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gan基led发光原理GAN基LED发光原理一、引言LED（Light Emitting Diode）是一种半导体器件，具有发光的特性。
而GAN（Gallium Nitride）是一种化合物半导体材料，具有高能隙、高电子饱和速度等优点。
GAN基LED发光原理是指利用GAN材料制备的LED器件，通过电子和空穴的复合释放出能量并产生光。
二、发光机制LED的发光机制是通过电子与空穴的复合过程释放能量，产生光。
而GAN基LED的发光机制与传统LED有所不同，主要体现在材料的能带结构和能隙大小上。
1. GAN材料的能带结构GAN材料的能带结构决定了其发光机制。
在GAN材料中，价带和导带之间存在能隙，电子在价带中，空穴在导带中。
当电子从价带跃迁到导带时，会释放出能量，产生光。
2. GAN材料的能隙大小GAN材料的能隙较大，一般为3.4-3.5电子伏特，相比其他材料的能隙较小。
这意味着GAN材料需要更大的能量才能使电子从价带跃迁到导带，因此产生的光具有更高的能量和更短的波长。
三、制备过程GAN基LED的制备过程主要包括材料生长、器件制备和封装等步骤。
1. 材料生长GAN材料的生长是制备GAN基LED的关键步骤之一。
常用的生长方法包括金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）等。
这些方法可以在晶体表面上沉积出具有高质量的GAN材料。
2. 器件制备在材料生长完成后，需要将其制备成LED器件。
这一步骤包括光刻、蚀刻、金属沉积、电极制备等。
通过这些步骤，可以形成PN结构，即正负极的结构，使电子和空穴能够在PN结区域复合并发光。
3. 封装器件制备完成后，需要进行封装，以保护器件并提供电气连接和光学耦合。
封装过程中通常使用透明的树脂将器件封装在内部，并通过金属线连接器与外部电路连接。
四、优势和应用GAN基LED相比传统LED具有以下优势：1. 高效能：GAN材料的能隙较大，使得发光效率更高，能够将电能转化为光能的比例更高。
光子晶体型GaN基LEDXXX（XXX）摘要本文从光子晶体的性能及聚焦离子束技术制备GaN基二维八重准晶光子晶体等方面指出了近年在GaN基光子晶体型LED方面研究的主要进展。
GaN基材料系的刻蚀速率主要取决于聚焦离子束的束流，而与时间无关。
制备时可在10pA至500pA离子束流范围内，通过改变放大倍数、扫描区域、离子束流和刻蚀时间等参数来调整刻蚀的孔径、深度和刻蚀区域大小。
关键词GaN;LED;二维光子晶体;准晶;聚焦离子束刻蚀;出光效率Photonic crystal-type GaN-based LEDXXXXXXAbstract This title show about the performance of photonic crystals and the Focused Ion Beam Fabrication of GaN-based two-dimensional photonic quasicrystals. All of these point out the main research progress of GaN-Based photonic crystals LED in recent years. GaN-based materials depends primarily on the Department of etch rate of the beam focused ion beam instead of the time. When the ion beam range in 10 pA to 500 pA. To adjust the etching parameters such as aperture, depth and size of the etched area, we can make it by changing the magnification, scanning the region, ion beam, and etching time.Key words GaN; LED; two-dimensional photonic crystals; quasicrystals; focused ion beam etching; light extraction eficiency进入21世纪以后环保和节能成为市场热点，LED行业也开始升温。
gan基发光二极管研究gan基发光二极管(Gallium-Insulated-gate BipolarTransistor,Galinel-Insulated-gate Bipolar Transistor,简称GIBJT)是一种新型的半导体器件,具有高亮度、高颜色饱和度、低功耗等优点,因此在显示技术、半导体传感器、LED照明等领域得到了广泛的应用。
本文将介绍GAN基发光二极管的原理、结构、性能及应用,并对GAN基发光二极管的研究现状、未来发展方向进行探讨。
一、GAN基发光二极管的原理GAN基发光二极管是一种基于GIBJT的改进型器件,它通过将GIBJT的基极和发射极分开,并在基极上添加一个正反馈回路,使得GIBJT的发射极能够更加积极地发射光线。
