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(120)1．纯净的半导体叫（）。
掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。
A．空穴B．本征半导体C．P型半导体D．自由电子2．PN结正偏时，多子的（）运动较强，PN结变薄，结电阻较（）。
A．扩散B．漂移C．小D．大3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。
A．双极B．空穴C．单极D．自由电子4．负反馈放大电路的含义是（）。
A．输出与输入之间有信号通路B．电路中存在反向传输的信号通路C．除放大电路之外还有信号通路D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号5．一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB，当信号频率恰好是上限频率时，实际电压增益为（）。
A．43dB B．40dB C．37dB D．3dB6．通常在下面基本组态放大电路中，输入电阻最大的是（）；输出电阻最小的是（）；高频特性最好的电路是（）。
A．共射电路B．共集电路C．共基电路D．共源电路7．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。
A．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容8．功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使（）。
A．电压放大倍数大B．不失真输出电压大C．带负载能力强9．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。
A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈10．为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。
A．带阻B．带通C．低通D．有源11．直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、（）、稳压。
A．比较B．滤波C．调整(210)1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）2．电路只要满足，就一定会产生正弦波振荡。
（）3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（）4．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（）5．功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案模拟电⼦技术基础习题答案电⼦技术课程组2018.8.15⽬录第1章习题及答案 (1)第2章习题及答案 (14)第3章习题及答案 (36)第4章习题及答案 (45)第5章习题及答案 (55)第6章习题及答案 (70)第7章习题及答案 (86)第8章习题及答案 (104)第9章习题及答案 (117)第10章习题及答案 (133)模拟电⼦技术试卷1 (146)模拟电⼦技术试卷2 (152)模拟电⼦技术试卷3 (158)第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。
（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。
A. 增⼤B. 不变C. 减⼩（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。
A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设⼆极管正向导通电压可忽略不计。
一、填空（共20空，每空1分，共20分，所有答案均填写在答题纸上）1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。
2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在区时，关系式Ic Ib才成立。
3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。
4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。
5、在绘制放大电路的交流通路时，视为短路，视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。
6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。
7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。
8、放大电路的直流通路用于研究。
9、理想运放的两个输入端虚短是指。
10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。
若输出电压置零后反馈仍然存在则为。
11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。
12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。
13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。
14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。
二、单项选择题（共10题，每题2 分，共20分；将正确选项的标号填在答题纸上）1、稳压二极管的反向电流小于Izmin时，稳压二极管。
A：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大C：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小2、如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为。
