50ppb晶振,高精度恒温控制晶振
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晶振简介(OCXO恒温、 MCXO数补、VCXO压控、VCTCXO、VCOCXO)各种晶振简介1. 普通晶振Packaged Crystal Oscillator(PXO):是⼀种没有采取温度补偿措施的晶体振荡器,在整个温度范围内,晶振的频率稳定度取决于其内部所⽤晶体的性能,频率稳定度在10-5量级,⼀般⽤于普通场所作为本振源或中间信号,是晶振中最廉价的产品。
2. 温补晶振Temperature Compensated Crystal Oscillator(TCXO):是在晶振内部采取了对晶体频率温度特性进⾏补偿,以达到在宽温温度范围内满⾜稳定度要求的晶体振荡器。
⼀般模拟式温补晶振采⽤热敏补偿⽹络。
补偿后频率稳定度在10-7~10-6量级,由于其良好的开机特性、优越的性能价格⽐及功耗低、体积⼩、环境适应性较强等多⽅⾯优点,因⽽获⾏了⼴泛应⽤。
3. 压控晶振Voltage Controlled Crystal Oscillator(VCXO):是⼀种可通过调整外加电压使晶振输出频率随之改变的晶体振荡器,主要⽤于锁相环路或频率微调。
压控晶振的频率控制范围及线性度主要取决于电路所⽤变容⼆极管及晶体参数两者的组合 4. 恒温晶振Oven Controlled Crystal Oscillator(OCXO):采⽤精密控温,使电路元件及晶体⼯作在晶体的零温度系数点的温度上。
中精度产品频率稳定度为10-7~10-8,⾼精度产品频率稳定度在10-9量级以上。
主要⽤作频率源或标准信号 5. 电压控制-温补晶体振荡器(VCTCXO)温度补偿晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。
6. 电压控制-恒温晶体振荡器(VCOCXO)恒温晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。
晶振的应⽤:晶体振荡器被⼴泛应⽤到军、民⽤通信电台,微波通信设备,程控电话交换机,⽆线电综合测试仪,BP机、移动电话发射台,⾼档频率计数器、GPS、卫星通信、遥控移动设备等。
• 92•描述了一种新型恒温晶振(OCXO)的设计方案,在恒温晶振(OCXO)研究基础上,通过对控温电路的优化设计,并采用热敏网络补偿技术,以恒温控制为主,温度补偿为辅,先进行恒温控制,再进行温度补偿。
两者相互结合取得优良的温频特性。
新型恒温晶振的工作电压仅为5V。
其温度-频率特性及相位噪声分别达到≤±1ppb(-40~+70℃)和≤-158dBc/Hz@1kHz的指标。
稳态功耗仅为1.2W,体积为36*27*12.7mm。
引言:石英晶体振荡器是无线电设备的核心部件,是通信、广播、雷达、电子对抗、遥控遥测及许多测量仪器必不可少的部件,其中恒温晶体振荡器(OCXO )是一种频率稳定性最好的高精密晶体振荡器(蒋松涛,一种小型超低相噪恒温晶振的设计:压电与声光,2015)。
大量应用于高端通讯设备中。
目前温频特性要达到10-9~10-11数量级普遍采用双层恒温技术。
存在预热时间长,体积大,功耗高等缺点(赵声衡,晶体振荡器:科学出版社,2008)。
本文描述了一种恒温控制为主,温度补偿为辅,两者相结合的新型OCXO 设计方案。
并成功研制了体积为36×27×12.7(mm ),温度稳定度优于±1×10-9的小体积低功耗恒温晶振。
1 晶体谐振器温频特性晶体谐振器是一种基于压电效应实现的机械振动系统。
其晶片切型有很多种,包括AT 切、SC 切、BT 切等。
其中比较常用、生产较成熟的是AT 切和SC 切。
SC 切谐振器的显著特点是其频率与温度之间有近似的三次函数关系,因而它具有零温度系数点(John R.Vig Quartz Crystal Resonators and Oscillators For Frequency Control and Timing Applications:U.S.Army Communications-Electronics Command,2001)。
单片机晶振PPM小参数,大作用来了解下大家都知道电子元件是电路设计中一个很关键的所在,电路的精准直接关乎使用这颗晶振的产品的质量问题,但是最重要的体现在于一个小参数那就是晶振的PPM值,即精度电容值。
精度值越低表明这颗电子元件越精度越精确,使用起来越耐用和反应出来的效果就越好。
那么,你知道晶振电路中的PPM吗?PPM这个小参数,是如何产生大作用。
了解下,个人观点,如有错误请指出。
为了让大家更清楚些我们演示一个贴片晶振的PPM误差公式1:120ppm,27M的晶振,频率的误差= 120/100万*27M=3240Hz晶振的精度决定时钟的计时准确度。
2:所配晶振频率:32772.2HZ,误差为+1.2ppm一年的误差计算过程为:Δf = +1.2/100万*32772.2Δt/秒= Δf/32772.2 = 1.2/100万一年的误差= Δt*24*3600*365 = 37.8秒晶振的主要参数有标称频率,老化率、频率准确度、频率稳定度,相位噪声,功耗等。
1、标称频率:是指晶振的标称输出频率;2、频率准确度:是指常温(25度)下,所测晶振频率相对标称频率的差值。
这一点是不太重要的3、频率稳定度:一般是指频率温度稳定度,是指在晶振的工作温度范围内频率随着温度变化的大小,一般用PPM或PPB来标示,1PPB=0.001PPM=1*10-9。
4、老化率:随着时间的推移,频率值随着变化的大小。
5、相位噪声:信号功率与噪声功率的比率(C/N),是表征频率颤抖的技术指标。
一般来说雷达等设备会对相位噪声有特殊要求。
6.晶体还有一个重要的特性就是“RR等效阻抗”,晶振长出现停振现象。
经分析均为晶片阻值大于80欧姆。
2400 Series-square wave in 25.4x25.4mm DIP packageNA-10M-2400 series oscillators are designed for applications where space is at apremium and good frequency stability is required. The oscillators can be used in many communications applications. A choice of quartz resonators offers a variety of performance versus cost options to fit most applications.ELECTRICAL SPECIFICA TIONS1.OUTPUT (PIN = “R.F. OUTPUT”)ParameterMin. Typ.Max. UnitTest Condition1.1.Frequency10.000000MHz1.2.Initial Accuracy -0.1 +0.1 ppm@ +25 ±1°Cafter turn on power 15 ±1 minutes ≤ 90 days following date code VCO Input at Center Voltage ±0.001V1.3. Waveform Rectangular 1.4.LevelLVTTL “1” level +2.6 +3.3 V “0” level +0.4 V1.5. Load 15 pF1.6. Duty cycle 45 50 55 % @ +1.65V 1.7. Rise/fall time 6 ns 10% to 90% 1.8.Spurious-60dBc2.FREQUENCY STABILITYParameterMin. Typ.Max. UnitTest Condition2.1.Ambient ±3, ±5, ±10 ppb referenced to 25°C Refer to Table 1 : Ordering Information-30 ~ +70 -40 ~ +85°C2.2.Aging-0.5+0.5 ppb per day, at time of shipment Daily -0.5 +0.5 ppb after 30 days Yearly -50 +50 ppb 10 Years-0.3 +0.3 ppm2.3. Voltage -0.5 +0.5 ppb ±5% change 2.4. Short term 0.05 ppb/s root Allan variance 2.5. Load -0.5 +0.5 ppb ±5% change2.6. Warm-up -10 +10 ppb in 10 