半导体线路的识别

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电子线路题库

正确错误 (9) 为了利用输入电阻高的特点，通常射极输出器不用分压式偏置电路。
正确错误 (10) 差分放大器有四种接法，而放大器的差模放大倍数只取决于输
出端的接法，而与输入端的接法无关。正确错误
(11) 在具有选频回路的正弦波振荡器中，即使正反馈极强，也能产生单一频率的振荡。
正确错误 (11) 在多级放大器中，级间常常接有去耦滤波电路，用以防止电源内阻的耦合作用引起的自激振荡。
正确错误 (12) 任何“电扰动”，如接通直流电源、电源电压波动、电路参数变化等，都能供给振荡器作为自激的初始信号。
正确错误 (13) 当输入信号为零时，则输出功率也为零，电源供给电路的功率最小，这时单管功率放大器的效率最高。
正确错误 (12) 稳定振荡器中晶体三极管的静态工作点，有利于提高频率稳定度。
正确错误 (13) 反相运算放大器是一种电压并联负反馈放大器。
正确错误 (14) 在推挽功率放大器电路中，只要两只晶体管具有合适的偏置电流，就可消除交越失真。
正确错误 (15) 甲类功率放大器一般采用变压器耦合而不采用电容耦合，以便于提高电压放大倍数。 2．选择题 (1) 用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到（）。
A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 (2) 面接触型晶体二极管比较适用于( )。 A．小信号检波 B．大功率整流 C．大电流开关 (3) 晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管所处的状态是( )。 A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 (4) 晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管所处的状态是
的差分放大器电路中，电阻
的作用是（）。 A．提高差模信号放大能力 B．对共模信号构成负反馈以提高抑制零点漂移能力 C．加强电路的对称性

电子线路第四版线性部分-谢嘉奎-复习资料全

电子线路第四版线性部分-谢嘉奎-复习资料全申明：本复习资料仅作为考试参考，不代表百分百会考本资料上的容。

一、选择填空题1、本征半导体：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。

2、本征激发是半导体中产生自由的电子空穴对的条件。

3、N型半导体：本征半导体中掺入少量五价元素构成。

4、P型半导体：本征半导体中掺入少量三价元素构成。

5、PN结的基本特性：单向导电性（即正向导通，反向截止）。

除了单向导电性外还有反向击穿特性、温度特性、电容特性。

6、PN结的伏安特性方程式：正偏时：反偏时：其中：热电压倍。

7、硅PN结：VD（on）=0.7V锗PN结：VD（on）=0.3V8、PN结的击穿特性：热击穿（二极管损坏，不可恢复），齐纳击穿（可恢复）。

9、PN结的电容特性：势垒电容、扩散电容。

10、三极管部结构特点：发射区掺杂浓度大；基区薄；集电结面积大。

11、三极管的工作状态及其外部工作条件：放大模式：发射结正偏，集电结反偏；饱和形式：发射结正偏，集电结正偏；≈26mV（室温）；温度每升高10℃，Is约增加一截止模式：发射结反偏，集电结反偏。

12、三极管工作在放大模式下：对NPN管各极电位间要求：Ve<Vb<Vc对PNP管各极电位间要求：Ve>Vb>Vc解：电压值都为正，可判断为NPN管；假设三极管工作在放大状态，根据电位间要求：Ve<Vb<Vc，可判断U1=10V 为C极电压，U2-U3=0.7V，可判断U2=3V为B极电压；U3=2.3V为E极电压；且UCE=10-2.3=7.7V>0.3V,由此可判断此三极管为NPN型三极管，且工作在放大状态，假设成立。

13、三极管静态工作点：IBQ、TCQ、VCEQ14、公式：15、三极管的三种组态：16、混合Π型小号电路模型：vB Er b ei BQiEvB EiBiEQ26(1)re(1)ICQrce三极管输出电阻，数值较大。

