材料科学基础——4
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晶体缺陷 习题1、纯金属晶体中主要的点缺陷是什么,试述其产生的可能途径?答:在纯金属晶体中,主要的点缺陷是空位和间隙原子。
它们产生的途径有:1、由于热振动而使原子脱离正常点阵位置;2、冷加工造成的位错相互作用产生,如带割阶的位错运动会产生空位;3、高能粒子辐照等。
2、由600℃至300℃时,锗晶体中的平衡空位浓度下降了六个数量级,试计算锗晶体中的空位形成能。
(k=1.38×10-23J/K 或8.617×10-5 eV/K ) 答:空位平衡浓度为:)ex p(kTE A N n C f -== 所以:660030060030010)]87315731(exp[)exp(-=-⨯-=+-=k E kT E kT E C C f f f 可得:E f =3.176×10-19 J/mol 或1.98eV 。
3、一个位错环能否各部分都是螺位错?能否各部分都是刃位错?为什么?可以是刃位错,但不能是螺位错。
4、面心立方晶体中有]101[21位错,其方向为]112[,分解成Shockly 不全位错,写出该反应的反应式,并说明该反应成立的理由。
答:由于此位错线的柏氏矢量与位错线方向垂直(]112[]101[21⊥),因此可以判定其为刃型位错; 其滑移面法向为: k j i k j i k j i222]1)2(10[]01)2()1[()]1(111[112110++=⨯--⨯+⨯--⨯-+-⨯-⨯=--即[111],因此这一位错应在(111)面上进行分解反应,反应式为: ]121[61]211[61]101[21+→5、简单立方晶体(100)面有1个b=[0⎺10]的刃位错(a)在(001)面有1个b=[010]的刃位错和它相截,相截后2个位错产生扭折还是割阶?(b)在(001)面有1个b=[100]的螺位错和它相截,相截后2个位错产生扭折还是割阶?解:两位错相割后,在位错留下一个大小和方向与对方位错的柏氏矢量相同的一小段位错,如果这小段位错在原位错的滑移面上,则它是扭折;否则是割阶。
试题一答案一、1:4;2:O2-离子做面心立方密堆积,Na+填全部四面体空隙;3:=4CN O2-=8 [NaO4][ONa8];4:O2-电价饱和,因为O2-的电价=(Na+的电价/Na+的配位数)×O2的配位数;5:二、1:Al4[Si4O10](OH)8;2:单网层状结构;3:一层硅氧层一层水铝石层且沿C轴方向堆积;4:层内是共价键,层间是氢键;5:片状微晶解理。
三、1:点缺陷,线缺陷,面缺陷;2:由低浓度向高浓度的扩散;3:坯体间颗粒重排,接触处产生键合,大气孔消失,但固-气总表面积变化不大;4:按硅氧比值分类或按硅氧聚和体的大小分类;5:表面能的降低,流动传质、扩散传质、气相传质和溶解-沉淀传质;6:随自由能的变化而发生的相的结构的变化,一级相变、二级相变和三级相变。
四、 1:O←→VNa ′+VCl˙2:AgAg→Agi˙+VAg′3:3TiO23Ti Nb˙+V N b˙+6O O2TiO22Ti Nb˙+O i′′+3O0Nb2-x Ti3x O3可能成立Nb2-2x Ti2x O3+x4:NaCl NaCa′+ClCl+VCl˙五、一是通过表面质点的极化、变形、重排来降低表面能,二是通过吸附来降低表面能。
1:t=195h2:t=68h七、当O/Si由2→4时,熔体中负离子团的堆积形式由三维架状转化为孤立的岛状,负离子团的聚合度相应的降至最低。
一般情况下,熔体中负离子团的聚合度越高,特别是形成三维架状的空间网络时,这些大的聚合离子团位移、转动、重排都比较困难,故质点不易调整成规则排列的晶体结构,易形成玻璃。
熔体中负离子团的对称性越好,转变成晶体越容易,则形成玻璃愈难,反之亦然。
八、晶界上质点排列结构不同于内部,较晶体内疏松,原子排列混乱,存在着许多空位、位错、键变形等缺陷,使之处于应力畸变状态,具有较高能量,质点在晶界迁移所需活化能较晶内为小,扩散系数为大。
九、二次再结晶出现后,由于个别晶粒异常长大,使气孔不能排除,坯体不在致密,加之大晶粒的晶界上有应力存在,使其内部易出现隐裂纹,继续烧结时坯体易膨胀而开裂,使烧结体的机械、电学性能下降。