反应磁控溅射技术的发展情况及趋势
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磁控溅射的原理及应用1. 什么是磁控溅射磁控溅射是一种常用的薄膜沉积技术,通过利用磁场将材料原子或离子从靶材表面释放出来,形成一个薄膜层,沉积在基底表面上的一种方法。
这种方法可以在真空环境中进行,可以用于各种材料包括金属、合金、氧化物等。
2. 磁控溅射的原理磁控溅射的原理基于带电粒子在磁场中的运动规律。
溅射系统通常由一个靶材和一个基底组成,它们被放置在真空室中。
磁控溅射的过程包括以下几个步骤:1.靶材表面被离子轰击,其中的原子或离子被释放出来。
2.磁场控制离子在真空室中的运动轨迹。
3.基底表面上的原子或离子吸附并形成一个薄膜层。
这个过程中,磁场是十分重要的。
磁场会引导离子沿着特定的轨迹运动,使得离子沉积在基底的特定位置上。
磁场还可以控制离子的能量和方向,从而影响薄膜的性质和微结构。
3. 磁控溅射的应用磁控溅射是一种多功能的薄膜沉积技术,广泛应用于各种领域。
3.1 表面涂层磁控溅射可以用于向基底表面沉积各种薄膜层。
这些薄膜层可以具有不同的功能,如防腐、耐磨、导电等。
它们可以用于改善材料的性能和外观。
3.2 光学薄膜磁控溅射可以制备高质量的光学薄膜。
这些薄膜可以应用于光学器件,如镜片、滤光片、反射镜等。
因为磁控溅射是在真空环境中进行的,所以这些光学薄膜可以具有良好的光学性能。
3.3 金属薄膜磁控溅射可以制备金属薄膜。
这些薄膜可以具有高导电性和优良的机械性能,可用于电子器件、导电材料等领域。
3.4 磁性材料磁控溅射还可以制备磁性材料薄膜。
这些薄膜可以具有特定的磁性性能,如高矫顽力、高饱和磁感应强度等。
它们可以应用于磁存储器件、传感器等领域。
4. 总结磁控溅射是一种重要的薄膜沉积技术,通过利用磁场控制离子运动和沉积位置,可以制备各种功能薄膜。
它在表面涂层、光学薄膜、金属薄膜和磁性材料等领域有着广泛的应用。
磁控溅射技术的发展,为材料科学和工程领域提供了新的可能性,为各种应用提供了高性能的薄膜材料。
一.磁控溅射电镀上世纪80年代开始, 磁控溅射技术得到迅猛的发展, 其应用领域得到了极大的推广。
现在磁控溅射技术已经在镀膜领域占有举足轻重的地位, 在工业生产和科学领域发挥着极大的作用。
正是近来市场上各方面对高质量薄膜日益增长的需要使磁控溅射不断的发展。
在许多方面, 磁控溅射薄膜的表现都比物理蒸发沉积制成的要好;并且在同样的功能下采用磁控溅射技术制得的可以比采用其他技术制得的要厚。
因此, 磁控溅射技术在许多应用领域涉及制造硬的、抗磨损的、低摩擦的、抗腐蚀的、装潢的以及光电学薄膜等方面具有重要是影响。
磁控溅射技术得以广泛的应用,是由该技术有别于其它镀膜方法的特点所决定的。
其特点可归纳为:可制备成靶材的各种材料均可作为薄膜材料,涉及各种金属、半导体、铁磁材料,以及绝缘的氧化物、陶瓷等物质,特别适合高熔点和低蒸汽压的材料沉积镀膜在适当条件下多元靶材共溅射方式,可沉积所需组分的混合物、化合物薄膜;在溅射的放电气中加入氧、氮或其它活性气体,可沉积形成靶材物质与气体分子的化合物薄膜;控制真空室中的气压、溅射功率,基本上可获得稳定的沉积速率,通过精确地控制溅射镀膜时间,容易获得均匀的高精度的膜厚,且反复性好;溅射粒子几乎不受重力影响,靶材与基片位置可自由安排;基片与膜的附着强度是一般蒸镀膜的10倍以上,且由于溅射粒子带有高能量,在成膜面会继续表面扩散而得到硬且致密的薄膜,同时高能量使基片只要较低的温度即可得到结晶膜;薄膜形成初期成核密度高,故可生产厚度10nm以下的极薄连续膜。
