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1 中国高校微电子排名电子科学技术一级学科下设四个二级学科，分别是物理电子学，电磁场与微波技术，电路与系统，微电子与固体电子学国家重点学科分布如下:电子科大:物理电子学，电磁场与微波技术，电路与系统，微电子与固体电子学西电:电磁场与微波技术，电路与系统，微电子与固体电子学清华:电路与系统，微电子与固体电子学，物理电子学北大:物理电子学，微电子与固体电子学复旦:电路与系统，微电子学与固体电子学北邮:电磁场与微波技术，电路与系统东南:电磁场与微波技术上海交大:电磁场与微波技术西安交大:微电子与固体电子学华中科大:物理电子学北京理工大学:物理电子学南京大学:微电子与固体电子学吉林大学:微电子与固体电子学哈工大:物理电子学西北工大:电路与系统通信工程一级学科下设两个二级学科，分别是通信与信息系统，信息与信号处理清华大学通信与信息系统，信息与信号处理北京邮电大学通信与信息系统，信息与信号处理电子科技大学通信与信息系统，信息与信号处理西安电子科技大学通信与信息系统，信息与信号处理东南大学通信与信息系统，信息与信号处理北京交通大学通信与信息系统，信息与信号处理北京大学通信与信息系统浙江大学通信与信息系统中科大通信与信息系统华南理工通信与信息系统哈工大通信与信息系统北京理工大学通信与信息系统上海交通大学通信与信息系统电子与通信重点学科分布:电子科大 6清华5西电5北邮4北大3东南3北理工 3上交2哈工大 2复旦2北京交大 2华南理工，华中科大，西安交大，中科大，浙大，西北工大，南京大学，吉林大学各一个国家重点实验室（电子与通信，不包括光学及光电）分布如下:电子科技大学 2 电子薄膜与集成器件实验室宽带光纤传输与通信系统技术实验室清华大学 1 微波与数字通信技术实验室北京邮电大学 1 程控交换技术与通信网实验室东南大学 1 移动与多点无线电通信系统实验室复旦大学 1 专用集成电路与系统实验室西电1 综合业务网理论及关健技术实验室北大&上交 1 区域光纤通信与相干光纤通信实验室电子科学与技术一级学科中科院院士的高校分布:（不包括光学与光电子学，控制，计算机，材料物理，信息遥感等学科方向，不包括双聘兼职及名誉院士）北京大学:王阳元微电子与固体电子学清华大学:李志坚微电子与固体电子学电子科技大学林为干电磁场与微波技术电子科技大学陈星弼微电子与固体电子学电子科技大学刘盛纲物理电子学与电子相关的通信电子系统方面的中科院士:西安电子科技大学保铮雷达，通信与电子系统哈尔滨工业大学刘永坦雷达，通信与电子系统北京理工大学王越雷达，通信电子系统上海交通大学张熙通信系统北京邮电大学叶培大微波通信北京邮电大学陈俊亮通信电子以上中科院士名单见中科院信息技术与科学部院士名单电子通信两个一级学科中工程院士分布:（不包括光学与光电子学，控制，计算机，材料物理，遥感信息等学科方向，不包括双聘，兼职及名誉院士）北京理工大学毛二可雷达电子东南大学韦钰电子东南大学孙忠良电磁场与微波技术清华大学吴佑寿数字通信电子科技大学李乐民通信系统哈工大张乃通通信系统北京邮电大学周炯磐通信系统国防科技大学郭桂蓉通信电子以上见工程院网页电子与通信两院院士分布如下:电子科大 4北邮3东南2北理工 2哈工大 2清华2北大1上交1国防科大 1西电11.微电子专业的全国高校排名情况（前十五名）微电子专业在全国的大学中不是很多，但稍微出点名的包括：北大、清华的微电子所，他们有钱，有名气！成电、西电的微电子相当不错，器件知识很猛的（对模拟电路很必要的）只是名气稍差；复旦、东南大学的微电子也很好！除此之外，就没有更牛的啦！2.