性图示仪
a.电源开；
b.扫描范围：0~100V；
c.功耗电阻：10KΩ左右；
d.X轴作用：根据击穿值确定；
e.Y轴作用：50uA/度；
f.终端选择：E接地；
g.“D极”接“C”，“S极”接“E”；
h.。
调节扫描电压至被测件击穿点，要求在规定电流下，击穿电压应在规定范围内。
2、DS漏电流（I DSS）
方法同DS击穿电压，测试时将扫描电压设置到规定值，测试漏电流应满足要求
3、GS开启电压（V GS(TH)）（测试时采用测试插座将GD端短路，在插座内引线）
使用仪器：DW4822晶体管特性图示仪
仪器设置：a．扫描电压：10V b．功耗电阻：1kΩ左右；c．X轴作用：0.5V/度；d．Y轴作用：50uA/度左右；
测试方法：被测件的S、D、G对应连接至仪器的E、C、B插孔，调节扫描电压至DS击穿，读取规定电流位置时的击穿电压即为导通电压，应满足规定要求。
4、DS导通电阻：R DS(ON)
DS导通电阻不能采用图示仪测试，只能采用专用设备测试，如TY-1功率场效应管、可控硅通态压降测试仪测试，在没有专用设备的情况下，可以根据定义搭接测试线路测试，但只适用于抽测，因在测试时为了保证MOS管能够通大电流，必须采用大散热片，S端最好焊接。
测试方法：采用5V/100A开关电源，限流电阻采用康铜丝绕制，直径Φ4mm，电阻R＝0.17Ω左右（也可采用绕制一段略0.5Ω的电阻，用大鳄鱼夹夹持后调整），电流表采用直流数字钳形表测试，电压表采用UT56数字万用表测试，根据测试线路图接线，注意MOS管应采用螺丝固定在100mmX100mm以上的散热板上，电源正端直接连接到散热片上，测试时间应在2s内完成，则R DS(ON)＝V/I应满足要求。
5、DG耐压：V DGR
根据DG耐压定义，R GS=20kΩ时，V DGR≥75V，方法同DS击穿电压，在测试插座上将GS端并联20k电阻，“D级”接图示仪C端，“G级”接图示仪E端，测试耐压应大于规定值。
6、GS正反向漏电流：I GSS(F/R)
方法同测试DS漏电流，根据需要在GS端正反向施加规定电压，测试其漏电流应满足要求。
