电子技术基础(模拟部分)习题答案

一、填空

1.杂质半导体分为 N 型和 P 型两种类型。

2.在下述电路中，能使二极管导通的电路是 a 。

3.在电路中测出某硅材料NPN三极管的三个电极对地电位为Vb=1.3V、Ve=0.6V、Vc=5V，则该三极管处于 放大 工作状态。

4.衡量双极型三极管放大能力的参数是 β ，衡量其温度稳定性的参数是__ICBO ___。

5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_ uds＞UGS（OFF）__，它的截止条件为__ uGs≤UGS（OFF）__。

6.在基本OCL功放电路中，设电源电压为±15V，负载电阻RL=8Ω，则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W，理想效率为 78.5%_。

7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路，在实际电路中，经常作为 偏置电路 和 有源负载 广泛使用。

8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路，其主要目的是 抑制0点漂移 。

９.为了稳定放大电路的静态工作点，可以引入直流负反馈_，为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。

10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_，相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。

11.在放大电路的设计中，主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。此外，利用这种反馈，还可增加增益的恒定性，减少非线性失真，抑制噪声，扩展频带以及控制输入和输出阻抗，所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。 a 20v Ｒ＝１ＫΩ ＶＤ

10v

b 10v Ｒ＝１ＫΩ ＶＤ

20v 11.Ｎ型半导体是在单晶硅中掺入 五 价的微量元素而形成的，多数载流子是 自由电子，少数载流子是 空穴 。

12.半导体PN结具有 单相导电性 特性。

13.在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V，

14.晶体三极管基本放大电路有 共射极 、共集电极 和 共基极 三种组态。

15.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_；共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。

16.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入 电压 负反馈；若要稳定输出电流，应引入 电流 负反馈；若要增加输入电阻，应引入

串联 负反馈。

17.设某开环放大电路中，在输入信号电压为1mv时，输出电压为1v；当引入负反馈后达到同样的输出电压时，需加输入信号为10mv。由此可知所加的反馈深度为 10，反馈系数为0.009。

18.直流稳压电源由 电源变压器 、 整流电路 、 滤波电路 和

稳压电路

四部分组成。

19、BJT属于 电流 控制电流型器件，对应的FET是属于 电压 控制电流型器件。

20、在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的__ 差__；共模输入信号等于两个输入信号的_算术平均值 。

选择

1.半导体中的少数载流子产生的原因是[ C ]

A.外电场 B.内电场 C.热激发 D.掺杂

2．PN结加正向电压时，耗尽层[ B ]

A．变宽 B．变窄

C. 不变 D．以上三种情况均有可能

3．温度升高后，二极管的反向电流将[ B ] A．减小 B．增大

C. 不变 D．锗二极管减小，硅二极管增加

4.某晶体管iB从20μA变到40μA时，对应iC从1.55mA变到3.05mA,则该管的β[ A ].

A. β=75 B. β=50 C. β=100 D. β=77.5

5.晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于[ D ]

A.发射结反编、集电结反偏 B.发射结正偏、集电结正偏

C.发射结反偏、集电结正偏 D. 发射结正偏、集电结反偏

6．在一个由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz、5mV的正弦波时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真时[ B ]

A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真

7.场效应管本质上是一个[ B ]

A.电流控制电流源器件 B.电压控制电流源器件

C.电流控制电压源器件 D.电压控制电压源器件

8.以下属于电压跟随器的电路有[ B ]

A．共射极电路 B．共集电极电路 C．共基极电路 D.共栅极电路

9.放大电路在小信号运用时动态特性如放大倍数、输入电阻、输出电阻等应采用的方法[ C ]

A.图解法 B.瞬时极性法 C.微变等效电路法 D.估算法

10.功率放大电路通常采用的分析方法是[ A ]

A.利用三极管特性进行图解分析 B.采用h参数等效电路

C. 采用简化的h参数等效电路 D.采用π型等效电路

11．理想集成运放两个输入端之间的电压非常接近简称。[ C ]

A．虚地 B．虚断 C．虚短 D．短路

12.所谓放大器工作在闭环状态是指[ B ]

