模电放大电路的例题
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实验目的和要求:① 了解运放调零和相位补偿的基本概念。
② 熟练掌握反相比例、同相比例、加法、减法等电路的设计方法。
③ 熟练掌握运算放大电路的故障检查和排除方法,以及增益、传输特性曲线的测量方法。
实验原理:预习思考:1、 设计一个反相比例放大器,要求:|A V|=10,Ri>10KΩ,将设计过程记录在预习报告上; 电路图如P20页5-1所示,电源电压为±15V ,R 1=10kΩ,R F =100 kΩ,R L =100 kΩ2、 设计一个同相比例放大器,要求:|A V|=11,Ri>100KΩ,将设计过程记录在预习报告上;R F R LVo电源电压为±15V ,R 1=10kΩ,R F =100 kΩ,R L =100 kΩ 3、 设计一个电路满足运算关系 VO= -2Vi1 + 3Vi2减法运算电路:1123213111113232)()()(i f i f i f i i O V R R V R R R R R R V R R R V R R R V V -++=++-+=3)()(32131=++R R R R R R f ,0,22211==⇒=R R R R R f f取Ω=Ω=Ω=Ω=K R K R K R K R f 100,0,20,10321实验电路如实验内容:1、反相输入比例运算电路(I ) 按图连接电路,其中电源电压为±15V ,R 1=10 kΩ, R F =100 kΩ, R L =100 kΩ, R P =10 kΩ//100 kΩAR1R F Rp=R F //R1R LVoVi+Vcc-Vcc输入端接地,用万用表测量并记录输出端电压值,此时测出失调电压0.016 V 分析:失调电压是直流电压,将会直接影响直流放大器的放大精度。
直流信号测量:Vi/V V O /V Avf测量值 理论值 -2 14.25 -7.125 -10 -0.5 4.98 -9.96 -10 0.5 -5.02 -10.04 -10 2-12.87-6.435-10实验结果分析:运算放大器的输出电压摆幅受器件特性的限制,当输入直流信号较大时,经过运放放大后的输出电压如果超过V OM ,则只能输出V OM 的值。
电路设计一、设计I/V变换电路,实现2mA的电流信号转换为5V的电压信号。
1、电路图与仿真结果:如图一,2、电路说明:电路中使用了最简单常见的运放LM324系列,电路结构简单,可以广泛应用,如果对精度要求更高,可以选用精密运放,如OPA系列的运放。
电路原理简单,由理想运放的虚断特性,】广广2mA,由虚短特性u二u二0,所以u=-i X R=-5V,从而实现了将2mA的电流信号转换为5V NPof2的电压信号。
3、参数确定方法:根据u=-i X R,要求输入2m A的电流输出5V的电压,可以确定oi2R=2.5k0。
24、分析总结:由于输出电压仅与i和R有关,改变R电路就可以实现不同电流型号转化i22为要求的电压信号。
同时由于不同场合条件不同,对电路稳定性的要求不同,可以根据实际条件改变运放型号,使电路可以在更广泛的范围里应用。
二、设计精密放大电路,其放大倍数为100倍。
1、电路图与仿真结果:如图二、图三,2、电路说明:电路用OPA系列精密运放实现精密放大,仿真结果如图三,电路为两级放大电路,每级的放大倍数为10。
则经两级放大后放大100倍。
而如果仅用一个运放完成100倍放大,仿真结果如图四,从示波器读数上可以看出放大结果为:A =982.55=98.3并不精密,而两级放大,放大倍数为A =999.3=99.99,精密u 9.997u 9.994程度大大提高,因此选用两级放大电路。
电路图:图二3、参数确定方法:1、电路图与仿真结果:电路图:如图五,各放大电路的放大倍数分别为A 二1+R=10,R1u1RA 二1+負二10,所以只要 R5u2三、设计信号处理电路,完成如下运算Uo=2.5+u : i仿真结图图四仿真结果:如图六,图六其中通过信号源输入一个峰值为I V,频率为1k Hz正弦波,示波器的通道A 接信号源,通道B接信号处理电路输出端。
示波器上的输出波形如图,根据从读数上可以看出,输出电压U 的最大值与最小值分别为3.499V 和1.502V ,满足o设计要求:u =2.5+u 。
[例4]电路如下图所示,晶体管的β=100,r bb =100Ω。
(1)求电路的Q 点、A u 、R i 和R o ;(2)若电容C e 开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?解(1)Q 点、 A u 、R i 和R o 的分析(2)Ce 开路分析即C e 开路时,R i 增大,u A 减小[例5]下图所示电路为仪器放大器,试求输出电压uO 与输入电压u1、u2之间的关系,并指出该电路输入电阻、输出电阻、共模抑制能力和差模增益的特点。
