长沙理工大学模拟电子技术试卷

长沙理工大学考试试卷………………………………………………………………………………………………………………试卷编号01 拟题教研室（或教师）签名电子教研室教研室主任签名………………………………………………………………………………………………………………课程名称（含档次）模拟电子技术课程代号专业电类相关专业层次（本、专）本科考试方式（开、闭卷）闭卷一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。

2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。

3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。

4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。

5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。

6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。

7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。

8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。

共模抑制比K CMR为__________之比。

9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。

二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。

一、判断（本题共15分,每小题1.5分，正确的打√，错误的打×）：1.（）从一定意义上来说，模拟电子技术重点研究的就是信号通过电路所发生的各种现象和过程，研究电路对信号的处理方式和效果等。

2.（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。

3.（）在三极管的三种基本组态中，只有电压放大能力而无电流放大能力的是基本共集组态。

4.（）由于集成电路工艺不能制作大电容和高阻值电阻，因此各放大级之间均采用阻容耦合方式。

5.（）通常，甲类功放电路的效率最大只有50%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。

6.（）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。

7.（）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。

8.（）要使放大电路的电压放大倍数稳定并使输入电阻减小，应引入电压并联负反馈。

9.（）串联反馈式稳压电路一般均由调整管、基准电压电路、输出电压取样电路、比较放大电路和保护电路这几个部分组成。

10.（）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。

1、√2、√3、×4、×5、√6、×7、×8、√9、√ 10、×二、单项选择（本题共20分,每小题2分）：1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）。

A 增大B 减小C 不变D 等于零2．当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为（）。

A 反向偏置但不击穿B 正向偏置但不击穿C 反向偏置且被击穿D 正向偏置且被击穿3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（）。

A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响4．差动放大电路的主要特点是（）。

A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号C有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。

一、填空（本题共18分，每空1分）：1．二极管最主要的特性是________。

2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，则桥式整流后(不滤波)的输出电压为________V ，经过电容滤波后为________V ，整流二极管所承受的最大反向电压为________V 。

3．差分放大电路，若两个输入信号为u I1＝u I2，则输出电压u O ＝________；若u I1=100μV ，uI 2=80μV ，则差模输入电压u Id ＝________μV ；共模输入电压u Ic ＝________μV 。

4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用________滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用________滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用________滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用________滤波器。

5．若三级放大电路中A u 1＝A u 2＝30dB ，A u 3＝20dB ，则其总电压增益为______dB ，折合为______ 倍。

6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ ＝________、静态时的电源功耗P DC ＝________。

这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到________，但这种功放有________失真现象。

7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为________V 。

1． 单向导电性。

2． 9，12，14。

3． 0，20，90。

4． 低通，高通，带阻，带通。

5． 80，104。

6． 0，0，78.5％，交越。

7． 15。

8． 二、单项选择（本题共20分,每个选择2分）：1．在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ ）。

A. NPN 型硅管B. NPN 型锗管C. PNP 型硅管D. PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图1所示，该管为（ ）。

长沙理工大学模电试题及答案A 卷一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。

（10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

（ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。

（ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。

（ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

（ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。

（ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

（ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。

（ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。

（ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。

（ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。

（ ） 二、选择填空 （10分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。

（A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RCf f π210==时呈 。

（A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。

（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。

（A ）β （B ）β2（C ）2β （D ）1+β（5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。

（A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。

（A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。

（A ） 大 （B ） 小 （C ） 相等三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u 0。

模拟电子技术模拟试题及答案一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.6mA和3.66mA，该晶体管的β等于（）A、50B、60C、61D、100正确答案：B2.基本放大电路中,经过晶体管的信号有( )。

A、直流成分;B、交流成分;C、交直流成分均有。

正确答案：C3.放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。

( )A、正确 ;B、错误正确答案：B4.低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是（）A、共漏放大电路B、共集放大电路C、共基放大电路D、共射放大电路正确答案：D5.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、变压器耦合B、光电耦合C、直接耦合D、阻容耦合正确答案：C6.集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（）。

A、虚断和虚短。

B、正反馈与负反馈；C、线性与非线性；正确答案：C7.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为（）失真。

A、饱和B、交越C、频率D、截止正确答案：D8.共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。

( )A、正确 ;B、错误正确答案：B9.P型半导体中的少数载流子是 ( )A、自由电子B、负离子C、空穴D、正离子正确答案：A10.共发射极放大电路的反馈元件是（）。

