从缺陷的角度谈谈蓝宝石生长方向的选择
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蓝宝石材料的制备和性能研究蓝宝石是一种非常具有价值和观赏性的宝石,其高端的价值使得其在珠宝、光学和电子等领域得到广泛的应用。
然而,对于蓝宝石材料的制备和其性能的研究仍然是一个热门的研究领域。
这篇文章将从蓝宝石材料的制备方法、研究现状和未来发展方向进行探讨。
一、蓝宝石材料的制备方法蓝宝石是一种氧化铝,其晶体结构为六方最密堆积。
制备蓝宝石具有多种不同的方法,例如:1. 单晶生长法单晶生长法是一种比较常用的制备蓝宝石的方法,具体原理是在高温高压的环境下,通过控制显微镜下小晶核的生长,从而得到高质量的蓝宝石晶体。
这种方法需要掌握严格的温度和压力条件,同时还需要对种子晶体的选择进行严格控制。
2. 溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是一种相对简单的制备方法,它通过将氧化铝溶解在水中,加入草酸等化学试剂,产生凝胶状物质,再通过干燥和煅烧,最终得到高质量的蓝宝石材料。
这种方法的优点在于成本低廉,操作简单,但是制备出的材料质量有一定的限制。
3. 水热合成法水热合成法是一种新型的合成方法,它通过在高温高压的水溶液中反应氧化铝和碱金属碱土金属等化学试剂,制备蓝宝石材料。
这种方法具有高效、环保等优点,但是对反应条件的控制比较困难。
二、蓝宝石材料的性能研究现状蓝宝石材料的性能研究主要包括其物理性质和光学性质等方面,下面将分别进行介绍。
1. 物理性质在物理性质方面,蓝宝石材料具有较高的硬度、抗腐蚀性和耐高温性等特点,这些特性决定了蓝宝石在各种领域的应用价值。
此外,蓝宝石材料还具有较好的导热性和导电性能,在电子、光电、导热等领域也具有广泛的应用前景。
2. 光学性质在光学性质方面,蓝宝石材料具有非常优异的特性,例如高透明度、高折射率、高反射度、高旋光性等等。
这些性质使得蓝宝石在光学器件、激光技术、LED等领域有着不可替代的地位。
三、蓝宝石材料未来的发展方向随着材料科学和技术的不断发展,蓝宝石材料在未来的发展方向也发生了一系列的改变。
1. 晶体品质的提高在蓝宝石单晶生长领域,人们一直在追求晶体品质的提高,例如单晶中晶陷、丝状晶等缺陷的减少,这样才能获得更高质量的蓝宝石晶体,从而满足高端市场的需求。
蓝宝石缺陷产生机理及改进方法研究在蓝宝石晶体的制备过程中,常见的晶体缺陷主要有晶体开裂、气泡与空腔、杂质及色心、位错等,缺陷的产生极大影响了晶体的使用性能。
文章从几种缺陷的产生机理着手,提出了有效降低晶体中缺陷率的措施,对生长大尺寸、高质量的蓝宝石晶体具有重要意义。
标签:蓝宝石单晶;晶体缺陷;产生机理;改进方法Abstract:In the process of sapphire crystal preparation,the common crystal defects mainly include crystal crack,bubble and cavity,impurity and color center,dislocation,and so on. Based on the mechanism of several defects,this paper puts forward effective measures to reduce the defect rate in crystals,which is of great significance for the growth of large-size and high-quality sapphire crystals.Keywords:sapphire single crystal;crystal defect;generation mechanism;improving method1 概述蓝宝石(Sapphire),又称白宝石或刚玉。