解:根据虚短的概念根据虚断的概念电路增益:2V V 122555CC b2b1b1BQ =⨯Ω+ΩΩ=⋅+≈K K K V R R R U mA 13.17.02e f BEQ BQ EQ ≈Ω-≈+-=K V V R R U U I A 1010111EQ BQ μ≈=+=mA I I βV 7.53.6112)(e f c EQ C EQ=Ω⨯-=++-≈K mA V R R R I V U CC EQ bb'be mV26)1(I r r β++=Ω≈⨯+Ω=k 73.2126101100mA mV 7.730010173.2)5//5(100)1()(fbe L c -≈⨯+ΩΩ⨯=++-=K K R r R R A u ββ∥])1([f be b2b1i R r R R R β++=∥∥Ω≈⨯+ΩΩ=k 7.3]30010173.2//[25//5K K Ω==k 5c o R R )])(1([f be b2b1i e R R r R R R +++=β∥∥Ω≈⨯+=k 1.4]3.110173.2//[25//592.1ef 'L -≈+-≈R R R A u 111u u u n p =≈222uu u n p =≈1211R u u i R -=124322R R u u i R +-=12R R i i ≈又))(21()(221122111243u u R R u u R R R u u -+=-+=-所以)(4334u u R R u o --=))(21(211234u u R R R R -+-=)21(123421R R R R u u u A o u +-=-=[例6]理想运放组成的电路如下图所示,已知输入电压V i1=0.6V ,V i2=0.4V ,V i3=-1V 。
模拟电子技术练习题1、差动放大器与其它放大器相比,其特点是能( )。
A .克服温漂B .稳定放大倍数C .提高输入电阻 D.扩展通频带 2、FET 是( )控制器件。
A.电流B.电压C.电场D.磁场3、对某一级晶体管放大电路,要其对前一级的影响小(吸取的电流小),对后级带负载能力强,宜采用( )。
A.共基极放大电路B.共发射极放大电路C.共集电极放大电路D.以上电路都可以 4、要制作频率非常稳定的测试用信号源,应选用( )。
A..RC 桥式正弦波振荡电路B..LC 正弦波振荡电路C.石英晶体正弦波振荡电路D.以上电路都可以5、对甲乙类功率放大器,其静态工作点一般设置在特性曲线的v 。
A.放大区中部B.截止区C.放大区但接近截止区D.放大区但接近饱和区 6、负反馈放大电路的一般表达式为....1FA A A f +=,当11..>+F A 时,表明放大电路引入了( )。
A .负反馈B .正反馈C .自激振荡 D.干扰7、已知输入信号的频率为10KHZ~12KHZ ,为了防止干扰信号的混入,应选用( )滤波电路。
A .高通 B .低通 C .带通 D.带阻 8、负反馈放大电路产生自激振荡条件是( )。
A .1..=F AB .1..-=F AC .1..>F A D. 1..<F A 9、在OCL 乙类功放电路中,若最大输出功率为1W ,则电路中功放管的集电极最大功耗约为( )。
A .1WB .0.5WC .0.2W D.无法确定 10、PN 结外加正向电压时,其空间电荷区( )。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定11.当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E ( ) 。
A. >,> B.<,< C. =,= D.≤,≤ 12、 共模抑制比越大表明电路( )。
A.放大倍数越稳定B.交流放大倍数越大C.输入信号中差模成分越大D.抑制温漂能力越大 13、负反馈所能抑制的干扰和噪音是( )。
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三及其参考答案试卷三一、选择题(这是四选一的选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共16分)1.有两个增益相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的()a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2.共模抑制比K CMR越大,表明电路()。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4.一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为()。
a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55.LC正弦波振荡电路如图1-5所示,该电路()。
a. 满足振荡条件,能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络,不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡6.双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时,V o=V c1-V c2=0,设差模电压增益100vd =A ,共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ,则输出电压o V 为( )。