A、电阻RB；B、电阻RE；C、电阻RC。

正确答案：B11.P沟道场效应管的电流ID是由沟道中的( )在漏源极之间电场作用下形成的。

A、自由电子;B、空穴;C、电子和空穴;D、负离子正确答案：B12.分压式偏置的共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（）。

A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。

正确答案：B13.单极型半导体器件是( )。

A、二极管;B、场效应管;C、晶体三极管;D、稳压管。

正确答案：B14.无论是双极型三极管还是单极型三极管，其导电机理是相同的。

A、错误B、正确 ;正确答案：A15.P型半导体中多数载流子是______。

课程名称：模拟电子技术 试卷编号：01 一、填空（本题共20分，每空1分）：1．将交流电变成脉动直流电；滤除脉动直流电中的交流分量。

2．（载流子的）浓度差；（内电场的）电场力。

3．线性；非线性。

4．耦合电容和旁路电容；三极管的极间电容。

5．稳定静态工作点（或稳定Q 点）；稳定增益、改变输入输出电阻、减小非线性失真、展宽频带、抑制干扰和噪声等。

6．选频网络，放大电路，正反馈网络，稳幅电路。

7．100，105。

8．差模输入，共模输入，差模增益与共模增益（或差模放大倍数与共模放大倍数）。

9．37。

二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：1、√2、√3、√4、×5、×6、×7、×8、 √9、√ 10、×三、选择（本题共20分,每个选择2分）：1、A2、C3、B4、C5、A6、D7、A8、B9、C 10、D 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 解：直流时通过R f 为T1管的基极提供静态偏置电流，交流时通过R f 形成电流并联负反馈，R f 与R e2构成反馈网络，F ＝I f /I o ，A usf ＝Uo/Us ＝IoR C2/I f Rs ＝R C2/RsF ＝（1＋R f /R e2）R C2/Rs2．(本小题10分) 解：（1）正常情况下，U o ＝U L ＝（1.1～1.2）U 2＝11～12V 。

（2）电容虚焊时，成为单相桥式整流电路，U o ＝0.9U 2＝9V 。

（3）R L 开路时，U o ＝2U 2＝14.14V 。

（4）一只整流管和电容C 同时开路时，成为半波整流电路，U o ＝0.45U 2＝4.5V 。

3．(本小题12分) 解：（1）A 接C ，B 接D ，E 接G ，H 接I ；（2）P om ＝16W ；（3）P CM ＝3.2W 。

4．(本小题18分) 解：（1）I EQ ≈I CQ ＝（2－0.7）/2＝0.65mA ，I BQ ≈650/50＝13μA ，U CEQ ＝Vcc －7I CQ ＝7.45V ； （2）r be ＝r bb ’＋26（1＋β）/I EQ ＝2.2k Ω，R i ＝25//5// [ r be +0.3 (1＋β)] ≈3.36k Ω，Ro ＝Rc ＝5k Ω， Aus ＝Uo/Us ＝S i i o U U U U ⋅＝Si iE be L C b R R R R r R R I +⋅++-2)1()//(ββ≈－4.56 长沙理工大学试卷标准答案课程名称：模拟电子技术 试卷编号：02一、填空（本题共18分，每空1分）： 1． 等于，小于，大于2． NPN 型，基极，射极，集电极 3． 近似为1，大，小4． 电流，电压 5． 1，2n π6． 电流串联负反馈 7． RC 串并联，1/3，0二、简答（本题共10分,每小题5分）：1．答：直接耦合放大电路中，前级放大器器件参数随温度发生缓慢变化，使工作点随机漂移，这种漂移被后级逐级放大，从而在输出端产生零点漂移。

一、填空（本题共18分，每空1分）：1.二极管最主要的特性是_。

2. ______________________________________________________________________ 如果变压器二次（即副边）电压的有效值为10V,则桥式整流后（不滤波）的输出电压为V,经过电容滤波后为V,整流二极管所承受的最大反向电压为V。

3.差分放大电路，若两个输入信号为U[]=U[2，则输出电压u O=____;若u I1=100y V，u=80y V，则差模输入电压U[d=u V；共模输入电压u Ic=U V Q124.在信号处理电路中，当有用信号频率低于10Hz时，可选用°滤波器；有用信号频率高于10kHz时，可选用滤波器：希望抑制50Hz的交流电源干扰时，可选用________滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用滤波器。

5. ________________________________________________________________若三级放大电路中A u1=A u2=30dB，A u3=20dB，则其总电压增益为dB,折合为_______倍Q6.乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I C Q=、静态时的电源功耗P D C=这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到，但这种功放有失真现象。

