《模拟电子技术基础》题库

(120)1．纯净的半导体叫（）。

掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。

A．空穴B．本征半导体C．P型半导体D．自由电子2．PN结正偏时，多子的（）运动较强，PN结变薄，结电阻较（）。

A．扩散B．漂移C．小D．大3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。

A．双极B．空穴C．单极D．自由电子4．负反馈放大电路的含义是（）。

A．输出与输入之间有信号通路B．电路中存在反向传输的信号通路C．除放大电路之外还有信号通路D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号5．一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB，当信号频率恰好是上限频率时，实际电压增益为（）。

A．43dB B．40dB C．37dB D．3dB6．通常在下面基本组态放大电路中，输入电阻最大的是（）；输出电阻最小的是（）；高频特性最好的电路是（）。

A．共射电路B．共集电路C．共基电路D．共源电路7．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。

A．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容8．功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使（）。

A．电压放大倍数大B．不失真输出电压大C．带负载能力强9．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。

A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈10．为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。

A．带阻B．带通C．低通D．有源11．直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、（）、稳压。

A．比较B．滤波C．调整(210)1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）2．电路只要满足，就一定会产生正弦波振荡。

（）3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（）4．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。

（）5．功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。

一、在括号内用“√"或“×”表明下列说法是否正确.(1I)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( ）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ )(3）放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的;( )(4）电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( ）（5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;（ )（6）由于放大的对象象是变化量,所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；（ )（7）只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

（）【解答】 (1）×。

放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。

(2）√。

放大的特征就是功率的放大。

（3)×.应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。

(4）×。

．(5）√。

设置合适的静态工作点.(6）×。

任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。

(7）×。

二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由.设图中所有电对交流信号均可视为短路。

，【解答1 （a)不能。

因为输人信号被VBB所影响.（a）例1—-3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式？能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极？【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道, P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点,而且会造成管子损坏。

‘而对于绝缘栅型效应管,由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能用测晶体管的办法来检测.对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极.自测题分析与解答一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。

第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是，其载流子是和。

载流子的浓度。

2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。

3．漂移电流是在作用下形成的。

4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是和。

5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。

它工作在。

描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。

6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。

7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。

8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。

9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。

10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。

11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。

12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。

13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。

1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。

D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。

( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。

a ：增大、b ：减小、c ：不变（包括基本不变） 1．要使静态工作电流I c 减小，则R b2应 。

2．R b2在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

217、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。

成考复习资料《模拟电子技术基础》复习资料1一、单选题1. 用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是：Vb＝－12.3Ｖ，Ve ＝－12Ｖ，Vc＝－18Ｖ。

则三极管的工作状态为（）。

A. 放大B. 饱和C. 截止2. 某仪表放大电路，要求R i大，输出电流稳定，应选（）。

A. 电流串联负反馈B. 电压并联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电压串联负反馈3. 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（）。

A. 差B. 好C. 差不多4. 单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（）Uz。

A. 0. 45B. 0. 9C. 1. 25. 某场效应管的转移特性如图2所示，该管为（）。

A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道结型场效应管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管6. 某场效应管的电路符号如图1所示，该管为（）。

A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道耗尽型MOS 管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管7. 在如图2所示电路中，电阻RE的主要作用是（）。

A. 提高放大倍数B. 稳定直流静态工作点C. 稳定交流输出D. 提高输入电阻8. 利用二极管的（）组成整流电路。

A. 正向特性B. 单向导电性C. 反向击穿特性9. 根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A. 可能B. 不能10. 带射极电阻Re的共射放大电路，在Re上并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将（）。

A. 减小；B. 增大；C. 不变；D. 变为零。

二、判断题1. ( )功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。

2. ( )反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。

3. （）负反馈放大电路不可能产生自激振荡。

4. （）任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。

06～07学年第一学期中级部《电子技术基础》试题出卷人：王敬孝一、填空题（每空1分共165分）§1—11.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体、绝缘体和半导体三类。

2.常用的半导体材料是硅和锗，它们都是四价元素。

3.半导体中导电的不仅有电子，而且还有空穴，这是半导体区别于导体导电的重要特征。

4.掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子的浓度与温度和光照有很大关系。

5.半导体按导电类型分为N 型半导体和P 型半导体。

6.P 型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是电子；N 型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。

