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《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型++++++------Rb1Rb2Re1Re2Rc RL C1CeC1C2L15V 8VRe1Re2UccUcc C2Ugs+10-1-2idUbsusRsR R R R R R R R2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3A4图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5图3-1++++++------D2R Rb1Rb2Re1Re2Rc RL C1CeC1C2L15V 8VB=50Ui RfRe1Re2UccUcc C2Ugs+10-1-2idUbsusRsRRRR RR R R 2R2R2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3A4图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝Ｖ，V 3＝Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
模拟电⼦技术复习题及答案⼀、填空题：1、电⼦电路中常⽤的半导体器件有⼆极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如硅和锗等。
半导体中中存在两种载流⼦：电⼦和空⽳。
纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能⼒很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：N型半导体——多数载流⼦是电⼦；P型半导体——多数载流⼦是空⽳。
当把P型半导体和N型半导体结合在⼀起时，在两者的交界处形成⼀个PN结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：截⽌区、放⼤区区和饱和区。
为了对输⼊信号进⾏线形放⼤，避免产⽣严重的⾮线形性失真，应使三极管⼯作在放⼤区内。
当三极管的静态⼯作点过分靠近截⽌区时容易产⽣截⽌失真，当三极管的静态⼯作点靠近饱和区时容易产⽣饱和失真。
3、半导体⼆极管就是利⽤⼀个PN结加上外壳，引出两个电极⽽制成的。
它的主要特点是具有单向性，在电路中可以起整流和检波等作⽤。
半导体⼆极管⼯作在反向击穿区时，即使流过管⼦的电流变化很⼤，管⼦两端的电压变化也很⼩，利⽤这种特性可以做成稳压管。
4、场效应管利⽤栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流，是⼀种电压控制器件。
场效应管分为结型型和绝缘栅型两⼤类。
5、多极放⼤电路常⽤的耦合⽅式有三种：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
6、在本征半导体中加⼊ 5 价元素可形成N型半导体，加⼊ 3 价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常⽤的偏置电路有镜像电流源、⽐例电流源和微电流源等。
8、不同类型的反馈对放⼤电路产⽣的影响不同。
正反馈使放⼤倍数提⾼；负反馈使放⼤倍数降低；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作⽤是稳定静态⼯作点，交流负反馈能够改善放⼤电路的各项动态技术指标。
9、电压负反馈使输出电压保持稳定，因⽽减⼩了放⼤电路的输出电阻；⽽电流负反馈使输出电流保持稳定，因⽽增⼤了输出电阻。
串联负反馈增⼤了放⼤电路的输⼊电阻；并联负反馈则减⼩了输⼊电阻。
模拟电子技术复习题及答案集团标准化工作小组 #Q8QGGQT-GX8G08Q8-GNQGJ8-MHHGN#一、填空题：1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如硅和锗等。
半导体中中存在两种载流子：电子和空穴。
纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：N 型半导体——多数载流子是电子；P型半导体——多数载流子是空穴。
当把P 型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个PN结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：截止区、放大区区和饱和区。
为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在放大区内。
当三极管的静态工作点过分靠近截止区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近饱和区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个PN结加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有单向性，在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在反向击穿区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成稳压管。
4、场效应管利用栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流，是一种电压控制器件。
场效应管分为结型型和绝缘栅型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
6、在本征半导体中加入 5 价元素可形成N型半导体，加入 3 价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有镜像电流源、比例电流源和微电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数提高；负反馈使放大倍数降低；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是稳定静态工作点，交流负反馈能够改善放大电路的各项动态技术指标。
9、电压负反馈使输出电压保持稳定，因而减小了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出电流保持稳定，因而增大了输出电阻。
模拟电子技术模拟考试题+参考答案一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、抑制零漂B、克服交越失真C、稳定放大倍数D、提高输入电阻正确答案：A2.低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是（）A、共基放大电路B、共漏放大电路C、共集电放大电路D、共射放大电路正确答案：D3.双极型半导体器件是( )。
A、晶体三极管;B、稳压管。
C、二极管;D、场效应管;正确答案：A4.MOS管形成导电沟道时，总是有两种载流子同时参与导电。
（）A、错B、对 :正确答案：A5.“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。
（）A、错B、对 :正确答案：A6.当信号频率等于放大电路的上限频率或下限频率时，放大倍数的值约下降到中频时的（）A、0.9B、0.5C、0.4D、0.707正确答案：D7.射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。
（）A、错B、对 :正确答案：A8.电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（）。