与传统的GIBJT相比,GAN基发光二极管具有更高的发射效率和更好的发光稳定性。
具体来说,GAN基发光二极管的工作原理如下:1. 将GIBJT的基极和发射极分别连接到两个电源电压上。
2. 通过一定的电路设计,将基极电流转换为发射极电流,使得发射极能够积极地发射光线。
3. 发射极发射的光线经过一系列光学器件的放大和处理,最终到达显示器或传感器等接收端。
二、GAN基发光二极管的结构GAN基发光二极管的结构主要包括基板、驱动电路和封装三个部分。
1. 基板基板是GAN基发光二极管的主要组成部分,主要由Galinel晶体、硅材料、金属等构成。
Galinel晶体是GAN基发光二极管的核心部分,具有高透明度、高折射率等特点,能够反射和吸收光线。
2. 驱动电路驱动电路是GAN基发光二极管的控制电路,用于控制基极电流和发射极电流的流动,从而实现GAN基发光二极管的发光功能。
驱动电路主要包括电源、开关、反馈电路等部分。
3. 封装封装是GAN基发光二极管的保护电路,用于保护基板和驱动电路免受外界干扰和损坏。
常见的封装材料包括陶瓷封装、金属封装等。
三、GAN基发光二极管的性能1. 亮度GAN基发光二极管的亮度比传统的GIBJT更高,可以满足夜间显示和室内照明的需求。
gan基微米led大注入条件下发光特性研究近年来，随着微电子技术的不断发展，微米LED（Light-emitting Diodes）已经成为未来半导体发光材料的重要元素，并且在控制光强、光谱和方向性等方面有着极大的发展空间，应用前景十分广泛。
于其丰富的特性和受欢迎的应用，针对Gan基微米LED，研究其大注入条件下的发光性能具有重要的意义。
首先，我们介绍了Gan基微米LEDs背景知识。
Gan基微米LEDs 是一种微米LED，它利用GaN材料/GaN半导体构技术，实现高效、宽谱、低功率、高功率等发光特性，是当前发光技术的最新发展方向。
随着技术的发展，它的发光效率有了较大提高，尤其是在低注入条件下，Gan基微米LEDs的发光效率达到有史以来的最高水平。
其次，本文分析了Gan基微米LEDs大注入条件下的发光特性。
在大注入条件下，Gan基微米LEDs的净发光效率会显著降低，同时由于大注入条件下电流过大而产生多重激发引起的发光散布也会极大影响发光特性。
同时，在标准Ge传输结构中，随着注入等离子体条件的变化，Ge层中的空穴在Ge层下转移到GaN基层，使得GaN基层空穴激发电子间的正离子，并在GaN基层建立空穴密度浓度分布。
此外，本文还对Gan基微米LED的发光行为和发光特性进行了研究。
我们首先分析了Gan基微米LED的发光行为，通过大量数据实验发现，Gan基微米LED的发光行为在较低的注入电流情况下性能良好；而在较高的注入电流下发光效率明显降低。
同时，根据实验数据，我们对Gan基微米LED的发光特性进行了详细分析：发光特性主要受入射波长和注入电流的影响，在低注入电流情况下，发光效果较好；而在较高注入电流情况下，发光效果不佳，但可以通过减少注入电流的方法来改善发光特性。
最后，从本文的研究可以看出，Gan基微米LEDs大注入条件下的发光特性主要受到入射波长和注入电流影响，我们可以根据不同应用环境，通过控制注入电流值来调节发光特性，以达到良好的发光效果。
GaN基LED芯片发光效率提升研究摘要：科技在不断的发展，社会在不断的进步，本研究的GaN基LED外延生长方法中通过通入大量的NH3进行裂解，将N原子附着在生长的P型GaN上，在NH3进行裂解处理的同时，对生长好的P型GaN进行短暂的退火处理，让其晶格在热作用下，得到新的规则排列，获得整齐的表面。
并在低H元素浓度环境下，再次通入TEGa裂解Ga元素，使得可电离的Mg元素浓度增加。
本研究方法能够减少外延层P结构的N空位,减少Mg-H键，提高P结构Mg的电离率，提高P结构的空穴，提高LED芯片发光效率。
关键词：GaN基；LED；P结构；裂解引言随着当今世界不断进步，人们己经不再满足于温饱和生存的基本条件，人们需要用越来越丰富的商品来满足物质需求，用越来越丰富的精神条件来满足日益增长的精神需求。
但是随着世界人口的快速增长和生产工业的大发展，人们对自然资源的需求越来越多，对环境的破坏也越来越严重。
随着科学技术的进步和人们环保意识的不断增强，在当今社会发展中，人们迫切需要着手新能源新技术的研究和开发。
全球每年13%的电能用于照明，经济越发达的区域对照明的需求越大，所以寻找更高效节能的照明方式是很多人追求的目标。
1LED的发光原理发光二极管简称LED (Light Emitting Diode )，是一种半导体发光器件。
它由一个PN结组成，将电能转化为光能。
和所有半导体器件一样，也具有单向导电特性，它的核心是由P型半导体和N型半导体两部分组成。
在P型半导体和N型半导体之间的过渡层，称为PN结。
其发光原理可以用PN结的能带结构来做解释。
用于制作发光二极管的半导体材料是重掺杂的，在热平衡状态下，N型区具有很多高迁移率的电子，P型区有很多具有低迁移率的空穴。
在正常状态下，由于PN结势垒层的限制，电子和空穴不能发生自然复合。
当向发光二极管施加正向电压后，来自P型区的空穴被注入到N型区，而来自N型区的电子被注入到P型区中，当P型区的空穴进入中间区域后，由于空穴势垒的阻挡会被限制在量子阱内;同理N型区的电子进入中间区域后，由于电子势垒的阻挡也会被限制在量子阱内。