7.PN 结又叫阻挡层，耗尽层，也叫空间电荷区。

8.PN 结正偏时，P 区接电源的正 极，N 区接电源的负 极；PN 结反偏时，P 区接电源的负极，N 区接电源的正极。

9.PN 结具有单向导电性能，即加正向电压时PN 结导通，加反向电压时的PN 结截止。

§1—210.二极管实质就是一个PN 结，P 区的引出端叫正极或阳极，N 区的引出端叫负极或阴极。

11、按二极管制造工艺的不同，二极管可分为点接触型、面接触型和平面型三种。

12、按晶体二极管所用的材料可分为硅和锗两类。

13、2CW 是硅材料的稳压二极管。

2AK 是锗材料的开关二极管。

14、2CZ 是硅材料的整流二极管。

2AP 是锗材料的普通二极管15、二极管的正向接法是P 接电源的正极，N 接电源的负极，反向接法时相反。

16、二极管的主要特性是单向导电，硅二极管的死区电压约0.5V ，锗二极管的死区电压约0.2V 。

17、硅二极管导通时的正向压降约0.7V ，锗二极管导通时的正向压降约0.3V 。

18、使用二极管时，应考虑的主要参数是FM I 、RM I 、RM U 。

19、电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会烧坏；如果加在二极管两端的反向电压过高，二极管会击穿。

20、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已短路损坏，有一硅二极管正反向电阻接近于无穷大表明二极管已开路损坏。

模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。

2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。

3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。

5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。

6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。

8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。

10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。

A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。

A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。

模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。

A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。

A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。

A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。

A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

机电3+2《模拟电子技术基础》试题库3考生须知：1．本试卷分问卷和答卷两部分，满分100分，考试时间90分钟。

2．在答题卷密封区内请写明校名、姓名和学籍号。

3．全部答案都请做在答题卷标定的位置上，务必注意试题序号与答题序号相对应，直接做在问卷上无效。

题号一二三四总分满分30 30 10 30 100 一、填空题（每空1分，共30分）1．PN结加正向电压时______，加反向电压时______，这一特性称为_____________。

2．P型半导体中多数载流子是________，N型半导体中多数载流子是__________。

3．半导体三极管的放大作用的实质是________对________的控制作用。

4．通过整流电路后，其输出电压V o=9V，负载电流为1A，若该整流电路为半波整流电路，则二极管承受的反向电压为_______V；若该整流电路为全波整流电路，则二极管承受的反向电压为______V；若为桥式整流电路，则二极管承受的反向电压为_______V。

5．三极管放大器中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低，将产生_______失真，静态工作点设置太高，将产生_______失真。

6．放大电路中所谓的信号非线性失真，是指。

通常的非线性失真包括失真和失真。

7．为了稳定静态工作点，可以引入______反馈，如果改变输入或输出电阻，可引入_______反馈，如果希望减小放大电路从信号源索取的电流，可采用反馈。

8．三极管的输出特性是指和之间的关系曲线。

9．已知三极管的β=99，若IB=10uA，则Ic= ，IE= 。

10. 测得某工作于放大状态的三极管各极电位如图所示，则脚是E极。

11．如图所示电路，设二极管的正向压降和反向电流均忽略不计，则二极管VD处于状态，输出电压V0为。

12．分压式偏置放大电路具有__________作用，因此受温度影响小，工作稳定，同时其输出电压与输入电压的相位__________。

机电3+2《模拟电子技术基础》试题库2考生须知：1．本试卷分问卷和答卷两部分，满分100分，考试时间90分钟。

2．在答题卷密封区内请写明校名、姓名和学籍号。

3．全部答案都请做在答题卷标定的位置上，务必注意试题序号与答题序号相对应，直接做一、填空题（每空1分，共30分）1．根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和三类。

