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摘要：近年来磁控溅射技术的应用日趋广泛,在工业生产和科学研究领域发挥巨大作用。
随着对具有各种新型功能的薄膜需求的增加,相应的磁控溅射技术也获得进一步的发展。
本文将介绍磁控溅射技术的发展,以及闭合磁场非平衡溅射、高速率溅射及自溅射、中频及脉冲溅射等各种新技术及特点,阐述磁控溅射技术在电子、光学、表面功能薄膜、薄膜发光材料等许多方面的应用。
关键词：磁控管溅射率非平衡磁控溅射闭合场非平衡磁控溅射自溅射引言磁控溅射技术作为一种十分有效的薄膜沉积方法,被普遍和成功地应用于许多方面1～8,特别是在微电子、光学薄膜和材料表面处理领域中,用于薄膜沉积和表面覆盖层制备。
1852年Grove首次描述溅射这种物理现象,20世纪40年代溅射技术作为一种沉积镀膜方法开始得到应用和发展。
60年代后随着半导体工业的迅速崛起,这种技术在集成电路生产工艺中,用于沉积集成电路中晶体管的金属电极层,才真正得以普及和广泛的应用。
磁控溅射技术出现和发展,以及80年代用于制作CD的反射层之后,磁控溅射技术应用的领域得到极大地扩展,逐步成为制造许多产品的一种常用手段,并在最近十几年,发展出一系列新的溅射技术。
一、磁控溅射镀膜原理及其特点1.1、磁控溅射沉积镀膜机理磁控溅射系统是在基本的二极溅射系统发展而来,解决二极溅射镀膜速度比蒸镀慢很多、等离子体的离化率低和基片的热效应明显的问题。
磁控溅射系统在阴极靶材的背后放置100～1000Gauss强力磁铁,真空室充入011～10Pa压力的惰性气体(Ar),作为气体放电的载体。
在高压作用下Ar原子电离成为Ar+离子和电子,产生等离子辉光放电,电子在加速飞向基片的过程中,受到垂直于电场的磁场影响,使电子产生偏转,被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,电子以摆线的方式沿着靶表面前进,在运动过程中不断与Ar原子发生碰撞,电离出大量的Ar+离子,与没有磁控管的结构的溅射相比,离化率迅速增加10～100倍,因此该区域内等离子体密度很高。
旋转磁控溅射技术研究报告旋转磁控溅射技术研究报告引言：旋转磁控溅射技术是一种基于磁场控制下的溅射工艺，通过使用旋转式靶材和外加磁场，实现对溅射材料进行均匀喷涂的技术。
本报告旨在研究旋转磁控溅射技术的原理、工艺参数以及应用领域，以期推动该技术的研发和应用。
一、旋转磁控溅射技术原理旋转磁控溅射技术的核心是通过磁场和靶材的旋转运动实现溅射材料均匀喷涂。
在溅射过程中，加在靶材上的高能量粒子（如离子、电子等）撞击靶材，将其表面的原子或分子击碎，喷射到目标表面上形成薄膜。
而通过控制外加磁场和靶材的旋转，可以使靶材上的喷射均匀分布在目标表面上，提高薄膜的质量和均匀性。
二、旋转磁控溅射技术的工艺参数1. 旋转速度：旋转速度是控制基底与靶材之间相对运动的关键参数。
合适的旋转速度可以实现均匀的溅射并优化薄膜的厚度和质量。
2. 靶材与基底的距离：控制靶材与基底的距离可以调节溅射材料到达目标表面的能量和角度。
合理的距离能够确保薄膜的均匀性和粘附力。
3. 磁场强度：磁场的强度直接影响到溅射离子的运动轨迹和击碎效果。
适当的磁场强度能够提高溅射效果，改善薄膜的致密性和结晶度。
