• 磁阻传感器主要有长方形磁阻元件、栅格型磁阻元件、科宾诺元件以及InSb— Nisb共晶磁阳元件。
• 磁阻传感器的应用举例 • 位移测量:磁敏电阻与被测物体连接在一起,当待测物体移动时,将带动磁敏电阻在
磁场中移动。由于磁阻效应,磁敏电阻的阻值将发生变化,据此可以求得待测物体 的位移大小。 • 磁阻式无触点开关:当磁阻元件接近永久磁铁时,会使元件的阻值增大,由于磁阻元 件的输出信号大,无需再将信号放大就可以直接驱动功率三极管,实现无触点开关 的功能。
****何谓霍尔电势?如何计算?
半导体薄片置于磁场中,当它的电流方 向与磁场方向不一致时,半导体薄片上平行 于电流和磁场方向的两个面之间产生的电动 势称为霍尔电势。产生霍尔电动势的半导体 薄片称为霍尔传感器。
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UH
RH
IB d
KH IB
(V)
式中, RH为霍尔常数; I为通过霍尔传感器的电流(A); B为外加磁场的磁感应强度(T); d为霍尔传感器的厚度(m)。 KH为霍尔传感器灵敏度。
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例5-1
已知某霍尔传感器的激励电流I= 3A, 磁场的磁感应强B=5×10-3 T,导 体薄片的厚度d=2mm,霍尔常数 RH=0.5,试求薄片导体产生的霍
尔电势UUHH的大R小H 。IdB KH IB
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何种材料适合制作霍尔传感器,为什 么?
因为霍尔常数等于霍尔片材料的 电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。若要 霍尔效应强, 则RH值大, 因此要求霍尔 片材料有较大的电阻率和载流子迁移 率。
霍尔元件的结构及符号是什么?
由霍尔片、四根引线和壳体组成 a, b两根引线,称为控制电流端引线 c, d两根引线,称为霍尔输出引线 霍尔元件符号如下: