加速测试(1)
•加速试验的目的是在于让确实存在的缺 陷提前暴露出来,而不是为了诱导产生 新的缺陷或让存在的缺陷逃脱 •加速力选择要与器件可靠性要求紧密关 联,否则可能对改进设计、材料选择、 工艺参数确定等方面产生误导作用。
加速因子
加速因子: 常规条件下的失效时间 加速试验条件下的失效时间
加速因子不但与加速试验条件有关, 还与失效机理、失效位置等因素有关
Qbd=tdbJ(t)dt
TDDB测试
TDDB
TDDB
电迁移现象
MTF=AJ-n exp[-EA/kT]
MTF=20 年 Jmax=105A/cm2
电迁移测试
%
积 累
90 70
失
效 50
30
10
Pure Al
Al-4%Cu
J=4E6A/cm2 T=175℃
6 10 100 7
400 1000 MTF (hr)
热电子效应
Vs N+
Ig Vgs
Vd N+
Isub Vb
热电子效应测试
• NMOS 0.5um 5V design • 测试方法
Vds=6.7V,7.0V, 7.3V Vss and Vbs=0V Vgs set to max Ibs
失效判据: Gm 偏移10% 时所需时间 T0.1 (->time to 0.1 failure) • 作Ibs/Ids-T0.1图 • 根据Berkeley model预测寿命 ttfIds=Cx-m (ttf 是失效0.1%的时间, C是 Ibs/Ids-T0.1图截距,m是斜率)
• 条件: 121oC/100%RH,205kPa(2atm),
集成电路技术讲座