4. 气体流量：在溅射过程中，通过提供适量的惰性气体（如氩气）可以稳定等离子体放电并保持薄膜成分的纯净度。
三、旋转磁控溅射技术的应用领域1. 太阳能电池薄膜：旋转磁控溅射技术可以用于制备各种太阳能电池的功能薄膜。
通过调节工艺参数，可以制备具有优异光电转换性能和稳定性的太阳能电池。
2. 导电薄膜：旋转磁控溅射技术可以用于制备导电薄膜，如透明导电膜、传感器电极等。
这些薄膜具有良好的导电性和光透过性，广泛应用于光电子器件和触摸屏等领域。
3. 防腐蚀涂层：利用旋转磁控溅射技术制备的防腐蚀涂层可以在金属表面形成坚硬、致密的保护层，有效延长金属材料的使用寿命。
4. 功能薄膜：旋转磁控溅射技术还可制备具有特殊功能的薄膜，如光学薄膜、防反射膜、硬质涂层等。
这些薄膜在光电子、光学和航空航天等领域有着广泛的应用。
磁控溅射镀膜技术的研究进展磁控溅射镀膜技术是一种常见的表面处理技术，它可以在各种基材表面制备出具有特殊性能的薄膜层。
随着技术的不断发展，在材料的选择、制备工艺、表面状态分析等方面都有所进步，使得磁控溅射镀膜技术在科学研究和实际应用中发挥着重要作用。
一、磁控溅射镀膜技术的基本原理磁控溅射镀膜技术基于靶材发射金属离子的原理，通过高能离子轰击固体靶材表面，使得金属离子从靶材表面脱离并沉积在基材表面上，从而形成具有一定厚度和化学组成的功能性膜层。
这种技术的独特之处在于可以通过控制靶材的化学成分和溅射工艺参数来调控薄膜层的结构和性能。
其中，靶材的化学成分直接影响薄膜层的组成，而溅射工艺参数如气压、功率、溅射气体种类和气体流量等则直接影响溅射速率和膜层的质量。
二、材料选择与制备工艺磁控溅射镀膜技术广泛用于各种材料的制备，包括金属、合金、氧化物、硅类材料以及半导体材料等。
对于不同的材料，其制备工艺也有所不同。
金属材料通常采用单一金属靶材或合金靶材进行制备，而合金靶材的组成比例可以通过调整靶材的制备工艺来实现。
氧化物材料则需要先将靶材还原成金属或合金形态，然后利用气氛调节技术调节气氛中氧气含量来制备氧化物膜层。
在制备工艺方面，需要进行适当的气氛调节和工艺优化。
例如，在制备合金材料时，需要考虑合金靶材的制备过程中的变形问题，找到合适的制备参数来保证靶材的均匀溅射和膜层的均匀沉积。
三、表面状态分析磁控溅射镀膜技术制备出的膜层常常需要通过表面状态分析来控制其性能，最常用的分析方法是X射线衍射和扫描电镜技术。
X射线衍射技术可以用于分析膜层的结晶性、晶格参数和晶胞结构等信息，从而定量描述膜层的结构和性能。
而扫描电镜技术则可以提供更丰富和直观的表面形貌信息，包括表面粗糙度、形貌变化和结构特征等。
此外，还有一些其他的表面分析技术如原子力显微镜、能量散射光谱和X射线光电子能谱等，可以用于全面分析膜层的属性和性能。
四、应用前景磁控溅射镀膜技术在各种领域都得到了广泛应用，在新能源、医疗、航空航天等高科技产业中有着重要的地位。
磁控溅射技术在金属涂层加工中的应用研究引言：金属涂层在现代工业生产中扮演着至关重要的角色，它可以提供耐磨、耐腐蚀和导热等特性，广泛应用于航空航天、汽车制造、电子等领域。
而磁控溅射技术作为目前最有效的金属涂层加工技术之一，其在提高涂层质量和性能方面具有独特的优势。
一、磁控溅射技术基本原理磁控溅射技术利用磁场将金属靶材中的原子或分子离子化，并使其以高能量撞击在基材表面，形成致密而均匀的涂层。