a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77.对于图1-7所示的复合管,假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流,则复合管的穿透电流CEO I 为( )。
a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8.某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选( )。
模电考试题及答案一、选择题(每题3分,共30分)1. 在模拟电路中,三极管的主要作用是()。
A. 放大信号B. 整流C. 滤波D. 调制答案:A2. 理想运算放大器的输入阻抗是()。
A. 0B. 1ΩC. 1kΩD. 无穷大答案:D3. 共发射极放大电路中,若要增大输出电压,应增大()。
A. 集电极电阻B. 发射极电阻C. 基极电阻D. 电源电压答案:A4. 差分放大电路的主要优点是()。
A. 放大差模信号B. 抑制共模信号C. 增加输出电压D. 减小输入阻抗答案:B5. 负反馈可以()。
A. 增加放大倍数B. 减小非线性失真C. 增加输入阻抗D. 减小输出阻抗答案:B6. 场效应管的控制量是()。
A. 电压B. 电流C. 电荷D. 电场答案:D7. 在模拟电路中,为了减少噪声,通常采用()。
A. 增加电源电压B. 减小电源电压C. 增加信号源阻抗D. 减小信号源阻抗答案:D8. 集成运算放大器的输出电压范围受到()的限制。
A. 电源电压B. 输入电压C. 负载电阻D. 放大倍数答案:A9. 为了使共发射极放大电路工作在放大区,基极与发射极之间的电压应满足()。
A. V_BE > 0.7VB. V_BE < 0.7VC. V_BE = 0.7VD. V_BE ≥ 0V答案:A10. 理想二极管的正向导通电压为()。
A. 0VB. 0.7VC. 1VD. 2V答案:B二、填空题(每题2分,共20分)11. 在共基极放大电路中,输出电压与输入电压相位______。
答案:相同12. 集成运算放大器的差模输入阻抗是指两个输入端之间的阻抗,而共模输入阻抗是指两个输入端对地的阻抗,理想情况下,差模输入阻抗应为______,共模输入阻抗应为无穷大。
答案:无穷大13. 场效应管的跨导定义为输出电流与输入电压之间的比值,即 g_m = ______。
答案:I_D / V_GS14. 为了提高放大电路的输入阻抗,可以在三极管的基极与信号源之间串联一个______。
习 题 11.1. 当负载开路(R L =∞)时测得放大电路的输出电压o u'=2V ;当输出端接入R L =5.1kΩ的负载时,输出电压下降为u o =1. 2V ,求放大电路的输出电阻R o 。
解:'L o o L o R u u R R =•+,'o o(1) 3.4k o L u R R u =-=Ω 1.2 当在放大电路的输入端接入电压 u s =15mV ,内阻 R s =1k Ω的信号源时,测得电路的输入端的电压为 u i =10mV ,求放大电路的输入电阻 R i 。
解:ii s i s R u u R R =•+, ∴()2k i i s s iu R R u u ==Ω-1.3 当在电压放大电路的输入端接入电压 u s =15mV ,内阻 R s = 1k Ω的信号源时,测得电路的输入端的电压为 u i =10mV ;放大电路输出端接 R L = 3k Ω的负载,测得输出电压为u o =1.5V ,试计算该放大电路的电压增益 A u 和电流增益 A i ,并分别用 d B (分贝)表示。
解:oi150u u A u ==,dB A dB A u u 5.43lg 20)(== 100()o o Li i s i sI u R A I u u R ===-,dB A dB A i i 40lg 20)(== 1.4 某放大电路的幅频响应特性曲线如图1.1所示,试求电路的中频增益A um 、下限截止频率f L 、上限截止频率f H 和通频带f BW 。
解:dB dB A um 40)(= ∴100=umAHz f H 510= Hz f L 20= ∴Hz f f f f H L H BW 510=≈-=图1.1 习题1.4电路图 图1.2 习题1.5电路图1.5 电路如图1.2所示,已知:当输入电压为0.4V 时,要求输出电压为4V 。
试求解R 1和R 2的阻值。
模电复习题1、若测得工作在放大电路中的某一只双极型晶体管(BJT)的三个电极的直流电位为:U1=12 V、U2=11.7 V、U3=6 V,试问:据此可判断该管是。
A、PNP型锗管;B、PNP型硅管;C、NPN型硅管;D、NPN型锗管2.若测得工作在放大电路中的某BJT的三个电极的直流电位为:U1=6 V、U2=11.3 V、U3=12 V,则据此判断该管是。
A、PNP型Ge管;B、PNP型Si管;C、NPN型Si管;D、NPN型Ge管3.若测得工作在放大电路中的某一只双极型晶体管(BJT)的三个电极的直流电位为:U1=0 V、U2=-10 V、U3=-9.3 V,据此可判断该管是。
