可控硅(晶闸管)项目可行性研究报告

可控硅的主要参数可控硅（SCR）是一种常见的半导体器件，也被称为双向可控整流二极管（thyristor）或晶闸管。

它是一种电子开关，可控硅具有多种主要参数，这些参数对于合理选用和应用可控硅是非常重要的。

本文将介绍可控硅的主要参数，包括阈值电压、额定电流、最大可承受电压、触发电流和反向触发电压。

1.阈值电压（VBO）：阈值电压是指在可控硅关闭状态下，当施加的压差超过该电压时，可控硅将开始导通。

阈值电压是可控硅能否实现可控的重要参数。

2.额定电流（IT）：额定电流是指可控硅能够长时间承受的最大电流。

超过额定电流的电流将会引起可控硅的过热和损坏，因此在使用可控硅时应确保电流不超过额定电流。

3.最大可承受电压（VDRM）：最大可承受电压是指在关闭状态下，可控硅可以承受的最高电压。

当施加的电压超过最大可承受电压时，可控硅可能损坏。

4.触发电流（IGT）：触发电流是指在可控硅导通之前需要施加的触发电流。

触发电流是可控硅实现可控的重要参数。

5.反向触发电压（VDRM）：反向触发电压是指可控硅在关闭状态下能承受的最高反向电压。

超过该电压，可控硅可能开始导通，导致不可预计的行为。

除了上述主要参数外，可控硅还有一些其他的重要参数，如触发时间（tQ）、关断时间（tQ）、导通压降（VF）和静态工作点等。

这些参数需要根据具体的应用需求来选择和考虑。

总之，可控硅的主要参数包括阈值电压、额定电流、最大可承受电压、触发电流和反向触发电压等。

掌握这些参数对于正确选择和应用可控硅至关重要。

通过详细了解可控硅的参数，可以更好地设计和使用可控硅，以满足各种不同的电气控制需求。

一、概述二、课程设计方案本次课程设计的要紧内容是利用晶闸管整流来设计直流电机操纵系统，要紧设计内容有1、电路功能：〔1〕、用晶闸管缺角整流实现直流调压，操纵直流电动机的转速。

〔2〕、电路由主电路与操纵电路组成，主电路要紧环节：整流电路及保卫电路。

操纵电路要紧环节：触发电路、电压电流检测单元、驱动电路、检测与故障保卫电路。

〔3〕、主电路电力电子开关器件采纳晶闸管、IGBT或MOSFET。

〔4〕、系统具有完善的保卫2、系统总体方案确定3、主电路设计与分析〔1〕、确定主电路方案〔2〕、主电路元器件的计算及选型〔3〕、主电路保卫环节设计4、操纵电路设计与分析〔1〕、检测电路设计〔2〕、功能单元电路设计〔3〕、触发电路设计〔4〕、操纵电路参数确定设计要求有一下四点：1、设计思路清晰，给出整体设计框图；2、单元电路设计，给出具体设计思路和电路；3、分析所有单元电路与总电路的工作原理，并给出必要的波形分析。

4、绘制总电路图5、写出设计报告；要紧的设计条件有：1、设计依据要紧参数〔1〕、输进输出电压：〔AC〕220〔1+15%〕、〔2〕、最大输出电压、电流依据电机功率予以选择〔3〕、要求电机能实现单向无级调速〔4〕、电机型号布置任务时给定2、可提供实验与仿真条件三、系统电路设计1、主电路的设计〔1〕、主电路设计方案主电路的要紧功能是实现整流，将三相交流电变为直流电。

要紧通过整流变压器和三相桥式全控整流来实现。

整流变压器是整流设备的电源变压器。

整流设备的特点是原方输进电流，而副方通过整流原件后输出直流。

变流是整流、逆流和变频三种工作方式的总称，整流是其中应用最广泛的一种。

作为整流装置电源用的变压器称为整流变压器。

工业用的整流直流电源大局部根基上由交流电网通过整流变压器与整流设备而得到的。

整流变压器是专供整流系统的变压器。

整流变压器的功能：1.是提供整流系统适当的电压，2.是减小因整流系统造成的波形畸变对电网的污染。

(2023)重点项目碳化硅功率芯片建设项目可行性研究报告申请立项备案可修改案例(一)(2023)重点项目碳化硅功率芯片建设项目可行性研究报告申请立项备案可修改案例背景项目背景在高科技产业快速发展的今天，电子产品的广泛应用对功率半导体器件的需求量不断增长，其中碳化硅功率芯片是具有巨大市场潜力的新一代高性能功率半导体器件。

为满足国内市场需求，推动我国的半导体产业升级，(2023)重点项目碳化硅功率芯片建设项目应运而生。

项目目标建设一条年产200万片的碳化硅功率芯片生产线，生产出高性能、高可靠性的碳化硅功率芯片，推动国内半导体产业的发展。

可行性研究市场可行性分析经过市场调研发现，碳化硅功率芯片在多个行业中有着广泛应用，比如新能源汽车、工业控制、电力电子等。

根据多方数据，碳化硅功率芯片市场需求量不断增长，且长期稳定。

技术可行性分析碳化硅功率芯片是目前最具前景的功率半导体器件之一，具有高导电特性、高耐热性和高击穿电压等优点，能有效提高电力传输和电能利用效率。

而目前，国内缺少高性能的碳化硅功率芯片生产线，这为碳化硅功率芯片建设项目提供了优越的技术优势。

经济可行性分析该项目的投资总额为10亿元，按年产200万片计算，单片售价为100元，则年销售收入可达2亿元。

同时，项目可带动相关行业链的发展，提高当地的就业率和经济增长速度。

修改建议经对可行性研究报告进行仔细分析，在实施方案、资金管理、营销策略等方面进行修改，以提升项目的可行性和可操作性。

结论该项目在市场、技术和经济方面均具有可行性，可望推动国内半导体产业升级，带动相关产业链的发展，为打造高质量发展提供强有力支撑。

建设方案碳化硅功率芯片生产线建设采用国际领先的自动化制造技术，对碳化硅功率芯片生产线进行建设，实现全自动生产，提升产能和生产效率。

设备引进引进国际知名企业的生产设备，确保生产线设备的稳定性和先进性。

人员培训针对生产线工人、技术工程师和管理人员等人员进行专业培训，提高生产效率和制造质量。

晶闸管(SCR)原理作者：时间：2007-12-17 来源:电子元器件网浏览评论推荐给好友我有问题个性化定制关键词：晶闸管半导体材料晶闸管(thyristor)是硅晶体闸流管的简称，俗称可控硅（SCR），其正式名称应是反向阻断三端晶闸管。

除此之外，在普通晶闸管的基础上还派生出许多新型器件，它们是工作频率较高的快速晶闸管(fast switching thyristor，FST)、反向导通的逆导晶闸管(reverse conducting thyristor，RCT)、两个方向都具有开关特性的双向晶闸管(TRIAC)、门极可以自行关断的门极可关断晶闸管（gate turn off thyristor，GTO）、门极辅助关断晶闸管(gate assisted turn off thytistor，GATO)及用光信号触发导通的光控晶闸管(light controlled thyristor，LTT)等。

一、结构与工作原理晶闸管是三端四层半导体开关器件，共有3个PN结，J1、J2、J3，如图1(a)所示。

其电路符号为图1(b)，A(anode)为阳极，K(cathode)为阴极，G(gate)为门极或控制极。

若把晶闸管看成由两个三极管T1(P1N1P2)和T2(N1P2N2)构成，如图1(c)所示，则其等值电路可表示成图1(d)中虚线框内的两个三极管T1和T2。

对三极管T1来说，P1N1为发射结J1，N1P2为集电结J2；对于三极管T2，P2N2为发射结J3，N1P2仍为集电结J2；因此J2（N1P2）为公共的集电结。

当A、K两端加正电压时，J1、J3结为正偏置，中间结J2为反偏置。

当A、K两端加反电压时，J1、J3结为反偏置，中间结J2为正偏置。

晶闸管未导通时，加正压时的外加电压由反偏值的J2结承担，而加反压时的外加电压则由J1、J3结承担。

如果晶闸管接入图1(d)所示外电路，外电源U S正端经负载电阻R引至晶闸管阳极A，电源U S的负端接晶闸管阴极K，一个正值触发控制电压U G经电阻R G后接至晶闸管的门极G，如果T1（P1N1P2）的共基极电流放大系数为α1，T2（N1P2N2）的共基极电流放大系数为α2，那么对T1而言，T1的发射极电流I A的一部分α1I A将穿过集电结J2，此外，J2受反偏电压作用，要流过共基极漏电流i CBO1，因此图1(d)中的I C1可表示为I C1=α1I A+i CBO1。