半导体集成电路第4章版图设计与举例课件

线宽。 b：能保证在硅平面上显现清晰线条的最小版图设
计线宽。前者表示所能达到的工艺水平，后者表示保
证一定成品率前提下所能达到的工艺水平。最小掩模线宽可根据实际的工艺确定。对TTL一般4~10um
•半导体集成电路第4章版图设计与举例
•10
二、掩膜图形最小间距
版图设计时，版图上各相邻图形间的最小间距。显然，制作到Si平面时，图形的实际位置将与
•
设计中常用BC短•半接导体及集成单电路第独4章B版图C设计结与举两例种结构。
•25
二、SBD
SBD在集成电路中可作为二极管独立使
用，也可以与晶体管组合构成抗饱和晶体管。
1、SBD版图设计考虑
要求：面积小，减小结电容；
串连电阻小，提高钳位效果；
反向击穿电压高。
在设计中，由于rSBD 与结电容的要求相
•
△WMAT-2－0.8xjc+Wdc-B+Gmin
7、DB-I 基区窗口到隔离窗口间距
•
△WMAT+0.8xjc-0.8xjI+Wdc-c+WdI-C+Gmin
•
XjI~125%Wepi-MAX
8、Dc-B n+集电极窗口到基区窗口间距
△WMAT+0.8xjc+0.8xje+Wdc-c+Gmin
9.Wc孔集电极n+孔宽
目的：实现电路中各个元件的电隔离
规则：
1、集电极等电位的NPN管可共用一个隔离区（基极
等电位的PNP管可共用一个隔离区）
2、二极管按晶体管原则处理。
3、原则上，所有硼扩散电阻可共用同一隔离区。
4、当集电极电位高于硼扩散电阻的电位时，晶体管

ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM分别指什么？

ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM分别指什么？ROM指的是“只读存储器”，即Read-Only Memory。

这是一种线路最简单半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，其中的代码与数据将永久保存(除非坏掉)，不能进行修改。

这玩意一般在大批量生产时才会被用的，优点是成本低、非常低，但是其风险比较大，在产品设计时，如果调试不彻底，很容易造成几千片的费片，行内话叫“掩砸了”！PROM指的是“可编程只读存储器”既Programmable Red-Only Memory。

这样的产品只允许写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。

PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)，以实现对其“编程”的目的。

PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”，如果我们想改写某些单元，则可以给这些单元通以足够大的电流，并维持一定的时间，原先的熔丝即可熔断，这样就达到了改写某些位的效果。

另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM，出厂时，其中的二极管处于反向截止状态，还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”，造成其永久性击穿即可。

EPROM指的是“可擦写可编程只读存储器”，即Erasable Programmable Read-Only Memory。

它的特点是具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程，但是缺点是擦除需要使用紫外线照射一定的时间。