A、PNP型锗管;B、PNP型硅管;C、NPN型锗管;D、NPN型硅管4.在低频小信号共射放大电路中,合理设置静态工作点的目的是。
A、不失真地放大交流小信号;B、提高交流输入电阻;C、增强带负载能力;D、提高放大电路效率5.共射-共基电路的电压增益与单管共射电路的接近,但前者的优势是:具有较。
A、稳定的增益;B、宽的频带;C、小的输出电阻;D、强的抗干扰能力6.在教材P177图5.3.6所示电路中,当用直流电压表测得V CE≈V CC时,有可能是因为;当测得V CE≈0时,有可能是因为。
A.R b开路B. R b短路C. R L开路D. R b过小7.在教材P184图5.4.1a中,集电极电阻R C的作用是。
A.放大电流B.调节I BQC.防止输出信号交流对地短路,把放大了的电流转换成电压D. 调节I CQ8. 在教材P184图5.4.1a中,若上偏流电阻R b1短路,则该电路中的BJT工作在。
A.放大工作状态B.饱和工作状态C.截止工作状态D.工作状态不确定9. 在教材P184图5.4.1a中,若负载电阻R L开路,则静态工作点的I CQ。
A.增大B.减小C.不变D.不确定10. 在教材P184图5.4.1a中,若室温升高,三极管的I CQ,V CEQ。
模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题(满分100分)1.N型半导体带负电,P型半导体带正电。
()2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
()3.PN结处于正向偏置时,正向电流小,电阻大,处于导通状态。
()4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,二极管被击穿,就不能再使用了。
()5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。
()6.在本征半导体中,空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
()7.晶体三极管的基极,集电极,发射极都不可互换使用。
()8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是:发射结正偏,集电结正偏。
()9.晶体三极管有三种工作状态,即:放大状态,饱和状态,导通状态。
()10.三极管是一种电压控制器件,场效应管是一种电流控制器件。
()11.温度升高后,在纯净的半导体中()。
A.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同B.空穴增多,自由电子数目不变C.自由电子增多,空穴不变D.自由电子和空穴数目都不变12.如果PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压),则()。
A.阻当层不变,反向电流基本不变B.阻当层变厚,反向电流基本不变C.阻当层变窄,反向电流增大D.阻当层变厚,反向电流减小一、习题(满分100分)1.N型半导体()。
A.带正电B.带负电C.呈中性D.不确定2.如果二极管的正反向电阻都很大,则该二极管()。
A.正常B.断路C.被击穿D.短路3.对于晶体二极管,下列说法正确的是()。
A.正向偏置时导通,反向偏置时截止B.反向偏置时无电流流过二极管C.反向击穿后立即烧毁D.导通时可等效为一线性电阻4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图,那么,第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为()。
A.0.03mA 流出三极管e、c、bB.0.03mA 流进三极管e、c、bC.0.03mA 流出三极管c、e、bD.0.03mA 流进三极管c、e、b5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图,从而可判断该晶体管工作在()。
第2章基本放大电路自测题一.在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。
1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
(×)2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。
(√)3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。
(×)4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
(×)5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
(√)6.由于放大的对象是变化量,所以当输入直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。