1.磁控溅射工作原理:磁控溅射属于辉光放电范畴, 运用阴极溅射原理进行镀膜。
膜层粒子来源于辉光放电中, 氩离子对阴极靶材产生的阴极溅射作用。
氩离子将靶材原子溅射下来后,沉积到元件表面形成所需膜层。
磁控原理就是采用正交电磁场的特殊分布控制电场中的电子运动轨迹, 使得电子在正交电磁场中变成了摆线运动, 因而大大增长了与气体分子碰撞的几率。
用高能粒子(大多数是由电场加速的气体正离子)撞击固体表面(靶), 使固体原子(分子)从表面射出的现象称为溅射。
热处理中的磁控溅射热处理技术热处理是金属材料加工过程中不可或缺的工艺之一,是通过对金属材料进行加热、保温和冷却等一系列处理工艺,以调整其组织结构、提高其性能和延长其使用寿命的过程。
磁控溅射热处理技术则是热处理中的一种新兴技术,它通过特殊的溅射工艺,使金属材料表面形成一层具有特殊性能的薄膜,以改善其表面性能和克服其表面缺陷,从而提高工件的整体品质和使用寿命。
一、磁控溅射热处理技术的基本原理磁控溅射热处理技术是一种利用磁控溅射物质在真空中沉积在基底上形成薄膜的技术。
它的基本原理是通过在真空环境中,将高能量的离子束轰击靶材表面,使其离子化并沉积在基底上,从而形成一层均匀、致密的薄膜。
在磁控溅射热处理中,靶材是通过磁控溅射源(也叫做离子源)中的电子束或离子束进行溅射的。
一旦这些束照射到靶材上,就会产生大量的离子和原子,这些离子和原子通过真空被轰击到工件的表面上,形成一层具有特殊性能的薄膜。
二、磁控溅射热处理技术在金属材料中的应用磁控溅射热处理技术在金属材料中的应用非常广泛,主要体现在以下几个方面:1、表面强化处理:由于磁控溅射薄膜具有非常高的耐腐蚀性、耐磨性和耐热性等特点,在金属材料表面形成一层磁控溅射薄膜能够有效的提高其表面硬度和耐腐蚀性,从而延长金属材料的使用寿命。
2、强化焊接接头:磁控溅射技术还可以用于强化焊接接头,主要是通过在接头表面形成一层磁控溅射薄膜,从而改善焊接接头的力学性能和耐久性能。
在新能源汽车、航空航天、冶金等领域中的部分关键零部件都采用磁控溅射技术进行强化处理。
3、周期性复合薄膜:磁控溅射薄膜具有非常高的复合性能,能够形成优异的界面结构和相互补偿的性能,因此,在制备具有周期性复合结构薄膜方面有着卓越的应用前途。
例如,刀具表面复合结构膜制备、切削刃合金粉末材料复合表面膜制备等都运用到了磁控溅射技术。
三、磁控溅射热处理技术的优势与展望作为金属材料加工中的一种新兴技术,磁控溅射热处理技术拥有诸多优势,如下:1、非常适合高温材料的制备,例如Co-Ni-Cr-W-Al-Y的高温合金材料。
中文名称:磁控溅射英文名称:magnetron sputtering定义:在二极溅射中增加一个平行于靶表面的封闭磁场,借助于靶表面上形成的正交电磁场,把二次电子束缚在靶表面特定区域来增强电离效率,增加离子密度和能量,从而实现高速率溅射的过程。
百科名片: 磁控溅射是为了在低气压下进行高速溅射,必须有效地提高气体的离化率。
通过在靶阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率的方法。
工作原理:磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。
在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,产生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨迹近似于磁控溅射一条摆线。
若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径不仅很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率。