minutes @ +25 ±1°C referenced to 1 hourRoHS Compliant StandardRev(1)09/2014深圳捷比信--高品质精密元件供应商www.jepsun.comParameter Min. Typ. Max. Unit Test Condition2.7. Phase Noise-95 -90 dBc/Hz @ 1Hz (@25°C)-125 -120 dBc/Hz @ 10Hz (@25°C)-140 -135 dBc/Hz @ 100Hz (@25°C) -148 -145 dBc/Hz @ 1KHz (@25°C) -156 -155 dBc/Hz @ 10KHz (@25°C) -158 -155 dBc/Hz @ 100KHz (@25°C)3. ELECTRICAL FREQUENCY ADJUSTMENT (PIN = “VCO INPUT”)Parameter Min. Typ. Max. Unit Test Condition3.1. Tuning Range-0.5 ppm ***************Referenced to frequency at nominalCenter Voltage+0.5 ppm ***************3.2. Control Voltage 0 +5.0 VOptional, Refer to Table 1 : Ordering Information 0 +4.0 V3.3. Slope Positive3.4. Center Voltage +2.5 VOptional, Refer to Table 1 : Ordering Information Note 1 +2.0 V3.5. Linearity -10 +10 %3.6. Input Impedance 100 kΩ4. INPUT POWER (PIN = “+VDC”)Parameter Min. Typ. Max. Unit Test Condition4.1. Voltage +4.75 +5.0 +5.25 V4.2. Current 800 mA @ turn on4.3. Steady State 1.3 W @ +25°C5. REFERENCE VOLTAGE (PIN = "REFERENCE VOLTAGE")(Optional Function. Refer to Table 1 : Ordering Information.)Parameter Min. Typ. Max. Units Test Condition5.1. Voltage +3.8 +4 +4.2 V Over temperature range in 2.1.5.2. Load 9 kΩ6. ENVIRONMENTALParameter Reference Std. Test Condition6.1. Operating Temperature -40°C to +85°C Note 26.2. Storage Temperature-55°C to +105°C6.3. Humidity MIL-STD-202, Method 103Test Condition A 95% RH @ +40°C,non-condensing,240 hours6.4. Vibration (non-operating) MIL-STD-202, Method 201 0.06” Total p-p, 10 to 55 Hz6.5. Shock (non-operating) MIL-STD-202, Method 213,Test Condition J30g, 11ms, half-sineNote 1. When not connected, VCO INPUT is internally held at this voltage.Note 2. Output maintained over this temperature range. Other requirements of this specification may not be met when operating outside the temperature range in 2.1.Rev(1)09/2014深圳捷比信--高品质精密元件供应商www.jepsun.comOUTLINE DRA WINGTable 1 : ORDERING INFORMA TIONRev(1)09/2014 深圳捷比信--高品质精密元件供应商www.jepsun.com。
建立时间和频率标准的研究开题报告1 课题来源及研究的目的和意义时间是我们每一个人在日常生活中不可缺少的。
但是,怎样才能拥有准确的时间?怎样才能拥有自己的频率标准?手表怎样才能在运行几个月后还能不差1秒?本文所要阐述的,就是要解决这些问题,并提供一些方法和思路,使得个人也可以拥有运行很多年也不差1秒的时间标准和相应的高准确度的频率标准。
建立个人时间标准的目的和意义人们对精度的追求总是无止境的。
有了自己的时间和频率标准,就可以对自己的频率计、信号发生器、综合测量仪等仪器做精密的校准,进而对电台的内部频率标准做出矫正,要知道现代电台对频率的偏差和稳定度的要求是非常高的。
有了自己的时间和频率标准,就可以校准自己的时钟,或者干脆自己做一个高准确度的时钟。
当然,业余条件下做到运行上万年不差一秒也许是我们用不到的,也不一定能做得到,但做到50年不差一秒还是有实际意义的,那样的话你的表就永远不用调整了,这相当于只有6E-10的误差。
在计量的几个原始单位中,只有时间和频率是唯一一个我们有可能自己拥有达到1ppb 的标准,其它几个物理量(比如长度、质量、电流等)你自己拥有1ppm的标准都是非常困难的。
有了高精度的时间和频率标准,我们就可以对各类频率源做出比较判断,比如到底谁的准确?谁的稳定?同时,我们也可以有意的改变一些外界参数,用来测量分析频率源、信号源的变化特性,比如测量晶振的温度系数、稳定度、老化特性等等。
2 应用概述2.1 应用概述精密时间是科学研究、科学实验和工程技术诸方面的基本物理参量。
它为一切动力学系统和时序过程的测量和定量研究提供了必不可少的时基坐标。
精密时间以其完美的线性和连续性展示出缤纷的客观世界的理性,成为人类认识世界和改造世界的科学锐剑。
精密时间不仅在基础研究领域有重要的作用,如地球自转变化等地球动力学研究、相对论研究、脉冲星周期研究和人造卫星动力学测地等;而且在应用研究、国防和国民经济建设钟也有普遍的应用,如航空航天、深空通讯、卫星发射及监控、信息高速公路、地质测绘、导航通信、电力传输和科学计量等;甚至已经深入到人们社会生活的方方面面,几乎无所不及。
晶振的精度参数详解以晶振的精度参数详解为题,我们将详细介绍晶振的精度参数,包括频率精度和稳定度。
一、频率精度:晶振的频率精度是指晶振输出的频率与其标称频率之间的差异。
频率精度通常以ppm(百万分之一)或ppb(十亿分之一)为单位进行表示。
频率精度越高,晶振输出的频率与标称频率的差异越小,晶振的性能越好。
频率精度受到多种因素的影响,主要包括晶振的制造工艺、晶体材料的质量以及外部环境的温度和压力等。
制造工艺的不同会导致晶振的频率精度有所差异,而晶体材料的质量也会直接影响晶振的频率稳定性。
二、稳定度:晶振的稳定度是指晶振输出频率在一定时间范围内的变化程度。
稳定度通常以ppm为单位进行表示。
稳定度越高,晶振的频率变化越小,晶振的性能越好。
稳定度受到多种因素的影响,主要包括晶振的温度特性、老化效应以及外部环境的温度和压力等。
晶振的温度特性是指晶振频率随温度变化的规律,一般情况下,晶振频率会随温度的升高而增加。
晶振的老化效应是指晶振的频率在长时间使用过程中会发生变化,通常情况下,晶振的频率会随时间的推移而逐渐降低。
为了提高晶振的频率精度和稳定度,制造商通常会采用一些技术手段。
例如,采用高精度的晶体材料、优化晶振的制造工艺、加入温度补偿电路等。
这些技术手段可以有效地提高晶振的性能,使其在各种应用场景下都能够稳定可靠地工作。
总结起来,晶振的精度参数包括频率精度和稳定度。
频率精度是指晶振输出的频率与其标称频率之间的差异,而稳定度是指晶振输出频率在一定时间范围内的变化程度。
这些参数对于晶振的性能至关重要,制造商通常会通过优化晶振的制造工艺和采用一些技术手段来提高晶振的频率精度和稳定度。
只有在频率精度和稳定度都达到要求的情况下,晶振才能在各种应用场景下稳定可靠地工作。
晶振常用的精度表示方法
晶振是一种常见的电子元件,用于产生稳定的时钟信号,广泛应用于各种电子设备和系统中。
为了确保设备的正常运行,晶振的精度非常重要。
而精度表示方法可以通过以下几种方式实现:
1. 频率精度:晶振的频率精度通常以频率偏差来表示。
