1 微星AMD主板的BIOS设置详解 本设置讲解，以785GTM-E65为蓝本，其他AMD主板也可参考。 不同型号AMD主板只是BIOS设置项目有多有少，只要是有的项目，设置方式和内容基本相同。 一、BIOS主菜单 1、Standard CMOS Features 标准CMOS属性 2、Advanced BIOS Features 高级BIOS 属性 3、Integrated Peripherals 整合周边设备 4、Power Management 电源管理 5、H/W Monitor 硬件监测 6、Green Power 绿色节能 7、BIOS Setting Password 开机密码设置 8、Cell Menu 核心菜单 9、M-Flash U盘刷新BIOS 10、User Settings 用户设置项 11、Load Fail-Safe Defaults 加载安全缺省值 12、Load Optimized Defaults 加载优化值 13、Save & Exit Setup 保存设置并退出 14、Exit Without Saving 退出而不保存 二、Cell Menu 核心菜单设置 1、CPU相关设置 CPU相关设置有9项 1-1、CPU Specifications：这是查看CPU的规格和参数，也可以随时按F4查看。 2 1-2、AND Cool `n` Quiet：AMD CPU的节能技术，也叫“凉又静”。依据CPU负载改变CPU的倍频和电压。当CPU空闲时，核心电压降到最低，倍频也降到最低。如果主板有微星的APS功能，请开启这个选项。该选项的设置是Enabled和Disabled。 1-3、Adjust CPU FSB Frequency （MHz）：调整CPU的前端总线频率。默认的频率是CPU的标准FSB频率，用户可以自己调整，就是超频。在这里直接键入频率数值，比如220。 1-4、Adjust CPU Ratio：调整CPU的倍频。AMD的CPU一般是锁定最高倍频的，只能降低倍频。有个别不锁倍频的CPU才可以调整到更高的倍频。该项的默认设置是Auto。敲回车，弹出倍频列表，用户可以从中选择希望的倍频。 1-5、Adjust CPU-NB Ratio：调整CPU内北桥（内存控制器）的倍率。AMD CPU整合了内存控制器，这个选项可以调整内存控制器的倍率。调整这个倍率要与内存频率设置相互配合，一般需要多次调整，才能达到最佳效果，如果设置不正确，可能引起蓝屏死机。 1-6、EC Firmware：EC固件设置。这是AMD SB710芯片组新开的一个设置项，用于开启被AMD关闭核心（有部分是不能正常运作的）。这项的默认设置是Normal。敲回车，弹出选项菜单供用户选择。 Normal是普通模式，就是不开启关闭的核心。Special是特殊模式，开启被关闭的核心。注意这个选项要配合下面的Advanced Clock Calibration设置。 1-7、Advanced Clock Calibration：高级时钟校准。这是SB750开始有的有的功能。用于校准CPU的时钟频率，同时支持AMD的CPU超频软件AMD Over Drive。SB710继承了这项功能，还可以配合EC Firmware开启关闭的核心。默认设置是Disabled。敲回车弹出选项菜单： Auto是自动模式。想开启关闭的核心，请设置为Auto。 All Cores是对所有核心都进行相同的高级时钟校准。选择了All Core后，菜单会多出一个选项。 就是要求选择校准的百分比。在Value上敲回车会弹出百分比选择菜单。 3 Per Core可以对每个核心单独设置时钟校准百分比。选择Per Core后，菜单会多出一个选项： 也是要求选择校准的百分比。在每一个Value敲回车都会弹出百分比选择菜单。 请注意，Value的个数与CPU的核心数相匹配，比如2核的就有2个Value选项。 1-8、Auto Over Clock Technology：微星独有的一种自动超频技术，默认是Disabled，可以设置为Max FSB。就是系统自动侦测CPU可能超频的最大FSB值。设置该项后，系统可能重复启动多次，最后找到最大FSB启动。由于FSB涉及内存的频率，可能会因为内存缘故而出现在最大FSB情况下，不能进系统，或者蓝屏死机。 