随着碰撞次数的增加,二次电子的能量消耗殆尽,逐渐远离靶表面,并在电场E的作用下最终沉积在基片上。
由于该电子的能量很低,传递给基片的能量很小,致使基片温升较低。
磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。
入射粒子在靶中经历复杂的散射过程,和靶原子碰撞,把部分动量传给靶原子,此靶原子又和其他靶原子碰撞,形成级联过程。
在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量,离开靶被溅射出来。
种类磁控溅射包括很多种类。
各有不同工作原理和应用对象。
但有一共同点:利用磁场与电场交互作用,使电子在靶表面附近成螺旋状运行,从而增大电子撞击氩气产生离子的概率。
所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。
靶源分平衡和非平衡式,平衡式靶源镀膜均匀,非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。
磁控溅射镀膜技术在光学薄膜中的应用作为一种常见的表面涂层技术,磁控溅射镀膜技术被广泛应用于光学薄膜领域。
其与传统的蒸发和离子镀技术相比,有更好的沉积速率、沉积质量以及对高熔点物质的表面涂层能力。
本文将探讨磁控溅射镀膜技术在光学薄膜中的应用。
一、磁控溅射镀膜技术的基本原理磁控溅射镀膜技术是一种将金属或非金属材料转化为气态,然后在物体表面沉积形成薄膜的表面涂层技术。
其基本原理为将高能量的粒子轰击到材料上,使其转化为气态,然后被磁场加速并引导直接沉积到目标物体表面上。
这种技术具有简单易行、高精度、大批量生产等优点。
二、磁控溅射镀膜技术的应用领域磁控溅射技术在银及贵金属、氧化物、氟化物、氮化物等材料的表面涂层方面应用最为广泛。
其在太阳能电池板、镜片、LED 芯片等领域均有重要应用。
在光学领域主要被用来制造反射和透射膜层。
反射膜层用于制作镜面和反光器材,由于磁控溅射技术能够生产高质量、高折射率、高反射率膜层,因此已成为反射膜制造行业的主流技术,广泛应用于金属镜、全反射镜、折射镜、衰减镜等器材的制造。
透射膜层则用于制作光学元件,如滤波器、调制器、液晶显示器等。
目前,磁控溅射技术已成为制造高品质光学器材的首选技术,主要由于其能够控制膜层厚度、形状、光学性能和生产周期等因素。
三、磁控溅射镀膜技术的未来发展方向/随着现代信息技术和光电子技术的不断发展,磁控溅射技术的应用领域也将不断扩展。
基于化学成分的工艺控制和镀膜参数的改进,膜层厚度、形状、质量和其它光学性能交替控制将得以实现。
同时,尽管目前磁控溅射镀膜技术已可满足绝大部分光学薄膜制造需求,但其在规模化生产、膜层厚度均匀度、介电性能等方面仍需改进。
未来,磁控溅射技术在深度应用上仍有巨大的发展空间。
万方数据万方数据万方数据万方数据万方数据万方数据磁控溅射技术及其发展作者:李芬, 朱颖, 李刘合, 卢求元, 朱剑豪, LI Fen, ZHU Ying, LI Liu-he, Lu Qiu-yuan, ZHU Jian-hao作者单位:李芬,朱颖,李刘合,LI Fen,ZHU Ying,LI Liu-he(北京航空航天大学,机械工程及自动化学院,北京,100191), 卢求元,朱剑豪,Lu Qiu-yuan,ZHU Jian-hao(香港城市大学,应用物理及材料系,香港)刊名:真空电子技术英文刊名:VACUUM ELECTRONICS年,卷(期):2011(3)被引用次数:53次1.