LED基本发光原理

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LED 物料基本知識
LED (Light Emitting Diode)俗稱發光二極管,是一種依靠半導體PN 結發光的光電元件,就LED LAMP 而言,它由電子元件和封裝系統組成.相應的,其基本原料組成可分為電子元件材料,封裝材料.輔助材料三大類.
一. 電子元件材料
電子元件材料包括晶片.金線.支架.銀膠,正是由這些材料聯結成一個發光的閉路電子元件.
1.晶片的基本構造:
A.晶片
N-electrode
晶片的基本構造就是由電極.基板.PN 結構成.其中PN 結是晶片結構中最重要的部分,晶片發光就是通過PN 結的自由電子移動來實現的,目前晶片常用的電極有金電極.鋁電極兩種,底部背金層有點背金.全背金兩種方.式一般情況下,我們采用全背金,這樣是為了保證PN 結發出的光線能最大限度地反向出去,但這樣電極面積增大,會造成吸收光量的增加. 基板常用的材質有GaP.GaAs 等,它們主要作用有二:
1)抗震動.沖擊;
2)散熱;
2.晶片的發光原理:
半導體元素與N 層半導體元素由于電子移動而重新排列組合,形成PN 結合層,從而使之處于相對穩定的狀態;但一旦在外力作用下,施加正向電壓,N 區自由電子即向P 區運動, P 區的空穴源源不斷地游向N 區,在電子空穴作定向移動的同時,電子空穴互相結對,激發出光子,產生光能.
3.晶片的分類:
3.1按組成的種類分為:
,如GaP/GaP,GaN
三元晶片,如GaAlAs.GaAsP.InGaN 等.
四元晶片,如AlGaInP AlGaInAs.
3.2按發光顏色可以划分為:
紅色晶片 材質: GaP, GaAlAs, AlGaInP (620-635nm)
P-electrode
PN junction
橙色晶片材質: GaAlAs AlGaInP(600-620nm)
黃色晶片材質: GaAlAs AlGaInP(584-596nm)
綠色晶片材質: GaP, AlGaInP
(藍綠BG)Bluish Green (500nm-520nm)
(純綠PG)Pure Green (520nm-550nm)
(標準綠SG) Standard Green(550nm-560nm)
(黃綠YG) Yellow Green(560nm-570nm)
藍色晶片材質: SIC. GaN ZnSe InGaN(460nm-480nm)
3.3按晶片電極性划分:
P/N極晶片
N/P極晶片
4按發光類型划分:
表面發光型光線大部分從晶片表面發射出來.
五面發光型表面.側面都有較多成份的光線射出.
晶片的重要性能指標
4.1 Vf順向電壓,執行LED亮燈之電流對應之二極體的電壓值,有電流產生,自由電子作定向移動,存在電位差,產生電壓降.
4.2 Iv光強,LED點亮時所能觀測到的亮度值,單位cd(candela),lcd=1000mcd.
4.3 Ir反向電流,在限定條件下反向漏電流,為二極體的基本特性,Ir越小越好,產生原因為
電子的不規則移動.
4.4 λd主波長.發光體大部分電磁波的發射距離.
4.5 λp峰值波長,LED晶片發光為雜色光,其所發出的最遠的電磁波的發射距離.
4.6 Δλ光譜寬度,晶片的發光為雜色光,它是由不同頻率的電磁波組合而成,組成光線的
最小頻率電磁波與最大頻率電磁波之間的距離稱為光譜寬度.
5. 晶片發光效率η是衡量晶片將電能轉化為光能的能力的一個重要指標.
η=F/(Vf*If)
F:光通量,單位為1m.
η:發光效率,單位為1m/w.。