偏差值越小,表示晶振的频率越准确。
一般使用单位为ppm(百万分之一)或ppb(十亿分之一)来表示偏差。
例如,某个晶振的频率精度为±10ppm,意味着其频率偏差在所设定的频率值上下波动不超过10ppm。
2. 温度精度:晶振的工作稳定性受温度的影响较大,因此温度精度是评估晶振性能的重要指标之一。
通常使用单位为ppm/℃(百万分之一/摄氏度)来表示温度精度。
例如,某个晶振的温度精度为±5ppm/℃,意味着在每升高1摄氏度的温度变化下,其频率偏差不超过5ppm。
3. 长期稳定性:晶振的长期稳定性指的是在长时间运行过程中,其频率偏差的变化程度。
一般使用年平均频率偏差(Annual Average Deviation, AAD)来表示长期稳定性。
例如,某个晶振的长期稳定性为±1ppm,意味着在一年的运行时间内,其频率偏差不超过1ppm。
除了以上几种常用的精度表示方法外,还有其他一些方式也可用于描述晶振的精度,如相位噪声、功率供应稳定性等。
根据不同的应用需求,晶振的精度表示方法可以选择适合的指标进行评估和比较,以确保设备或系统的高可靠性和稳定性。
0 引言HMC832是Hittite 公司继HMC830之后推出的又一款25MHz 到3GHz 的频率合成芯片。
该芯片拥有单电源供电、宽带、超低噪声、超低杂散的特性[1]。
具备小数N 分频,内部集成1500 MHz ~3000 MHz 的压控振荡器(VCO),输出分频比1/2/4/6.../60/62,输出频率范围为25 MHz 至3000 MHz。
内部集成相位检波器(PD)和Δ-Σ型调制器能以高达100 MHz 的频率工作,实现更宽的环路带宽和更快的频率调谐,并具备出色的频谱性能。
该器件以其优异的低相位噪声和低杂散性能,广泛应用于无线通信系统中。
1 硬件设计HMC832 的内部功能结构主要包括以下几个部分:参考信号从XREFP 输入到参考支路R 分频器、PFD 鉴频鉴相器、CP 电荷泵,再通过外部环路滤波器,从VTUNE 引脚输入到VCO,通过N 分频器反馈到PFD 鉴频鉴相器形成锁相环路。
其中N 分频器上的Δ-Σ 调制器可以提供小数分频的功能。
VCO 通过CAL 模块获得校准的能力,最后VCO 通过可编程的末级分频器将需要的频率输出到RF 引脚。
其内部系统功能框图如图1。
外围硬件电路主要有参考时钟、环路滤波电路、电源供电三部分。
1.1 晶振的选择为保证频率稳定度和低相噪,本设计采用恒温晶振,在全温度范围内稳定度为±50ppb,频率调整范围为±2ppm ;且具有极好相噪指标。
HMC832时钟参考Reference 输入管脚对时钟输入幅度要求见表1所示。
purity� The paper introduces the basic working principle of HMC832, and provides the software and hardware design in practical application� The experimental results show that the device has excellent performance and good application value�Key words : HMC832; PLL; Phase Noise ; Spurious ; VCO图1 系统功能框图图2 参考输入内部等效电路图1.2 环路滤波环路滤波器件设计主要考虑相位裕度和环路带带宽。
华为BITSV3设备参考源不可用故障的测试与排除作者:李丽红来源:《科技风》2018年第07期摘要:数字同步网是电信网络的基础支撑网络之一,是各业务网高质量运行的保证。
华为BITS(通信楼综合定时供给系统)设备,作为整个通信楼内及通信区域内的专用定时供给发生器,是数字同步网的关键节点,现网应用中有V2与V3两个版本。
本文通过对中国移动秦皇岛分公司一则非典型的华为BITSV3设备参考源不可用故障,进行仪表现场测试与问题排除,深入剖析故障原因,总结故障处理经验与预防措施,为华为BITSV3设备的日常维护与故障修复提供借鉴与参考。
关键词:华为BITSV3;参考源不可用;测试;排除一、故障现象描述中国移动秦皇岛分公司华为BITS系统连接关系如图1所示,(1)秦皇岛分公司机房楼BITSV2设备(二级钟),一方面通过两套PDH系统转接至综合楼,为综合楼BITSV3设备提供输入源;另一方面为SDH网络提供输入源。
(2)秦皇岛分公司综合楼BITSV3设备(三级钟),主要为综合楼不同的MGW/Server 核心网交换机提供输入源。
(3)8月23日晚22:11左右,秦皇岛分公司“综合楼BITS V3”设备产生“系统无主用源”、“MITE(最大时间间隔误差)、TIE(时间间隔误差)性能越限”等告警,系统处于自由振荡状态,导致部分基站闪报TF(时钟不同步)告警。
(4)8月24日凌晨2:00左右,通过对“综合楼BITSV3”设备配置“参考源不参与选源控制”,“综合楼BITSV3”设备重新锁定参考源,系统恢复正常,同时基站TF告警消失。
(5)观察两天后,8月26日9:13,“综合楼BITS V3”再次上报“主用源性能越限”告警,导致参考源不可用,并再次进入保持状态。
二、故障原因分析根据以上故障现象,分析可能的故障原因有:(1)机房楼BITSV2输出或相关连接件故障;(2)负责输入源转接的PDH系统或相关连接件故障;(3)综合楼BITSV3设备LCIM(输入测试板)板卡或相关连接件故障;(4)环境温度影响综合楼BITSV3设备SOCU(卫星信号接收及晶体振荡器时钟单元)板卡工作异常。
温补晶振和恒温晶振以温补晶振和恒温晶振为标题,本文将介绍这两种晶振的原理、应用和优缺点。
一、温补晶振温补晶振是一种可以根据环境温度变化来自动调节频率的晶振。
它的工作原理是利用温度传感器检测环境温度,并通过反馈电路调整晶振的频率,使其保持在稳定的频率范围内。
温补晶振主要应用于那些对频率稳定性要求较高的场合,比如无线通信、精密仪器等。
在无线通信领域,温补晶振能够确保无线设备在不同温度条件下的通信频率稳定,提高通信质量。
在精密仪器中,温补晶振可以用于时钟源,保证仪器的精准度和稳定性。
温补晶振的优点是可以有效抵消温度对晶振频率的影响,提高频率的稳定性。
然而,它也存在一些缺点,比如制造成本较高,相对于普通晶振来说更为复杂,还需要额外的温度传感器和反馈电路。
二、恒温晶振恒温晶振是一种通过控制晶振周围环境温度来实现频率稳定的晶振。
它的工作原理是通过温控器控制加热或制冷装置,使得晶振周围的温度保持恒定,从而保持晶振的频率稳定。
恒温晶振主要应用于那些对频率稳定性要求极高的场合,比如科学实验、空间航天等。
在科学实验中,恒温晶振可以用于频率标准,提供精确的时间基准。
在空间航天中,恒温晶振可以用于导航系统,确保航天器的定位和导航的准确性。
恒温晶振的优点是频率稳定性非常高,可以达到非常精确的频率控制。
然而,它的制造和维护成本较高,且体积较大,不适合一些对尺寸要求较小的应用场景。
温补晶振和恒温晶振都是用于实现晶振频率稳定的技术。
它们分别通过温度传感器和反馈电路、温控器和加热或制冷装置来控制晶振的频率。
温补晶振适用于对频率稳定性要求较高的应用,而恒温晶振适用于对频率稳定性要求极高的场合。
每种晶振技术都有其独特的优缺点,应根据具体应用需求选择合适的方案。
二颗“高精确度、低功耗、小体积”32.768Khz 温补晶体振荡器TCXO 二颗32.768Khz 温补晶体振荡器TCXO的应用方案 DSK321STD 32.768Khz TCXO是上海唐辉电子有限公司目前面向市场推出的一款小体积、高精确度、低功耗的RTC温度补偿石英晶振。
对于目前兴起的智能穿戴市场以及物联网市场、智能医疗、手持式设备、智慧能源等领域来说,DSK321STD这颗产品给工程师们提供了一个非常不错的参考选择。
以智能穿戴产品为例,一般来说需要两个32.768kHz的参考时钟,一个用于MCU的RTC;一个用于蓝牙芯片的睡眠时钟。
如果使用晶体谐振器则需要采用两颗32.768Khz。
由于DSK321STD是一个时钟石英晶体振荡器,它可以很容易驱动两个负载,体现了该产品的优越性。
DSK321STD 32.768Khz TCXO的优势如下:1、采用数字温度补偿方式2、高精确度+/-5ppm(-40-+85°C)、+/-3.8ppm(-10-+60°C)3、低功耗4、宽工作电压范围(2.0V-5.5V)5、宽工作温度(-40-+105°C)6、小体积封装3.2*2.5mm7、无需防湿包装管理8、符合AEC-Q100标准主要参数如下:DSK321STD 32.768Khz实物图:DSK321STD 32.768Khz温度曲线图:DSK321STD 32.768Khz TCXO从2013年底问世以来,在唐辉电子的大力推广之下,目前已经有诸多典型的应用案例,与一些知名品牌的MCU匹配使用:1、德州仪器TI的 MSP430系列2、意法STmicro的STM32系列3、日本瑞萨Renesas的RL78系列4、 Microchip额PIC18/MCP794xx系列5、 Energy Micro的EFG32系列6、 Fujitsu的MB89xx/MB951xx系列7、 NXPDE LPC11xx系列8、 Freescale的L4x/L5x系列第二颗32.768Khz简介如下。