(×)7.只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
(×)二.试分析图各电路是否能放大正弦交流信号,简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b) (c)(d) (e) (f)(g) (h) (i)图解:图(a)不能。
V BB 将输入信号短路。
图(b)可以。
图(c)不能。
输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。
图(d)不能。
晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。
图(e)不能。
输入信号被电容C 2短路。
图(f)不能。
输出始终为零。
图(g)可能。
图(h)不合理。
因为G -S 间电压将大于零。
图(i)不能。
因为T 截止。
三.在图 所示电路中,已知12CC V V =, 晶体管β=100,'100b R k =Ω。
填空:要求先填文字表达式后填得数。
(1)当0iU V =&时,测得0.7BEQ U V =,若要基极电流20BQ I A μ=, 则'b R 和W R 之和 b R =( ()/CC BEQ BQ V U I - )k Ω≈( 565 )k Ω;而若测得6CEQ U V =,则c R =( ()/CC CEQ BQ V U I β- )≈( 3 )k Ω。
(2)若测得输入电压有效值5i U mV =时,输出电压有效值'0.6o U V =,则电压放大倍数u A =&( /o iU U - )≈( -120 )。
第二章训练题一、判断题:1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
(×)2. 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
(×)3.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;(× )4.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
5. 由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。
(×)6. 当单级放大电路的静态工作点过高时,根据I b=I c/β,可选用β大的晶体三极管来减小I b 。
(×)7. 只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
(×)8. 若单管共射放大电路中的三极管为NPN型,输出电压的底部失真时为饱和失真。
(√)9. 在共射放大电路中,若晶体管为NPN,输出电压u o出现底部失真,则该失真为截止失真。
(×)10. 由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。
(×)11.可以说任何放大电路都有功率放大作用;(√)12.若单管共射放大电路出现截止失真,可适当增大基极电阻R B消除失真。
( × )13.某二级电压放大电路中,已知A u1=-10、A u2=-50 ,则总的电压放大倍数为500。
(√)14. 某二级电压放大电路中,已知Au1=50、Au2=100 ,则总的电压放大倍数为150。
(√)15. 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。
(×)16. 有人测得晶体管的U BE=0.7V, I B=20µA,因此推算出:be r=U BE/I B=0.7V/20µA=35KΩ。
(×)17.放大电路如图1所示,已知:U CC=12V,R B=240kΩ,R C=3kΩ,晶体管β=40,且忽略U BE。
模电试卷题库(含答案)1.某个处于放⼤状态的电路,当输⼊电压为10mV,输出电压为,输⼊电压为15mV时,输出电压为7V(以上均为直流电压),它的电压增益为( C )a、700b、650c、100d、-1002.当输⼊信号频率为f L或f H时,电压增益的幅值约下降为中频时的( B )a、05.b、c、d、13.当输⼊信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。
A、2 dBB、3dBC、4dBD、6dB4.某放⼤电路在负载开路时的输出电压为4V,接3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放⼤电路的输出电阻为( C )a、10KΩb、2KΩc、1 KΩd、Ω5.⽤两个AU相同的放⼤电路A和B分别对同⼀个具有相同内阻的电压信号进⾏放⼤,测试结果输出电压VOA>VOB,由此可知A⽐B ( B )a、⼀样b、差c、好d、⽆法判别b、输⼊电阻⼩c、输出电阻⾼d、输出电阻低理想运放7.在线性区内,分析理想运放⼆输⼊间的电压时可采⽤(A )a、虚短b、虚断c、虚地d、以上均否8.如图⽰,运放A为理想器件,则其输出电压V0为(A )a、0Vb、3Vc、6Vd、9V9.如图⽰,运放A为理想器件,则其输出电压VO为( C )a、9Vb、6Vc、0Vd、3V10.设V N、V P和V0分别表⽰反相输⼊端、同相输⼊端和输出端,则V0与V N、V P分别成( D )a、同相、同相b、反相、反相c、同相、反相d、反相、同相11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三⾓波,则应选⽤(D )12.A、反相⽐例运算电路13.B、同相⽐例运算电路14.C、微分运算电路15.D、积分运算电路半导体16.N型半导体是在本征半导体中加⼊以下物质后形成的(D )。