蓝宝石晶体的热学性能以及光学性能优良,化学性质稳定,广泛应用于光学和微电子领域,尤其是用作高亮度GaN 基发光二极管(LED)的外延基片材料。
LED市场的迅猛发展,要求生长出大尺寸、高质量、性能稳定的蓝宝石晶体,这就对蓝宝石生长技术提出了更高要求。
但在蓝宝石单晶的生长过程中,往往会产生一些显著影响蓝宝石性能的缺陷,比如位错、杂质及色心、气泡、晶体裂纹等。
蓝宝石衬底表面缺陷成因分析与改进措施作者:刘建飞周志豪吴丽琼黄建烽来源:《工业技术创新》2020年第03期摘要:蓝宝石衬底在实际量产中,约10%~15%会产生表面缺陷,导致成品返工或报废,经济损失较大。
分析实际量产作业中设备与工艺过程,探究和比较刮伤、坑洞、气泡、颗粒、崩角、色差共6种表面缺陷的失效模式,提出了技術和工艺改善措施。
在检测方式上,对比了接触式及非接触式检测工具与原理,探讨了各自的分辨率与呈现方式,为得到更有效的改善技术和工艺奠定了基础。
过程改进后,量产作业表面缺陷占比降低至5%~8%。
若要实现更低的表面缺陷占比,需进一步改良工艺过程和机台硬件配置。
关键词:蓝宝石衬底;表面缺陷;量产;失效模式;接触式检测;非接触式检测引言蓝宝石(α-Al2O3)作为发光二极管(LED)中常见的一种衬底材料,具有硬度高、熔点高、光透性好、热稳定性好和化学性质稳定等特性,至今已发展至6寸以上尺寸且具备量产的工艺能力。
衬底表面质量对后续的图形化处理(PSS)与GaN外延层的生长有很大的影响,因此需要优异的衬底加工工艺,以获取高质量衬底基片[1]。
蓝宝石衬底制备过程中,常见的外观缺陷主要有刮伤(Scratch)、坑洞(Pits)、气泡(Bubbles)、颗粒(Particle)、色差(Color defect)以及崩角(Chipping)等。
李强[2]详述了硅衬底表面缺陷的产生原因及改善措施,从而在量产条件下提升了硅衬底制备能力及表面质量。
而目前对于蓝宝石衬底表面缺陷的研究,多处于检测与分析阶段。
实际量产中,约10%~15%会产生蓝宝石衬底表面缺陷,导致成品返工或报废,造成严重经济损失,故需深入讨论缺陷的失效模式,以改善衬底表面质量,提高成品率。
本文使用KLA-Tencor Candela CS20R以及SEM SU8010等检测设备,对蓝宝石衬底量产时常见的表面缺陷进行检测、分类和分析,并结合现有条件提出有效的改善措施,从而提升量产能力,改善成品表面质量。
三大神炉的技术本源在本人的另一篇博文《从各个版本的Ky反映出的民族特性》已经概括性的总结了Ky法在美国的发展;其中TT公司的炉子绝对是美国人把俄罗斯的Ky炉进行好莱坞化。
TT公司并没有掌握Ky法的精髓,只是按美国人的理解进行所谓的改进,在成本上和性能上完败于俄罗斯的Ky法。
本质上TT的设备是一个Ky在美国失败的改装版本,Ky近四十年的经验和技术积累不是一年两年就能超越的。
在分析ARC的设备的时候,一定要把它和GT的ASF(实际上就是HEM)放在一起,因为ARC的设备是GT的改良升级版。
我们先谈谈他们的历史渊源,GT的多晶定向铸锭炉技术买的是Crystal System的技术专利,这是本来是一个用HEM长Si单晶失败的产品,是典型的瞎猫碰死耗子。