这一类芯片特别容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住，以防止遭到阳光直射。

EEPROM指的是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。

半导体设备使用操作指南

半导体设备使用操作指南第1章设备概述与安全操作准则 (3)1.1 设备简介及主要功能参数 (3)1.1.1 设备简介 (3)1.1.2 主要功能参数 (4)1.2 安全操作注意事项 (4)1.2.1 操作前准备 (4)1.2.2 操作过程中注意事项 (4)1.2.3 操作后注意事项 (4)1.3 紧急情况处理 (4)1.3.1 电气火灾 (4)1.3.2 化学品泄漏 (5)1.3.3 设备故障 (5)1.3.4 人员伤害 (5)第2章设备开机与关机操作 (5)2.1 开机前准备 (5)2.2 开机操作流程 (5)2.3 关机操作流程 (6)第3章设备基本操作与调整 (6)3.1 设备操作界面介绍 (6)3.2 设备运行模式选择 (6)3.3 参数调整与优化 (7)第4章芯片装载与卸载 (7)4.1 芯片装载操作步骤 (7)4.1.1 准备工作 (7)4.1.2 装载芯片 (8)4.1.3 检查芯片 (8)4.2 芯片卸载操作步骤 (8)4.2.1 准备工作 (8)4.2.2 卸载芯片 (8)4.2.3 检查设备 (8)4.3 芯片装载与卸载注意事项 (8)第5章设备维护与保养 (8)5.1 设备日常清洁与保养 (8)5.1.1 日常清洁 (9)5.1.2 日常保养 (9)5.2 设备关键部件的检查与更换 (9)5.2.1 关键部件检查 (9)5.2.2 关键部件更换 (9)5.3 设备故障排除与维修 (9)5.3.1 故障排除 (9)5.3.2 设备维修 (10)第6章晶圆加工操作流程 (10)6.1 晶圆加工基本步骤 (10)6.1.1 载入晶圆 (10)6.1.2 清洗晶圆 (10)6.1.3 晶圆预处理 (10)6.1.4 光刻 (10)6.1.5 刻蚀 (10)6.1.6 离子注入 (10)6.1.7 化学气相沉积 (10)6.1.8 平坦化 (10)6.1.9 镀膜 (11)6.1.10 光刻、刻蚀（重复步骤） (11)6.1.11 去胶 (11)6.1.12 检验 (11)6.1.13 取出晶圆 (11)6.2 晶圆加工参数设置 (11)6.2.1 设备参数 (11)6.2.2 工艺参数 (11)6.2.3 光刻参数 (11)6.2.4 刻蚀参数 (11)6.2.5 离子注入参数 (11)6.2.6 化学气相沉积参数 (11)6.3 晶圆加工质量控制 (11)6.3.1 设备维护 (11)6.3.2 工艺监控 (11)6.3.3 晶圆检测 (12)6.3.4 数据记录与分析 (12)6.3.5 质量反馈机制 (12)第7章腐蚀与清洗工艺操作 (12)7.1 腐蚀工艺操作步骤 (12)7.1.1 准备工作 (12)7.1.2 腐蚀操作流程 (12)7.2 清洗工艺操作步骤 (12)7.2.1 准备工作 (12)7.2.2 清洗操作流程 (12)7.3 腐蚀与清洗工艺参数优化 (13)7.3.1 腐蚀参数优化 (13)7.3.2 清洗参数优化 (13)第8章光刻工艺操作 (13)8.1 光刻工艺基本步骤 (13)8.1.1 清洗硅片 (13)8.1.2 涂覆光刻胶 (13)8.1.3 前烘 (14)8.1.4 曝光 (14)8.1.5 显影 (14)8.1.6 蚀刻 (14)8.1.7 去胶 (14)8.2 光刻胶涂覆与曝光操作 (14)8.2.1 光刻胶涂覆 (14)8.2.2 曝光操作 (14)8.3 显影与蚀刻工艺操作 (14)8.3.1 显影操作 (14)8.3.2 蚀刻操作 (15)第9章焊接与封装工艺操作 (15)9.1 焊接工艺操作步骤 (15)9.1.1 准备工作 (15)9.1.2 焊接操作 (15)9.1.3 焊接后处理 (15)9.2 封装工艺操作步骤 (15)9.2.1 准备工作 (15)9.2.2 封装操作 (16)9.2.3 封装后处理 (16)9.3 焊接与封装质量检测 (16)9.3.1 焊接质量检测 (16)9.3.2 封装质量检测 (16)第10章设备数据备份与恢复 (16)10.1 数据备份操作步骤 (16)10.1.1 准备工作 (16)10.1.2 启动备份程序 (16)10.1.3 选择备份内容 (16)10.1.4 设置备份参数 (17)10.1.5 开始备份 (17)10.1.6 完成备份 (17)10.2 数据恢复操作步骤 (17)10.2.1 准备工作 (17)10.2.2 启动恢复程序 (17)10.2.3 选择恢复内容 (17)10.2.4 设置恢复参数 (17)10.2.5 开始恢复 (17)10.2.6 完成恢复 (17)10.3 数据备份与恢复注意事项 (18)第1章设备概述与安全操作准则1.1 设备简介及主要功能参数1.1.1 设备简介本文所指半导体设备，主要是指用于半导体制造领域的各类设备，如清洗设备、涂胶设备、显影设备、蚀刻设备和掺杂设备等。

半导体行业的英单词和术语

半导体行业的英单词和术语1. Semiconductor（半导体）：指一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，广泛应用于电子器件中。