A.考虑信号源内阻 B.有反馈通路

C.接入负载 D.信号源短路 13.桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V，此时，输出的电压约为[ B ]

A.18V B.24V C.9V D.28.2V

14.产生正弦波振荡的条件是[ C ]

A. 1FA B. 0FA C. 1FA D. 11FA

15.具有放大环节的串联型稳压电路中，比较放大电路所放大的量是[ D ]

A.经整流滤波后提供的直流电压

B.稳压电路中的基准电压

C.稳压电路中的输出采样电压

D.采样电压与基准电压的差值

16、杂质半导体中少数载流子浓度（ D ）

A、与掺杂浓度和温度无关 B、只与掺杂浓度有关

C、只与温度有关 D、与掺杂浓度和温度有关

17、温度升高后，二极管的反向电流将（ A ）

A、增大 B、减小

C、不变 D、锗二极管减小，硅二极管增加

18、工作在放大状态下的理想运放电路，运放两个输入端的电流vP=vN称此为（ A ）

A、虚短 B、虚断

C、虚连 D、虚地

19、场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（ B ）

A、栅极电流 B、栅源电压

C、漏源电压 D、栅漏电压

20、图示互补对称功放电路中，所采用三极管应是( D )才能正常工作

A、T1为PNP;T2为PNP

B、T1为NPN;T2为NPN

C、T1为PNP;T2为NPN

D、T1为NPN;T2为PNP

21、差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（ C ）。

A、增加一倍 B、为双端输入时的1/2

C、不变 D、不确定

22、RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ D ）。

A、基本共射放大电路 B、基本共集放大电路

C、反相比例运算电路 D、同相比例运算电路

23、工作在放大状态下的理想运放电路，运放两个输入端的电流IP=IN≈0称此为（B ）

A、虚短 B、虚断

C、虚连 D、虚地

24．典型差动放大电路的公共射极电阻Re，对 （ B ）抑制作用

A、差模信号有 B、共模信号有

C、差模与共模信号均有 D、差模与共模信号均没有 +Vcc

-Vcc vi T1

T2 vo

RL 25、发光二极管发光时，其工作在( A )。

A、正向导通区 B、反向截止区 C、反向击穿区

26、与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。

A、不用输出变压器 B、不用输出端大电容

C、效率高 D、无交越失真

27．具有放大环节的串联型稳压电路中，比较放大电路所放大的量是（D ）

A.经整流滤波后提供的直流电压

B.稳压电路中的基准电压

C. 稳压电路中的输出采样电压

D. 采样电压与基准电压的差值

28.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的[ D ]

A.电子 B.空穴 C.三价硼元素 D、五价磷元素

29．温度升高后，二极管的反向电流将[ A ]

A．增大 B．减小 C. 不变 D．锗二极管减小，硅二极管增加

30．稳压管又称为_______二极管。[ B ]

A.变容 B.齐纳 C.发光 D.光电

31.增强型绝缘栅场效应管，当栅极与源极之间电压为零时[ B ]

A.能够形成导电沟道 B.不能形成导电沟道

C.漏极电流不为零 D.漏极电压为零

32．带负载能力强的放大器一定是：[ B ]

A．输出电阻高 B．输出电阻低

C. 放大倍数大 D．输出电阻和负载匹配

33.有两个放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大电路Ａ和O Ｂ，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得Ａ的输出电压小，这说明Ａ的[ B ]

A.输入电阻大 B.输入电阻小

C.输出电阻大 D.输出电阻小

34．哪一类功率放大电路在一个周期内只有半个周期iC>0？[ B ]

A．甲类 Ｂ．乙类 Ｃ．甲乙类 D.丙类

35.若要实现 U0=-（10U1+5U2+U3）的运算关系，则可选用[ C ]

A.反相比例运算电路 B.同相比例运算电路

C.反相求和运算电路 D.同相求和运算电路

36．关于反馈对放大电路输入电阻Ri的影响，哪个是正确的？[ D ]

A. 负反馈增大Ri,正反馈减小Ri