中国的LDK是他全球第一个商业用户,第一个吃螃蟹的人。
后来GT收购CS,有一票CS的人跳槽出来成立ARC,ARC的人的确熟知HEM的种种毛病,改进后推出自己的HEM设备。
GT由于收购了CS的全部知识产权,所以在告ARC 侵权。
那么GT和ARC的HEM是一个新技术吗?它的原理是什么?所谓万变不离其宗,本博主认为他们的真正技术的本源是Bridgman-Stockbarger Method坩锅下降法。
为说明这个问题,我还会带上国内的上海光机所TGT、云南玉溪和成都东骏在一起做分析比较;它们都是坩锅下降法的变种。
云南玉溪、成都东骏、TGT、GT和ARC的技术分析Bridgman-stockbarger method坩埚下降法是将一个垂直放置的坩埚逐渐下降,使其通过一个温度梯度区(温度上高下低),熔体自下而上凝固。
通过坩埚和熔体之间的相对移动,形成一定的温度场,使晶体生长。
温度梯度形成的结晶前沿过冷是维持晶体生长的驱动力。
使用尖底坩埚可以成功得到单晶,也可以在坩埚底部放置籽晶。
对于挥发性材料要使用密闭坩埚。
坩埚下降法优点:1:坩埚封闭,可生产挥发性物质的晶体;2:成分易控制;3:可生长大尺寸单晶;4:常用于培养籽晶。
泡生法生长蓝宝石晶体1 引言无色蓝宝石(α- Al2O3)属六方晶系,最高工作温度可以达到1900 ℃。
目前以其特殊的物理化学性质、价格优势和晶体尺寸而成为光电子和微电子产业中用量最大的无机氧化物晶体材料,尤其是在本世纪的固体光源革命中,以蓝宝石为衬底的GaN基蓝绿光LED产业的大力发展,不断推动着对蓝宝石生长技术和晶体质量的研究。
此外,由于蓝宝石晶体易于获得大尺寸单晶,而且其热噪音仅为石英玻璃的1.9倍,模式因子Q比石英玻璃高两个数量级,故以蓝宝石晶体作为干涉仪光学介质将极大地提高光学灵敏度。
蓝宝石晶体已经被美国国家自然科学基金委员会作为L IGO (Laser Interferometer Gravitational Wave Observatory)计划中首选的光学材料。
因此高光学质量和大尺寸蓝宝石晶体生长技术仍然是产业界探索和研究的热点内容之一。
2 蓝宝石晶体的生长技术蓝宝石晶体的合成方法主要有焰熔法、助熔剂法和熔体法, 其中熔体法又可分为几种。
焰熔法生长的宝石晶体尺寸较小, 具有大量的镶嵌结构, 质量欠佳;助熔剂法生长的宝石晶体也很小, 且含有助熔剂阳离子, 质量也不太好;而熔体法生长的宝石晶体具有较高的纯度和完整性, 尺寸较大。
其基本原理是将晶体原料放入耐高温坩埚中加热熔化, 然后在受控条件下通过降温使熔体过冷却, 从而生长晶体。
由于降温的受控条件不同, 因此, 从熔体中生长宝石晶体的方法也稍有不同。
目前, 世界上主要的熔体法生长技术有4种晶体提拉法、导模法、热交换法和泡生法。
本文着重报道的是利用泡生法生长无色蓝宝石晶体。
2.1 晶体提拉法晶体提拉法( cr ystal pulling metho d) 由J.Czochralski 于1918 年发明, 故又称 丘克拉斯基法 , 简称Cz 提拉法, 是利用籽晶从熔体中提拉生长出晶体的方法, 能在短期内生长出高质量的单晶。
这是从熔体中生长晶体最常用的方法之一。
化学腐蚀法研究蓝宝石单晶中的位错缺陷吕海涛1,张维连1,左燕1,步云英2(1.河北工业大学,天津300130;2.天津半导体技术研究所,天津300051)摘要:采用化学腐蚀-金相显微镜法和SEM法观察了CZ法生长的直径50mm的蓝宝石单晶中的位错缺陷。
发现位错分布状况为中心较低、边缘较高,密度大约为104-105cm-2。