3. Integrated Circuit（集成电路）：简称IC，将大量的微小电子元件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一块半导体芯片上。

4. Transistor（晶体管）：一种半导体器件，具有放大信号和开关功能，是现代电子设备的基础组件。

5. Diode（二极管）：一种具有单向导通特性的半导体器件，常用于整流、稳压等电路。

6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：一种常见的晶体管类型，广泛应用于放大器和开关电路。

7. CMOS（互补金属氧化物半导体）：一种集成电路技术，采用NMOS和PMOS晶体管组合，具有低功耗、高集成度等优点。

8. Wafer（晶圆）：指经过切割、抛光等工艺处理的半导体材料，用于制造集成电路。

9. Photolithography（光刻）：在半导体制造过程中，利用光刻技术将电路图案转移到晶圆上的过程。

10. Etching（刻蚀）：在半导体制造过程中，通过化学反应或物理方法去除晶圆表面不需要的材料。

11.掺杂（Doping）：在半导体材料中引入其他元素，以改变其导电性能。

12. Chip（芯片）：指经过封装的集成电路，是电子设备的核心组成部分。

13. PCB（印刷电路板）：一种用于支撑和连接电子元件的板材，上面布满了导电线路。

14. Moore's Law（摩尔定律）：指集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番，预测了半导体行业的发展趋势。

15. EDA（电子设计自动化）：指利用计算机软件辅助设计电子系统，包括电路设计、仿真、验证等环节。

16. Foundry（代工厂）：专门为其他公司生产半导体芯片的企业。

17. Semiconductor Equipment Manufacturer（半导体设备制造商）：为半导体行业提供生产设备的公司。

导体和半导体的基本概念与分析

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新型半导体材料：如氮化镓、碳化硅等，具有高热导率、高击穿场强和高电子饱和速度等特点，适用于高温、高频和高功率器件。
新型超导材料：如铁基超导体、铜氧化物超导体等，在高温超导领域取得重要突破，可应用于电力传输、磁悬浮等领域。
人工智能：利用半导体技术提升人工智能的性能和效率量子计算：开发新型的半导体材料和器件，为量子计算提供硬件支持物联网：利用半导体技术实现物联网设备的智能化和高效化新能源：开发高效、可靠的半导体材料和器件，推动新能源产业的发展
折射：导体和半导体的折射率不同，对光的折射效果也不同。
吸收：导体和半导体对不同波长的光的吸收系数不同，表现出不同的吸收特性。
发光：某些半导体材料在受到激发后可以发出特定波长的光，这是半导体发光的基本原理。
导体在电路板中的应用：作为导电材料，连接电子元件，实现电流传输。导体在电池中的应用：作为电极材料，储存和释放电能。导体在连接器中的应用：作为接触点，实现电路之间的可靠连接。导体在屏蔽线中的应用：作为信号传输线，减少电磁干扰。
优点：复合材料制备技术可以充分发挥不同材料的优势，弥补单一材料的不足，提高材料的整体性能。
应用领域：导体和半导体的复合材料制备技术在电子、能源、环保等领域具有广泛的应用前景。
新型导体材料：如石墨烯、碳纳米管等，具有优异导电性能和机械性能，可应用于电子器件和集成电路等领域。
新型光电材料：如钙钛矿、硅基太阳能电池等，具有高光电转换效率和低成本等优势，在光伏和光电器件等领域具有广阔的应用前景。
散等
掺杂元素：施主元素、受主
元素等
掺杂效果：改变导体的能带结构和半导体的载流子浓度

电气柜内线路颜色规定

根据国家标准（GB681）规定，为便于识别成套装置中各种导线的作用和类别，明确规定各类导线的颜色标志如下：1、黑色——装置和设备的内部布线；2、棕色——直流电路的正极；3、红色——交流三相电路的第三相；——半导体三极管的集电极；——半导体二极管、整流二极管、晶闸管的阴极；4、黄色——交流三相电路的第一相——半导体三极管的基极；——晶闸管和双向晶闸管的门极；5、绿色——交流三相电路的第二相；6、蓝色——直流电路的负极；——半导体三极管的发射极；——半导体二极管、整流二极管、晶闸管的阳极；7、淡蓝色——交流三相电路的零线或中性线；——直流电路的接地中间线；8、白色——双向晶闸管的主电极；——无指定用色的半导体电路；9、黄绿双色——安全用的接地线；10、红、黑色并行——用双芯导线或双根绞线连接的交流电路。