2．PN结正偏时，P区接电源的极，N区接电源的极。

3. 三极管按内部结构分为型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是。

4. 硅二极管导通时的正向管压降约 V，锗二极管导通时的正向管压降约 V。

5. 三极管工作在饱和状态的外部电压条件是：发射结，集电结。

6.当测得晶体三极管的集电极对地电压V C接近电源电压V CC时，表明该三极管处于________状态。

7.一放大器无反馈时的放大倍数A=120，加入负反馈后，放大倍数下降为A f=20，它的反馈深度1+AF= ，反馈系数F= 。

8．某工作在放大区的三极管，如果当I B从22μA增大到42μA，I C从1mA变为2mA，则它的放大倍数β为__________。

9．负反馈能使放大器的通频带__________，非线性失真__________。

10.在低通滤波电路中，电容器与负载联，电感与负载联。

11.通常使用法判断反馈放大器的反馈极性。

根据反馈信号是交流还是直流来分，可分为反馈和反馈。

12.由NPN三极管组成的放大电路中，输出电压波形的正半周失真，则产生了失真，它的静态工作点位置。

13.放大器的输出电阻，放大器能力越强。

14.单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率，相位。

二、单项选择题（每小题3分，共30分）1.对三极管放大作用的实质，下面说法正确的是（ ） A.三极管可以把小能量放大成大能量 B.三极管可以把小电流放大成大电流C.三极管可以把小电压放大成大电压D.三极管可用较小的电流控制较大的电流2. 交流电源电压V 2=11伏的单相桥式整流电路，直流负载电阻RL=5欧，每个二极管通过的电流约为( )安。

《模拟电子技术基础》习题一、计算题1、如图所示是一个基本共射极放大电路，设晶体管β=100 ，U BE=0.2V ，r be =1.44kΩ ，R B=470KΩ，R C=3KΩ，R L=3KΩ，V CC=10V。

（1）该电路是共射还是共集电路？（2分）（1）画出放大电路的直流通路，并且估算静态工作点I BQ、I CQ和U CEQ；（8分）（2）画出放大电路微变等效电路，求电压放大倍数A u、输入电阻R i、输出电阻R O；（10分）二、选择题（）1、P型半导体中多数载流子是________，少数载流子是________。

A、自由电子正离子B、空穴负离子C、空穴自由电子D、自由电子空穴2、半导体三极管是一种________器件。

A、电流控制电流B、电流控制电压C、电压控制电压D、电压控制电流3、当二极管两端正向偏置电压大于________时，二极管才能导通。

A、反向击穿电压B、饱和电压C、正向导通压降D、门坎电压4、如图所示电路中，二极管D所处的状态是________。

A、击穿状态B、截止状态C、导通状态D、无法确定5、二极管电路如图所示，二极管D1和D2的工作状态是________。

A、D1、D2均截止B、D1、D2均导通C、D1导通、D2截止D、D2导通、D1截止6、杂质半导体中，少子的浓度与________有关。

A 、晶体缺陷B 、掺杂工艺C 、杂质浓度D 、温度7、某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示，测出mA I mA I mA I 22.1,02.0,2.1321=-=-=，由此可知对应电极②是________。

A 、发射极B 、基极C 、集电极D 、不能确定8、测量三极管三个电极对地电位如图所示，则三极管的工作状态为________。

A 、放大状态B 、饱和状态C 、截止状态D 、击穿状态9、两个稳压二极管的稳压值分别为7V 和9V ，将它们组成如图所示电路，设输入电压 U 1值是20V ，则输出电压 U 0为________。

《模拟电子技术基础》练习题一、填空题1、在本征半导体中，电子浓度 空穴浓度；在P 型半导体中，电子浓度 空穴浓度；在N 型半导体中，电子浓度 空穴浓度。

（大于、小于、等于）2、二极管的最主要特性是 ，它的两个主要参数是反映正向特性的 和反映反向特性的 。

3、常温下，硅二极管的开启电压约 V ，导通后在较大电流下的正向压降约 V ；锗二极管的开启电压约 V ，导通后在较大电流下的正向压降约 V 。

4、双极型晶体三极管从结构上看可以分成 和 两种类型；晶体三极管用来放大时，应使发射结 偏置，集电结 反向偏置。

5、某晶体三极管的极限参数集电极最大允许功耗P CM =150mW ，集电极电大允许电流I CM =100mA ，反向击穿电压U (BR)CEO =30V 。

若它的工作电压U CE =10V ，则工作电流I C 不得超过 mA ；若工作电压U CE =1V ，则工作电流不得超过 mA ，若工作电流I C =1mA ，则工作电压不得超过 V 。