A：饱和状态B：截止状态C：放大状态D：不能确定3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。
关于这两只三极管，正确的说法是。
图1(a) 图1(b) 图2A：（b）图中电流为5.1mA的电极为发射极。
《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1．1 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
1．2 在N型半导体中，多子是，少子是；在P型半导体中，多子是，少子是。
1．3二极管具有性；当时，二极管呈状态；当时，二极管呈状态。
1．4 2APl2型二极管是由半导体材料制成的；2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。
1．5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后，输出电压较未加C时，二极管的导通角，输出电压随输出电流的增大而。
二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1．6二极管正向电压从0．7 V增大15％时，流过的电流增大(a．15％；b．大于15％；c．小于15％)。
1．7当温度升高后，二极管的正向压降将，反向电流将(a．增大；b．减小；c．不变)。
1．8利用二极管的组成整流电路(a1．正向特性；b1．单向导电性；c1．反向击穿特性)。
稳压二极管工作在状态下，能够稳定电压(a2．正向导通；b2．反向截止；c2．反向击穿)。
三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1．9在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质，可以改型为P型半导体。
( )1．10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述其反向击穿特性。
( )1．11 在桥式整流电路中，如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。
( ) 1．12光电二极管是受光器件，能将光信号转换为电信号。
( ) 解答：1.1 杂质浓度温度1.2 电子空穴空穴电子1.3 单向导电性 正向偏置 导通 反向偏置 截止1.4 N 型锗材料 N 型硅材料1.5 增大 减小 减小1.6 （b ）1.7 （b ） （a ）1.8 （b 1） （c 2）1.9 （√）1.10 （×）1.11 （√）1.12 （√）1．13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为910-A ，求外加正向电压为0．2 V 、0．4 V 时二极管的直流电阻R D 。
一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。
(1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( )(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( )(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( )(4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( )(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( )(6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( )(7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
( )【解答】(1)×。
放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。
(2) √。
放大的特征就是功率的放大。
(3)×。
应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。
(4)×。
．(5) √。
设置合适的静态工作点。
(6)×。
任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。
(7)×。
二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电对交流信号均可视为短路。
，【解答1 (a)不能。
因为输人信号被VBB所影响。
(a)例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。
‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能用测晶体管的办法来检测。
对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。
模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。
( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。
( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。
A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。
B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。
C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。
D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。