1依导线颜色标志电路时1．1黑色：装置和设备的内部布线。

1．2棕色：直流电路的正极。

1．3红色：三相电路和C相；半导体三极管的集电极；半导体二极管、整流二极管或可控硅管的阴极。

1．4黄色：三相电路的A相；半导体三极管的基极；可控硅管和双向可控硅管的控制极。

1．5绿色：三相电路的B相。

1．6蓝色：直流电路的负极；半导体三极管的发射极；半导体二极管、整流二极管或可控硅管的阳极。

1．7淡蓝色：三相电路的零线或中性线；直流电路的接地中线。

1．8白色：双向可控硅管的主电极；无指定用色的半导体电路。

1．9黄和绿双色（每种色宽约15~100毫米交替贴接）；安全用的接地线。

1．10红、黑色并行：用双芯导线或双根绞线连接的交流电路。

2依电路选择导线颜色时2．1交流三相电路的A相：黄色；B相：绿色；C相：红色；零线或中性线，淡蓝色；安全用的接地线：黄和绿双色。

2．2用双芯导线或双根绞线连接的交流电路：红黑色并行。

2．3直流电路的正极：棕色；负极：蓝色；接地中线：淡蓝色。

2．4半导体电路的半导体三极管的集电极：红色；基极：黄色；发射极：蓝色。

半导体FAB里基本的常识简介

半导体FAB里基本的常识简介什么是半导体FAB？半导体FAB是指半导体制造厂的大型工厂和生产线。

FAB通常由设备、设施和人员组成，用于生产半导体芯片和产品。

FAB必须遵循非常严格和复杂的工艺流程，以确保生产出高质量、功能稳定的芯片。

FAB的主要流程在FAB中，有一些关键流程步骤需要严格控制，以确保芯片的一致性和质量。

主要的生产流程包括：晶圆制备晶圆制备是制造芯片的第一步。

制造晶圆 requires involves 一系列的机械和化学步骤，包括锯片、研磨、清洗和涂覆等一些处理。

晶圆清洗和去除杂质在晶圆制备后，需要对晶圆进行详细的清洗和去除杂质. 。

FAB将使用一些特殊的化学物质和处理技术，以确保晶圆的完全清洁，并消除任何可能影响芯片性能的杂质。

光罩制备光罩是制造芯片的关键部分，用于定义芯片上的芯片和线路。

在制造光罩时，FAB需要使用精密的图形布局技术，以确保所有芯片的一致性和精度。

光刻一经制作完成的光罩将放置于光刻机中，该机器将使用光来照射芯片表面以进行清晰的定义和芯片图形绘制。

薄膜制备在制造芯片过程中，需要沉积许多不同形状和材质的薄膜。

在制造过程中，芯片需要以不同的方式做出来，而不同的薄膜对不同芯片的形状和电子特性也有影响。

电子束热压制造电子束热压制造(EBM)是制造芯片的较新方法。

在EBM制造过程中，需要使一个线上材料易于加热和冷却。

这使FAB可以用更精密的方法制造芯片，尤其是对于小型化芯片来说非常关键。

常见问题FAB中遇到的问题在FAB中，许多问题会影响芯片的品质和生产效率。

例如，设备失效、设备运行不稳定、工艺流程问题、环境因素等. 。

FAB必须及时识别和解决这些问题，以确保产品质量，并减少生产成本。

SEMI标准SEMI标准是半导体行业中普遍使用的行业标准，用于支持并保证半导体生产中的各种过程。

这些标准涵盖了许多方面，包括设备接口、生产流程、控制体系和设备数据集成等。

FAB是制造芯片的重要环节，要维护高质量和高效率的制造效果，需要投入大量的资金和精力。

半导体变流技术中整流线路的故障诊断

半导体变流技术中整流线路的故障诊断摘要:半导体变流技术是近代工业发展到半导体时代最典型的技术之一,他不仅在发电机励磁系统方面得到广泛的应用,在冶金、化工、机械制造、交通运输等各方面都得到广泛的应用。

可以说,现代生活、生产无处不存在变流技术。

如何可靠的实现变流,整流线路的维护和故障处理是很关键的,本文就整流线路的故障诊断做以论述。

关键词:变流技术整流线路故障诊断1 整流电路的主要故障诊断对于单相整流电路,其故障状态反应比较直观,如果整流元件有故障时,主要反映在输出电压较正常输出有非常明显的变化。