中国研究生教育分专业排行榜：080903微电子学与固体电子学关键词：研究生教育分专业排行字体：大中小排名学校名称等级排名学校名称等级排名学校名称等级1 北京大学A+ 6 东南大学 A 11 浙江大学 A2 西安电子科技大学A+ 7 西安交通大学 A 12 吉林大学 A3 清华大学A+ 8 电子科技大学 A 13 天津大学A4 复旦大学 A 9 南京大学 A5 哈尔滨工业大学 A 10 华中科技大学 AB+ 等(21 个) ：上海交通大学、合肥工业大学、北京工业大学、华南理工大学、华南师范大学、河北工业大学、山东大学、南开大学、北京理工大学、大连理工大学、西北工业大学、中山大学、北京邮电大学、上海大学、西安理工大学、华东师范大学、兰州大学、贵州大学、武汉大学、厦门大学、北京航空航天大学B 等(21 个) ：湖南大学、南京理工大学、黑龙江大学、北京交通大学、西北大学、同济大学、杭州电子科技大学、四川大学、中国科学技术大学、山东师范大学、扬州大学、湘潭大学、重庆邮电大学、河北大学、重庆大学、江南大学、福州大学、广东工业大学、苏州大学、长春理工大学、哈尔滨理工大学C 等(14个) ：名单略/kaoyan_news_3989/20070917/t20070917_25 5245.shtml1,就微电子这个产业来说,国内是比较落后的，上学期上中芯国际与安捷伦的培训课，讲课的基本上都是台湾人，听他们说这一行的高管都是foreigner或台湾人。
国家标准《系统级封装(SiP)术语》(征求意见稿)编制说明1工作简况1.1任务来源本项目是2018年国家标准委下达的军民通用化工程标准项目中的一项，本国家标准的制定任务已列入2018年国家标准制修订项目，项目名称为《系统级封装(SiP)术语》，项目编号为：***。
本标准由中国电子科技集团公司第二十九研究所负责组织制定，标准归口单位为全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会（TC78/SC2）。
1.2起草单位简介中国电子科技集团公司第二十九研究所位于四川成都，是我国最早建立的专业从事电子信息对抗技术研究、装备型号研制与批量生产的骨干研究所。
多年来一直承担着国家重点工程、国家重大基础、国家重大安全等工程任务。
能够设计、开发和生产陆、海、空、天等各种平台的电子信息系统与装备，向合作伙伴和用户提供高质量及富有创新的系统和体系解决方案。
二十九所总占地面积近2000亩。
建有军品研发中心、民品研发中心、高科技产业园生产制造中心和测试培训基地。
拥有先进的电磁环境仿真中心、国家级质量检测中心和大型电子信息装备试验场，良好的基础设施为检验电子信息装备的综合试验性能和进行技术验证、开展科学试验提供了良好条件。
国际先进的宽带微波混合集成生产线、先进数控加工设备以及现代化的大型物流等设施，为电子信息装备的研制和生产提供坚实的平台。
在军民结合、寓军于民的方针指导下，二十九所引入战略合作伙伴，通过控股公司十余年来的探索，已在微波射频部件与组件、无线电频谱监测、综合信息服务领域初具规模，近年来，民品公司在电磁空间安全、物联网高端制造、低碳经济产业领域积极探索，已取得初步成效。
经过50余年的创业与发展，二十九所正以追求卓越、不断创新的特色文化为依托，培养敬业爱岗、有知识的员工；培育团结协作、富于进取的团队。
我们实施集团化运作，推动军民贸协调发展，为把二十九所建设成为引领电子对抗行业发展，并与国际接轨的现代创新型企业而奋斗！1.3主要工作过程接到编制任务，项目牵头单位中国电子科技集团公司第二十九研究所成立了标准编制组，中科院微电子研究所、复旦大学、厦门半导体封装有限公司等相关单位参与标准编制工作。
【关键字】发展什么是集成电路和微电子学集成电路（Integrated Circuit，简称IC）：一半导体单晶片作为基片，采用平面工艺，将晶体管、电阻、电容等元器件及其连线所构成的电路制作在基片上所构成的一个微型化的电路或系统。
微电子技术微电子是研究电子在半导体和集成电路中的物理现象、物理规律，病致力于这些物理现象、物理规律的应用，包括器件物理、器件结构、材料制备、集成工艺、电路与系统设计、自动测试以及封装、组装等一系列的理论和技术问题。
微电子学研究的对象除了集成电路以外，还包括集成电子器件、集成超导器件等。
集成电路的优点：体积小、重量轻;功耗小、成本低；速度快、可靠性高；微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向；衡量微电子技术进步的标志要在三个方面：一是缩小芯片器件结构的尺寸，即缩小加工线条的宽度；而是增加芯片中所包含的元器件的数量，即扩大集成规模；三是开拓有针对性的设计应用。