贾嘉溅射法制备纳米薄膜材料及进展[期刊论文]-半导体技术 2004(7)2.王银川真空镀膜技术的现状及发展[期刊论文]-现代仪器 2000(6)3.吴大维,曾昭元,刘传胜,张友珍,彭友贵,范湘军高速钢镀氮化碳超硬涂层及其应用研究[期刊论文]-核技术2003(4)4.孙银洁,马林,齐宏进磁控溅射法制备防水透湿织物[期刊论文]-高分子材料科学与工程 2003(4)5.王合英,孙文博,陈宜宝,何元金磁控溅射镀膜过程中非均匀磁场中电子的运动[期刊论文]-物理实验 2008(11)6.闫绍峰,骆红,廖国进,巴德纯,闻立时掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al2O3:Ce3+薄膜发光性能的影响[期刊论文]-真空 2009(2)7.贾芳,乔学亮,陈建国,李世涛,王国锋磁控溅射制备AZO/Ag/AZO透明导电膜的性能研究[期刊论文]-光电工程2007(12)8.方亮,彭丽萍,杨小飞,黄秋柳,周科,吴芳,刘高斌,马勇磁控溅射制备In掺杂ZnO薄膜及NO2气敏特性分析[期刊论文]-重庆大学学报(自然科学版) 2009(9)9.林东洋,赵玉涛,甘俊旗,程晓农,戴起勋钛合金表面磁控溅射制备HA/YSZ梯度涂层[期刊论文]-材料工程 2008(5)10.Brauer G;Szyszka B;Vergohl M Magnetron Sputtering-Milestones of 30 Years 201011.戴达煌;刘敏;余志明薄膜与涂层现代表面技术 200812.赵嘉学,童洪辉磁控溅射原理的深入探讨[期刊论文]-真空 2004(4)13.郭明,王凤杰调整磁场强度分布提高靶材利用率[期刊论文]-玻璃 2003(3)14.刘翔宇,赵来,许生,范垂祯,查良镇磁控溅射镀膜设备中靶的优化设计[期刊论文]-真空 2003(4)15.常天海高磁场强度的矩形平面磁控溅射靶的设计[期刊论文]-真空与低温 2003(1)16.徐万劲磁控溅射技术进展及应用(下)[期刊论文]-现代仪器 2005(6)17.李德元;赵文珍;董晓强等离子体技术在材料加工中的应用(第1版) 200518.徐万劲磁控溅射技术进展及应用(上)[期刊论文]-现代仪器 2005(5)19.Window B;Savvides N Unbalanced DC Magnetrons as Sources of High Ion Fluxes 1986(2A)20.Savvides N;Window B Unbalanced Magnetron IonAssisted Deposition and Property Modification of Thin Films 1986(2A)21.许生,侯晓波,范垂祯,赵来,周海军,吴克坚,高文波,颜远全,查良镇硅靶中频反应磁控溅射二氧化硅薄膜的特性研究[期刊论文]-真空 2001(5)22.W. D. Sproul High-rate reactive DC magnetron sputtering of oxide and nitride superlattice coatings[外文期刊] 1998(4)23.Heister U;Krempel-Hesse J;Szczyrbowski J TwinMag II:Improving an Advanced Sputtering Tool 200024.Belkind;Freilich A;Song G Mid-Frequency Reactive Sputtering of Dielectrics:Al《'2》O《'3》 200325.