如果滤波元件有故障,反映在输出电压时是较正常电压低一定的数值。

但是,三相整流电路情况较单相整流电路要复杂的多,不仅输出电压要发生变化,且变化的数值与元件故障的情况也有非常复杂的关系,不可能用特定的数值来描述。

下面将根据不同类型的故障分析故障原因。

1.1 三相整流电路单只元件故障三相整流电路发生单只元件故障时,反映在输出电压上是较正常电压低1/3,输出波形少两个波头。

假设+C相元件发生开路故障,则输出电压将从U0下降为U1,输出电压波形的ca、cb将丢失。

如果发生故障的元件不是+C而是其他相时,可以依照上面的方法找到对应的波头,可以很方便地查到是哪一相的元件故障,以便有针对性地进行处理。

这里需要重点指出的是,使用示波器进行检测时,应保证示波器的同步方式与信号系统的同步状态,以便准确地对每一相电压波形进行定相。

当示波器无法与信号系统同步时,也应保持示波器在同步状态下工作,否则很难检查出准确的相位关系。

1.2 三相整流电路两只元件故障三相整流电路两只元件故障有两种情况。

其一,同组不同相的两只元件故障。

其二,同相不同组的两只元件故障。

同组不同相的两只元件故障时(假设+A、+B开路故障),整流输出仅有两个波头,且两个波头连在一起;同相不同组的两只元件故障时(假设+A、-A开路故障),整流输出也只有两个波头,但两个波头不连在一起。