微电子技术的发展历史1947年晶体管的发明；到1958年前后已研究成功一这种组件为根底的混合组件；1958年美国的杰克基尔比发明了第一个锗集成电路。
1960年3月基尔比所在的德州仪器公司宣布了第一个集成电路产品，即多谐振荡器的诞生，它可用作二进制计数器、移位寄存器。
它包括2个晶体管、4个二极管、6个电阻和4个电容，封装在0.25英寸*0.12英寸的管壳内，厚度为0.03英寸。
这一发明具有划时代的意义，它掀开了半导体科学与技术史上全新的篇章。
1960年宣布发明了能实际应用的金属氧化物—半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field effect transistor ，MOSFET）。
1962年生产出晶体管——晶体管逻辑电路和发射极耦合逻辑电路；由于MOS电路在高度集成和功耗方面的优点，70年代，微电子技术进入了MOS电路时代；随着集成密度日益提高，集成电路正向集成系统发展，电路的设计也日益复杂、费事和昂贵。
集成电路产业现状及发展趋势付靖国家无线电监测中心监测中心关键词：集成电路集成电路产业发展与现状摘要：1958年美国德克萨斯仪器公司发明全球第一块集成电路后，随着硅平面技术的发展，20世纪60年代先后发明双极型和MOS型两种重要电路，创造了一个前所未有的具有极强渗透力和旺盛生命力的新兴产业——集成电路产业。
一、什么是集成电路产业1、集成电路集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或隧道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，通常用“IC”（Integrated Circuit）。
与集成电路相关的几个概念：晶圆：多指单晶硅圆片,由普通硅沙拉制提炼而成,是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至更大规格。
晶圆越大,同一圆片上可生产的IC就多,可降低成本，但要求材料技术和生产技术更高。
光刻:IC生产的主要工艺手段,指用光技术在晶圆上刻蚀电路。
前、后工序:IC制造过程中,晶圆光刻的工艺(即所谓流片),被称为前工序,这是IC制造的最要害技术;晶圆流片后,其切割、封装等工序被称为后工序。
线宽:4微米/1微米/0.6微米/0.35微米/90纳米等,是指IC 生产工艺可达到的最小导线宽度,是IC工艺先进水平的主要指标。
线宽越小,集成度就高,在同一面积上就集成更多电路单元。
封装:指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接。
2、集成电路产品分类集成电路产品一般是以内含晶体管等电子组件的数量即集成度来分类，即分成：①小型集成电路（SSI），晶体管数10~100；②中型集成电路（MSI），晶体管数100~1000；③大规模集成电路（LSI），晶体管数1000~10,0000；④超大规模集成电路（VLSI）,晶体管数10,0000以上。
3、集成电路产业链一条完整的集成电路产业链除了包括设计、芯片制造和封装测试三个分支产业外，还包括集成电路设备制造、关键材料生产等相关支撑产业。
半导体封装键合工艺中常见缺陷识别和处理方法南京信息职业技术学院李荣茂 2012-07-13##############2012-07-13######2#0#12-07-13########,摘要,本文叙述了键合工艺的概念、键合工艺设备的改进和其产生的各种缺陷的类别。
重点研究了键合工艺常见缺陷的类型和其产生的根本原因。
通过对各种缺陷类型的识别，探索其产生的根本原因并找出应对方法，从而增加其合格率。
,关键词,键合工艺缺陷处理方法1.引言 FORCE 大 POWER是比较适宜的 ;(3)断点靠我们需要调节参数，小近随着科技发展的日新月异，电子芯片的使用越来越渗透到各行各中间，通常问题已经不再参数上了，我们应当仔细观察设备平台，是否业，而封装技术也应运而生。
所谓封装技术是一种将集成电路用“”有异物例如一些小的残留碎片遗留在产品的底部造成损伤，如果确认绝缘是这样的情况，及时清理平台残留碎片即可。