在不同温度不同的试剂以及不同的腐蚀时间进行对比结果发现,用KOH腐蚀剂在290℃下腐蚀15min时,显示的位错最为清晰、准确,效果最佳。
关键词:蓝宝石单晶:位错:化学腐蚀中图分类号:TN304.21;077+2 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(2004)04-0048-041 引言近年来宽禁带(Eg>2.3V)半导体材料发展十分迅速,称为第三代电子材料。
主要包括SiC、金刚石、GaN等。
同第一、二代电子材料相比,第三代电子材料具有禁带宽度大,电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好等特点,非常适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。
利用其特有的禁带宽度,还可以制作蓝绿光和紫外光的发光器件和光探测器件。
其中GaN 是一种商业化前景最好的光电子材料,它具有某些其他材料无可比拟的优越性。
因此许多大公司、实验室、高等院校和科研所都投入大量人力物力开发这种新型光电子器件,但是第三代半导体材料的晶体生长都比较困难。
GaN的熔点高,很难采用常规的方法直接生长GaN体单晶。
因此为了满足制作器件的需要,各种外延技术仍是获得高质量、大尺寸单晶片的主要方法。
制备外延GaN薄膜,目前主要的衬底材料有:蓝宝石、SiC、硅等衬底材料。
综合多方面考虑,蓝宝石是目前最广泛使用的衬底[1]。
蓝宝石是刚玉类宝石中的一个品种。
天然蓝宝石无色透明,多数是罕见的星光宝石。
由于天然蓝宝石稀少,化学成分不纯和成本高,不能作为工业材料使用。
人造蓝宝石具有许多热学、光学、电学和力学的优良性能,使它成为一种特殊的材料,有着重要的用途,吸引着人们在蓝宝石的研制和应用等方面作了大量的工作。
蓝宝石养殖方法和注意事项摘要:蓝宝石是一种稀有且珍贵的宝石,它被广泛用于珠宝制作和装饰。
在养殖蓝宝石之前,准备工作和方法选择是非常重要的。
本文将介绍蓝宝石的养殖方法和需要注意的事项,从而帮助读者了解如何成功养殖蓝宝石。
正文:蓝宝石,它闪烁着深蓝色的光芒,是一种梦幻般的宝石。
在世界上,尤其是亚洲和澳大利亚地区,蓝宝石非常受欢迎。
然而,由于其稀少性,市面上的蓝宝石价格非常昂贵。
因此,对于许多人来说,尝试养殖蓝宝石是一种既富有挑战性又具有经济收益的选择。
首先,让我们来看看蓝宝石的养殖准备工作。
在决定开始蓝宝石养殖之前,您需要购买蓝宝石种子。
这些种子可以在市场上或者专业的宝石养殖场购买。
此外,您还需要提前准备工作场所。
蓝宝石养殖一般是在洞穴或地下矿山进行的。
确保光线、湿度和温度都适宜,这对于蓝宝石的生长和发展非常重要。
接下来,让我们来了解一下蓝宝石的养殖方法。
蓝宝石的养殖有两种常用的方法:拉引法和融石法。
拉引法是指将种子放置在真空环境下,然后通过施加适当的压力和温度进行慢慢拉伸,最终形成蓝宝石。
这个过程需要一定的技术和设备,并且需要不断调整温度和压力,以保证蓝宝石的质量。
另一种方法是融石法,即将蓝宝石种子放置在高温条件下进行融化和重新结晶。
这种方法可以节省时间和成本,但对于技术要求更高。
蓝宝石的养殖过程需要注意一些事项。
首先是种子的选择。
选择高质量的种子非常重要,因为它们决定了最终蓝宝石的质量。
其次是环境的控制。
光线、湿度和温度的适宜对蓝宝石的生长至关重要。
您需要根据不同的种植阶段调整这些条件。
此外,还要定期检查和保养设备,确保养殖过程顺利进行。