该技术基于等离子体物理学和磁控技术，通过控制磁场和离子束参数，实现对涂层质量和成分的精确控制。
二、磁控溅射技术在涂层加工中的优势1. 良好的附着力：磁控溅射技术可以在基材上形成致密粘结的涂层，使其具有优异的附着力。
这可以有效地提高涂层的使用寿命和稳定性。
2. 高质量的涂层：磁场的运用可以使离子束扩散均匀，使得溅射过程更稳定、均一，从而得到更高质量的涂层。
涂层具有优异的抗腐蚀、耐磨、防氧化等性能。
3. 灵活的工艺参数：磁控溅射技术可以通过调整离子束能量、沉积速率和离子击中角度等工艺参数，实现涂层的定制化和优化。
这使得该技术适用于不同材料和涂层需求的加工。
4. 环保节能：相对于传统的镀金属工艺，磁控溅射技术无需使用有毒、有害的镀液，减少了对环境的污染。
同时，该技术具有较高的利用率和能量转化效率，降低了加工成本。
三、磁控溅射技术在不同领域的应用研究1. 汽车制造领域：磁控溅射技术被广泛应用于汽车发动机缸体、活塞环等零部件的涂层加工，提高了零部件的耐磨性和热稳定性；同时也用于汽车外观件的颜色涂层，增加车辆的美观性和耐候性。
2. 航空航天领域：磁控溅射技术在航空航天领域中可用于飞机涡轮发动机叶片、航空电子元件等高温高压部件的涂层加工，增强了零件的耐磨性和抗氧化性能，提高了发动机的可靠性和寿命。
3. 电子领域：磁控溅射技术可用于电子元器件的金属导电层和反射层的加工，保证了电子设备的稳定性和可靠性。
此外，磁控溅射技术还可用于液晶显示器面板的制造，提高了显示效果和寿命。
3硅基发光研究项目得到国家自然科学基金委员会光电重大计划重点项目90201037资助磁控溅射技术进展及应用(下)3徐万劲(北京大学物理学院 北京 100871)摘 要 近年来磁控溅射技术的应用日趋广泛,在工业生产和科学研究领域发挥巨大作用。
随着对具有各种新型功能的薄膜需求的增加,相应的磁控溅射技术也获得进一步的发展。
本文将介绍磁控溅射技术的发展,以及闭合磁场非平衡溅射、高速率溅射及自溅射、中频及脉冲溅射等各种新技术及特点,阐述磁控溅射技术在电子、光学、表面功能薄膜、薄膜发光材料等许多方面的应用。
关键词 磁控管 溅射率 非平衡磁控溅射 闭合场非平衡磁控溅射 自溅射213 直流溅射(DC Magnetron Sputtering )、射频溅射(RF Magnetron Sputtering )、脉冲溅射(Pulsed Magnetron Sputtering )和中频溅射(Medium Fre 2quency Magnetron Sputtering )直流溅射和射频溅射(f =13156MH z )是很早就开始应用的溅射技术,在二极溅射系统中已经被采用,直流溅射方法用于被溅射材料为导电材料的溅射和反应溅射镀膜中,其工艺设备简单,有较高的溅射速率。
而对陶瓷等介质材料靶,则只能采用射频磁控溅射方法沉积薄膜,射频磁控溅射方法能对任何材料包括各种导体、半导体和绝缘介质进行溅射镀膜。
直流反应溅射则可以使用导体及高掺杂半导体材料作为靶材,沉积介质薄膜,有较高的溅射速率。
但是反应溅射沉积介质薄膜过程中,通常会出现阳极消失、阴极中毒、放电打弧问题,破坏了等离子体的稳定性,使沉积速率发生变化,导致溅射过程难以控制,限制直流反应磁控溅射技术在介质膜的应用。
