模拟电子技术习题

一、选择题:(共10题,每题1分。合计10分) 第一章:1.PN 结加正向电压时,空间电荷区将( )。A. 变窄B. 基本不变C. 变宽 2.PN 结加反向电压时,空间电荷区将( )。A. 变宽B. 变窄C. 基本不变 3.在本征半导体中加入( )元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将( )。

2020-04-18
《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。图P1.1 解图P1.1 解:波形如解图P1.1所示。1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。试画出输出电压u O的波形,并

2024-02-07
模拟电子技术题库

一、填空题1、P 型半导体又称为_____型半导体,它由本征半导体掺入_____价元素形成,其多数载流子是__________,少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。2、三种基本组态的放大电路中,输入和输出相位相反的是____________,输入和输出相位相同的是____________。3、场效应管与双

2019-12-07
模拟电子技术基础期末考试试题(B)

模拟电子技术基础期末考试试题(B )姓名 班级 学号 计分1.电路如图P1.4所示,已知u i =5sin ωt (V),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出u i 与u O 的波形,并标出幅值。 (5分)2. 设图中A 为理想运放,请求出各电路的输出电压值。(12分)U 01 = U 02 = U 03 =U 04 = U 05 =U 06 =3.

2020-02-15
模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总1.选择题1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管(D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B

2020-08-17
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是自由电子;在P型半导体中,多数载流子是空穴。2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类,它属于电压控制性器件。3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入共射(共射、共集、共基)组态放大电路。4、在多级放大器中,中间某一级的输出电阻是上一级的负载。5、集成运放应用电路

2024-02-07
模拟电子技术基础期末考试试题及答案 2

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控

2024-02-07
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要

2024-02-07
#《模拟电子技术基础》题库

《模拟电子技术基础》题库一、填空题1-12(第一章)1、杂质半导体有型和型之分。2、PN结最重要的特性是__________,它是一切半导体器件的基础。3、PN结的空间电荷区变厚,是由于PN结加了__________电压,PN结的空间电荷区变窄,是由于PN结加的是__________电压。4、N型半导体中多数载流子是,P型半导体中多数载流子是,PN结具有特性

2024-02-07
模拟电子技术试题库(2012电信参考)

模拟电子技术试题库(2012电信参考)

2024-02-07
模拟电子技术 题库(2020年整理).doc

一、填空题1、P 型半导体又称为_____型半导体,它由本征半导体掺入_____价元素形成,其多数载流子是__________,少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。2、三种基本组态的放大电路中,输入和输出相位相反的是____________,输入和输出相位相同的是____________。3、场效应管与双

2024-02-07
模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上)1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。

2024-02-07
模拟电子技术基础试题(含答案)

模拟电子技术基础试题(含答案)

2024-02-07
模拟电子技术习题2及答案

习题2 解答2.1 选择正确答案填入空内。(1)有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的情况下,测得电路A 的输出电压小。这说明电路A 的 ( )。A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小(2)有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一理想电压

2024-02-07
模拟电子技术 题库

一、填空题1、P 型半导体又称为_____型半导体,它由本征半导体掺入_____价元素形成,其多数载流子是__________,少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。2、三种基本组态的放大电路中,输入和输出相位相反的是____________,输入和输出相位相同的是____________。3、场效应管与双

2024-02-07
模拟电子技术题库答案

模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,少数载流子应是 空穴 。2、 在N 型半导体中,电子浓度 大于 空穴浓度,而在P 型半导体中,电子浓度 小于 空穴浓度。3、PN 结反向偏置时,空间电荷区将变 宽 。4、双极型三极管输出特性的三个区

2024-02-07
模拟电子电路基础试题及答案(大学期末考试题)

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控

2024-02-07
模拟电子技术题库 答案分解

模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,少数载流子应是 空穴 。2、 在N 型半导体中,电子浓度 大于 空穴浓度,而在P 型半导体中,电子浓度 小于 空穴浓度。3、PN 结反向偏置时,空间电荷区将变 宽 。4、双极型三极管输出特性的三个区

2024-02-07
最新模拟电子技术题库-答案分解

模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,少数载流子应是 空穴 。2、 在N 型半导体中,电子浓度 大于 空穴浓度,而在P 型半导体中,电子浓度 小于 空穴浓度。3、PN 结反向偏置时,空间电荷区将变 宽 。4、双极型三极管输出特性的三个区

2024-02-07
模拟电子技术复习题及答案

一、填空题:(要求)1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体,例如和等。半导体中中存在两种载流子:和。纯净的半导体称为,它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种:型半导体——多数载流子是;型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的

2024-02-07