赵印中,王洁冰,邱家稳,许旻,李强勇用交流孪生靶磁控反应溅射法制备ITO薄膜[期刊论文]-真空与低温2003(1)26.P. J. Kelly;J. Hisek;Y. Zhou Advanced coatings through pulsed magnetron sputtering[外文期刊] 2004(3)27.余东海,王成勇,成晓玲,宋月贤磁控溅射镀膜技术的发展[期刊论文]-真空 2009(2)28.Boo Jin-Hyo;Jung Min Jae;Park Heon Kyu High-Rate Deposition of Copper Thin Films Using Newly Designed High-Power Magnetron Sputtering Source 200429.Musil J;Vlcek J A Perspective of Magnetron Sputtering in Surface Engineering 199930.Kouznetsov Vladimir;Macak Karol;Schneider Jochen M A Novel Pulsed Magnetron Sputter Technique Utilizing Very High Target Power Densities 199931.吴忠振,朱宗涛,巩春志,田修波,杨士勤,李希平高功率脉冲磁控溅射技术的发展与研究[期刊论文]-真空2009(3)32.Ehiasarian A P;New R;Munz W D Influence of High Power Densities on the Composition of Pulsed Magnetron Plasmas 20021.王怀义.刁训刚.王聪.郝维昌.王天民.WANG Huai-yi.DIAO Xun-gang.WANG Cong.HAO Wei-chang.WANG Tian-min 一种增磁装置在磁控射频溅射制备薄膜中的应用[期刊论文]-功能材料与器件学报2011,17(3)2.林东洋.赵玉涛.张钊用磁控溅射技术制备钛合金表面HA生物涂层[期刊论文]-生物骨科材料与临床研究2004,1(5)3.钟江泉.周天勇.刘威明非平衡磁控溅射技术在刀具涂层上的应用[期刊论文]-技术与市场2011,18(5)4.丁娟.赵韦人.符史流.於元炯.DING Juan.ZHAO Wei-ren.FU Shi-liu.YU Yuan-jiong Ni52Mn26Ga22薄膜的马氏体相变和磁电阻[期刊论文]-金属功能材料2006,13(3)5.赵新民.狄国庆.朱炎外加磁场对磁控溅射靶利用率的影响[期刊论文]-真空科学与技术学报2003,23(2)6.王佐平.邢建东.胡奈赛.王伟.WANG Zuoping.XING Jiandong.HU Naisai.WANG Wei金属基类石墨复合膜微观组织结构分析[期刊论文]-热加工工艺2010,39(16)7.常立红能量过滤磁控溅射技术制备ITO薄膜及其性能研究[学位论文]20108.凌国伟.倪翰.萧域星磁控溅射技术的新进展[会议论文]-19981.张岿溅射制备材料的机理分析[期刊论文]-今日湖北(中旬刊) 2015(03)2.孙天乐脉冲磁控溅射电源关键技术研究[学位论文]硕士 20143.宁波磁控溅射电源控制系统的研究与设计[学位论文]硕士 20144.黄英,韩晶雪,李建军,常亮,张以忱直流磁控溅射中磁场强度和阴极电压对圆平面靶刻蚀形貌的影响[期刊论文]-真空 2013(03)5.王德山类金刚石碳膜磁控溅射抗剥离结合强度的实验研究[期刊论文]-廊坊师范学院学报(自然科学版)2014(06)6.