成功养殖蓝宝石的关键在于耐心和经验。
尽管养殖蓝宝石可能需要一定的时间和投入,但当您看到美丽的蓝宝石产出时,一切都将变得值得。
通过合理控制养殖条件,您将能够培育出高品质的蓝宝石。
此外,专业的知识和技术也是成功的关键。
在养殖蓝宝石的路上,一定要记住需要付出努力和耐心。
蓝宝石葡萄优缺点汇报人:2023-12-12•蓝宝石葡萄的优点•蓝宝石葡萄的缺点•蓝宝石葡萄的种植建议目录•蓝宝石葡萄的应用前景01蓝宝石葡萄的优点蓝宝石葡萄的含糖量较高,口感甜美,适合喜欢甜味的人群。
甜度高果肉脆无籽蓝宝石葡萄的果肉非常脆,口感爽口,有嚼劲。
蓝宝石葡萄是无籽的,吃起来更加方便,不需要吐籽。
030201口感独特营养价值高蓝宝石葡萄含有丰富的维生素和矿物质,如维生素C、维生素B、钾、钙、磷等,对人体健康有益。
含有抗氧化物质蓝宝石葡萄含有丰富的抗氧化物质,如花青素和白藜芦醇等,有助于抗衰老和预防疾病。
蓝宝石葡萄对气候的要求不高,可以在不同的气候条件下生长和繁殖。
适应多种气候条件蓝宝石葡萄对土壤的要求也不高,可以在不同的土壤类型中生长。
适应多种土壤类型适应性强蓝宝石葡萄比较耐贮藏,可以长时间保存不易变质。
蓝宝石葡萄在运输过程中不易受损,能够安全地运输到目的地。
耐贮运耐运输耐贮藏02蓝宝石葡萄的缺点0102易患病虫害病虫害的发生可能会影响葡萄的品质和产量,增加生产成本。
蓝宝石葡萄对于一些病虫害缺乏抵抗力,容易受到侵害,需要采取积极的防治措施。
对温度要求较高蓝宝石葡萄对于温度的要求较高,需要温暖的气候和充足的阳光,生长过程中需要避免低温环境。
在温度不适宜的地区,蓝宝石葡萄的生长可能会受到影响,导致产量和质量下降。
蓝宝石葡萄的种植难度较大,需要精细的栽培技术和严格的管理措施。
种植过程中需要投入大量的人力、物力和财力,增加了生产成本。
种植难度较大蓝宝石葡萄的产量相对于其他葡萄品种较低,可能无法满足大规模生产的需要。
产量的不足可能会影响收益和投资回报率,对于生产者来说是一个挑战。
产量较低03蓝宝石葡萄的种植建议选择肥沃、排水良好的土壤,有利于蓝宝石葡萄的生长和发育。
土壤选择蓝宝石葡萄适合在气候温暖、干燥、阳光充足的地方种植。
气候条件避免在低洼地、易受洪水侵袭的地方种植,以免影响蓝宝石葡萄的生长。
从缺陷的角度谈谈蓝宝石生长方向的选择
引言
大学时代有一教授常常挂在嘴边的一句话是“学生不听课,绝对是老师的责任”;该教授的课讲得果然是既生动又有深度,很少有学生逃课…………本人也自认为受益菲浅。
大学讲究的自由学风,今天我们的大学自由是有了,学风是罕见了…………..
好的老师既要能用简单的话语讲明白高深的道理,还得督促引导学生去思索学习。
晶体缺陷是比较抽象的一门学科,很多人似懂非懂;在蓝宝石晶体缺陷、晶体质量方面和晶体生长方向的方面存在很多认识的误区。
很多人向你讲解的不明白,可能不是存心忽悠你,因为自己未必真的是理解了。
缺陷的绝对性
学习晶体学、晶体生长和晶体缺陷离不开热力学三大定律。
对于晶体缺陷,热力学第三定定律的阐述了一个物理学最基本的原理“在热力学温度零度(即T=0开)时,一切完美晶体的熵值等于零。
”所谓“完美晶体”是指没有任何缺陷的规则晶体。
从科学的角度讲绝对零度不可能达到,所以不存在没有任何缺陷的晶体。
绝对完美的晶体是天国的专利,可望而不可及。
由于晶体结构具有规律性,破坏晶体结构的缺陷显然也不会是胡乱一团,也具有相当规则的构型,和相应的物理规律。
利用这些规律我们可以回溯它所经历的磨炼,所遭受的打击。
晶体缺陷相关的基本原理
晶体缺陷可以分为点缺陷(零维)、线缺陷(一维)和面缺陷(二维)三大类。