2.1GaN基LED发光原理大部分LED是利用MOCVD在衬底材料上异质外延而成，目前比较成熟的衬底材料是蓝宝石和碳化硅，硅基和ZnO基等其他衬底材料尚未成熟。
LED外延片的结构主要包括MIS结、P-N结、双异质结和量子阱几种，当前绝大多数LED均是量子阱结构的。
外延片的基本结构如图1-2所示。
目前使用的大部分灯具是白炽钨丝灯或者采取气体放电，而半导体发光二极管(LED)的发光原理则迥然不同。
发光二极管自发性(Spontaneous)的发光是由于电子与空穴的复合而产生的。
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。
除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。
发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。
由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在近PN结面数μm以内产生。
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即λ=1240/Eg电子由导带向价带跃迁时以光的形式释放能量，大小为禁带宽度Eg，单位为电子伏特（eV。
由光的量子性可知，hf= Eg [h为普朗克常量,f为频率，据f=c/λ,可得λ=hc/Eg,当λ的单位用um, Eg单位用电子伏特（eV）时，上式为λ=1.24um·ev/Eg ]，若若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间发光效率与材料是否为直接带隙(Direct Bandgap)有关，图 1.1(a)是直接带隙材料。
这些材料的导带最低点与价带的最高点在同一K空间。
所以电子与空穴可以有效地再复合(Recombination)而发光。
而图 1.1(b)的材料均属于间接带隙(IndirectBandgap)，其带隙及导带最低点与价带最高点不在同一K空间，以致电子与空穴复合时除了发光外，还需要产生声子(Phonon)的配合，所以发光效率低[7]。
LED灯工作原理和规格参数解读目录：1.工作原理2.规格参数解读1.LED灯的工作原理LED，发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电能转化为光能。
LED的心脏是一个半导体的晶片，整个晶片被环氧树脂封装起来。
半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。
但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”，就相当于一个电场。
当电子过来的时候，会被负极，也就是N极排斥并推向正极，也就是P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。
而光的颜色（光的波长），是由形成P-N结材料决定的。
（光是能量的一种形式，一种可以被原子释放出来。
是由许多有能量和动力但没质量的微小粒子似的小捆组成的。
这些粒子被叫做光子，是光的最基本单位。
光子是因为电子移动才释放出来。
）2.规格参数解读（1）绝对最大额定值（Absolute Maximum Ratings）注意下峰值导通电压。
（2）性能特性性能特性一般包含LED的光通量参数、LED的主波长、LED的额定电压、LED的色温参数等，这些参数都要重点关注。
•光通量Luminous Flux是描述光源发光总量的大小的，光源的光通量越大，则发出的光线越多，产生的亮度越高，相同功率下效率越高。
这个光通量要重点看其对应的测试电流，注意这里的电流是测试电流而不是最大电流。
•主波长是用来表征LED的颜色的，单位是nm，主要是针对彩色的LED，不同主波长是不同的颜色，如主波长为620-630nm的为红色，520-540nm的为绿色等。
•色温是表征白光的颜色的参数，暖色温2700-3200K，中性色温4000K-5000K，冷白色温5600以上。
•额定电压表征LED在额定电流下的电压值，一般单颗LED芯片的电压3-4V，红色LED的芯片电压会相对低一点。
（3）特性曲线（Characteristic Curves）特性曲线一般包含LED的光谱分布图、温度-光通量曲线、电流-光通量曲线、电流-电压曲线。
2.1GaN基LED发光原理大部分LED是利用MOCVD在衬底材料上异质外延而成，目前比较成熟的衬底材料是蓝宝石和碳化硅，硅基和ZnO基等其他衬底材料尚未成熟。
LED外延片的结构主要包括MIS结、P-N结、双异质结和量子阱几种，当前绝大多数LED均是量子阱结构的。
外延片的基本结构如图1-2所示。
目前使用的大部分灯具是白炽钨丝灯或者采取气体放电，而半导体发光二极管(LED)的发光原理则迥然不同。
发光二极管自发性(Spontaneous)的发光是由于电子与空穴的复合而产生的。
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。
除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。
