模拟电子技术基础(第四版)习题解答(总133页)
--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可--
--内页可以根据需求调整合适字体及大小--
第1章 常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ )
(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × )
(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ )
(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × )
(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GSR大的特点。( √ )
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GSU 大于零，则其输入电阻会明显变小。( × )
二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄 B.基本不变 C.变宽
(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏
(4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C
。
A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管
三、写出图 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=。
图
解：UO1=, UO2=0V, UO3=, UO4=2V, UO5=, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图 所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
(a) (b)
模拟电子技术基础课后习题答案童诗白
模拟电子技术基础课后习题答案童诗白
第一章半导体基础知识
一、（1）√（2）×
（4）×（5）√
二、（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC
三、UO1≈1.3VUO2＝0UO3≈－1.3VUO4≈2VUO5≈2.3V四、UO1＝6VUO2＝5V
UO6≈－2V
五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE
＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。
VBB−UBE
=26μARb
IC=β IB=2.6mAUCE=VCC−ICRC=2V
UO＝UCE＝2V。
2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以
VCC−UCES
=2.86mA
=28.6μAβ
Rb=BB≈45.4kΩ
七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。
1.1（1）AC（2）A（3）C（4）A
1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3ui和uo的波形如图所示。 1.4ui和uo的波形如图所示。
1.5uo的波形如图所示。
1.6ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。
1.7（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。1.8IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ。
1.9（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案
模拟电⼦技术基础习题答案
电⼦技术课程组2018.8.15
⽬录
第1章习题及答案 (1)
第2章习题及答案 (14)
第3章习题及答案 (36)
第4章习题及答案 (45)
第5章习题及答案 (55)
第6章习题及答案 (70)
第7章习题及答案 (86)
第8章习题及答案 (104)
第9章习题及答案 (117)
第10章习题及答案 (133)
模拟电⼦技术试卷1 (146)
模拟电⼦技术试卷2 (152)
模拟电⼦技术试卷3 (158)
第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。
（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。A. 五价
B. 四价
C. 三价
（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。A. 增⼤
B. 不变
C. 减⼩
（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。A. 正向导通
B.反向截⽌
C.反向击穿
解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。
（1）（2）（3）
图P1.2.1
解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）
图P1.2.2
解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1
解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。设⼆极管正向导通电压可忽略不计。
第1章 半导体二极管及其电路分析
`
1．1 某二极管在室温（300K）下的反向饱和电流为0.1pA，试分析二极管外加电压
在0.5V~0.7V之间变化时，二极管电流的变化范围。
解：由于 )1(−=TD
Uu
SDeIi
由题意知I
S=0.1pA，室温下U
T≈26mV，故当U
D=0.5V时，得
i
D=0.1×10－12×（126500
−e）A≈22.5μA
当U
D=0.7V时，得
mAAei
D3.49)1(101.026700
12≈−××=−
因此U
D在0.5~0.7V之间变化时，i
D在22.5μA~49.3mA之间变化。
1.2 二极管电路如图P1.2所示，二极管的导通电压U
D(on) =0.7V，试分别求出R为1kΩ、
4kΩ时，电路中电流I
1、I
2、I
O和输出电压U
O。
解：（1）R=1kΩ
假设二极管断开，可求得输出电压
VVU
O5.4
1119
'−=
+×−
=
可见，电路中二极管的阳极电位高于阴极电位1.5V，所
以，二极管处于导通状态，故
图P1.2
mAmAIIImAmAI
O6.1)3.57.3(3.5
1
212
=+−=+===mAmARUIVVU
LOOO
)9(7.37.3)1/7.3(/7.3)7.03(
−−−−=−==−=−−=
（2）R=4kΩ
假设二极管断开，可求得输出电压
VVU
O8.1
1419
'−=
+−
=×
可见，电路中二极管阳极电位低于阴极电位，二极管处于截止状态，所以
1 mAIImAmARUIVUUI
oLOOOO
8.18.1)1/8.1(/8.10
2'1
=−=−=−==−===
1.3 图P1.3所示各电路中，设二极管具有理想特性，试判断各二极管是导通还是截止，
并求出AO两端电压U
AO。
图P1.3
解：图（a）中，断开二极管V
1、V
2时，可得V
1、V
2正极电位均为10V，而V
1、V
2的负
极电位分别为0V和－6V，因此V
2的正偏电压大于V
1的，V
2优先导通，使U
AO=－6V。这样