1-9、Multistep OC Booster：这是微星独有的超频辅助技术，当CPU因超频较高，不能启动时，可以利用这个选项。它的作用是先以较低的频率启动进系统，然后再恢复原来频率。 该选项默认是Disabled，有Mode1和Mode2选项。Mode1是以低于原频率90%的频率启动。Mode2是以低于原频率80%的频率启动。 2、内存相关设置 内存设置有3项： 2-1、MEMORY-Z：这是查看内存的SPD参数。也可以随时按F5查看 插2条内存，弹出2条内存的SPD信息，如果插4条，就会有4条SPD信息。回车就可以查看1条内存的SPD： 2-2、Advance DRAM Configuration：高级DRAM配置。就是用户自己配置内存时序参数。回车进入高级DRAM配置： 4 2-2-1、DRAM Timing Mode：DRAM时序模式。有4项设置：Auto、DCT0、DCT1、Both。 Auto就是按内存条的SPD设置内存时序参数。DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。默认设置是Auto。 这是DCT0的时序参数设置： 内存时序参数最主要的有4个。CL-tRCD-tRP-tRAS，这4个参数也是在内存条上常常看到的，比如8-8-8-24，就是这4个参数。 附注：内存时序参数知识 1、内存芯片内部的存储单元是矩阵排列的，所以用行（Row）地址和列（Column）地址标识一个内存单元。 2、内存寻址就是通过行地址和列地址寻找内存的一个存储单元。系统发出的地址编码需要经过地址译码器译出行地址和列地址，才可以对内存读写。 3、内存芯片是易失性存储器，必须经常对内存的每个存储单元充电，才可以保持存储的数据。读写前要先对选定的存储单元预充电（Pre charge）。 4、对内存的存储单元读写前要先发出激活（Active）命令，然后才是读写命令。 5、CL就是CAS Latency，CAS（列地址选通）潜伏时间，实际上也是延迟。指的是CPU发出读命令到获得内存输出数据的时间间隔。 6、tRCD是RAS-to-CAS Delay，行地址选通到列地址选通的延迟。一般是指发出激活命令和读写命令之间的时间间隔。在这段时间内经过充电，数据信号足够强。 7、tRP是Row-Pre charge Delay，行预充电延迟。一般是指发出预充电命令和激活命令之间的时间间隔。在这段时间内对激活的行充电。 8、tRAS是Row-active Delay，行激活延迟。一般是指行激活命令和发出预充电命令之间的时间间隔。 9、上述潜伏和延迟时间可以用绝对时间值ns，也可用相对时间—周期。一般多用周期表达。周期数越小，内存的速度越高。选购内存，不仅要看标注的频率，还要看标注的时序参数。内存时序参数标准由JEDEC制定。下面列出DDR3的时序参数规格，供参考。 5 标准的时序参数有7-7-7/8-8-8/9-9-9三种，其中7-7-7的最好。还有非标准的7-8-8/8-9-9的，这种时序参数的内存条，上标称频率就会死机蓝屏。降一级频率就没有问题。 2-2-2、DRAM Drive Strength：DRAM驱动强度。 该选项有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存设置。其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。设置为DCT0/1或Both时，会增加设置项目，下面看看用户自己手动设置的项目： 每个通道的信号驱动强度设置包括8项。 CKE Drive Strength：时钟允许（Clock enable）信号驱动强度 CS/ODT Drive Strength：片选/内建终端电阻驱动强度 Addr/Cmd Drive Strength：地址/命令驱动强度 Clock Drive Strength：时钟信号驱动强度 Data Drive Strength：数据信号驱动强度 DQS Drive Strebgth：数据请求信号驱动强度 ProcOdt：CPU内建终端电阻 驱动强度的设置就是用户设置内存信号的强度，一般以默认为1，设置选项是默认的倍率： 2-2-3、DRAM Advance Control：DRAM高级控制。 