发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。
由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在近PN结面数μm以内产生。
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即λ=1240/Eg电子由导带向价带跃迁时以光的形式释放能量，大小为禁带宽度Eg，单位为电子伏特（eV。
由光的量子性可知，hf= Eg [h为普朗克常量,f为频率，据f=c/λ,可得λ=hc/Eg,当λ的单位用um, Eg单位用电子伏特（eV）时，上式为λ=1.24um·ev/Eg ]，若若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间发光效率与材料是否为直接带隙(Direct Bandgap)有关，图 1.1(a)是直接带隙材料。
这些材料的导带最低点与价带的最高点在同一K空间。
所以电子与空穴可以有效地再复合(Recombination)而发光。
而图 1.1(b)的材料均属于间接带隙(IndirectBandgap)，其带隙及导带最低点与价带最高点不在同一K空间，以致电子与空穴复合时除了发光外，还需要产生声子(Phonon)的配合，所以发光效率低[7]。
目前发光二极管用的都是直接带隙的材料。
2.2 大功率LED基本参数及性能指标1．极限参数的意义（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。
超过此值，LED发热、损坏。
（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。
超过此值可损坏二极管。
（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。
超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。
（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。
低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。
2．电参数的意义（1）光谱分布和峰值波长：某一个发光二极管所发之光并非单一波长，其波长大体按图2所示。
由图可见，该发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大，该波长为峰值波长。
（2）发光强度IV：发光二极管的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管是指其轴线）方向上的发光强度。
若在该方向上辐射强度为（1/683）W/sr时，则发光1坎德拉（符号为cd）。
由于一般LED的发光二强度小，所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。
（3）光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔.（4）半值角θ1/2和视角：θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向（法向）的夹角。
半值角的2倍为视角（或称半功率角）。
图3给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。
法线AO的坐标为相对发光强度（即发光强度与最大发光强度的之比）。
显然，法线方向上的相对发光强度为1，离开法线方向的角度越大，相对发光强度越小。
由此图可以得到半值角或视角值。
（5）正向工作电流If：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。
在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。
（6）正向工作电压VF：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。
一般是在IF=20mA时测得的。
发光二极管正向工作电压VF在1.4～3V。
在外界温度升高时，VF将下降。
（7）V-I特性：发光二极管的电压与电流的关系可用图4表示。
在正向电压正小于某一值（叫阈值）时，电流极小，不发光。
当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。
由V-I曲线可以得出发光管的正向电压，反向电流及反向电压等参数。
正向的发光管反向漏电流IR<10μA以下。
LED的电学指标1、 LED的电流-电压特性图图1所示为LED工作的电流-电压（I-V）特性图。
发光二极管具有与一般半导体三极管相似的输入伏安特性曲线。
我们分别对图中所示的各段进行说明。
图1 LED工作的电流-电压特性图OA段：正向死区V A为开启LED发光的电压。
红色（黄色）LED的开启电压一般为0.2~0.25V,绿色（蓝色）LED的开启电压一般为0.3~0.35V。
AB段：工作区在这一区段，一般是随着电压增加电流也跟着增加，发光亮度也跟着增大。