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8.光电器件
常用的半导体光电器件有光敏电阻、光电二极管、光电三极管等。光敏器件应用广泛，发展迅速。
①光敏电阻它利用半导体的光致导电特性制成，是无结器件。常用的光敏电子材料有硫化锡（CdS）、硒化锅（CdSe）和硫化铅（PbS）等。目前生产和应用最多的是CdS光敏电阻。光敏电阻的结构、外形、符号如图14-40所示。
②其次确定bl极和b2极
由于单结晶体管在结构上e靠近b2极，故e对bl的正向电阻比e对b2的正向电阻要稍大一些。测读e与bl、e与b2正向电阻值，即可区别第一基极b1和第二基极b2。
5.场效应管的检测及使用注意事项
①结型场效应管栅极的判别
根据PN结单向导电原理，用万用表R xlK当，将黑表笔接触管子一个极，红表笔分别接触另外两个电极，若测得电阻都很小，则黑表笔所接的是栅极，且为N型沟道场效应管。对于P型沟道场效应管栅极的判别法，学员可自行分析。
②结型场效应管好坏及性能判别根据判别栅极的方法，能粗略判别管子的好坏。当栅源间、栅漏间反向电阻很小时，说明管子已损坏。若要判别管子的放大性能可将万用表的红、黑表笔分别接触源极和漏极，然后用手碰触栅极，表针应偏转较大，说明管子放大性能较好；若表针不动，说明管子性能差或已损坏。
③使用注意事项MOS场效应管由于本身性质决定，在使用中要注意两点：
⑥晶体三极管的稳定性能判别
在判断Iceo的同时，用手捏住管子，如图14–37C所示：管子受人体温度影响，集电极与发射极反向电阻将有所减小，若指针偏摆较大，或者说反向电阻值迅速减小，则管子的稳定性较差。
⑦使用三极管的注意事项
三极管接人电路前，首先要弄清管型管脚，否则使用时轻则电路不能正常工作，重则要导致管子损坏。焊接管脚时，要用镊子夹着管脚引线，帮助散热，一般用45w以下的烙铁。三极管带电时，不能用万用表电阻挡测极间电阻，也不能带电拆装。对大功率管．应按要求加装散热片。
常见的光电藕合器有发光二极管和光敏三极管光电藕合器、发光二极管与光敏可控硅光电藕合器等多个品种。
发光二极管和光敏三极管光电藕合器结构符号示意图如图14 - 42所示。F、E1为输入端，C、E2为输出端。
②光电二极管和光电三极管光电二极管又称为光敏二极管，构造和普通二极管相似。其不同点是管壳上有人射光窗口。当加反向工作电压，无光照射时，反向电阻较大；有光照射时，反向电流增加。目前用的最多的是硅材料制成的PN结型，主要用于计算机和光纤通信中。
光电三极管也是靠光的照射来控制电流的器件。可等效为一个光电二极管和一只三极管的结合，所以它具有放大作用，如图14一41所示。一般只引出了集电极和发射极，其外形和发光二极管相似。有的பைடு நூலகம்极也有引出线，作为温度补偿用。
6.三端稳压器的管脚判别
集成三端稳压器根据输出稳定电压的极性不同分为78x x、79 xx两大系列，前者输出为正电压；后者输出为负电压。集成三端稳压器输出电压一般分为5V、6V、9V 12 15 18 20 24V等：电流0.1A、0.5A、1A、2A，5A，10A等
7.整流桥堆的简易测试
选用指针式万用表的R x 100挡或Rxlk挡，用黑表笔接某一管脚，若它与另外三个管脚均呈低阻态，而表笔对换后该脚与其他脚又都呈高阻态，此脚即为直流“一”极；若与上述情况相反，红表笔接该脚呈低阻，黑表笔接该脚呈高阻，则此端为直流“十”极，其余两端即为交流输入端。在使用时，两交流电极可互换使用，如14一39所示
光电二极管的好坏，可用万用表R x1k挡测量，光电二极管正向电阻约10KΩ。在无光照射时，反向电阻为∞，说明管子是好的；若有光照射时，反向电阻随光的强度增加而减小，阻值可减到几千欧或l KΩ以下，则管子是好的；若反向电阻为∞或为零，则管子已损坏。光电三极管也可用万用表R x 1k挡测量，用黑表笔接集电极，红表笔接发射极，无光照射时电阻为二，在白炽灯照射下，阻值可减少至几千欧以下。若将表笔调换，无论有光照或无光照，阻值皆趋向∞。
③发光二极管（LED )
LED的伏安特性和普通二极管相似，但它的正向压降较大（≤2v）。在电子设备中被广泛应用，类型也较多。
国产LED用FGX1-X6命名。其中Xl表示材料，取整数为1、2、3，分别表示GaAsP、GaAsAI和GaP；X2表示发光颜色，取整数1-6，分别表示发光颜色为红、橙、黄、绿、蓝和复色；x3表示封装形式；凡表示外形，取整数。一6，分别表示图形为长方形、符号形、三角形、正方形、组合形和特殊形；凡凡表示序号。
基极和集电极判定出来以后，剩下的一个管脚就必然是发射极。
三极管的极性除了用万用表判别外，还可以根据如图14-35所示管脚外形识别法判断。
③判别高频三极管和低频三极管的简易方法
方法一：按如图工4 - 36所示电路接线，测试发射极基极反向击穿电压uebo。由于高频管uebo均小于10v，而低频管uebo均大于10v，所以当测得的uebo大于10v时，则该管为低频管；若uebo小于10v，则该管为高频管。
④光电藕合器