该选项有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存设置。其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。设置为DCT0/1或Both时，会增加设置项目，下面看看用户自己手动设置的项目： 每个通道的高级控制有6项。 DRAM Termination：内存芯片的片内终端电阻。从DDR2开始内存防止信号干扰的终端电阻放在芯片内。DDR3也是这样。这项是设置终端电阻的参数，设置参数有Auto、Disabled、75 6 ohms、150 ohms、50 ohms。默认是Auto。 DRAM Drive Weak：减弱DRAM驱动强度。设置参数有Auto、Normal、Reduced。Auto是让BIOS依据内存条自动设置。Normal是默认强度，Reduced是减弱驱动强度。 DRAM Parity Enable：允许DRAM 奇偶校验。奇偶校验是对内存读写是防止数据错误的一种方法。但允许奇偶校验会影响内存读写速度。设置参数有Auto、Enabled、Disabled。默认设置是Auto。 DRAM Self Refresh Rate Enable：允许DRAM自刷新速率。DRAM刷新就是充电，通过充电保持数据信号。自刷新是关闭系统时钟CKE，DRAM采用自己的内部时钟确定刷新速率。设置参数有Auto、Enabled、Disabled。默认设置是Auto。 DRAM Burst Length 32：DRAM突发模式的长度32。突发模式是系统对内存读写时一次连续读写。连续读写的长度有32字节和64字节。这项设置就是选择32字节，还是64字节。设置参数有Auto、64字节、32字节。默认是Auto。Auto就是由系统依据数据分布自动采用突发模式的长度。 Bank Swizzle Mode：Bank搅和模式。内存芯片内的存储单元是按矩阵排列的，每一矩阵组成一个Bank，芯片内的Bank有4 Bank、8 Bank等，一般中文称之为逻辑Bank。 内存芯片组成内存条后，也有Bank，一般以64位为一个Bank。通常一面内存的8颗芯片构成一个Bank。双面就是2个Bank。CPU和内存进行数据交换时以Bank为单位，一次交换64位数据，也就是通常说的“带宽”，双通道就是128位。这种Bank称之为物理Bank。CPU访问内存时先定位物理Bank，然后通过片选（信号）定位芯片内的逻辑Bank。 插在DIMM槽的内存条有1个或2个片选Bank，访问命令不管实际有几个片选Bank，都是覆盖2个。Bank Swizzle模式就是通过异或（XOR）逻辑运算，判定实际的片选Bank。设置参数有Auto、Disabled、Enabled。Auto就是交给BIOS和系统处理。Disabled就是禁止Swizzle模式，Enabled就是允许。Swizzle模式可以提高CPU的性能，但是会影响显卡性能。一般还是设置Auto为好。 2-2-4、1T/2T Memory Timing：1T/2T内存时序。这个选项也叫做“命令速度”，就是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。1T当然比2T快。但是要依据内存条的性能。性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。一般保持Auto设置即可，让BIOS自己去设置。
Intel主板上电时序讲解（3）
网芯；sio收到pfmrst#信号后，然后由sio的31脚输出pcierst#、33脚输出iderst#、34脚输出pfmrst1到bios和北桥。
（主板上的很多复位电路的复位端，有时候是直接并联在一起的，有时候是在复位端前面加一个缓冲器进行隔离，常用的缓冲器就是74f125。）
在北桥nb接收到南桥送出的pfmrst1后，北桥送出cpurst#给775cpu，以通知cpu可以开始执行第一个指令动作.(不过要北桥送出cpurst#的前提是在北桥的各个工作电压&clock都ok的情况下)。
之后电脑就进入软启动状态，即bios开始工作，将控制权交给bios的post程序，由post程序检查硬件的工作状态和配置信息，产生各种总线信号，初始化硬件，点亮显示器，然后将控制权交给操作系统，完成软启动。