KDS常用晶振型号频率指标技术规格KDS常用晶振型号频率指标技术规格产品名称常用晶振型号频率指标技术规格温补晶振 1.25MHZ DIP14 2PPM SINE -20-70 3.3V晶体谐振器 2.176MHz 5030 4P 3.3V 50ppm晶体谐振器 3.57954MHz HC-49S 20PPM 20PF晶体谐振器 3.57MHz 5070 5V 30PPM 20PF 无电压晶体谐振器 3.58mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator晶体谐振器 3.58mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator温补晶振 3.6864MHZ DIP14 -55-+85℃ 10PPM 5V TTL温补晶振4.096MHZ DIP14 HCMOS ±0.5ppm@(-20-+70℃)压控 3.温补晶振 4.096MHZ DIP14 HCMOS ±0.5ppm@(-20-+70℃)压控 3.温补晶振4.096MHZ DIP14 HCMOS ±0.5ppm@(-20-+70℃)压控 3.恒温晶振4.0MHz DIP36X27 ±1×10-7 0-50 TTL 5V AT 压控 125d 恒温晶振4.0MHz DIP36X27 ±1×10-9 0-50 TTL 5V SC 压控 125d 晶体谐振器 4.0mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator晶体谐振器 4.0mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator晶体谐振器 5.0688MHZ HC-49SMD 20PF +/-50PPM恒温晶振 5.0MHz DIP36X27 SINE 3PPB 0-60 -145DBC 1K 12V 5X10?钟振 5.12MHZ DIP14 5V 30PPM数字温补 5.12MHz DIP40X25 0.1ppm 12V 方波 -20+70 机械微温补晶振 5.12MHz DIP40X25 0.5ppm 12V 方波 -20+70 机械微晶体谐振器 6.0MHZ CSTCC6M00G53-R0 Crystal晶体谐振器 6.0MHZ CSTCC6M00G53-R0 Crystal晶体谐振器 6.0MHz HC-49SMD 20PPM 20PF晶体谐振器7.3728MHZ HC-49SMD 20PF +/-50PPM晶体谐振器7.68MHz 5030 4P 3.3V 50ppm晶体谐振器8.0MHZ HC-49SMD 30PPM 16pF晶体谐振器8.0MHZ 5032 10PF 20PPM温补晶振8.0MHZ 5070 准确度在1PPM以下 -40~85度方波 3.晶体谐振器8.0MHZ HC-49S 18PF 30ppm 无电压晶体谐振器8.0MHz SMD8045 2脚 30PPM温补晶振8.388608MHZ 5070 3.3V 1PPM CMOS 调节8ppm -10-+75℃晶体谐振器9.8304MHz HC-49S 20pF 30PPM 温补晶振10.0MHZ 3225 3.3V 0.5PPM SMI温补晶振10.0MHZ 3225 3.3V 0.5PPM KDS温补晶振10.0MHZ 5032 3.3V 0.5PPM KDS温补晶振10.0MHZ 5032 3.3V 1PPM SMI温补晶振10.0MHZ 5032 DAS535SD 0.5ppm温补晶振10.0MHZ 5032 DS5032TC温补晶振10.0MHZ 5032 方波 2ppm 3.3v -40-85温补晶振10.0MHZ 5070 -40-85 1PPM 削峰正旋波不带压控温补晶振10.0MHZ 5070 TCXO 0.5ppm -40 to +85度,方波温补晶振10.0MHZ 5070 VCTCXO 0.28ppm -30 to +85度,方波温补晶振10.0MHZ 5070 4P 3.3V HCMOS 0.5ppm VCTCXO -35—65 温补晶振10.0MHZ 5070 TCVCXO 1PPM 3.3v -40-+85 HCMOS温补晶振10.0MHZ 5070 VCTCXO 0.5ppm -40+85 方波温补晶振10.0MHZ 5070 VCTCXO 泰艺 2.5ppm -40+85 clippedsine 控晶体谐振器10.0MHz CSTCC10M0G53-R0 Resonator Murata 数字温补10.0MHZ DIP14 ±0.05ppm-40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos DTXO数字温补10.0MHZ DIP14 0.1ppm 3.3V -40—85温补晶振10.0MHZ DIP14 0.3PPM SINE 5V恒温晶振10.0MHZ DIP14 1*10-7 12V -10-+60° 电平极:0dB 温补晶振10.0MHZ DIP14 1ppm 3.3v 正弦波机械调节调节范围几温补晶振10.0MHZ DIP14 1PPM -30-+70 0.5PPM 5V SINE VCTCXO温补晶振10.0MHZ DIP14 1PPM SINE 3.3V 机械微调温补晶振10.0MHZ DIP14 5V <0.28PPM ±0.14 -40~85C LVCMOS -1 1KHz温补晶振10.0MHZ DIP14 5V <0.28PPM ±0.14-40~85C LVCMOS -131KHz恒温晶振10.0MHZ DIP14 OCXO ±0.2ppm -40-+85 5V 方波恒温晶振10.0MHZ DIP14 OCXO ±0.2ppm -40-+85 5V 正玄波温补晶振10.0Mhz DIP14 sine 0~10dBm 1ppm 年老化率0.5ppm SC 温补晶振10.0MHZ DIP14 TCXO ±0.5ppm SINE -40-+85 5V恒温晶振10.0MHZ DIP20X20 ±0.05ppm-40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmo 恒温晶振10.0Mhz DIP20X20 sine 0~10dBm 0.05ppm 年老化率 0.5恒温晶振10.0MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振10.0MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振10.0MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振10.0MHZ DIP25X25 0.1ppm 3.3V -40—85恒温晶振10.0MHz DIP25X25 3.3V -10-60±10ppb 准确20ppb SIN -140@1KHz恒温晶振10.0MHz DIP25X25 3.3V -10-60±10ppb 准确20ppb SIN -140@1KHz恒温晶振10.0MHZ DIP36X27 小于0.05PPM -55-85 10K -160DBC 温补晶振10.0MHZ SMD11X9 3.3V CMOS -10-+60℃ ±1PPM VCTCX 温补晶振10.0MHZ SMD11X9 电压3.3V 带压控方波1PPM -55-85C温补晶振10.0MHz SMD14X9 ±0.5ppm -20℃ +70℃ 3.3V sine输调整恒温晶振10.0MHz SMD25X22 SINE 0.02PPM -145 1K 5V -20-70 温补晶振10.24MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS温补晶振10.36MHZ 5070 3.3V 1PPM CMOS 调节8ppm -10-+75℃温补晶振10.386MHz DIP14 3ppm 3.3V -40-+85C HCOMS 频率调整晶体谐振器11.0592MHZ HC49/U 30PPM 20PF 晶体谐振器11.0592MHZ HC-49S 20PPM 20PF晶体谐振器11.0592MHZ HC49U 20PF 30PPM 无电压晶体谐振器11.2896MHz HC-49SMD 30ppm 20pf温补晶振12.0MHz 2520 20ppm 1.8V 3mA -40-+85℃钟振12.0MHZ 3225 30ppm 3.3v 4脚晶体谐振器12.0Mhz 5032 2p ±30PPM 18PF钟振12.0mhz 5032 3.3V 20ppm 四脚钟振12.0MHZ 5032 3.3V 30PPM TXC钟振12.0MHZ 5070 5V 30PPM TXC晶体谐振器12.0MHZ 6035 18PF 20PPM钟振12.0MHz SMD2520 3V 50ppm晶体谐振器12.288MHz 5032 2P 18pF 20ppm NDK恒温晶振12.288MHz DIP36X27 SINE 0.005PPM 0.01PPM -20-60 5V恒温晶振12.288MHz 短稳 +-5E-9 长期绝对精度1us -150dBc 1KH 温补晶振12.8MHz 3225 3.3V 0.5PPM KDS温补晶振12.8MHz 3225 3.3V 1PPM SMI温补晶振12.8MHZ 3225 1.5PPM SMI温补晶振12.8MHz 3225 1.5PPM 3.3V(3V) -40~85 clippedsine 温补晶振12.8MHz 5032 1.5ppm温补晶振12.8MHz 5032 1.5PPM 3.3V(3V) -40~85 clippedsine 温补晶振12.8MHZ 5070 -40-85 1PPM 削峰正旋波带压控库存TAITIEN温补晶振12.8MHz 5070 TCXO 0.5ppm -40 to +85度,方波温补晶振12.8MHz 5070 VCTCXO 0.5ppm -40+85 方波数字温补12.8MHz DIP14 ±0.05ppm-40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos DTXO恒温晶振12.8MHZ DIP14 0.025PPM 5V 0.1PPM 1K 135DB HCMOS温补晶振12.8MHz DIP14 3.3V 1PPM 4脚 -30-85 长方形正弦波恒温晶振12.8MHz DIP14 -40-70 0.1PPM SC切年老化0.1PPM 全尺恒温晶振12.8MHz DIP14 -40-85 0.1PPM SC切年老化0.1PPM 全尺温补晶振12.8Mhz DIP14 sine 0~10dBm 1ppm 年老化率 0.5ppm SC恒温晶振12.8MHz DIP20X20 ±0.05ppm-40℃85℃ 3.3V 20MA Hcm 控恒温晶振12.8Mhz DIP20X20 sine 0~10dBm 0.05ppm 年老化率 0.5恒温晶振12.8MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振12.8MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振12.8MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振12.8MHZ DIP60X60 ±2X10-8 ±20PPB -20+80 12V SINE S 温补晶振13.0MHZ 3225 3.3V 0.5PPM KDS 温补晶振13.0MHZ 3225 3.3V 1PPM KDS温补晶振13.0MHZ 3225 3V 2.5PPM CLIPPED温补晶振13.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*3.2 TAITIEN温补晶振13.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*7 TAITIEN晶体谐振器13.0MHZ 5070 3.3V/5V 30PPM/50PPM恒温晶振13.0MHz DIP36X27 SINE 0.01PPM -30-70 12V 150DBC 1K 晶体谐振器13.52127MHz 6035 10pF ±20ppm -40-85 ±30ppm晶体谐振器13.560MHz 3225 18pF ±20ppm -40-85 ±30ppm 晶体谐振器13.56MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器13.56MHZ 5032 4P 30PPM 16PF NDK钟振13.5MHZ 5070 3.3V ±20PPM晶体谐振器14.31818MHz SMD6035 +/-50PPM KDS晶体谐振器14.318MHZ SMD6035 2P +/-50PPM晶体谐振器14.318MHz 5032 4p 不带电压 30ppm晶体谐振器14.4MHZ 5032 四脚的小于10PPM 10PF 对讲机温补晶振14.7456MHZ 5070 4PIN -40-85 1PPM 3.3V TC 温补晶振14.7456MHZ DIP14 3PPM -55℃-+85℃ 3.3V晶体谐振器14.7456MHZ HC-49S 30PPM 20PF晶体谐振器14.7456MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器15.0MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器16.0Mhz 3225 50ppm 12PF FA-238 EPSON晶体谐振器16.0MHZ 3225 12PF 9PF 20PF 20PPM 无电压 NDK EPSON 晶体谐振器16.0MHZ 3225 30ppm 12pf温补晶振16.0MHZ 5070 准确度在1PPM以下 -40~85度方波 3温补晶振16.0MHZ DIP38X38 DIP 5V TTL 0-70℃ 1ppm 不带调晶体谐振器16.0MHZ HC-49U ±100PPM -20-+70 公差±20PPM 18晶体谐振器16.0MHZ SMD2520 10ppm 8PF -20-75 NX2520SA NDK 温补晶振16.32MHZ 5032 DSA535SD 3.3V ±0.5ppm -40-80℃ CLIP 晶体谐振器16.3676MHZ 3225 10PF +-10ppm温补晶振16.3676MHZ 5032 DSB535SD 0.5ppm温补晶振16.368mhz 3225 ±0.5ppm SMD3225 KSS温补晶振16.368mhz 3225 DSB321SDA ±0.5ppm温补晶振16.368mhz 3225 DSB321SDA ±0.5ppm温补晶振16.369MHZ 3225 1.8V 0.5ppm -30-85 GPS温补晶振16.384MHz 3225 2.5ppm -40~80 3.3V 销峰正弦波温补晶振16.384MHz 5070 2.5ppm -40~80 3.3V 销峰正弦波温补晶振16.777216MHZ 5070 3.3V 1PPM CMOS 调节8ppm -10-+75温补晶振16.8MHz 5032 0.5ppm SMD SMI晶体谐振器16.9344MHz 5032 20PPM 18PF 4脚温补晶振17.28MHz DIP14 1.5ppm 3.3V HCMOS -40-+85C温补晶振18.285714MHz DIP14 ±1.0ppm温补晶振18.285714MHz DIP14 ±2.5ppm温补晶振18.432MHz 5070 2ppm -40-85 CLIPPED SINE 3.3V 温补晶振18.432MHz 5070 2ppm -40-85 HCMOS 3.3V晶体谐振器18.432MHZ SMD4025 ±20PPM无电压温补晶振18.651429MHz DIP14 ±1.0ppm温补晶振18.651429MHz DIP14 ±2.5ppm温补晶振19.2MHZ 3225 3.3V CLIPPED -30-+85 0.5PPM DSB321S 温补晶振19.2MHZ 5032 3.3V 2.5PPM -3075 clipped TAITIEN VC-温补晶振19.2MHZ 5032 DSA535SD 0.5ppm clipped sine温补晶振19.44MHZ 3225 3V 2.5PPM CLIPPED压控晶振19.44MHZ 贴片和直插VCXO 牵引范围+/-50或100PPM 3.