点缺陷主要构形是空位、填隙原子、杂质原子等;线缺陷以位错(dislocation)为代表;面缺陷以晶粒间界、孪晶界为代表。
晶体中的位错来源有二,在力场中通过成核和增殖产生的,二是籽晶遗传的;不管位错是后天产生的,还是先天遗传的。
只要位错与生长界面相交,在生长过程中随界面推移,位错必然延伸,这是由伯格斯矢量守恒所决定的。
位错线具有特殊的拓扑性质:它要么构成闭合的圈圈,要么延伸到晶体表面,绝不可能中断在晶体之中。
位错线也可以分岔开来,分岔后的的两根位错线也必须遵守伯格斯矢量守恒和位错线特殊的拓扑性质。
位错线在应力场中会受到作用力,这一作用力垂直于位错线;在作用力下位错线会发生滑移、产生弯曲。
晶体生长方向选用原子最密面的原则。
蓝宝石晶体的基本性能和缺陷分析
蓝宝石晶体(α-Al2O3)是一种简单配位型氧化物晶体,属六方晶系,空间群D -R mc,本应为无色透明的白宝石晶体,但在天然矿物形成过程中,往往含有微量铁和钛杂质而呈蓝色,故称蓝宝石晶体(其整体结构即为白宝石)。
蓝宝石晶体是一种古老的晶体,也是是一种熔点很高(2040︒C)的高温难熔氧化物晶体。
六方晶系a1=a2=a3≠c;三根a轴在同一水平面上成120°角分步,c轴垂直于该平面(三根a轴的平面)。
我们常常提起的A面、C面就是分别和a轴、c轴垂直的面。
我们就利用上面提及的晶体缺陷的基本原理和蓝宝石的晶体学特性来分析蓝宝石晶体的缺陷以及蓝宝石衬底相关的一些术语。
目前,绝大多数厂商蓝宝石晶体的纯度在99.99%~99.999%之间;或所用的氧化铝原料在99.99%~99.999%之间。
同时,有的厂商能用99.99%原料长出好的晶体,有的厂商用更高纯度的晶体也长不出好晶体。
蓝宝石晶体的纯度在99.99%~99.999%之间,意味这晶体中存在大量的填隙原子和杂质原子,也就是点缺陷;这些点缺陷在力场中通过成核和增殖产生位错——线缺陷。
蓝宝石衬底常常提起的EPD,其实就是位错(线缺陷)与C面相交,并在C面上的投影。
如果晶体的材料的单晶性不好(与坩埚壁接触的寄生成核),就会产生面缺陷,面缺陷与C面相交,并在C面上的投影就是衬底材料常常提起名词——差排线。
在蓝宝石晶体中位错来源有二,填隙原子和杂质原子在力场中通过成核和增殖产生的,二是籽晶遗传的。
同时位错线具有特殊的拓扑性质:它要么构成闭合的圈圈,要么延伸到晶体表面,绝不可能中断在晶体之中。
六方晶系蓝宝石a1=a2=a3≠c;三根a轴在同一水平面上成120°角分步,c轴垂直于该平面(三根a轴的平面)。
我们常常提起的A面、C面就是分别和a轴、c轴垂直的面。
这就意味着位错在沿C面垂直(C向生长)方向延伸时,所受的应力基本是平衡的,它会一直延伸到露出晶体的C面。
如果是C向生长,由于杂质和应力的存在,随着生长界面的推移,不停的有位错线产生并累加,晶体的位错会越来越高,甚至发生多晶和散点。
实验数据也证明了C向生长的晶体头部的EPD要低于尾部的EPD,既晶体头部的质量要高于尾部的晶体质量。
反之,如果沿A向生长,位错线在应力场得作用下,很快的发生滑移和弯曲,很快的在C向露头,虽然不停的有新位错线产生,但不停的有位错线在C向露头消亡。
实验数据也证明了A向生长的晶体头部的EPD要高于尾部的EPD,既晶体尾部的质量要高于头部的晶体质量,同时A向生长的晶体的平均质量要远远高于C向生长的晶体。
这就意味着沿C生长蓝宝石晶体对原料纯度的要求要远远高于A向生长。
同时,A向生长蓝宝石晶体符合晶体生长方向选用原子最密面的原则。
那么A向和C向谁是正确的方向?。