7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为V。

1.单向导电性。

2.9，12，14Q3.0，20，90。

4.低通，高通，带阻，带通。

5.80，104Q6.0，0，78.5%，交越。

7・15Q8・二、单项选择（本题共20分,每个选择2分）:1.在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V,则这只三极管是（）QA.NPN型硅管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管2•某场效应管的转移特性如图1所示，该管为（）QA.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）QA.输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大图16.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成，即RC串并联选频网络和（A.基本共射放大电路B.基本共集放大电路C.反相比例运算电路D.同相比例运算电路8.与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是（）Qa.不用输出变压器b.不用输出端大电容c.效率高d.无交越失真5.图2所示复合管，已知T]的几=30，T2的內=50,则复合管的B约为（）。

一、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：
1．（）本征半导体中如果掺入微量的五价元素，即可形成N 型半导体。

2．（）二极管最大整流电流是指管子未击穿时的反向电流。

3．（）若晶体管的发射结和集电结均处于正向偏置状态，则管子必定工作于饱和区。

4．（）放大器的通频带越窄，其对不同频率信号的适应能力越强。

5．（）通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。

6．（）放大电路输出电阻越小，带负载能力越强。

7．（）要想降低放大电路的输入和输出电阻，电路应引入电压负反馈。

8．（）在放大电路的三种基本组态中，共射放大电路的电压放大倍数最大、输出电阻最小。

9．（）乙类互补对称电路中产生交越失真的原因是电路没有设置合适的静态工作点。

10．（）深度负反馈的实质是在近似计算中忽略了净输入信号的作用。

三、简答（本题共10分，每小题5分）：
1、简述串联型稳压电路的工作原理。

2、什么是深度负反馈？其本质是什么？
三、简答（本题共10分，每小题5分）：
1、答：当Uo突然增大时，取样电路会使得运放A的反向输入端电位增大，与同相端电位Uz比较后导致净输入电压减小，调整管的基极电位就减小，使Uo也减小，稳定了输出电压。

2、答：当1＋AF》1时，Af≈1/F，称为电路引入了深度负反馈。

其实质是在负反馈放大电路的近似分析和计算中忽略净输入量。

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一\选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。

每空1分，共14分）1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻r D =（ ）。

A. 750ΩB. 32.5ΩC. 375ΩD. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、①、①对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此可判定BJT 为( )型三极管，其三个电极中①为( )极。

A. PNPB. NPNC. 发射极D. 基极,E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。

A. 截止B. 饱和C. 顶部D. 底部4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=，be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =，相应的电压增益为（ ）。

A ．u 10033001A ⨯=-=- B ．u 1001.51501A ⨯=-=- C ．u -352502010A =-=-⨯D ．u 57.140.7A =-≈-5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。

（A）（B）（C）（D ）6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值u A 约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。

A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路C. 共集电路；共基电路D. 共射电路；共射电路7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益为20倍，则第二级的电压增益为（ ）。

A ．10dBB. 20dBC. 40dBD.100dB8． 对于单管共射放大电路，若其上、下限频率分别为H f 、L f ，当L f f =时，oU 滞后iU （ ）。

长沙理工大学考试试卷2010A试卷编号2010A 拟题教研室（或教师）签名电子教研室教研室主任签名………………………………………………………………………………………………………………课程名称（含档次）模拟电子技术专业层次（本、专）本科专业电类相关专业考试方式（开、闭卷）闭卷一、填空（本题共20分，每空1分）：1、N型半导体中多数载流子是________，P型半导体中多数载流子是________。

2、PN结的导电特性是________。

3、晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结________，集电结________。

4、晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数I CBO________，V BE________，β________。

5、经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V，发射极电位为0V，,集电极电位为5V，则该管是________型的晶体管，工作在________状态。

6、场效应管是一种________元件，而晶体管是________元件。

7、多级放大电路的耦合方式有________、________、________。

8、如果想要改善电路的性能，使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小，应该在电路中引入________反馈。

9、有源滤波器的功能是________，按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、________、________和全通滤波五种。

10、正弦波振荡电路可以产生振荡的条件是________。

二、判断（本题共10分,每小题2分，正确的打√，错误的打×）：1、（）放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。

2、（）电路中只要引入负反馈就可以改善电路的性能。

3、（）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100，将它们连成两极放大电路，其电压放大倍数为10000。

4、（）集成运放工作在非线性区的两个特点是虚短和虚断。

5、（）振荡电路中只要引入了负反馈，就不会产生振荡信号。