恒温晶振19.68MHZ DIP14 0.01ppm 正弦波-20-70 数字温补19.68MHZ DIP14 0.05ppm DIP20*20*10 正弦波-20-70恒温晶振19.68MHZ DIP20X20 0.01ppm 正弦波-20-70 温补晶振20.0MHZ 3225 ±0.5ppm VC-TCXO -40-85 3.0V KDS SM 温补晶振20.0MHZ 5032 0.5PPM钟振20.0MHZ 5032 3.3V 30PPM TXC温补晶振20.0MHZ 5032 DSA535SGA 0.28ppm温补晶振20.0MHZ 5032 DSA535SGA 0.28ppm温补晶振20.0MHZ 5032 DSA535SGA 0.28ppm温补晶振20.0MHZ 5070 VCTCXO +-2ppm 3.3v HCMOS -40-+85C恒温晶振20.0MHZ D1P14 21*13*12 5V 方波±0.05ppm -20—70 温补晶振20.0MHZ DIP14 -55℃ 1.5ppm数字温补20.0MHZ DIP14 ±0.05ppm-40℃85℃ 3.3V 20MA HcmosDTXO钟振20.0MHZ DIP14 3.3V ±30ppm ±30ppm -20-+70℃钟振20.0MHZ DIP14 4插脚长方5V ±30ppm ±30ppm -20-+输出温补晶振20.0MHZ DIP14 CMOS 5V 1*10-7 年老化率1×10-温补晶振20.0MHZ DIP14 CMOS 5V 1*10-7 年老化率1×10-恒温晶振20.0MHZ DIP20X20 ±0.05ppm-40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmo 恒温晶振20.0MHZ DIP20X20 -40-85 0.05PPM 相躁1K -155 恒温晶振20.0MHZ DIP20X20 -40-85 0.05PPM 相躁1K -155 温补晶振20.0MHZ DIP8 TCXO 不带压控1ppm -20-70 sine 3.3v 半温补晶振20.0MHZ SMD11X9 -55℃ 2PPM温补晶振20.48MHZ 3225 0.5PPM 3V 削顶正弦波温补晶振20.48MHz 3225 3.3V -25-55 0.5PPM 方波温补晶振22.4MHz 5070 TCXO 3.3v -40-+85 0.5PPM HCMOS 带压温补晶振22.4MHz 5070 TCXO 3.3v -40-+85 1PPM HCMOS 带压晶体振荡器22.576MHz 3225 3.3V 50PPM恒温晶振22.5792MHZ DIP25X25 SC切正弦压调-20-60 ±0.5PPM 晶体振荡器22.579MHz 3225 3.3V 50PPM晶体谐振器24.0Mhz 5032 2p ±30PPM 18PF晶体谐振器24.0MHz 5032 50ppm 16PF晶体谐振器24.0MHz 3225 30PPM HOSONIC 无电压晶体谐振器24.0MHz 5032 ±30ppm, 18p SMD 4-pad温补晶振24.0MHZ 5070 0.5ppm HCMOS 3.3V -40-+85钟振24.0MHZ 5070 30ppm 3.3v 4脚晶体谐振器24.0MHZ HC-49S 18PF 30ppm晶体谐振器24.0MHZ SMD6035 4P +/-30PPM晶体振荡器24.5535MHZ 3225 3.3V 20PPM晶体振荡器24.576MHz 3225 3.3V 50PPM温补晶振24.576MHZ 5070 0.5ppm sine 3.3V -40-+85温补晶振24.576MHZ DIP14 5ppm 正弦波 3.3V -20-+70温补晶振24.576MHZ DIP14 0.5ppm 正弦波 3.3V -40-+85恒温晶振24.576MHZ DIP25X25 SC切正弦压调-20-60 ±0.5PPM 温补晶振24.704MHz 5070 3.3V HCMOS SINE 2.5ppm 钟振24.704MHz 5070 +/-100PPM晶体谐振器25.0MHz HC-49SMD 18pF +-30ppm晶体谐振器25.0MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器25.0MHZ SMD6035 +/-50PPM KDS晶体振荡器25.0MHz 3225 1.8V 30PPM温补晶振25.0MHZ 3225 3V 0.5PPM VCTCXO DSA321SDA KDS晶体谐振器25.0MHz 5032 ±30ppm, 20PF SMD 4-pad温补晶振25.0Mhz 5070 2.5PPM 3.3V HCMOS -40-85° 带压控温补晶振25.0MHz 5070 TCVCXO 1PPM 3.3v -40-+85 HCMOS 晶体谐振器25.0MHZ HC-49S 20PF 20PPM晶体谐振器25.0MHZ SMD6035 2P +/-50PPM 无电压温补晶振25.6MHZ 5070 0.5PPM 3.3V HCMOS温补晶振26.0MHz 3225 4-SMD ±2.5ppm 3V VCTCXO 晶体振荡器26.0MHZ 3225 2.8V 20PPM 京瓷晶体振荡器26.0MHz 3225 2.8V 50PPM NDK温补晶振26.0MHz 3225 DSA321SCA/L KDS温补晶振26.0MHz 3225 DSB321SCL温补晶振26.0MHZ 3225 DSB321SDA-3.0V TCXO晶体谐振器26.0MHZ 3225 NX3225SA 10PPM 12.5PF温补晶振26.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*3.2 TAITIEN 温补晶振26.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*3.2 TAITIEN 晶体谐振器26.0MHZ 5032 4P 25PPM 12PF 无电压即无源钟振26.0Mhz 5032 4p 3.3v ±2.5PPM温补晶振26.0MHZ 5070 -20-+70 3ppm 3.3v 5*7 TAITIEN温补晶振26.0MHZ DIP14 3.3V 0.5PPM sine 带压控数字温补26.0MHZ DIP14 ±0.05ppm-40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos DTXO恒温晶振26.0MHZ DIP20X20 ±0.05ppm-40℃85℃ 3.3V 20MA Hcm 控晶体谐振器26.0MHZ SMD2520 10ppm 8PF -20-75 NX2520SANDK 无钟振27.0mhz 5032 3.3V 20ppm 四脚钟振27.0MHZ 5032 4P 3.3V 25ppm -20 - +70C HCMOS晶体谐振器27.0MHZ 5070 ±50ppm; -20+70 15pF 3.3V钟振27.0MHZ DIP8 半尺寸工业级 -40-85 3.3V 30PPM温补晶振27.0MHz SMD2520 20ppm 1.8V 3mA 2.5*2.0mm -40-+85℃晶体谐振器27.0MHZ SMD6035 2P +/-50PPM 晶体谐振器27.12Mhz 5032 2p ±30PPM 18PF晶体谐振器27.12MHZ 3225 8PF 15PPM epson温补晶振29.4912MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS温补晶振29.4912MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS温补晶振29.4912MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS压控晶振30.0MHZ 11X11 3.3V -20-+70 20PPM VCXO恒温晶振30.0MHZ -20-+70 频率稳定度小于0.004ppm晶体谐振器30.0MHZ 3225 ±30PPM -20-70 12PF温补晶振30.0MHZ 3225 0.5PPM 方波 3.3V 工业级 -40-85 不带压晶体谐振器30.0MHZ 3225 4PAD 30PPM 12PF -0-+70 钟振30.0MHZ 5032 5V 30PPM CTZ温补晶振30.0MHz 5070 HCMOS 2PPM -30-80 3.3V温补晶振30.0MHZ DIP14 0.5PPM 方波 3.3V 工业级 -40-85 不带压温补晶振30.24MHZ 5070 3.3V -20 +70 1PPM温补晶振30.72MHZ 5070 1ppm 