【CN209729916U】一种P型MWTTOPCon晶体硅太阳能电池【专利】

专利名称：一种晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜及其制备方法
专利类型：发明专利
发明人：鲁伟明
申请号：CN201210533406.7
申请日：20121212
公开号：CN102969367A
公开日：
20130313
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜及其制备方法，所述钝化膜由上下两层SiOxNy薄膜组成，所述第一层SiOxNy薄膜为富氧型SiOxNy薄膜，第二层SiOxNy薄膜为富氮型SiOxNy薄膜。

这种晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜克服了高温氧化对硅片少子寿命的损伤，也避免了SiNx膜中正电荷对背表面钝化的影响，极大的改善电池的开路电压和转换效率，且制备工艺简单，成本低廉，可以极大地降低电池片的处理成本，降低电池生产成本，易于实现大规模产业化应用。

申请人：泰通(泰州)工业有限公司
地址：225312 江苏省泰州市九龙台商工业园姚家路泰通(泰州)工业有限公司
国籍：CN
代理机构：常州市维益专利事务所
代理人：王凌霄
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专利名称：一种TOPCon电池及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：李红博,余浩,何胜,蔡永梅,单伟,徐伟智申请号：CN202210496541.2
申请日：20220509
公开号：CN114583016A
公开日：
20220603
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供了一种TOPCon电池及其制备方法；该制备方法包括以下步骤：将N型单晶硅片依次进行制绒、硼扩散、去背面绕镀和背面抛光后，依次生长SiONx隧穿层、磷掺杂多晶硅层和氮硅层，得到TOPCon电池。

与现有技术相比，本发明提供的制备方法采用特定方法生长SiONx隧穿层，代替传统热氧化生长的SiO2隧穿层，配合其他特定步骤实现整体较好的相互作用，能够有效提升TOPCon电池在烧结后钝化效果下降的问题，改善H钝化，提升电池效率，降低度电成本；同时，本发明提供的制备方法工艺简单、成本低、操作易实现，产品生产良率高。

申请人：正泰新能科技有限公司
地址：314400 浙江省嘉兴市海宁市尖山新区吉盛路1号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：杨威
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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201911262690.7(22)申请日 2019.12.10(71)申请人 江苏微导纳米科技股份有限公司地址 214028 江苏省无锡市新吴区新硕路9-6-2(72)发明人 张密超　李翔　姚俊　(74)专利代理机构 苏州佳博知识产权代理事务所(普通合伙) 32342代理人 罗宏伟(51)Int.Cl.H01L 31/20(2006.01)H01L 31/0216(2014.01)(54)发明名称Topcon结构太阳能电池的制备方法(57)摘要本发明提供一种Topcon结构太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：S1、提供预制硅片；S2、在硅片背面依次制作隧穿氧化硅、非晶硅及氧化硅；S3、清洗绕镀的非晶硅，再清洗正面BSG及背面氧化硅；S4、对非晶硅进行磷扩散，形成n+层；S5、清洗背面磷硅玻璃；S6、分别在正反面制备钝化层；S7、制作电极。

权利要求书2页 说明书3页CN 110931604 A 2020.03.27C N 110931604A1.一种Topcon结构太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提供预制硅片；S2、在硅片背面依次制作隧穿氧化硅、非晶硅及氧化硅；S3、清洗绕镀的非晶硅，再清洗正面BSG及背面氧化硅；S4、对非晶硅进行磷扩散，形成n+层；S5、清洗背面磷硅玻璃；S6、分别在正反面制备钝化层；S7、制作电极。

2.根据权利要求1所述的Topcon结构太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S1具体包括：S11、硅片清洗、制绒；S12、在硅片正面进行硼扩散制备P+层、并于P+层表面形成硼硅玻璃；S13、背面清洗抛光，保留正面硼硅玻璃。

3.根据权利要求2所述的Topcon结构太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S13具体包括：采用氢氟酸对硅片背面进行清洗。

4.根据权利要求1所述的Topcon结构太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S2中，在同一设备的同一腔体依次完成隧穿氧化硅、非晶硅及氧化硅三层膜生长。

专利名称：TOPCon电池及其制备方法和电器设备
专利类型：发明专利
发明人：吴伟梁,徐文州,陈浩,邓明璋,何宇,周凡,周鹏宇,邢国强,姚骞
申请号：CN202111248983.7
申请日：20211026
公开号：CN113972302A
公开日：
20220125
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及一种TOPCon电池及其制备方法和电器设备，该制备方法包括如下步骤：在硅片的正面制绒之后，制备PN结；在硅片的背面依次形成隧穿氧化层、本征多晶硅层、掺杂多晶硅层及氧化硅掩膜层；隧穿氧化层的沉积方式为PEALD，沉积温度为150℃～200℃；掺杂多晶硅层的沉积方式为PECVD，所述氧化硅掩膜层的厚度为10nm～40nm；去除硅片正面绕镀的氧化硅掩膜层材料和多晶硅层材料，再去除背面的氧化硅掩膜层；分别在所述PN结上形成正面电极和在所述掺杂多晶硅层上形成背面电极。

该制备方法工艺简单，且有利于外观和良率的控制，可在保证具有较高的光电转化效率和开路电压的基础上提高良率，具有更高的量产优势。

申请人：通威太阳能(眉山)有限公司
地址：620010 四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号
国籍：CN
代理机构：广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人：侯武娇
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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920428265.X(22)申请日 2019.03.29(73)专利权人 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司地址 225300 江苏省泰州市海陵区兴泰南路268号(72)发明人 王彬源　刘朝　何江涛　(74)专利代理机构 北京工信联合知识产权代理有限公司 11266代理人 姜丽辉(51)Int.Cl.H01L 31/0224(2006.01)H01L 31/04(2014.01)(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利(54)实用新型名称一种太阳能电池片(57)摘要本实用新型提供了一种太阳能电池片，包括：硅基底、分别设置在所述硅基底正面及背面的正面主栅电极和背面主栅电极；其中，正面主栅电极的端部设置有向外凸出的弧形结构；和/或背面主栅电极的两端均呈向外凸出的弧形结构。

本实用新型提供的太阳能电池片，通过将正面主栅电极的端部设置为弧形结构，以减少焊接时焊接区域与非焊接区域交界处的应力；将背面主栅电极的两端设置为弧形结构，以减少焊接时空开区域产生的应力；通过缓解电池片正面主栅电极和背面主栅电极的应力集中，减小不同材料之间因热膨胀系数不同所导致的形变量差异，进而能有效降低主栅电极端部出现隐裂和虚焊问题的几率。

权利要求书1页 说明书6页 附图5页CN 209691761 U 2019.11.26C N 209691761U权　利　要　求　书1/1页CN 209691761 U1.一种太阳能电池片，其特征在于，包括：硅基底、设置在所述硅基底正面的正面主栅电极以及设置在所述硅基底背面的背面主栅电极；其中，所述正面主栅电极的端部设置有向外凸出的弧形结构；和/或所述背面主栅电极的两端均呈向外凸出的弧形结构。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述正面主栅电极包括：正面主栅电极本体；其中，所述正面主栅电极本体的两个端部中至少有一个呈弧形结构。