近几年来发展起来的脉冲溅射和中频溅射技术可以在反应溅射绝缘介质薄膜的过程中,释放靶表面积累的电荷、防止放电打弧的现象,并具有溅射速率快、沉积速率高等优点。
脉冲磁控溅射(10～350kH z )已经成为公认的作为绝缘材料沉积的优选的工艺过程2,33,该技术使用的脉冲电源输出电压波形是非对称的双极性脉冲(见图8),脉冲电源的正向脉冲对于释放靶表面的积聚的电荷、防止打弧是有效的,脉冲工作方式在沉积中提供稳定无弧的工作状态。
吣芍‘材料导报２００４年４月第１８卷第４期—————————————————————————————————————————————————————一一一５·５磁控溅射技术（Ｍｓ）与其它成膜技术相结合磁控溅射技术以其设备简单、沉积速率高等特点而被广泛应用。
但是在一些应用中，如利用反应磁控溅射法制备化合物薄膜要求薄膜的覆盖性较好、原子配比接近于化学配比时，需要在低气压下得到高密度的等离子体；另外，还要求在溅射过程中，用低能离子对薄膜表面的轰击得到致密性好、应力小的薄膜。
这就要求在基体表面区域溅射出的原子和本底气体原子的碰撞频率减小，从而获得更好的方向性和较高的能量。
为此，在磁控溅射系统的基础上增加电离源，如离子束源、射频等离子体源、微波等离子体源等。
因电子回旋共振微波等离子体能在较低的气压（约为１０。
Ｐａ）下工作而受到研究者的重视。
Ｙ．Ｙｏｓｈｉｄａ应用该技术，在垂１０ｃｍ范围内制备出的Ｃｕ薄膜均匀性为士４．５％（基底与靶的距离为５ｃｍ，工作气体为Ａｒ，气压Ｐ一８×１０。
Ｐａ，直流溅射功率为１００ｗ，微波功率为８００ｗ）［ｚ“”］。
徐军用类似的方法制备出了ｐ—Ｃ。
Ｎ。
薄膜，ｘ射线光电子能谱（ｘＰｓ）的分析结果为ｃ：Ｎ：ｏ＝４４．６：５４．２：１．２，Ｃ：Ｎ＝３．２：４，接近于化学配比Ｃ；Ｎ＝３；４［２“。
该技术也在ｘ—Ｒａｙ掩膜制作、刀具硬化和类金刚石薄膜制备等方面得到应用‘２５”］。
＿·Ｉ·＿－一基片密封玻璃圈６微波等离子体增强磁控溅射技术示意圈４国内外利用磁控溅射技术在多层膜和混合膜制备方面的研究（举例）在核靶制备方面，我们最关心的是多层膜和混合膜，所以下面就国内外利用磁控溅射技术在多层膜和混合膜制备方面的研究做个别简介。
４．１多层膜李戈扬等采用多靶磁控溅射技术，以氩气为工作气体（Ｐ＝ｏ．４Ｐａ），在单晶硅片上沉积出了Ｗ／ＳｉＣ纳米多层膜。
ＴＥＭ、ｘＲＤ测量结果表明，调制周期的测量值Ａ＝１１．４ｎｍ与设计值Ａ；１０．４ｎｍ比较接近，界面清晰，周期性好【２引。
磁控溅射技术研究进展薄膜技术不仅可改变工件表面性能，提高工件的耐磨损、抗氧化、耐腐蚀等性能，延长工件使用寿命，还能满足特殊使用条件和功能对新材料的要求。
磁控溅射技术具有溅射率高、基片温升低、膜基结合力好、装置性能稳定、操作控制方便等优点，因此，被认为是镀膜技术中最具发展前景的一项新技术，同时也成为镀膜工业应用领域（特别是建筑镀膜玻璃、透明导电膜玻璃、柔性基材卷绕镀等对大面积的均匀性有特别苛刻要求的连续镀膜场合）的首选方案[1-8]。
1 磁控溅射技术原理溅射是指具有一定能量的粒子轰击固体表面，使得固体分子或原子离开固体从表面射出的现象。
溅射镀膜是指利用粒子轰击靶材产生的溅射效应，使得靶材原子或分子从固体表面射出，在基片上沉积形成薄膜的过程。