A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。
8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A )A. －2.5VB. －5VC. －6.5VD. －7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。
题6.1判断图6-23所示各电路中的反馈支路是正反馈还是负反馈。
如是负反馈，说明是何种反馈类型。
-++++-i U o U CCV VT 1VT 2b1R b2R cR e11R e12R e2R fR 1C 2C 3C eC +-+++-i U oU CCV VT 11C 2C e1R +VT 2b21R b22R c2R e2R eC 4C 3C fR ++b11R b12R c1R -+++-i U oU +V 12CCV VT 1VT 2Ω39k Ωk 12ΩM 1Ωk 220Ωk 9.3（a ） （b ） （c ）图6-21解：（1）电压并联负反馈；（2）电压串联正反馈；（3）电压串联负反馈题6.2 用理想集成运放组成的两个反馈电路如图6-22所示，请回答：1．电路中的反馈是正反馈还是负反馈？是交流反馈还是直流反馈？ 2．若是负反馈，其类型怎样？电压放大倍数又是多少？∞AoU iU -+-+L R 3R 2R 1R ∞AiU -+-+Ωk 30Ωk 5.7Ωk 10图6-22解：1.反馈类型分别是电压串联交直流负反馈，电流并联负反馈； 2.放大倍数分别为4、2LR R -题6.3判断图6-23中各电路所引反馈的极性及反馈的组态。
∞AoU iU -+-+L R 2R 1R oI ∞AoU iU -+-+LR 3R 2R oI 4R 1R ∞AoU i U -+-+LR 4R 2R 5R 1R 3R（a ） （b ） （c ）图6-23解：（1）电流串联负反馈；（2）电流并联负反馈；（3）电压并联负反馈 题6.4判断图6-24所示电路的交流反馈类型。
A1R F R 'R u I u O +_+_∞图6-24解：电压并联负反馈题6.5判断图所示电路所有交流反馈类型（电路为多级时只考虑级间反馈）。
(a) (b)(c) (d)图6-25解：（a）电压串联负反馈；（b）电压串联负反馈；（c）电流并联负反馈；（d）电压并联负反馈题6.6 电路如图6-26所示图6-261．指出反馈支路与反馈类型；2．按深度负反馈估算中频电压放大倍数iouf u u A =解：1.电压串联交流负反馈； 2. 121e uf e R R A R +=题6.7 图6-27中的A 1，A 2为理想的集成运放，问：1）第一级与第二级在反馈接法上分别是什么极性和组态？ 2）从输出端引回到输入端的级间反馈是什么极性和组态？ 3）电压放大倍数?o1o =U U ?io =U U4)输入电阻r if =？++-++-u iu oA1A 2uo 14R 5R 1R 3R 2R 2R r if图6-27解：（1）第一级电压并联负反馈、第二级电压并联负反馈 （2）电压串联负反馈 （3）3141,1o o o i u u R u u R =-=+ （4）iif iu r i =31411(1)i i i o i R u u u u R i R R -+-==14342i if i u R R r i R R ==+ 题6.8 电路如图所示。
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和0.5pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C o 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =0.1pA 。
（1）当二极管正偏压为0.65V 时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C o 或降至10C -o 时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=οοοοT=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即ο则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时οοοο1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为0.7伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为0.7V ，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至0.8V 时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
反之二只背靠背连接的二极管可等效为一个三极管吗？解：不能。
因为它们不可能同时满足如下条件，即：发射区掺杂浓；集电结面积大；基区薄。
放大时发射结正偏，集电结反偏，用二极管等效集电结反偏时不可能有电流，而晶体管二个结因具有上述特点载流子可输出到集电极去。
1-6 已知晶体管工作在线性放大区，并测得各极电压如图P1-6所示。
试画出晶体管的电路符号D 0.7 图 P1-36V(a)(b)图 P1-5NPNPNP并注明是硅管还是锗管。
解： Ge Si1-7 已测得晶体三极管各极对地电位如图P1-7所示。
判断它们处于何种工作状态（饱和，放大，截止或损坏）。
解： 放大 截止 损坏 临界饱和U BE =U CE1-8 共射电路如图P1-8所示。
已知晶体管参数为β=50，I CBO =0，E B =5.6V ，R B =100K Ω，E C =12V ，U BE (on)=0.6V 。
（1）如果R C =2K Ω，试求I CQ 、U CEQ ，并说明电路的工作状态；（2）如果R C =5.1K Ω重复（1）； （3）如晶体管工作在放大状态，调节R B 使I CQ =2mA 。
如bb r 50'=Ω，画出晶体管的低频混合π型等效电路，并标出元件值。