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台式机主板上电时序
台式主板上电时序
装入主板电池后首先送出RTCRST#（3V的复位信号）给南桥，
南桥边的晶振提供32.768KHZ频率给南桥
I/O芯片检测电源是否正常提供+5VSB电压
+5VSB电压正常转换出+3VSB
I/O发出RSMRST#信号通知南桥+5VSB已经准备好了
南桥正常送出SUSCLK(32KHZ)
当用户按下电源按钮后，将送出PWRBTN#给I/O和南桥
I/O收到后发出PWRBTN#信号给南桥
南桥送出SLP_S3#和SLP_S4#给I/O
I/O发出PS_ON#(低电平)给主机电源
当电源接收到PSON#(由高电平向低电平跳变)，电源开关立即送出+12，-12V，+3.3V,+5V,-5V这些主电源电压
当主机电源送出+12V，-12V，+3.3V,+5V,-5V主电源电压后，其他主板转换后的工作电压如：+VTT_CPU,+1.5V,+2.5V_DAC,+5V_DUAL,+3V_DUAL,+1.8V_DUAL也将随后全部送出
当+VTT_CPU送给CPU后，CPU会送出VTT_PWRGD电源好信号（高电平）给CPU、时钟芯片、CPU电源管理芯片。
时钟芯片开始给各个功能性芯片电路提供同步时钟，（此时侦测卡的CLK指示灯亮）
时钟芯片同时给南桥提供时钟。
CPU用VTT_PWRGD信号确认VTT_CPU（供CPU电压）稳定在安全范围内，接到VTT_PWRGD信号后CPU会发出VID
CPU电源管理芯片收到VTT_PWRGD后会根据VID组合送出VCORE(CPU核心供电)
在VCORE正常发出后，CPU电源管理芯片立即送出VRMPWRGD信号给南桥，来通知南桥现在VCORE电压已经正常发出。
当提供给南桥的工作电压和时钟都好了后，由南桥发出PLTRST#和PCIRST#给各个功能性芯片电路（此时侦测卡的RST指示灯亮）
在北桥接收到南桥发出的PLTRST#大约1ms后，（此时北桥的各个工作电压和时钟应正常）北桥送出CUPRST#给CPU,来通知CPU可以开始执行第一个指令动作
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时序是指主板在开机过程中电压及信号先后开启的顺序。上电时序反映的是主板工作的内在规律，是区分故障部位的重要手段，是使维修工作事半功倍的前提。
按下开机按键，启动就开始了。启动过程分为硬启动和软启动两步。硬启动就是指给主板加电，产生各级芯片必须的时钟信号和复位信号的过程；而软启动部分就是指BIOS的POST自检过程，通过POST自检程序检测电脑的配置和能否正常工作，产生各种总线信号，形成硬件配置信息。无论是台式机还是笔记本均先硬启动而后再软启动。
下面以神舟945PL天尊板为例，讲解主板的上电时序。
第一步：
未插电源时主板准备上电的状态
装入电池后首先送出实时时钟RTCRST#&V_3V_BAT给南桥。
晶体（Crystal）提供32.768KHz频率给南桥。
第二步：
插上电源后的主板动作时序
+5Vsb正常转换出+3VDUAL。
SIO（IT8712K）67脚Check电源是否正常提供+5VSB电压。
SIO（IT8712K）85脚发出RSMRST#信号通知南桥+5VSB已经准备OK。
南桥正常送出待机时钟SUSCLK (32KHZ)。
第三步：
按下电源按钮后的动作时序
使用者按下电源控制面板上电源按钮后，送出一个低电平触发脉冲给SIO（IT8712K）75脚。
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SIO（IT8712K）收到后由72脚发出一个低电平触发脉冲给南桥。
SB送出SLP_S3#和SLP_S4#两个休眠信号给SIO（IT8712K）的71脚和77脚。
SIO（IT8712K）76脚发出PS_ON#(Low)开机信号给ATX Power的14脚。
当ATX Power接收到PSON#由High变Low后,ATX Power即送出±12V,
+3.3V,±5V数组主要电压.
一般当电源送出的+3.3Vand +5V正常后,SIO（IT8712K）的95脚ATXPG信号由5V通过R450和R472两个8.2K的电阻分压提供侦测信号。