目录1 绪论 (1)1.1 课题背景 (1)1。

2 直流电动机调压调速可控整流电源设计简介 (1)1。

3 课题设计要求 (1)1.4 课题主要内容 (2)2 主电路设计 (3)2.1 总体设计思路 (3)2.2 系统结构框图 (3)2。

3 系统工作原理 (4)2。

4 对触发脉冲的要求 (5)3 主电路元件选择 (6)3.1 晶闸管的选型 (6)4 整流变压器额定参数计算 (7)4。

1 二次相电压U2 (7)4.2 一次与二次额定电流及容量计算 (8)5 触发电路的设计 (10)6 保护电路的设计 (12)6.1 过电压的产生及过电压保护 (13)6。

2 过电流保护 (13)7 缓冲电路的设计 (14)8 总结 (17)1 绪论1.1 课题背景当今,自动化控制系统已在各行各业得到广泛的应用和发展，而自动调速控制系统的应用在现代化生产中起着尤为重要的作用，直流调速系统是自动控制系统的主要形式.由可控硅整流装置供给可调电压的直流调速系统（简称KZ—D系统）和旋转变流机组及其它静止变流装置相比，不仅在经济性和可靠性上有很大提高，而且在技术性能上也显示出较大的优越性。

可控硅虽然有许多优点,但是它承受过电压和过电流的能力较差，很短时间的过电压和过电流就会把器件损坏。

为了使器件能够可靠地长期运行,必须针对过电压和过电流发生的原因采用恰当的保护措施.为此，在变压器二次侧并联电阻和电容构成交流侧过电压保护;在直流负载侧并联电阻和电容构成直流侧过电压保护;在可控硅两端并联电阻和电容构成可控硅关断过电压保护；并把快速熔断器直接与可控硅串联，对可控硅起过流保护作用。

随着电力电子器件的大力发展，该方面的用途越来越广泛.由于电力电子装置的电能变换效率高，完成相同的工作任务可以比传统方法节约电能10%~40％，因此它是一项节能技术，整流技术就是其中很重要的一个环节.1.2 直流电动机调压调速可控整流电源设计简介该系统以可控硅三相桥式全控整流电路构成系统的主电路，采用同步信号为锯齿波的触发电路，本触发电路分成三个基本环节：同步电压形成、移相控制、脉冲形成和输出。

电力电子实验报告————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：实验一SCR（单向和双向）特性与触发实验一、实验目的1、了解晶闸管的基本特性。

2、熟悉晶闸管的触发与吸收电路。

二、实验内容1、晶闸管的导通与关断条件的验证。

2、晶闸管的触发与吸收电路。

三、实验设备与仪器1、典型器件及驱动挂箱（DSE01）—DE01单元2、触发电路挂箱Ⅰ（DST01）—DT02单元3、触发电路挂箱Ⅰ（DST01）—DT03单元（也可用DG01取代）4、电源及负载挂箱Ⅰ（DSP01）或“电力电子变换技术挂箱Ⅱa（DSE03）”—DP01单元5、逆变变压器配件挂箱（DSM08）—电阻负载单元6、慢扫描双踪示波器、数字万用表等测试仪器四、实验电路的组成及实验操作图1-1 晶闸管及其驱动电路1、晶闸管的导通与关断条件的验证：晶闸管电路面板布置见图1-1，实验单元提供了一个脉冲变压器作为脉冲隔离及功率驱动，脉冲变压器的二次侧有相同的两组输出，使用时可以任选其一；单元中还提供了一个单向晶闸管和一个双向晶闸管供实验时测试，此外还有一个阻容吸收电路，作为实验附件。

打开系统总电源，将系统工作模式设置为“高级应用”。

将主电源电压选择开关置于“3”位置，即将主电源相电压设定为220V；将“DT03”单元的钮子开关“S1”拨向上，用导线连接模拟给定输出端子“K”和信号地与“DE01”单元的晶闸管T1的门极和阴极；取主电源“DSM00”单元的一路输出“U”和输出中线“L01”连接到“DP01”单元的交流输入端子“U”和“L01”，交流主电源输出端“AC15V”和“O”分别接至整流桥输入端“AC1”和“AC2”，整流桥输出接滤波电容（“DC+”、“DC-”端分别接“C1”、“C2”端）；“DP01”单元直流主电源输出正端“DC+”接“DSM08”单元R1的一端，R1的另一端接“DE01”单元单向可控硅T1的阳极，T1的阴极接“DP01”单元直流主电源输出负端“DC-”。