3.3V 方波 -20—+70°C晶体谐振器31.996314MHz 5032 4P 16pF +/10ppm温补晶振32.0MHZ 5032 TCXO 3.3V clippedsine 10PPM KTS533EG-温补晶振32.0MHZ 5070 TCXO 3.3V HCMOS 1PPM 温补晶振32.0MHz DIP14 HCMOS 1.5PPM -20-70 3.3V 1K 120DBC温补晶振32.0MHZ SMD11X9 -40-85 0.5PPM 3.3V SINE温补晶振32.0MHZ SMD25X25 -40-85 0.5PPM 3.3V SINE温补晶振32.512MHZ 5070 1PPM -40~85 方波TT 相位 115DBC 温补晶振32.51MHZ 5070 2ppm 3.3v HCMOS晶体谐振器32.768KHZ SMD4.9X1.8 2P 12.5PF +-10ppm晶体谐振器32.768KHZ SMD8x3.8 12.5PF +-20ppm晶体振荡器32.768KHZ 5032 4P 有源 10PPM晶体谐振器32.768Khz DIP2X6MM ±20PPM -10-+60 12.5PF 晶体谐振器32.768kHZ MS1V-T1K 2*6MM 12.5PF晶体谐振器32.768KHZ 3225 +/-20PPM 9PF KDS 无电压晶体谐振器32.768KHZ 3225 2P 20PPM 12.5PF晶体谐振器32.768KHz 3225 3.3V 50PPM晶体谐振器32.768KHZ 3225 3.3V ±25ppm晶体谐振器32.768KHZ 3225 4P 20PPM 3.3V晶体谐振器32.768KHz 5070 3.3V 50PPM晶体谐振器32.768KHZ CM200C/12.5PF/20PPM/ROHS CITIZEN数字温补32.768KHZ DIP14 0.1PPM 3.3V -20-70恒温晶振32.768KHZ DIP14 温度稳定1E-8 温度特性0.01PPM -20-晶体谐振器32.768KHZ DIP2X6 12.5PF 20PPM晶体谐振器32.768KHZ DIP2X6 20ppm 12.5pF晶体谐振器32.768KHZ DIP3X8 20ppm 12pF 镀镍晶体谐振器32.768KHZ DIP3X8 20ppm 12pF 镀锡晶体谐振器32.768KHZ DIP3X8 12.5PF 20PPM晶体谐振器32.768KHZ SMD3.2X1.5MM ±20PPM 12.5PF 70KΩ晶体谐振器32.768KHz SMD4.1X1.5 12.5pF + -20PPM晶体谐振器32.768KHZ SMD4.1X1.5 70PPM KDS晶体谐振器32.768KHZ SMD6.9x1.4mm ±20ppm 12.5pF 4-SM 温补晶振32.768MHZ 3225 0.5ppm 3.3v 常温DSA321SDA-32.768MH温补晶振32.768MHZ DIP14 ±0.5ppm 3.3v HCMOS或SINE -30-8控温补晶振32.768MHZ DIP14 ±0.5ppm 3.3v HCMOS或SINE -40-8控温补晶振32.768MHZ DIP14 1PPM 5V -40-+85温补晶振32.768MHZ DIP14 2PPM 5V -40-+85 机械微调温补晶振32.768MHZ DIP14 -40-+85 0.2PPM 5V Sine VCTCXO 钟振33.0Mhz 5032 4p 3.3v ±30PPM 18PF钟振33.0MHZ 5070 30ppm 3.3v 4脚温补晶振33.0MHZ 5070 ±1PPM 3.3V HCMOS-40-+85℃温补晶振34.6822MHZ DIP14 2PPM恒温晶振38.4MHz DIP36X27 ±0.001PPM -20-70 5V 1K 140 SINE 恒温晶振38.4MHz DIP36X27 ±0.001PPM -40-85 5V 1K 140 SINE 恒温晶振38.4MHz DIP36X27 ±0.01PPM -20-70 5V 1K 140 SINE 压控晶振39.4917MHZ DIP-14 电压5V ±100PPM VCXO 温补晶振39.95MHz SMD14.4x9.5 3ppm 5V -40-+85C HCOMS SMD1晶体谐振器40.0MHz 3225 20ppm 3.3V EPSON 钟振40.0MHZ 5070 30ppm 3.3v 4脚温补晶振40.0mhz 3225 0.5ppm 3.3v 常温DSA321SDA-40MHz温补晶振40.0MHz 3225 DSA321SDA KDS温补晶振40.0MHZ 5070 VCTCXO +-2ppm 3.3v HCMOS -40-+85C恒温晶振40.0MHz DIP36X27 SINE 5.5V 0.01PPM -40-80 -150DBC 温补晶振40.96MHZ 5070 -30℃~+85℃ ±1PPM 3.3V 压控范围±5PP 钟振44.645MHz DIP14 20PPM温补晶振45.0MHZ 5070 ±2PPM HCMOS +3.3VDC -30 to +85 温补晶振45.0MHZ 5070 -30-80 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ 5070 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ 5070 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ DIP14 ±2PPM HCMOS +3.3VDC -30 to +85温补晶振45.0MHZ DIP14 -30-80 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ DIP14 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ DIP14 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm钟振48.0mhz 5032 3.3V 20ppm 四脚温补晶振48.0MHZ DIP38X38 DIP 5V TTL 0-70℃ 1ppm 不带调晶体振荡器50.0MHZ 3225 3.3V +-50ppm -40-+85C钟振50.0MHZ 3225 3.3V ±50ppm台湾亚陶钟振50.0MHz 5032 3.3V 30ppm钟振50.0MHZ 5032 3.3V ±50ppm温补晶振50.0MHz 5070 0.5ppm HCMOS 3V 0-50度钟振50.0MHZ 5070 3.3V ±50ppm晶体振荡器50.0MHZ 5070 3V 20PPM SMD温补晶振50.0MHz DIP14 0.5ppm Sine 3V 0-50度恒温晶振50.0MHZ DIP14 3.3V 1KHZ 125 10KHZ 130 +-200PPB +-10温补晶振50.0MHZ DIP14 3.3V -20+70 1.0ppm 正弦波温补晶振50.0MHZ DIP14 3.3V -20+70 1.0ppm 正弦波恒温晶振50.0MHZ DIP25X25 5PPB 0.005ppm 5.0V 0-+75℃ HCMO 恒温晶振50.0MHz DIP36X27 TTL 0.05PPM -20-70 140DBC 1K 5V压温补晶振51.2MHZ 5070 -30℃~+85℃ ±1PPM 3.3V 压控范围±5PP 恒温晶振52.0Mhz DIP20X20 0.05PPM@-20~70 5V 方波晶体谐振器54.0MHZ SMD2520 10ppm 8PF -20-75 NX2520SA NDK钟振54MHZ 5070 3.3V 30ppm温补晶振55.296MHZ 5070 4PIN -40-85 2PPM 3.3V TCV 压控晶振61.44MHZ SMD14X9温补晶振62.0Mhz SMD11X9 0.5ppm -40-+85 5v clipped sine 温补晶振62.0Mhz SMD11X9 0.5ppm -40-+85 5v clipped sine 温补晶振62.0MHz SMD11X9 0.5PPM SINE -40-85 105DBC 1K 3.3V 温补晶振64.0MHz DIP14 HCMOS 1.5PPM -20-70 3.3V 1K 120DBC 恒温晶振65.536MHZ DIP36X27 -40-80 1E-10 0.2ppb 30ppb 5VHC 钟振66.666MHz 5070 3.3V ±25PPM温补晶振67.584MHz DIP14 HCMOS ±1.5 5V -20-70 机械微调温补晶振70.455MHz DIP14 1PPM -35-70 5V SINE 1KHZ 110DBC 温补晶振72.448MHZ DIP14 0.5ppm 正弦波-20-70恒温晶振76.8MHz 0.05PPM 5V电压工业级 OCXO恒温晶振78.0MHZ DIP36X27 SC 0.02PPM 0-40 5V SINE VCOCXO 恒温晶振78.0MHZ DIP36X27 稳定性+-0.2PPM 压控可调恒温晶振78.6432MHz DIP25X25 2*10-8 0.02ppm -20-70 0.1ppm/年1K/-135dBc恒温晶振78.6432MHz DIP25X25 2*10-8 0.02ppm -20-70 0.1ppm/年1K/-150dBc温补晶振80.0MHZ 5070 1PPM -40-+85 3.3V HCMOS温补晶振80.0MHZ 5070 1PPM -40-+85 3.3V HCMOS温补晶振80.0MHZ DIP14 1PPM 3.3V 0-65℃温补晶振80.0MHz SMD11X9 0.3PPM -40-85 SINE 3.3 -110DBC 温补晶振80.0MHz SMD11X9 3PPM -55-90 CLIPP SINE 3.3 -110D 钟振81.360MHz DIP14 ±30 ppm 0+70 5V CMOS TTL ≤5nS 恒温晶振97.536MHZ DIP25X25 1×10-7 -55℃~90℃温补晶振100.0MHZ 5070 1PPM -30~80 相噪 1KHz -100 方波3.3V 晶体振荡器100.0MHZ 5070 3.3V -40-85 50PPM TXC温补晶振*****************************.3VSINE-20-60 温补晶振100.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V 温补晶振100.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V温补晶振100.0MHZ DIP20X20 5V SINE HCMOS -30-85 0.5PPM -130温补晶振******************************* 3.3V SINE -20-7恒温晶振100.0MHz DIP25X25 0.1ppm Sine 3.3V -30--+80C 1KHz/恒温晶振100.0MHZ DIP25X25 1×10-7 -55℃~90℃恒温晶振100.0MHz DIP25X25 SINE 0.5PPM -10-60 135DBC 1K 压控恒温晶振100.0MHz DIP36X27 SINE 0.01PPM 0.05PPM 1K-155DBC 9差分晶振100.0MHz DIP8 13X13 LVPECL 0.5PPM 3.3V 5PPM -4恒温晶振100.02MHz DIP14 + -0.1ppm 0-70 1kHZ -155dbc/HZ 恒温晶振102.4MHZ DIP25X25 0.1PPM 正弦波方波OCXO温补晶振102.4MHZ DIP25X25 0.3PPM 正弦波方波 TCXO压控晶振122.88MHZ SMD14X9压控晶振122.88mhz SMD14X9 VCXO LV-PECL VC3D4B210-122.8压控晶振122.88mhz SMD14X9 VCXO LV-PECL VC3D4B210-122.8温补晶振124.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V 温补晶振125.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V差分晶振125.0MHz DIP8 13X13 LVPECL 0.5PPM 3.3V 5PPM -4温补晶振127.5MHz DIP14 不压控温特性1ppm 年老化1ppm 3.3V 温补晶振140.0MHz DIP14 -20-70 1PPM 5V 5X10-6秒稳输出幅度大于欧姆差分晶振148.5MHZ 5070 2.5V/3.3V 输出LVDS PECL工业级温补晶振299.792458MHZ DIP14 1PPM -20-70 5V TTL HCMOS 温补晶振300.0MHZ DIP14 1PPM -20-70 5V TTL HCMOS。
什么是晶振?晶振作用,晶振原理?晶振一般叫做晶体谐振器,是一种机电器件,是用电损耗很小的石英晶体经精密切割磨削并镀上电极焊上引线做成。
这种晶体有一个很重要的特性,如果给他通电,他就会产生机械振荡,反之,如果给他机械力,他又会产生电,这种特性叫机电效应。
他们有一个很重要的特点,其振荡频率与他们的形状,材料,切割方向等密切相关。
由于石英晶体化学性能非常稳定,热膨胀系数非常小,其振荡频率也非常稳定,由于控制几何尺寸可以做到很精密,因此,其谐振频率也很准确。
根据石英晶体的机电效应,我们可以把它等效为一个电磁振荡回路,即谐振回路。
他们的机电效应是机-电-机-电....的不断转换,由电感和电容组成的谐振回路是电场-磁场的不断转换。
在电路中的应用实际上是把它当作一个高Q值的电磁谐振回路。
由于石英晶体的损耗非常小,即Q值非常高,做振荡器用时,可以产生非常稳定的振荡,作滤波器用,可以获得非常稳定和陡削的带通或带阻曲线。
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~晶振是石英振荡器的简称,英文名为Crystal,它是时钟电路中最重要的部件,它的作用是向显卡、网卡、主板等配件的各部分提供基准频率,它就像个标尺,工作频率不稳定会造成相关设备工作频率不稳定,自然容易出现问题。
由于制造工艺不断提高,现在晶振的频率偏差、温度稳定性、老化率、密封性等重要技术指标都很好,已不容易出现故障,但在选用时仍可留意一下晶振的质量。
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~晶振在应用具体起到什么作用微控制器的时钟源可以分为两类:基于机械谐振器件的时钟源,如晶振、陶瓷谐振槽路;RC (电阻、电容)振荡器。
一种是皮尔斯振荡器配置,适用于晶振和陶瓷谐振槽路。
另一种为简单的分立RC振荡器。
基于晶振与陶瓷谐振槽路的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。
RC振荡器能够快速启动,成本也比较低,但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差,会在标称输出频率的5%至50%范围内变化。
频率标准的类型:铷原子钟:铯原子钟即铯束原子频率标准。
铯(C133)原子频率标准所用的是基态超精细磁能级之间的跃迁,即原子秒定义中描述的跃迁能级。
铯原子频率标准的准确度高,短期频率稳定度比氢原子频率标准差,价格高,体积比铷原子钟大,一般只用作最高等级基准时钟或测试、研究必须的频率标准。
铯原子钟:铷原子钟用的是基态超精细磁能级之间的跃迁,称为σ跃迁,与铯钟相比,虽然铷原子钟的准确度是原子钟中最差的,漂移率也较大,不能作为频率基准使用,但它体积小,重量轻,预热时间很短,价格相对低廉,在同步网中普遍作为地区级参考频率标准。
石英晶体振荡器:是利用石英晶体(SiO2)的压电效应制成的一种谐振器件,简称晶振。
根据晶振的不同使用要求及特点,通常分为以下几类:普通晶振(XO)、压控晶振(VCXO),温补晶振(TCXO)和恒温晶振(OCXO)高稳石英晶体振荡器:简称高稳晶振,具有完善的结构和良好的温控电路组成。
主要措施有:相位差比较器和软件锁相控制器,恒温槽技术。
高稳石英晶体频率标准体积小、寿命长、价格低廉,尤其是秒以下的短期稳定度好,且利用锁相技术能使之同步于外来同步基准信号,所以高稳晶振在数字同步网中作为从钟被大量使用。
主要技术指标:频率准确度:表征信号的实际频率值与理想的或定义的频率值(以UTC为标准的频率,实际是国际原子时ATI的频率)的偏离或符合程度,一般用相对频率偏差来表示。
频率稳定度:频率稳定度表示时钟输出频率因受噪声影响产生的随机起伏特性。
可以从时域和频域来分析频率稳定度。
频率稳定度用阿伦方差的平方根来表征。
频率漂移率:频率漂移率是指时钟输出频率随运行时间单调变化的线性率。
随时间单位的不同,有日漂移率?p月漂移率和年漂移率。
对于高稳石英晶体振荡器,由于频率漂移通常是由石英晶体的老化造成的,因此它的频率漂移率称为频率老化率。
原子钟的漂移主要由内部器件造成,包括由量子结构的频率漂移、相检及运放的漂移引起。