A、不失真问题；B、管子的工作效率。
C、放大电路的电压增益；正确答案：A9.当信号频率等于放大电路的下限频率时,放大倍数的值约下降到中频时的( )A、0.9B、0.707D、0.5正确答案：B10.P型半导体中的多数载流子是（）A、负离子B、正离子C、自由电子D、空穴正确答案：D11.场效应管的g极是它的( )。
A、漏极B、栅极C、发射极D、源极正确答案：B12.虚短”就是两点并不真正短接，但具有相等的电位。
（）A、错B、对 :正确答案：B13.晶体三极管的极是它的( )。
A、集电极B、发射极C、栅极D、基极正确答案：B14.理想集成运放的输出电阻为( )。
B、0;C、不定。
正确答案：B15.集成运放使用时不接负反馈，电路中的电压增益称为开环电压增益。
（）A、错B、对 :正确答案：A16.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。
一、（1）B （2）A （3）C （4）B （5）C （6）D （7）B （8）A（9）C （10）B （11）B （12）C （13）A （14）B （15）A （16）D二、1、零 无穷大2、正偏 反偏3、共射极 共集电极 共基极4、导通 截止 单向5、反向 少数 温度 无关6、A/1+AF 1/F7、交越 甲乙8、 电流， 电压9、输入级（前置级）；中间级10、共射极 共集电极 共基极 11、导通 截止 单向12、电容 ； 电感 13、A/1+AF 1/F14、变压器耦合；光电耦合三、分析计算题1、 二极管D 导通，-3V2、解：（1）列A 1反相输入端的节点电流方程可得I ds21ds 223O u r R R r R R R u ⋅+⋅-=∥∥ 为了在u I 变化时u O 基本不变，u I 增大时r d s应减小。
（2）A 2与D 1、D 2、R 6等组成半波整流电路，u O 2和u O 的关系为⎩⎨⎧=-=) (0) ( O 2O O O 2O 负半周正半周u u u u u 因此波形如解图P11.3所示。
（3）u O 3为直流信号，因为A 3组成了二阶低通滤波器，所以u O 3是u O 2的平均值。
u I 增大时u O 3应增大；因为只有u O 3增大r D S 才会减小。
（4）调零。
3、解：由图可知R i ＝50k Ω，u M ＝－2u I 。
342R R R i i i +=即 3O M 4M 2M R u u R u R u -+=-输出电压 I M O 10452u u u -==4、解：（a ）Vu u u u R R u R R u R R u 935221252213I2I1I33f I22f I11f O =⨯+⨯-⨯-=+--=⋅+⋅-⋅-=（共8分） （b ）Vu u u u R R u R R u R R u 133210110101013I2I1I33f I22f I11f O =+⨯+⨯-=++-=⋅+⋅+⋅-=（共7分） 5、解：（1）设A 1、A 3的输出电压分别为u O 1、u O 3。
1 、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A. 二B. 三C. 四D. 五2 、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P 型半导体。
A. 二B. 三C. 四D. 五3 、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。
A. 大于B. 等于C. 小于4 、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A. 大于B. 等于C. 小于5 、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同6 、空间电荷区是由 C 构成的。
A. 电子B. 空穴C. 离子D. 分子7 、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定9 、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿10 、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
B. 前者正偏、后者反偏11 、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12 、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 μ A 增大到22 μ A 时，IC 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013 、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时，它的低频跨导g m 将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能14 、晶体管是 A 器件。
A. 电流控制电流15 、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE 。
16 、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图 1 为 D ；图 2 为 A 。
[ 基极电位总是处于中间]②0V ②9V①6V ①3V③ 5.7V ③ 2.3VA.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管图1 图217 、增强型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。
一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。
半导体中中存在两种载流子：和。
纯净的半导体称为，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。
11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。
滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。
电容滤波适用于电流，而电感滤波适用于电流。
在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。
12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( );Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。
13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( )14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压V o=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。
二、选择题：1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。
2、图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？3、设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V，求图中电路的输出电压Uo。
已知稳压管的正向压降为0.7V。
4、图所示电路，设Ui=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo的波形应为图示_______图。
5、判断图所示电路中各二极管是否导通,并求A,B两端的电压值。