但在这个区段内要特别注意，如果不加任何保护，当正向电压增加到一定值后，那么发光二极管的正向电压会减小，而正向电流会加大。
如果没有保护电路，会因电流增大而烧坏发光二极管。
OC段：反向死区发光二极管加反向电压是不发光的（不工作），但有反向电流。
这个反向电流通常很小，一般在几μA之内。
在1990~1995年，反向电流定为10μA，1995~2000年为5μA；目前一般是在3μA以下，但基本上是0μA。
CD段：反向击穿区发光二极管的反向电压一般不要超过10V，最大不得超过15V。
超过这个电压，就会出现反向击穿，导致LED报废。
2、 LED的电学指标对于LED器件，一般常用的电学指标有以下几项：·正向电压 V F：LED正向电流在20mA时的正向电压。
·正向电流 I F：对于小功率LED，目前全世界一致定为20mA，这是小功率LED的正常工作电流。
但目前出现了大功率LED的芯片，所以I F就要根据芯片的规格来确定正向工作电流。
·反向漏电流I R：按LED以前的常规规定，指反向电压在5V时的反向漏电流。
如上面所说，随着发光二极管性能的提高，反向漏电流会越来越小，但大功率LED芯片尚未明确规定。
·工作时的耗散功率P D：即正向电流乘以正向电压。
3、 LED的极限参数对于LED器件，一般常用的极限参数有以下几项：·最大允许耗散功率P max=I FH×V FH：一般按环境温度为25℃时的额定功率。
当环境温度升高，则LED的最大允许耗散功率将会下降。
·最大允许工作电流I FM：由最大允许耗散功率来确定。
参考一般的技术手册中给出的工作电流范围，最好在使用时不要用到最大工作电流。
要根据散热条件来确定，一般只用到最大电流I FM的60%为好。
·最大允许正向脉冲电流I FP：一般是由占空比与脉冲重复频率来确定。
LED工作于脉冲状态时，可通过调节脉宽来实现亮度调节，例如LED显示屏就是利用这个手段来调节亮度的。
·反向击穿电压V R：一般要求反向电流为指定值的情况下可测试反向电压V R，反向电流一般为5~100μA之间。
反向击穿电压通常不能超过20V，在设计电路时，一定要确定加到LED的反向电压不要超过20V。
4、 LED的其他电学参数在高频电路中使用LED时，还要考虑以下两个因素：·结电容C j·响应时间：上升时间t r，下降时间t f当LED接在高频电路中使用时，要考虑到结电容和上升、下降时间，否则LED无法正常工作。
LED的光学指标人眼对自然界光的感知有两个方面：一是光的颜色，二是光的辐射强度。
我们将从这两方面展开讨论，进而分析LED的各种光学指标。
1、光的颜色的三种表示法·国际照明委员会色品图表示法·光的颜色鲜艳度·色温或相关色温下面将逐一对其进行介绍。
国际照明委员会色品图表示法国际照明委员会（CIE）于1931年研究提出了XYZ色品图，1960年又在XYZ色品图的基础上提出了UCS色品图。
颜色感觉是光辐射源或被物体反射的光辐射作用于人眼的结果。
因此，颜色不仅取决于光刺激，而且取决于人眼的视觉特性。
关于颜色的测理和标准应该符合人眼的观测结果。
但是，人眼的颜色特性对于不同的观测者或多或少会有一些差异，因此要求根据大量观测者的颜色视觉实验，确定一组为匹配等能光谱色的三原色数据，即“标准色度观测者光谱三刺激值”，以此来代表人眼的平均颜色视觉特性，用于色度学的测量和计算。
CIE于1931年在RGB系统的基础上采用设想的三原色X、Y、Z（分别代表红色、绿色和蓝色），建立了CIE1931色品图，如图1所示。
该图是归一化图，只要标示X、Y值，就可以知道Z的值（Z=1-（X+Y）），因而三变量的色品图就变成X、Y二变量的平面图。
图1 CIE1931色品图光的颜色鲜艳度光的颜色鲜艳度必须用光的主波长λd和色纯度来表示。
目前，LED芯片供应商都是用主波长λd 来表示鲜艳度，而不用峰值波长λp来表示。
·主波长λd：如图2所示为色品图，图中AB为黑体轨迹。
设F点为某一光源在色品图中的坐标，E点为理想等能量白光的参考光源点，在色品图标中为(0.3，0.3)。
由E点连接F点并延伸交于G点，则G点对应的单色波长即称为F点光源的主波长λd。
·峰值波长λp：光谱发光强度或辐射功率最大处的对应的波长。
它是一种纯粹的物理量，一般应用于波形比较对称的单色光的检测。
·中心波长：光谱发光强度或辐射功率出现主峰和次峰时，主峰半宽度的中心点所对应的波长。
一般应用于配光曲线法向方向附近凹进去的、质量不好的单色管的检测。
·色纯度Pe：如图2所示，Pe=EF/EG。
如果某一光源在色品图中F点的坐标越靠近G点，那么EF和EG的长度就越接近相等，Pe越接近1，色纯度就越高。
色纯度通俗地说是指出射光的色坐标靠近CIE1931色品图上光谱轨迹的程度，靠得越近则纯度越高。
所以，若色坐标位于光谱轨道上，则色纯度为100%；反之，等能的白光纯度则为0%。
色纯度也是一种生理-心理物理量。
·半宽度：光谱发光强度或辐射功率最大处的一半的宽度（FWHM），简称“带宽”。
带宽越小则颜色越纯，显然它也是纯粹的物理量。
图2 主波长示意图色温或相关色温白光在照明领域的使用，一般用色温或相关色温表示（有时也用色坐标表示）。
光源的颜色有两方面的意思，即色表和显色性。
色表就是人眼直接观察光源时所看到的颜色感觉；光源的光照射到物体上所产生的客观效果，即光源使被照有色物体的颜色再次显现出来的能力，称为光源的显色性。