磁控溅射是在辉光放电的两极之间引入磁场，电子受电场加速作用的同时受到磁场的束缚作用，运动轨迹成摆线增加了电子和带电粒子以及气体分子相碰撞的几率，提高了气体的离化率，降低了工作气压。
而Ar＋离子在高压电场加速作用下与靶材撞击，并释放能量使靶材表面的靶原子逸出靶材，飞向基板并沉积在基板上形成薄膜。
图1所示为平面圆形靶磁控溅射原理。
磁控溅射技术得以广泛的应用是由该技术的特点所决定的。
可制备成靶材的各种材料均可作为薄膜材料，包括各种金属、半导体、铁磁材料、以及绝缘的氧化物陶瓷、聚合物等物质。
磁控溅射可制备多种薄膜不同功能的薄膜，还可沉积组分混合的混合物化合物薄膜。
在溅射过程中基板温升低和能实现高速溅射，溅射产生二次电子被加速为高能电子后，在正交磁场作用下作摆线运动，不断与气体分子发生碰撞，把能量传递给气体分子本身变为低能粒子也就不会使基板过热。
随着磁控溅射技术的发展，发展起了反应磁控溅射，非平衡磁控溅射，高功率脉冲磁控溅射等新技术，下面将一一介绍。
2 磁控溅射技术发展2.1 反应磁控溅射随着表面技术的发展化合物薄膜得到了广泛的应用，反应磁控溅射技术是沉积化合物薄膜的主要方式之一（沉积多元成分的化合物薄膜）。
理想的反应溅射过程应该是发生在衬底表面, 但实际上反应不但发生在衬底上, 同时还发生在靶材上，这就导致了反应溅射的经典问题：反应溅射过程具有明显的非线性迟滞特征。
反应溅射过程可以根据在薄膜沉积中反应气体的数量分为三种模式[3]：（1）金属模式，（2）过渡模式，（3）反应模式。
由于迟滞现象，反应模式时沉积速率相对金属模式出现很大的下降，出现迟滞的主要原因是反应气体和靶表面金属原子发生反应生成化合物导致靶中毒，靶中毒的程度取决于靶表面溅射速率和反应速率之间的竞争。
同时，由于离子轰击导致二次电子发射，通常化合物二次电子发射系数要高于金属二次电子发射系数，这样根据欧姆定律可知此时等离子阻抗降低，最终导致靶电压出现迟滞现象。
因为迟滞不能得到任意计量比的薄膜，并且会使过程很不稳定，因此一直以来，人们在消除迟滞方面做了大量的工作。
最初，Maniv等人[4]在衬底和靶之间设置一栅板，这样使Ar 和反应气体分别在栅板两侧，迟滞得到了很大的改善。
但是，由于栅板存在需要经常清洗、金属沉积到衬底减少等缺点，因此不适合在工业上应用。
1986年Okamoto和Serikawa[10]发现，增加真空泵抽速能够改变反应气体流量和反应气体压力之间关系曲线的形状。
当增加真空泵抽速时，迟滞现象减弱，最终使得迟滞消失，反应气体流量和分压之间仅仅是线性关系，应用这项技术就可以避免迟滞问题。
但是，由于消除迟滞需要额外的泵来实现，它一般要求泵抽速达到通常使用泵抽速的10倍，这样大大增加了成本。
张艳茹、弥谦、杭凌侠等[11-13]在反应磁控溅射时引入甲烷气体后，反应磁控溅射沉积DLC薄膜的沉积速率大幅度提高，在相同工艺条件下，充入CH4后，当CH4与Ar 流量比为3:1时，沉积速率达到极值，是纯氩气沉积的4.2倍。
在非接触式白光干涉仪上测量其Ra值，由37.82nm减小到2.45nm，激光波面干涉仪全口径检测结果显示，RMS值降低了1个数量级，由0.098波长减小到0.006波长。
含氢碳源气体的加入改变了薄膜生长的机理，使得沉积速率提高，并改善了膜层表面粗糙度。