解： （1）V 7R I E U mA 5.2I I A50R U E I C C C CEQ BQ CQ B)on (BE B BQ =-==β=μ=-=放大状态图 P1-6(a)(b)图 P1-7(a)-12V-8V 8V2.3V1V 8.2V8V(b) (c)(d) 图 P1-8E C-7V-2V8V3V（2）V 75.0K 1.5mA 5.2V 12U CEQ -=⨯-=饱和状态 （3）ms9.76I 5.38g K 7.0I mA26)1(r r K 125I U E R A 40I I mA 2I CQ m CQ'bb be BQ )on (BE B B CQBQ CQ ===β++==-=μ=β==1-9 某晶体管的输出特性如图P1-9（a ）所示。
将在0~1mA 之间的特性放大后如图P1-9（b ）所示。
（1）计算该晶体管的β和P CM 。
（2）当U CE 分别为5V 和10V 时，I C 分别允许为多大。
（3）确定该晶体管的U (BR)CEO 和U (BR)CBO 的值。
解： （1）mW40V 20mA 2U I P 100A10mA 1I I CE CM CM B C =⨯===μ==β（2）mA4I V 10U mA 8I V 5U CM CE CM CE ====时，时，（3）V40U V 25U CBO )BR (CEO )BR (==图 P1-9(a)4 3 26 1 51 (b)R B1-10已知三个场效应管的转移特性曲线或输出特性曲线分别如图P1-10所示，试判别其类型，并说明U DS=|10V|的饱和电流。
解：（a）N沟耗尽型MOSFET，mA2IDSS=，()V3U offGS-=（b）P沟JFET，mA3IDSS-=，()V3U offGS=（c）N沟增强型MOSFET，DSSI无意义，V5.1U T≈1-11已知各FET的各极电压值如图P1-11所示，设各管的│U P│=2V，试分别说明它们的工作状态（可变电阻区，饱和区，截止区或不能正常工作）。
解：（a）是增强型NMOS，TGSDSTGSUUV1U,V2UV3U-===>=，所以工作于临界饱和状态。
（b）是耗尽型NMOS，V5UV7)V2(V5UU,V2UV5UDSPGSPGS=>=--=--=>=，所以工作于可变电阻区。
（c）是增强型PMOS，V5UV3UU,V2UV5UDSPGSPGS-=>-=--=<-=，所以工作于恒流区。
（d）是N沟JFET，V2UV3UPGS-=<-=，所以工作于截止区。
G5V5V3V-5V0V2V0V0V(a)(d)(c)(b)图P1-11图P1-10(a)/V(b) (c)1-12场效应管电路如图P1-12所示，已知E D =12V ，E G = -5V ，R 1=300K ，R 2=200K ，R D =10K ，JFET 的I DSS =2mA ，U P = -3V 。
（1）试求此时的U GS 和I D 的值； （2）求此时U DS 和g m ；（3）画出FET 的小信号交流等效图。
解：（1）mA 2.0)U U 1(I I V 2U R R R U 2PGS DSS D G 211GS =-=-=+=，（2）ms 04.0)U U1(U I 2g ,V 10R I E U PGS P DSS m D D D DS =--==-=E DD 图 P1-12R第二章 基本电路2-1电路如图P2-1所示，二极管参数U DQ =0.6V ，E=5V ，R=5K ，u i =0.1sin ωt （V ），分析该电路，分别求出直流输出电压及交流输出电压。
解：直流输出电压：V 4.4R I U ,mA 88.0K5V6.0V 5RU E I DQ O DQDQ ===-=-=交流输出电压：)V (t sin 1.0U O ω=2-2 削波/限幅电路如图P2-2所示，是一个并联削波电路，设二极管均工作于理想开关状态，画出输出电压u o 的波形图。
为简单起见，假定U D =0，r D =0，即两个二极管工作于理想开关状态。
解：V2U D D V 2U o 21i =>截止，导通，时当V 4U D D V 4U o 21i -=-<导通，截止，时当i o 21i U U D D V 2U V 4=<<-截止，截止，时当2-3 二极管的整流应用如图P2-3（a ）、（b ）所示，分别为全波和桥式整流器，假定输入电压是交流220V ，50H Z ，要求输出峰值电压U o =9V ，二极管的死区电压U D =0.7V 。
（1）比较两种电路变压器初、次级的匝数比以及对二极管的反向击穿电压的要求； （2）分别画出这两种整流电路的输出波形。
图 P2-1u i图 P2-3(a) 电路图(b) 电路图图 P2-2u ou i =6Sin ωt(V)R 1=10K+_tt-4V2V 6V-6V（a ） 若要求输出峰值电压U o =9V 时，则V 7.97.09U U U D (max)O (max)S =+=+=相应的有效值为：V 86.627.9U S ==1.3286.6220N N 21==， 反向峰值电压PIV 为V 7.18U U 2U PIV D max S max R =-==（b ）V 4.107.07.09U (max)S =++=相应的有效值为：V 35.724.10U S ==3035.7220N N 21== 反向峰值电压PIV 为V 7.9U U U PIV D max S max R =-==2-4 设二极管工作于理想开关状态，试判别图P2-4所示各电路中各二极管的状态（导通或截止），并予以说明。
图 P2-4o (f)o (e)(g)6K(a)(b)D 2(c)(d)（a ）D 1导通，D 2截止，U o =0V （b ）D 1导通，D 2截止，U o =10.8（c ） D 1导通，D 2截止，U o =10V （d ）D 1导通，D 2截止，U o =0V （e ）D 截止，U o =1V （f ）D 截止，U o =1V （g ）D 1截止，D 2导通，D 3截止，D 4导通，U o =8V2-5 稳压管电路如图P2-5所示。
设稳压管U Z1和U Z2的稳定电压分别为8V 和10V ，正向导通电压为0.7V ，U i 为20V 。
试求各电路的输出电压U o 的值。
解：（a ）U o =8V ， （b ）U o =18V ， （c ）U o =10.7V ，（d ）1Z 21LO U R R R U +=， （e ）U o =10.7V ， （f ）U o =8V 。
2-6 稳压管电路如图P2-6所示。