马景灵,任风章,孙浩亮磁控溅射镀膜技术的发展及应用[期刊论文]-中国科教创新导刊 2013(29)7.朱明海,陈广彬,冯禹,龚楠,汪剑波磁控溅射制备Ti-Zn-O复合薄膜及其光学性质研究[期刊论文]-长春理工大学学报(自然科学版) 2014(01)8.臧侃,董华军,郭方准国产氩离子枪的研发[期刊论文]-物理 2014(01)9.崔世宇,缪强,梁文萍,徐一,杨晶晶,张志刚Ti2AlNb基合金表面磁控溅射Al/Al2O3薄膜及扩散处理对其抗高温氧化性能的影响[期刊论文]-材料保护 2015(02)10.凤权,华谦,武丁胜,马坤强,苏信基于磁控溅射技术的非织造空气过滤材料的制备及性能研究[期刊论文]-产业用纺织品 2015(01)11.张锋,翟建广,梁志敏,王广卉类金刚石薄膜电极在污水处理中的应用[期刊论文]-上海工程技术大学学报2013(04)12.孙敏制备工艺对SiO2/PET复合包装膜结合强度的影响[学位论文]硕士 201313.武世祥NiFe薄膜各向异性磁电阻研究[学位论文]硕士 201414.何光宇,李应红,柴艳,张翼飞,王冠航空发动机压气机叶片砂尘冲蚀防护涂层关键问题综述[期刊论文]-航空学报 2015(06)15.陈庆明可控光流体热透镜[学位论文]硕士 201416.黄世龙基于6sigma的F公司PVD颜色稳定性改善研究[学位论文]硕士 201217.周一帆微Schwarzschild物镜的设计与MEMS制作研究[学位论文]博士 2013引用本文格式:李芬.朱颖.李刘合.卢求元.朱剑豪.LI Fen.ZHU Ying.LI Liu-he.Lu Qiu-yuan.ZHU Jian-hao磁控溅射技术及其发展[期刊论文]-真空电子技术 2011(3)。
磁控溅射1、磁控溅射磁控溅射是一个磁控运行模式的二极溅射。
它与二~四极溅射的主要不同点:一是,在溅射的阴极靶后面设置了永久磁钢或电磁铁。
在靶面上产生水平分量的磁场或垂直分量的磁场(例如对向靶),由气体放电产生的电子被束缚在靶面附近的等离子区内的特定轨道内运转;受电场力和磁场力的复合作用,沿一定的跑道作旋轮转圈。
靶面磁场对荷电粒子具有约束作用,磁场愈强束缚的愈紧。
由于电磁场对电子的束缚和加速,电子在到达基片和阳极前,其运动的路径也大为延长,使局部Ar气的碰撞电离几率大大增加,氩离子Ar+在电场作用下加速,轰击作为阴极的靶材。
把靶材表面的分子、原子及离子及电子等溅射出来,提高了靶材的飞溅脱离率。
被溅射出来的粒子带有一定的动能,沿着一定的方向射向基体,最后沉积在基体上成膜。
经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低,摆脱磁力线的束缚,最终落在基片、真空室内壁及靶电源阳极上。
工作气体电离几率的增加和靶材离化率的提高,使真空气体放电时内阻减小,故磁控靶发生溅射沉积时的工作电压较低(多数在4-600V之间),有的工作电压略高(例如>700V),有的工作电压较低(例如300V左右)。
磁控溅射发生时,其溅射工作电压主要降落在磁控靶的阴极位降区上。
由于磁控溅射沉积的膜层均匀、致密、针孔少,纯度高,附着力强,可以在低温、低损伤的条件下实现高速沉积各种材料薄膜,已经成为当今真空镀膜中的一种成熟技术与工业化的生产方式。
磁控溅射技术在科学研究与各行业工业化生产中得到了迅速发展和广泛应用。
总之,磁控溅射技术就是利用电磁场来控制真空腔体内气体“异常辉光放电”中离子、电子的运动轨迹及分布状况的溅射镀膜的工艺过程。
2、产生磁控溅射的三个条件磁控气体放电进而引起溅射,必须满足三个必要而充分的条件:(1)第一,具有合适的放电气体压强P:直流或脉冲中频磁控放电,大约在0. 1 Pa~10Pa 左右),典型值为5×10-1Pa;射频磁控放电大约在10-1~10-2Pa。
磁控溅射工艺技术磁控溅射工艺技术是一种常用的薄膜制备技术。
它通过使用磁场来控制离子轰击靶材,使其产生高速的离子撞击薄膜材料表面,将薄膜材料从靶材上溅射下来,形成均匀且致密的薄膜。
磁控溅射工艺技术具有许多优点。
首先,由于离子束的高速撞击,磁控溅射能产生高质量的薄膜,具有较好的致密性和纯度,适用于多种薄膜应用,如光学薄膜、电子器件薄膜、装饰薄膜等。
其次,磁控溅射可以制备较厚的薄膜,较常用的物理气相沉积技术能制备更厚的薄膜,使其应用范围更广泛。
此外,磁控溅射具有较高的反应速率和较短的加工时间,提高了工艺的效率。
同时,磁控溅射工艺技术可以在大范围内调节薄膜成分,可以制备多层膜以及合金薄膜,满足不同应用的需求。
关于磁控溅射工艺技术的具体流程,首先需要准备靶材和基底材料。
靶材是要溅射的原材料,可以是金属、合金、氧化物等,而基底材料是要涂覆薄膜的表面。
然后,将靶材和基底装入溅射腔室,创建真空环境,并加入惰性气体,如氩气作为溅射介质。
接下来,加入高频电源和磁控源,产生磁场,通过调节参数和气压,控制离子的能量和方向。
当离子撞击靶材时,靶材表面的原子会被撞击下来,形成蒸汽和离子。
蒸汽和离子会沉积在基底上,形成均匀且致密的薄膜。
溅射过程中,还可以通过旋转靶材和基底来实现均匀溅射。
最后,经过一段时间的溅射,薄膜达到一定厚度后,工艺结束,可取下基底材料,制备成薄膜器件。
然而,磁控溅射工艺技术也存在一些问题。
首先,溅射过程中会产生较高的温度,可能导致靶材损伤或薄膜质量变差。
此外,溅射靶材的选取和制备对薄膜质量至关重要,需要进行一定的实验和优化。
总之,磁控溅射工艺技术是一种重要的薄膜制备技术,具有广泛的应用前景。
随着科技的不断发展,磁控溅射工艺技术也在不断进步和完善,为各行业的研究和生产提供了强大的支持。
书山有路勤为径,学海无涯苦作舟
反应磁控溅射技术的发展情况及趋势
综述了反应磁控溅射技术的发展情况。
分析了模拟反应磁控溅射的Berg 经典模型;详述了反应磁控溅射过程中迟滞效应和打火现象的产生原理及过程;分析了消除迟滞效应和打火现象的各种方法并提出个人的观点;展望了反应磁控溅射技术的发展趋势。
反应磁控溅射是具有一定能量的离子(Ar+)溅射金属或合金靶表面,被溅射出的金属原子和反应气体发生化学反应在基体上形成化合物薄膜。
反应磁控溅射技术是目前科研和生产中制备化合物薄膜最常用的方法,能沉积不同种类的化合物,如:氧化物、氮化物、碳化物、氟化物和砷化物等。
反应磁控溅射技术的优点是:借助精密的监控设备能快速沉积所需化学配比的化合物薄膜;金靶容易提纯和加工,因此靶材的成本低且所得薄膜的纯度高;金属靶具有良好的热传导性,因此靶的冷却效果较好,即靶能承受较高功率的溅射;反应磁控溅射沉积薄膜时,基体的温度较低(小于3e)。
理想的反应溅射应该是在基体上沉积化合物,但是在实际溅射过程中,不仅在基体上沉积了化合物薄膜,同时靶材表面也会和反应气体发生化合反应形成化合物覆盖层,即所说的靶中毒。
如反应溅射过程中的不稳定性是较复杂的非线性关系,为了预知和减少前期工艺优化的工作量,于1987 年由Berg 带头的课题组提出了一个依反应气体平衡为依据的模拟反应溅射过程的模型。
该模型简单可靠,后来Berg 课题组还有其他国家的研究人员对该模型进行了深入的研究和发展,使模拟结果更趋近于实际的溅射过程。
本文详述了反应磁控溅射过程中迟滞效应和打火现象的产生原理,分析了消除迟滞效应和打火现象的各种方法并提出个人的观点,分析了Berg 模型,展望了反应磁控溅射技术的发展趋势。