设二极管正向压降为0.7V。
6、二极管最主要的特性是____________，它的两个主要参数是反映正向特性的____________和反映反向特性的____________。
（注：本题为往年考题）7、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。
试判断各晶体管的类型(是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。
8、测得某NPN管得ＶBE＝0.7V，ＶCE＝0.2V，由此可判定它工作在_______区。
9、为保证BJT共发射极放大器不产生削波失真，并要求在2K得负载上有不小于2V得信号电压幅度，在选择静态工作点时，就应保证|ＩCQ|≥_______，|ＶCEQ|≥_______。
（注：以上两题为2000年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题）10、在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。
这种失真是____。
A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真11、如下电路能否实现正常放大？12、在如图所示的基本放大电路中，输出端接有负载电阻R L，输入端加有正弦信号电压。
若输出电压波形出现底部削平的饱和失真，在不改变输入信号的条件下，减小R L的值，将出现什么现象？A.可能使失真消失B.失真更加严重C. 可能出现波形两头都削平的失真。
13、为了使一个电压信号能得到有效的放大，而且能向负载提供足够大的电流，应在这个信号源后面接入什么电路？A.共射电路B.共基电路C.共集电路14、在如图所示的放大电路中，设Vcc=10V，Rb1=4KΩ,Rb2=6KΩ,Rc=2KΩ,Re=3.3KΩ,Rl=2KΩ。
电容C1，C2和Ce都足够大。
若更换晶体管使β由50改为100，ｒbb'约为0)，则此放大电路的电压放大倍数____。
A.约为原来的2倍B.约为原来的0.5倍C.基本不变D.约为原来的4倍15、对于如图所示电路，问关于放大倍数的计算，以下式子哪个正确？A.-β×[(Rc||RL)/(rbe+Re)]B.-β[(Rc||RL)/rbe]C.-β×[(Rc||RL)/(Rb1||Rb2||rbe)]16、集成运算放大器是一种采用______耦合方式的放大电路，最常见的问题是__________，限于集成工艺的限制，在内部组成上，对高阻值电阻通常采用由三极管或场效应管组成的________来替代，或是采用________的方法来解决。
17、在差动放大电路中，若Vs1=18mV，Vs2=10mV，则输入差模电压Vsd =______mV，共模输入电压Vsc=______mV；若差模电压增益Avd= - 10，共模电压增益Avc= - 0.2，则差动放大电路输出电压Vo=______mV。
18、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_______作用和对共模信号的_______作用。
（注：本题为1998年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题）（答案）19、在不考虑反馈网络的附加移相作用时，负反馈转化为正反馈需A：一级放大 B：二级放大 C：三级放大20、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12KΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为：A：10KΩ B：2KΩ C：4KΩ D：3KΩ（答案与提示）21. 在考虑放大电路的频率失真时。
若Ui为正弦波，则Uo（）Ａ有可能产生相位失真Ｂ有可能产生幅度失真和相位失真Ｃ一定会产生非线性失真Ｄ不会产生线性失真22 某电路有用信号频率为2KHz，可选用（）A 低通滤波器B 高通滤波器C带通滤波器 D 带阻滤波器23工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（）A 开环或正反馈状态 B 深度负反馈状态C 放大状态D 线形工作状态24与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（）A 不用输出变压器B 不用输出端大电容C 效率高D 无交越失真三、计算题1、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
2、电路如图所示，V CC＝15V，β＝100，U BE＝0.7V。
试问：（1）R b＝50kΩ时，u O＝？（2）若T临界饱和，则R b≈？3、 电路如图所示，晶体管导通时U BE ＝0.7V ，β=50。
试分析V BB 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压u O 的值。
4、 电路如图所示，试问β大于多少时晶体管饱和？5、电路如下图所示，晶体管的β＝60，'bb r =100Ω。
（1）求解Q 点、uA &、R i 和R o ； （2）设s U ＝10mV （有效值），问i U ＝？o U ＝？若C 3开路，则i U ＝？o U ＝？6、电路如图下所示共集电极电路，晶体管的β＝80，r b e=1kΩ。
（1）求出Q点；A&和R i；（2）分别求出R L＝∞和R L＝3kΩ时电路的u（3）求出R o。
r=100Ω。
7、电路如图P2.13所示，晶体管的β＝100，'bbA&、R i和R o；（1）求电路的Q点、u（2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？图P2.138、电路如下图所示，判断反馈类型，并求出输出与输入的表达式。
Ifo f I f o I f f o f u RR R u uI uo R R Rb u RR u u R R R u R R RU a +==+-==+++=-2211;)(;0)（叠加定理解：利用虚断及虚短和9、 比例运放电路如下图所示，试求其输出电压Vo 与输入Vi1、Vi2的关系表达式。
10、试分别判断比较器类型，并求出图(a)、（b ）所示各电路的电压传输特性。
++__20K 10K40K V O1V OVi1Vi2A1A2＋－∞＋(a ) 同相滞回比较器R 1R 2R 3u IU R u O＋－∞＋(b ) 反相滞回比较器R 1R 2R 3U Ru I u O11、下图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，'bb r =100Ω，U B E Q≈0.7。
试计算R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I E Q ，以及动态参数A d 和R i 。
12、判断图（a ）所示电路的反馈类型，并估算图(a)所示负反馈放大器的闭环电压增益A uf =U o /U i 。
13、定性分析图所示电路，说明T1、T2在电路中的作用。
U i－＋C 1＋＋C 2R f＋U oV 2C 3＋＋C F ＋－＋－R f＋U o－(a ) 电路(b ) 反馈网络U C C＋＋U f V 11R c 1R b 2R c 2R e2C e 1C e 22R b 21R b 1R e1eR ′1R e14:判断如图电路的反馈类型15、判断如图电路的反馈类型16、倍压整流电路如图所示，求输出电压ＶL2的值。
17、电路如图所示，设半导体三极管的β=80，试分析当开关K分别接通A、B、C三位置时，三级管各工作在输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流Ic。
18、已知某共射放大电路的中频电压放大倍数为A um=-1000，f L=10Hz f H=1MHz，请画出该放大电路的对数幅频特性曲线图。