魏强、汪渊、侯捷等[14-18]采用射频反应磁控溅射技术，在优化工艺的条件下，研究衬底温度对MgO薄膜的影响，以及Ar/O2 通量对MgO薄膜的结晶取向的问题。
研究结果表明，衬底温度的对MgO薄膜的晶粒生长起着重要作用，较高的衬底温度有利于MgO薄膜晶粒的生长，随着衬底温度的提升反应磁控溅射制备的MgO薄膜的晶粒具有明显的（200）晶向与（220）晶向，并且在的溅射气压恒定的情况下，改变Ar/O2 的气体流量也会使MgO的晶粒大小和结晶取向发生改变，其中O2通量的提升会使MgO薄膜表面的晶粒更加细致致密，并且结晶朝着（220）方向发展。
胡明等[19]采用中频磁控溅射技术，在3种偏压条件下（ 0－80－300V），于AISI440C钢及单晶Si（100）基体表面制备了ZrN/－SiNx纳米多层薄膜。
通过高分辨透射电子显微镜（HRTEM），分析表征了各纳米多层薄膜微观组织结构，并通过纳米压入仪与真空球——盘摩擦试验机，分别测试了各薄膜力学及真空摩擦学性能。
重点研究了基体偏压对ZrN/－SiNx纳米多层薄膜微观组织结构的影响，进而对其力学及摩擦学性能的影响机制。
结果表明：较低的基体偏压会导致纳米多层薄膜中ZrN层差的结晶状态，而较高的基体偏压则易于引起ZrN层与SiNx 层层间界面的交混。
上述两种薄膜组织及结构的变化均不利于该纳米多层薄膜力学及摩擦学性能的改善。
在适宜的偏压条件下（－80V），ZrN/－SiNx薄膜呈现出良好层间界面的晶体/非晶体纳米多层结构，与其他偏压条件制备的纳米多层薄膜相比，该薄膜表现出更好的力学及摩擦学性能。
2.2 非平衡磁控溅射Windown等人在1985年首先引人了非平衡磁控溅射的概念，并给出了非平衡磁控溅射平面靶的原理性设计。
对于一个磁控溅射靶，其外环磁极的磁场强度与中部磁极的磁场强度相等或相近，则称为“平衡”磁控溅射靶。
一旦某一磁极的磁场相对于另一极性相反的部分增强或者减弱，就导致了溅射靶磁场的“非平衡”。
在常规溅射靶基础上改变磁场分布，适当增强边缘极磁场或削弱中部极磁场，保证极在靶表面构成的横向平行靶面磁场，仍能有效地约束溅射出的二次电子，在维持稳定的磁控溅射放电同时，使得另一部分电子沿着较强极产生的纵向垂直靶面磁场逃逸出靶表面，飞向镀膜区域。
基于静电平衡原理，带电正离子也将随着电子一起飞向被镀工件，飞离靶面的电子还会与中性粒子发生碰撞电离，进一步增加镀膜区域的离子浓度。
总之，通过调整溅射靶表面的磁场分布，可以显著地提高镀膜区域等离子体浓度。
非平衡磁控溅射系统工作原理如图2所示，在阴极（靶）上施加溅射电源，使靶材在一定真空度下形成辉光放电，产生离子、原子等粒子形成的等离子体，在永磁铁产生的磁场、工件上施加的负偏压形成的电场及粒子初始动能作用下流向工件。
同时，在阴极和工件之间增加了螺线管，增加周边额外磁场，改变阴极和工件之间的磁场，使得外部磁场强于中心磁场，在这种情况下，不封闭的磁力线从阴极周边指向工件，电子沿该磁力线运动，极大地增加了电子与靶材原子和分子的碰撞机会，使得离化率大大提高。
因此，即使工件保持不动，也可以从等离子区得到很大密度的离子流。
非平衡磁控系统为离子镀膜提供了宏大的电动势，特别是对镀制具有外部复合特性的膜层十分有利。
刘志远等[21]利用非平衡磁控溅射离子镀设备，在轴承钢和硬质合金表面沉积了TiAlN薄膜，并对薄膜结构和主要性能进行了分析。