光电藕合器是一种光电结合的半导体器件，由发光器和受光器组成的一个“电--光--电”器件。当输人端有电信号输人时，发光器发光，受光器受到光照后产生电流，输出端就有电信号输出，实现了以光为媒介的电信号传输。这种电路使输人端与咬土绷无直接电气联系，实现两端的电隔离，因而有优良的抗干扰性能，广泛用于脉冲藕合电路。
3.晶闸管的简易判别
一般可用万用表欧姆挡检查晶闸管阳极（A）与阴极（K）之间以及阳极与控制极（G）之间有无短路。将万用表置于R x1k挡，测量阳极与阴极之间、阳极与控制极之间的正、反电阻，正常时很大（几百千欧以上）。再检查控制极与阴极间有无短路或断路，可将万用表置于R xl或Rx10挡，测出控制极对阴极正向电阻，一般应为几欧至几百欧，反向电阻比正向电阻要大一些。其反向电阻不太大不能说明控制极与阴极间短路；大于几千欧时，说明控制极与阴极间断路。根据以上测量方法可以判别出阳极、阴极与控制极，即一旦测出两管脚间呈低阻状态，此时黑表笔所接为G极，红表笔所接为K极，另一端为A极
2.晶体三极管的简易测试
①管型和基极的判别方法晶体三极管可以看成是两个二极管，以便于判别。用万用表电阻量程R x 100或R x1k挡，将红表笔接某一管脚，将黑表笔分别接另外两个管脚，测得两个电阻值，若两个电阻值均较小时（小功率三极管约为几百欧），则红表笔所接的管脚为PNP管的基极，如图14-34a所示。若两个电阻值中有一个较大，可将红表笔改接另一只管脚再试，直到两个管脚测出的电阻均较小时为止。若测得的电阻均较大，红表笔所接的管脚为NPN型管的基极。
若用万用表的R x100或Rx10挡，黑表笔接A极，红表笔接K极，在黑表笔保持和A极相接的情况下，同时与G极接触，这样就给G极加上一触发电压，由万用表可看到，晶闸管的阻值明显变小，这说明晶闸管因触发而导通。在保持黑表笔和A极相接的情况下，断开与G极的接触，若晶闸管仍导通，则说明晶闸管是好的；若不导通，一般则是坏的。
④穿透电流Iceo的估测
用万用表电阻量程R x 100或Rxlk挡测量集电极发射极反向电阻，如图14-37a所示，若测得的电阻值越大，说明Iceo越小，则晶体管稳定性越好。一般硅管比锗管阻值大，高频管比低频管阻值大，小功率管比大功率管阻值大。
⑤共射极电流放大系数β的估测
若万用表有测β的功能，可直接进行测量读数；若没有测β的功能，可以在基极集电极间接人一只l00Ω电阻，如图14-37b所示。此时，集电极与发射极反向电阻较图14一37a所示的小，即万用表指针偏摆大，指针偏摆幅度越大，则β值越大。
使用发光二极管的注意事项：
a．若用电压源驱动，要注意选择好限流电阻，以限制流过管子的正向电流。
b一般管脚引线较长的为正极，较短的为负极。如壳帽上有凸起标志，那么靠凸起标志的为正极。
c．发光二极管可用万用表的R x 10k挡判别其好坏，其正向电阻一般不小于50价，反向电阻一般在200Ω以上。
d．交流驱动时，为防止反向击穿，可反向并联整流二极管，进行保护。
①性能判别
根据如图14-33所示测试，晶体二极管正、反向电阻相差越大越好。两者相差越大，就表明二极管的单向导电特性越好；如果二极管的正、反向电阻值很相近，表明管子己坏。若正、反向电阻都很小或为零，则说明管子已被击穿，两电极已短路；若正、反向电阻都很大，则说明管子内部已断路，不能使用。
②极性判别
在测试正、反向电阻时，当测得的电阻值较小时，与黑表笔相连的那个电极是二极管的正极；当测得的电阻值较大时，与黑表笔相连接的电极是二极管的负极。由于二极管的正、反向电阻和测量电流大小相关，所以一个管子的正、反向电阻用不同的电阻挡测量出来的电阻值会有差别。
方法二：比较正、反向电流放大系数。其方法与判别三极管集电极方法相同。因为低频管的反向电流放大系数比正向电流放大系数小得不十分多，因此在测量反向电流放大系数时，如果万用表指针仍然偏摆，则该管为低频管。而高频管的反向电流放大系数比正向电流放大系数小得多，因此用万用表测量反向电流放大系数时，万用表指针基本不偏摆，此时该管为高频管。
如用黑表笔接某一管脚，红表笔接另外两个管脚，当测得两个阻值均较小时，黑表笔所接的管脚为NPN型管的基极，如图14-34b所示。若两个阻值均较大，则黑表笔所接的管脚为PNP型管的基极。
②判别集电极的方法可以利用晶体三极管正向电流放大系数比反向电流放大系数大的原理确定集电极。使用万用表电阻量程R x 100或R x1k挡，按如图14-34c所示，两手扶住表笔和管脚，用嘴含住管子的基极，把万用表的两根表笔分别接到管子的另外两个管脚，利用人体电阻实现偏置，测读万用表的电阻值或指针偏摆的幅度，然后对调两根表笔，同样测读电阻值或指针偏摆的幅度。比较两次读数的大小，对PNP型管，电阻值小（偏摆幅度大）的一次红表笔所接的管脚为集电极；对NPN型管，电阻值小（偏摆幅度大）的一次黑表笔所接的管脚为集电极。
4.单结晶体管的判别
①首先判别发射极
单结晶体管的发射极e对第一基极b1, e对第二基极都相当于一个二极管，b1和b2之间相当于一个固定电阻。用万用表R x 100挡，将红、黑表笔分别接单结晶体管任意两个管脚，测读其电阻；接着对调红、黑表笔，测读电阻。若第一次测得电阻值小，第二次测得电阻值大，则第一次测试时黑表笔所接的管脚为e极，红表笔所接管脚为b极；另一管脚也是b极。e极对另一个b极的测试情况同上。若两次测得的电阻值都一样，约在2-10kΩ，那么这两个脚都为b极，另一个管脚为e极。