实际使用时, 器件输入信号可以是I或B,或者IB,而输出 可以正比于I或B, 或者正比于其乘积IB。
(二)霍耳元件的主要技术参数
1)输入电阻Rin和输出电阻Rout
Rin指A,B两侧电流电极间的电阻,Rout指C、D两 侧霍耳元件电极间的电阻。
2)额定控制电流IC 室温条件下,允许通过霍耳元件的最大电流值。
I
B
V
R E
R3 UH
霍耳器件的基本电路
霍耳电势UH; 控制电压V;
输出电阻R2; 输入电阻R1; 霍耳负载电阻R3; 霍耳电流IH。
图中控制电流I由电源E供给。霍耳输出端接负载R3, R3可 是一般电阻或放大器的输入电阻、或表头内阻等。磁场B 垂直通过霍耳器件, 在磁场与控制电流作用下,由负载上 获得电压。
霍尔元件的主要技术参数
型号
EA218 FA 2 4 V H G -11 0 AG1 M F07FZZ M F19FZZ M H 07FZZ M H 19FZZ KH-400A
材料
InAs InAsP GaAs
Ge InSb InSb InSb InSb InSb
控制 霍尔 输入
电流 电压 电阻
(mA) (mV, 0.1T)
按被检测的对象的性质可将它们的应用 分为:直接应用和间接应用。
通过它,将许多非电、非磁的物理量例 如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速 度、加速度、角度、角速度、转数、转速以 及工作状态发生变化的时间等,转换成电量 来进行检测和控制。
(一)霍耳传感器工作原理 1、霍耳效应
B
w FE
FL v
H
I UH
③灵敏度低 与Insb霍尔传感器相比灵敏度低。大多数 Insb霍尔传感器的输出电压较高,但这类 传感器在500高斯左右开始达到饱和。 ④GaAs霍尔传感器的不平衡电压随温度变 化较大。 在弱磁场中(10高斯以下)不如InSb霍尔传 感器。