结果表明，所镀薄膜厚度超过3 um，薄膜生长较好，形成了细化的柱状晶粒，断口扫描结果表明，薄膜与基体的结合比较牢固，结合力可达41N。
李芬等[22]采用非平衡磁控溅射技术，在AISI202不锈钢片和P111单晶硅基底上制备了TiAlN薄膜，并利用场发射扫描电镜FESEM、三维轮廓仪Ｘ射线衍射仪、XRD X射线电子能谱仪、XPS 纳米压痕仪，对薄膜的结构和性能进行了分析。
结果表明：随着N2流量的升高，TiAlN薄膜的沉积速率降低，AlTi比率先升高后迅速降低，薄膜主要由TiN立方晶构成，且随N2流量的升高晶粒尺寸减小，柱状晶结构变疏松，在氮气流量为20ml/min时薄膜具有最高的硬度及结合力。
赵广彬等[23]采用非平衡磁控溅射技术在硬质合金基体上制备了TiAlN薄膜400-800，对试样进行氧化实验，利用XRD、SEM、精密电子天平等，对TiAlN薄膜的物相断口组织形貌以及氧化增重结果进行分析。
实验结果发现，在800 以下，TiAlN薄膜具有良好的抗高温氧化性。
2.3 高功率脉冲磁控溅射高功率脉冲技术由于较高的溅射粒子离化率而得到人们重视，该技术在欧洲兴起已有多年，国内研究刚刚起步。
利用直流功率和脉冲功率的祸合，可以获得高离化率的脉冲时段，通过高功率脉冲的占空比，可以调节沉积到基片上原子和离子的比例。
这样通过改变基片偏压的模式以及磁控靶祸合功率的模式，即可实现常规磁控溅射、等离子体离子注入，可以实现先注入后沉积或先沉积后注入等多种工作模式。
与阴极弧沉积相比，高功率脉冲磁控溅射由于辉光放电的特点使得发射的大颗粒显著减少。
传统的磁控溅射处理技术，溅射金属大多以原子状态存在，金属离化率较低。
高金属离化率在沉积薄膜时有很多优点，可以提高薄膜质量，比如密度和结合力，尤其是对复杂形状工件的沉积反应的控制、沉积温度的降低、沉积材料到不同区域的导向等具有重要意义。
为了增加溅射金属粒子的离化率，最近几十年发展了多项离化物理气相沉积技术。
1999年，瑞典的V. Kouznetsov等人首次采用高功率脉冲作为磁控溅射的供电模式，提出了HPPMS的方法，并沉积了Cu薄膜，相对普通的直流磁控溅射，HPPMS获得高的Cu离化率，膜层高致密度，高的靶材利用率，均匀的厚度[27-31]。
技术上定义为高功率脉冲磁控溅射，是一种峰值功率超过平均功率２个量级的脉冲溅射，表明高功率脉冲的间隔很长，而靶面内平均的峰值高，功率密度大。
物理上定义为高功率脉冲磁控溅射是一种溅射靶材原子高度离化的脉冲溅射[32]。
尹星等[33]采用高功率复合脉冲磁控溅射技术（HPPMS），在316不锈钢硬质合金基体上沉积了TiN薄膜，研究不同 N2流量下TiNx 膜层的沉积速率、硬度晶体生长取向、摩擦磨损等性能。
并在相同的平均靶电流下与直流磁控溅射制备的TiN薄膜对比，结果表明：HPPMS 制备的膜层更加致密，在氩氮流量比为 7.4:1 时膜层显微硬度达2470 HV，晶粒尺寸也明显小于直流磁控溅射制备的TiN，摩擦磨损性能也得到了改善。
吴忠振等[34]采用高功率复合脉冲磁控溅射的方法（HPPMS），在不锈钢基体上制备ZrN薄膜，对比DCMS方法制备的ZrN薄膜，得出HPPMS制备的薄膜表面更平整光滑致密，既无空洞又无大颗粒等缺陷， Ar/N对薄膜相结构及硬度耐磨耐蚀等有较大影响。