a、电⼦d、五价磷元素17.半导体中有两种载流⼦,它们分别是(C )a、电⼦和受主离⼦b、空⽳和施主离⼦c、电⼦和空⽳d、受主离⼦和施主离⼦18.在杂质半导体中,多数载流⼦的浓度主要取决于( B )a、温度b、杂质浓度c、掺杂⼯艺d、晶体缺陷19.在室温附近,当温度升⾼时,杂质半导体中浓度明显增加是(C )a、载流⼦b、多数载流⼦c、少数载流⼦d、正负离⼦20.温度升⾼后,在纯半导体中,其电⼦、空⽳变化为( A )a、⾃由电⼦和空⽳数⽬都增多,且增量相同b、空⽳增多,⾃由电⼦数⽬不变c、⾃由电⼦增多,空⽳数⽬不变d、⾃由电⼦和空⽳数⽬都不变⼆极管21.PN结不加外部电压时,PN结中的电流为(B )a、只从P区流向N区b、等于零c、只从N区流向P区d、⽆法判别22.流过⼆极管的电流⼀定,⽽温度升⾼时,⼆极管的正向电压(A )a、减⼩b、增⼤c、基本不变d、⽆法确定23.当PN结外加正向电压时,耗尽层将( C )24.⼆极管正向电压从增⼤5%时,流过的电流增⼤为( B )a、5%b、⼤于5%c、⼩于5%d、不确定25.温度升⾼时,⼆极管的反向伏安特性曲线应( A )a、上移b、下移c、不变d、以上均有可能26.利⽤⼆极管组成整流电路,是应⽤⼆极管的( D )a、反向击穿特性b、正向特性c、反向特性d、单向导电性27.PN结形成后,PN结中含有( D )a、电⼦b、空⽳c、电⼦和空⽳d、杂质离⼦28.PN结不加外部电压时,扩散电流与漂移电流应( A )a、相等b、⼤于c、⼩于d、⽆法确定29.稳压管能够稳定电压,它必须⼯作在( D )a、正向状态b、反向状态c、单向导电状态d、反向击穿状态30.以下四种半导体器件中,为硅稳压管的是( C )31.在⼀般电路分析计祘时,常将⼆极管简化为理想模型、恒压降模型、折线模型和⼩信号模型。
第2章基本放大电路自测题一.在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。
1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
(×)2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。
(√)3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。
(×)4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
(×)5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
(√)6.由于放大的对象是变化量,所以当输入直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。
(×)7.只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
(×)二.试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号,简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b) (c)(d) (e) (f)(g) (h) (i)图T2.2解:图(a)不能。
V BB 将输入信号短路。
图(b)可以。
图(c)不能。
输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。
图(d)不能。
晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。
图(e)不能。
输入信号被电容C 2短路。
图(f)不能。
输出始终为零。
图(g)可能。
图(h)不合理。
因为G -S 间电压将大于零。
图(i)不能。
因为T 截止。
三.在图T2.3 所示电路中,已知12CC V V =, 晶体管β=100,'100b R k =Ω。
填空:要求先填文字表达式后填得数。
(1)当0i U V =时,测得0.7BEQ U V =,若要基极电流20BQ I A μ=, 则'b R 和W R 之和b R =( ()/CC BEQ BQ V U I - )k Ω≈( 565 )k Ω;而若测得6CEQ U V =,则c R =( ()/CC CEQ BQ V U I β- )≈( 3 )k Ω。
(2)若测得输入电压有效值5i U mV =时,输出电压有效值'0.6o U V =,则电压放大倍数u A =( /o i U U - )≈( -120 )。
.