硅石矿开采及加工项目可行性研究报告立项拿地报告案例一、项目背景硅石是一种重要的非金属矿物资源，广泛应用于玻璃、陶瓷、建材、冶金等多个行业。

随着各行业的发展和对硅石需求的增加，硅石矿的开采及加工项目具有良好的市场前景和巨大的经济效益。

二、项目目标1.开发一座具有较大储量和高品质硅石的矿山，实现高效、稳定的产出；2.建设一条先进的硅石加工生产线，提高加工效率和产品质量；3.打造一个环保、安全的硅石矿开采及加工示范项目。

三、市场分析1.对硅石市场需求和供应现状进行调研分析，预测未来硅石市场的发展趋势；2.分析硅石矿的应用领域和市场潜力；3.对竞争对手进行分析，制定相应的市场竞争策略。

四、技术分析1.对硅石矿的地质条件进行评估和分析，确定合适的矿区选址；2.研究硅石的开采技术和设备，选择适合该项目的开采方法；3.研究硅石的加工技术和设备，提高加工效率和产品质量。

五、经济分析2.编制项目投资计划和财务预算，评估项目的经济效益；3.进行风险分析，制定风险防控措施。

六、环境影响评估1.分析项目对环境的影响和潜在环境风险；2.评估项目的环境影响，并提出相应的环境保护措施。

七、可行性分析综合以上市场、技术、经济和环境分析，对硅石矿开采及加工项目的可行性进行综合评估，确定项目的可行性。

八、建议及方案根据可行性分析结果，提出项目的建议和方案，包括项目的具体实施步骤、时间节点、主要任务等。

九、项目执行计划制定项目执行计划，明确项目的组织架构、工作分工、时间计划等，确保项目的顺利实施。

以上是一个关于硅石矿开采及加工项目可行性研究报告的例子，文档内容可根据具体项目需求进行扩充和完善。

建议在报告中充分考虑项目的市场需求、竞争情况、技术实施方案、经济效益分析、环境保护等方面，以得出一个全面、客观的可行性评估结果，并提出具体的建议和方案。

晶闸管的半控性分析◆又称可控硅整流器(SCR)。

◆又一次电子技术革命的标志，开启了新时代。

◆承受的电压和电流容量是目前电力电子器件中最高的。

◆半控性---开通时刻可控。

问题：（1）开通满足哪些条件问题：（1）开通满足哪些条件？（2）关断怎么办？（）结构（一）结构◆阳极、阴极和门极三个连接端。

◆内部是PNPN 四层半导体结构。

触发◆晶闸管的驱动—触发。

◆工作状态分析（三）工作原理=0α+α漏电流阻断状态IG012很小I G 足够大饱和导通∞α1+α2IA（阳极电流）1外电路负载的限制◆正常工作时的特性归纳如下☞晶闸管承受反向电压时，晶闸管不会导通。

☞当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。

☞晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。

☞若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加反向电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。

◆晶闸管的伏安特性—正向和反向特性（四）特性分析I G2>I G1>IG G◆假设条件晶闸管---理想器件。

导通---管压降=0阻断---漏电流=0开通与关断过程瞬时完成。

☞门极电流为零，阳极电流降至接近于零的某一数值I H 以下----又回到正向阻断状态，I H 称为维持电流。

◆使用中要注意哪些问题？开通过程☞正反馈过程需要时间；外电路电感的限制---阳极电流不能突变。

与门极电流、外电路电感、阳极电压关系？☞tgt关断程关断过程☞正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通，而不是受门极电流控制而导通。

有缘学习更多＋谓ｙｇｄ３０７６考证资料或关注桃报：奉献教育（店铺）☞晶闸管触发与整流装置为放大环节（五）在自动控制系统中的控制特性管发与装为放大环节☞滞后效应看成纯滞后环节，由晶闸管的失控时间来决定☞K s失控时间是随机的，最大可能的失控时间是相邻两个自然换相点之间的时间1/f☞平均失控时间T smax =1/mf T s =Tsmax/2☞传递函数为T S W s (S) =Ks*e -TsS☞近似等效为一阶惯性环节W s (S) =Ks/(1+TsS)本节要点1、晶闸管的半控性2、晶闸管的数学模型2晶闸管的数学模型3、晶闸管的工作原理4、晶闸管的特性分析管5、晶闸管整流器在自动控制系统中的控制特性。