的塑料或陶瓷材料打包的技术。
封装对于芯片来说不但必须也是至关 4.2 不规则焊球 Defective ball 重要的，它直接影响到了芯片的质量，而 WIRE BOND作为封装技术中的一个重要的步骤，其过程中产生的晶体缺陷也是不容忽视的。
2.WIRE BOND 键合工艺目前主要的芯片连接技术有三种,分别为引线键合，载带焊和倒装焊，其中前者占键合工艺的 80%以上，在 IC 制造也中得到广泛的应用。
引线键合是半导体封装制程的一站，自晶粒 (Die或 Chip)各电极上，以金线或铝线进行各式打线结合，再牵线至脚架(Lead Frame)的各内脚处续行打线以完成回路，这种两端打线的工作称为 WireB ond。
Wire bond 图 2 不规则焊球在芯片封装厂称为前工序，又叫做金属线键合是将 die 的 PAD飞线连如图 2 所示金线打在芯片上的球并非圆形且球与球的大小厚度还接到外部封装的 BALL 的工序。
不一样，表示同一粒芯片上的球是不规则的，一粒芯片大约有百来粒 3.键合工艺为什么会产生缺陷球，有可能只有一到两粒是产生这样异常的，可对质量的影响确是大打 3.1 键合工艺产生缺陷的原因折扣。
概念在里边，这样可以通过三维信息
去做很多事情。
比如可以捕捉手势、捕捉面部表情，或者把更好的把面部和背景分离开来。
因为面部距离和背景的距离是不一样的，利用这样的场用场景就可以丰富很多
是非常近景的环境。
系列，相对来说，内部的技术有细微差别，最大的差别就是它们的感知距
图1 Real Sense 3D眼镜内部构造
以在一个游戏场景中把一个玩家的头像抠出来，然后把它实时放到游戏的界面里去。
还有学习场景，学习和游的模块，然后在软件上面提供一个完整的SDK（Software Development Ki，软件开发工具包），可以给到用户比
图2 Real Sense 3D Camera技术应用。
国家标准《系统级封装(SiP)术语》(征求意见稿)编制说明1工作简况任务来源 1.1本项目是2018年国家标准委下达的军民通用化工程标准项目中的一项，本国家标准的制定任务已列入2018年国家标准制修订项目，项目名称为《系统级封装(SiP)术语》，项目编号为：***。
本标准由中国电子科技集团公司第二十九研究所负责组织制定，标准归口单位为全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会（TC78/SC2）。
起草单位简介 1.2中国电子科技集团公司第二十九研究所位于四川成都，是我国最早建立的专业从事电子信息对抗技术研究、装备型号研制与批量生产的骨干研究所。
多年来一直承担着国家重点工程、国家重大基础、国家重大安全等工程任务。
能够设计、开发和生产陆、海、空、天等各种平台的电子信息系统与装备，向合作伙伴和用户提供高质量及富有创新的系统和体系解决方案。
二十九所总占地面积近2000亩。
建有军品研发中心、民品研发中心、高科技产业园生产制造中心和测试培训基地。
拥有先进的电磁环境仿真中心、国家级质量检测中心和大型电子信息装备试验场，良好的基础设施为检验电子信息装备的综合试验性能和进行技术验证、开展科学试验提供了良好条件。
国际先进的宽带微波混合集成生产线、先进数控加工设备以及现代化的大型物流等设施，为电子信息装备的研制和生产提供坚实的平台。
在军民结合、寓军于民的方针指导下，二十九所引入战略合作伙伴，通过控股公司十余年来的探索，已在微波射频部件与组件、无线电频谱监测、综合信息服务领域初具规模，近年来，民品公司在电磁空间安全、物联网高端制造、低碳经济产业领域积极探索，已取得初步成效。
经过50余年的创业与发展，二十九所正以追求卓越、不断创新的特色文化为依托，培养敬业爱岗、有知识的员工；培育团结协作、富于进取的团队。
我们实施集团化运作，推动军民贸协调发展，为把二十九所建设成为引领电子对抗行业发展，并与国际接轨的现代创新型企业而奋斗！主要工作过程 1.31接到编制任务，项目牵头单位中国电子科技集团公司第二十九研究所成立了标准编制组，中科院微电子研究所、复旦大学、厦门半导体封装有限公司等相关单位参与标准编制工作。