. =200Ωr在图示的单管共射放大电路中,已知三极管的,β=504-1.bb'①试估算放大电路的静态
工作点Q ;
②试估算 r和A; vbe③假设换上 β=100 三极管,电路其他参数不变,则 Q 点将如何变化?
④如果换上 β=100 的三极管后,仍保持 I (≈I) 不变(此时需调整基极电阻Rb), CQEQ则
A 如何变化? v⑤假设仍用原来 β=50的三极管,但调整 R 使 I增大一倍,则 A= ?
vbEQ
①估算Q
I≈βI= 50×0.02 = 1mA≈I EQCQBQV=V-IR= 12-1×5 = 7V CCCCQCEQ②估算r 和 A
vbe
.
.
③当β=100时,如电路其他参数不变,则 I不变,即 I仍为0.02mA,但BQBQ是I和V 将
发生变化,此时 CEQCQI=100×0.02 = 2mA ≈ I EQCQV=12-2×5=2V
CEQβ=100 增大时,I 增大 V 减小,静态工作点移近饱和区。可见当 CEQCQ
β
=100,I不变时
④当
EQ
r = 200+=2826Ω≈2.8kΩ
be
A = - =- 89.3
vβ 由50增大到100,而 I保持不变时,由于r 增大了将计算结果表明,当beEQ
近一倍,因此|A| 虽略有增加,但不显著。 vβ=50,I=2mA时 ⑤当
EQ
r= 200 +=856Ω
be
= - =-145.3
A
v
β
不变,但是由于I 提高,虽然虽然三极管的 使 r 减小, 上面计算得到的 A值表明,
beEQv
结果有效地提高了|A | 。但应注意,不能为了增大|A | 而无限度地提高 I,因为 I 太
EQ vvEQ
大将使静态工作点进入饱和区,从而导致输出波形出现明显的非线性失真。
.
.
4-2.试用微变等效电路法估算所示放大电路=100Ω。假设电容 C , C 和已知三极管的的电压放
大倍数和输入、输出电阻。 β=50, r bb'21C 足够大。 e
.
.
直流通路 交流通路
先分别画出放大电路的直流通路和交流通路,以便估算静态工作点以及计算动态
ARR
,和技术指标
v
oi
在直流通路中,电容 C,C和 C 开路;因为 C,C 和 C足够大,可视为
交流短路,所以,e2211e在交流通路中电阻Re2被短路,发射级只有一个电阻Re1,则放大电路的
直流通路和交流通路分别如图所示。
根据直流通路的基级回路可以列出如下方程:
IR + V + I( R+ R)= V ccBQEQbe1BEQe2 则:
由交流通路,可知放大电路的电压放大倍数为
Ω=2kR =Rco在估算电压放大倍数时,因为本电路满足条件(1+β)R>>r,所以也可用下式来近似
估算A的
ve1be
.
.
数值
3-1.场效应管工作点稳定电路如图 3-1所 =-4V,I =1mV,V =+16V, V已知场效应管沟道
结型结构。N示,图中场效应管为
DDGS(off)DSS
.
.
R=40
k=160 R,G2G1R,kG
,=1MR=10
D
.
.
,Rk=8
S
,k计算静态工作点Q(I=1MR、V,、
GSQ LDQ
、
.
.
V )。
DSQ
与自给栅偏压电路不同,工作点稳定电路栅极静态电位 不等于0,因此用近似
计算法求Q点的方程应为
为 V其中
G
.
.
为 V代入给定参数值,解得G
.
.
=8 k, I =1mV, V =-4V的R 在GS(off)S DSS 2)式可写成条件下,(1)、(V=3.2-8
I (3)
D GS
(4)
将(3)式代入(4)式中,得
求解此方程,解得
I=1.52mA, I=0.535mA D2D1=1.52mA 不合题意,舍去,故静态漏极电流I 为
I其中DQD1I=0.535mA DQ 、V 分别为 V静态管压降DSQGSQV=3.2-8×
0.535=-1.08(V) GSQV=16-0535(10+8)=6.37(V)
DSQ
.