电力变电工具生产建设项目可行性研究报告 (一)

电力变电工具生产建设项目可行性研究报告 一、项目概述 近年来，随着国家电力产业的快速发展，电力变电工具市场需求呈现出快速增长的趋势。本项目旨在开展电力变电工具生产，满足市场需求，提高行业发展水平。

二、市场分析 1. 市场需求：近年来，电力变电行业市场需求明显上升，预计未来几年还将持续增长。

2. 市场竞争：目前国内电力变电工具市场主要由国内企业和进口产品占据，市场竞争相对激烈。

3. 技术优势：我方拥有先进的生产技术和一流的研发团队，可以保证产品的质量和性能。

三、项目投资及产值分析 1. 总投资：预计总投资为5000万元。 2. 生产能力：年产值预计为6000万元，预计投资回收期为3年。 3. 项目效益：预计项目建成后，将为当地提供就业机会，增加税收收入，并带动当地电力产业链上下游发展，具有良好的社会效益和经济效益。

四、建设及运营管理 1. 建设周期及流程：预计建设周期为1年，包括选址、建设、设备采购与安装、试生产等流程。

2. 运营及管理：建成后的企业将建立健全的生产运营管理机制，包括生产管理、质量管理、销售服务等方面。

五、风险分析及措施 1. 市场风险：在国内竞争激烈的情况下，新企业进场需要一定的市场调研和市场开发工作，主要采取收购、并购、合作等方式，尽早占领市场。

2. 运营风险：企业需要加强对运营管理的监督和调整，做好财务预算和资金管理等工作，确保企业规范经营、稳健发展。

六、可行性结论 本项目具有市场需求和市场潜力，投资回收期较短，加之我们有一流的技术优势和研发团队，建议投资方积极考虑并开展此项目。

单晶硅生产制造项目可行性研究报告规划设计 / 投资分析摘要单晶硅，即硅的单晶体。

具有基本完整的点阵结构的晶体。

不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。

用于制造半导体器件、太阳能电池等。

在电子信息产业链中，大多数半导体材料都是单晶硅。

近年来中国各方面发展迅速，各类信息家电和通信产品需求旺盛，中国半导体行业迎来黄金发展期，因此半导体器件和硅材料的市场需求量都很大。

该单晶硅项目计划总投资9366.75万元，其中：固定资产投资7126.01万元，占项目总投资的76.08%；流动资金2240.74万元，占项目总投资的23.92%。

达产年营业收入15323.00万元，总成本费用11762.32万元，税金及附加169.02万元，利润总额3560.68万元，利税总额4220.83万元，税后净利润2670.51万元，达产年纳税总额1550.32万元；达产年投资利润率38.01%，投资利税率45.06%，投资回报率28.51%，全部投资回收期5.01年，提供就业职位217个。

坚持节能降耗的原则。

努力做到合理利用能源和节约能源，根据项目建设地的地理位置、地形、地势、气象、交通运输等条件及“保护生态环境、节约土地资源”的原则进行布置，做到工艺流程顺畅、物料管线短捷、公用工程设施集中布置，节约资源提高资源利用率，做好节能减排；从而实现节省项目投资和降低经营能耗之目的。

概论、建设背景、项目市场空间分析、投资建设方案、选址规划、项目建设设计方案、项目工艺分析、环境影响说明、项目安全管理、项目风险、项目节能方案、实施计划、投资计划、项目盈利能力分析、综合评价结论等。

单晶硅生产制造项目可行性研究报告目录第一章概论第二章建设背景第三章项目市场空间分析第四章投资建设方案第五章选址规划第六章项目建设设计方案第七章项目工艺分析第八章环境影响说明第九章项目安全管理第十章项目风险第十一章项目节能方案第十二章实施计划第十三章投资计划第十四章项目盈利能力分析第十五章项目招投标方案第十六章综合评价结论第一章概论一、项目承办单位基本情况（一）公司名称xxx公司（二）公司简介通过持续快速发展，公司经济规模和综合实力不断增长，企业贡献力和影响力大幅提升。