6、温度升高时，晶体三极管的电流放大系数β ，反向饱和电流I CBO ，正向结电压U BE 。

（变大、变小、不变）7、在图1所示的差动放大电路中，设U I2=0(接地)。

如果希望负载电阻R L 的一端接地，输出电压∆U O 与输入电压∆U I1极性相同，则R L 的另一端应接在 （c 1、c 2）；如果希望输出电压∆U O 与输入电压∆U I1极性相反，则R L 的另一端应接在 （c 1、c 2）；当输入电压的变化量为∆U I1时，R E 两端 （也存在，不存在）变化电压∆U E ；对差模信号而言，e 点 （仍然是，不再是）交流接地点。

8、在放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入 ；为了稳定放大倍数，应引入 ；如希望负载变化时输出电压稳定，则应引入 。

（直流负反馈、直流正反馈、交流负反馈、交流正反馈、电压负反馈、电流负反馈、串联负反馈、并联负反馈）9、集成运算放大器是一种采用 耦合方式的放大电路，因此低频性能 ，最常见的问题是 。

模拟电子技术基础复习题图1 图2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路④共源放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是，输入电阻最小的电路是，输出电阻最小的电路是，频带最宽的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是；只能放大电流，不能放大电压的电路是；只能放大电压，不能放大电流的电路是。

2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。

填空：（1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为，U CEQ的表达式为（2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为（3）若减小R B，则I CQ将，r bc将，A 将，R i将，R o将。

uA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生失真。

A.饱和B.截止3、如图1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数A =；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则u放大电路的输入电阻R i=。

（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 。

（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将增大或将减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过的方法才能消除失真。

4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以、、和各为一臂而组成的。

5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为、和三种电路，其中振荡电路的振荡频率最为稳定。

6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振蒎电路。

7、稳压电源一般由、和三部分电路组成。

8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用滤波电路，而负载电流较大时应采用滤波电路。

9、为了使输出电压有比较大的调节范围，应采用稳压电路。

二、判断题（下列各题是否正确，对者打“√”错者打“×”）1、半导体中的空穴带正电。

1、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。

【】A. 83B. 91C. 1002、已知图所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。

选择一个合适的答案填入空内。

（1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈；【】A.2VB.3VC.6VU ＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，（2）当i则输出电压的幅值将；【】A.减小B.不变C.增大U ＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增（3）在i大输入电压，则输出电压波形将；【】A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。

【】A.RW减小B.Rc减小C.VCC减小3、互补输出级采用共集形式是为了使。

【】A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强4、选用差分放大电路的原因是。

【】A.克服温漂B. 提高输入电阻C.稳定放入倍数5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频【】A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降。

【】A.3dBB.4dBC.5dB6、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。

【】A．输入电阻增大B．输出量增大C．净输入量增大D．净输入量减小7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。

【】A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。

【】A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差9、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。

【】A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的【】A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大11、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。

《模拟电子技术基础》题库一、填空题1-12（第一章）1、杂质半导体有型和型之分。

2、PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。

3、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了__________电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN结加的是__________电压。

4、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是，PN结具有特性。

5、发射结偏置，集电结偏置，则三极管处于饱和状态。

6、P型半导体中空穴为载流子，自由电子为载流子。

7、PN结正偏时，反偏时，所以PN结具有导电性。

8、反向电流是由载流子形成，其大小与有关，而与外加电压。

9、三极管是控制元件，场效应管是控制元件。

10当温度升高时，三极管的等电极电流I ，发射结压降UBE 。

11、晶体三极管具有放大作用时，发射结，集电结。

12、漂移电流是电流，它由载流子形成，其大小与有关，而与外加电压。

13-19（第二章）13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。

14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。

15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位_________，有奇数级组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。

16、电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反馈稳定的输出量_______，使输出电阻__________。

17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。

18、晶闸管阳极和阴极间加__________，控制极加适当的__________，晶闸管才能导通。

19、在输入V2单相半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压为V RM，负载电压为V O。

20-26（第三章）20、甲类功放的最大缺点是_______；21、双极型三极管是控制器件，场效应管是控制器件；结型场效应管的栅源极之间必须加偏置电压，才能正常放大工作。

模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( A )。

A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。

( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。

( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。

A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。

B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。

C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。

D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。

7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。

A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A )A. －2.5VB. －5VC. －6.5VD. －7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。