模拟电子技术
试题汇编
成都理工大学工程技术学院
电子技术基础教研室
2010-9
第一章 半导体器件
一、填空题
1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载
流子应是 空穴 。
2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电
子浓度 小于 空穴浓度。
3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___
区、__截止________区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__
绝缘栅场效应管_______。
6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称
为___反向接法_______或_反向偏置_________。
7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整
流____和___检波____等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们
的符号分别为_______和________。
9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载
流子的___漂移_____运动。
10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V ，锗二极管的死区电压约为__0.1____V 。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶
体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_
m g ______。
13、PN 结具有__单向导电_______特性。
14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。
16、场效应管是____电压______控制型元件，而双极型三极管是____电流_______控制型元件。
17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是空穴，少数载流子应是电子。
18、P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。
19、PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为正向接法或_正向偏置______。
20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极______、___发射极____和__基极______。
21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正____________向电压；（2）集电结外加___反________向电压。
22、N型半导体可用___正________离子和等量的___负电子________来简化表示。
23、PN结正向偏置时，空间电荷区将变___窄________。
24、二极管的两个电极分别称为__阳____极和__阴____极，二极管的符号是
________。
25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会__左___移，输出特性曲线会上________移，而且输出特性曲线之间的间隔将__增大_________。
26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是___温度__________。
27、P型半导体可用_负______离子和等量的___空穴_____来简化表示。
28、主要半导体材料是_硅_____和__锗____；两种载流子是__空穴_______和__电子_______；两种杂质半导体是_P型________和___N型________。
29、二极管外加正向电压导通，外加反向电压截止。
I会增加30、当温度升高时，三极管的参数β会变大________，CBO
________，导通电压会变小_________ 。
31、双极型三极管有两种载流子导电，即____多数载流子_________和_少数载流
子____________导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即__多数载流子
___________导电。
32、N 型半导体的多数载流子是 电子 ，少数载流子是___空穴_____。
33、某晶体管的极限参数mW P CM 150=，mA I CM 100=，V U CEO BR 30)(=。若它的
工作电压V U CE 10=，则工作电流不得超过__15_____mA ；若工作电压V U CE 1=，
则工作电流不得超过____100___mA ；若工作电流mA I C 1=，则工作电压不得超
过___30____V 。
34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为A V =－9V ， B V =－6.2V ，C V
=－6V ，则该三极管是______PNP_______型三极管，A 为_______集电______极，
B 为_____基________极，
C 为______发射_______极。
35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是__β___。
36、场效应管输出特性的三个区域分别是_______恒流______区、____可变电阻
_________区、___夹断__________区。
37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_____本征半导体_____。
38、场效应管与晶体管比较， 场效应 管的热稳定好，输入电阻高， 晶
体 管的放大能力强。
39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是__发射区_______、___基区
_______和___集电区_______。
二、选择题
1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时处于正偏
导通状态。
A ．0
B ．死区电压
C ．反向击穿电压
D ．正向压降
2、杂质半导体中（ A ）的浓度对温度敏感。
A ．少子
B ．多子
C ．杂质离子
D ．空穴
